GESTIÓN DE FORMACIÓN PROFESIONAL INTEGRAL

PROCEDIMIENTO DESARROLLO CURRICULAR

GUÍA DE APRENDIZAJE 5 REALIZAR CIRCUITOS CON TRANSISTORES DE ACUERDO CON
ESPECIFICACIONES TECNICAS

1. IDENTIFICACIÓN DE LA GUIA DE APRENDIZAJE

● Denominación del Programa de Formación: MANTENIMIENTO DE EQUIPOS ELECTRONICOS DE

CONSUMO MASIVO EN AUDIO Y VIDEO
● Código del Programa de Formación: 839101 Versión 1.
● Nombre del Proyecto: DISEÑO DE PROTOTIPO PARA VISUALIZACIÓN DE CARACTERES POR
BARRIDO EN LED, Código: 835559.
● Fase del Proyecto: 1 – ANÁLISIS.
● Actividad de Proyecto: Análisis de requerimientos de formación a los que dará soporte en la
elaboración de equipo para banco de trabajo, ofertas de equipos similares y posible mercado para
la comercialización.
● Competencia: Mantener equipos electrónicos de audio y vídeo de acuerdo con manuales del
fabricante y tipo de producto.
● Resultados de Aprendizaje a Alcanzar:
✔ Realizar diagnóstico del equipo de audio y video a partir de técnicas que vinculan
requerimiento del cliente, Inspección visual y medición en la entrada de alimentación y
bloques funcionales de acuerdo a manuales del fabricante.
✔ Valorar funcionalidad de los componentes electrónicos del equipo de Audio y Video de
acuerdo a códigos de error y señales entregados por el fabricante.
● Duración de la Guía: 80 Horas presenciales.

2. PRESENTACION

La base de la electrónica moderna, sin duda, es el transistor bipolar o BJT, muchos de ellos se reúnen para
lograr mayores capacidades de procesamiento, almacenamiento y adquisición de datos. En esta guía se le
invita a conocerlos, cómo funcionan, su apariencia física, cómo se prueban, y a trabajarlos como
conmutadores, para controlar encendido y apagado de elementos electrónicos, o como amplificadores,
estos son la parte esencial de un equipo de sonido sea este análogo, digital, de radiocomunicaciones,
consolas para conciertos y auditorios o circuitos que manejen mecanismos en equipos de audio y video.
También conocerá los transistores de efecto de campo (FET) y todas las clases que existen, su
funcionamiento y aplicaciones en circuitos electrónicos. Como técnicos en Mantenimiento de equipos
electrónicos de consumo masivo en Audio y Video tendrán las competencias que les permitirán identificar
las fallas en circuitos con transistores que componen los diferentes equipos electrónicos.
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3. FORMULACION DE LAS ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE

Ambientes de formación requerido para todas las actividades: Presencial:

● Virtual: Ambiente de estudio apto para la concentración, con ventilación e iluminación adecuadas,
escritorio o mesa de trabajo, computador con acceso a internet y programas ofimáticos básicos +
Proteus isis, toma eléctrica de 120VAC, multímetro, parlantes, protoboard, fuentes de poder y
estaciones de soldadura con cautín.

● Virtual: LMS en plataforma BlackBoard.

● Descripción de las Actividades y Materiales:

3.1. Reconocer la importancia e historia del transistor de acuerdo con especificaciones técnicas: Observe
el video “El Primer Transistor”, que se encuentra en la carpeta “Material de Apoyo” subcarpeta “Videos”
de la plataforma Classroom y/o en la siguiente dirección de internet: [Link]
v=9MMaAgtnb6E. De acuerdo con lo observado en el video, responda las siguientes preguntas:

● ¿Cuál fue la importancia del tubo de vacío?

● ¿Cuáles eran los problemas del tubo de vacío?
● ¿De dónde viene el nombre de “transistor”?
● Cite una de las primeras aplicaciones del transistor.

[Link] las diferencias y semejanzas entre transistores FET y BJT de acuerdo con especificaciones
técnicas: Consulte en el texto guía “Electrónica Aplicada” de Pablo Alcalde Sanmiguel, Editorial Paraninfo,
capítulo 14, en los videos dispuestos en la carpeta “Material de Apoyo” de la plataforma Classroom, en
internet o en la fuente de información que considere pertinente, las clases de transistores FET, haciendo
énfasis en el JFET y el MOSFET, luego realice un cuadro comparativo donde especifique las diferencias y
semejanzas encontradas en cada uno con respecto al transistor bipolar (BJT).

RTA. El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas
tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre sí.

Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es
la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el
camino obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S)
El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o
gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
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A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador
(drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off"
y es diferente para cada FET.
Existen dos tipos de FET:
El transistor de efecto de campo de unión JFET.
El transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor MOSFET.

TRANSISTORES JFET TRANSISTORES MOSFET

El JFET es un dispositivo de tres En un transistor Canal N, el sustrato es de
terminales, estas son la compuerta semiconductor tipo p, este se conecta de manera
(G), drenaje (D) y fuente (S). Un interna a la terminal de la fuente. La fuente y
transistor JFET está formado por el drenaje, están conectadas a un material tipo n a
semiconductor que se conecta a las través de un contacto metálico, sin embargo, en
terminales de fuente y drenaje. El este caso no tenemos un canal que conecte estas
material restante está conectado terminales. La compuerta, sigue conectada a una
entre sí para directamente a la placa metálica, separada al material del sustrato
compuerta. Cabe señalar que en la por un oxido de silicio, con propiedades
unión tenemos una región de dieléctricas. A continuación, se observan los
empobrecimiento. La polarización del transistores MOSFET de enriquecimiento canal N y
JFET está en función a la diferencia de canal P.
potencial entre los materiales Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos
semiconductores. Esto aumenta la fundamentales dependiendo de cómo se haya
región de agotamiento y regula la realizado el dopaje:
cantidad de corriente que circula en el -Tipo n MOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo
canal drenaje-fuente. Una vez que el n.
voltaje genere una región de -Tipo p MOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo
agotamiento suficientemente grande, p.
se tiene la condición de El transistor MOSFET tiene tres estados de
estrangulamiento. funcionamiento:
ESTADO DE CORTE
Cuando la tensión de la puerta es idéntica a la del
sustrato, el MOSFET está en estado de no
conducción: ninguna corriente fluye entre
fuente y drenador aunque se aplique una
diferencia de potencial entre ambos. También se
llama mosfet a los aislados por juntura de dos
componentes.
CONDUCCION LINEAL
Al polarizarse la puerta con una tensión negativa (p
MOS) o positiva (n MOS), se crea una región de
deplexión en la región que separa la fuente y el
drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores
minoritarios (electrones en pMOS, huecos en
nMOS) en la región de deplexión que darán lugar a
un canal de conducción.
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El transistor pasa entonces a estado de

conducción, de modo que una diferencia de
potencial entre fuente y drenador dará lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una
resistencia controlada por la tensión de puerta.
SATURACION
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera
cierto límite, el canal de conducción bajo la puerta
sufre unestrangulamiento en las cercanías del
drenador y desaparece. La corriente entre fuente y
drenador no se interrumpe, ya que es debida al
campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre
ambos terminales

COMPARATIVA JFET- MOSFET

-El transistor JFET tiene menores niveles de ruido.
-El transistor MOSFET soporta mayores voltajes.
-En JFET la corriente se controla mediante la polarización inversa de las compuertas con el canal S-D. En
el transistor MOSFET mediante un campo eléctrico que atrae a los portadores minoritarios a través de
una capa dieléctrica.
-El transistor JFET tiene una desviación de cero del voltaje, cuando no está polarizada la compuerta la
corriente en D-S no es cero. En el MOSFET la corriente D-S es igual a cero, a menos de que exista
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polarización.
-El transistor JFET tiene mayor ganancia (transconductancia) que el MOSFET.
-Debido a la capa de dieléctrico entre la compuerta y el substrato, el transistor MOSFET tiene una
impedancia de entrada mayor que el JFET.
-Actualmente un transistor MOSFET es más fácil de fabricar que un transistor JFET. No por el proceso de
fabricación, si no, por su popularidad, existen más líneas de fabricación.

BJT- BIPOLAR JUNCION TRANSISTOR FET

-Controlado por corriente de base. -Controlado por tensión entre puerta y fuente.
-Relación lineal entre Ib e Ic. -Relación cuadrática entre Vgs e Id.
-IC es una función de IB. -Ganancias de corriente indefinidas y ganancias
-ß (beta factor de amplificación) de voltaje menores a las de los BJT.
-Altas ganancias de corriente y voltaje. -Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas
-Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal p) ó electrones (canal
libres de los huecos y electrones. n).
-ID es una función de Vgs.
-gm (factor de transconductancia).

VENTAJAS DESVENTAJAS
- Los FET de potencia pueden disipar una potencia -Los FET presentan una respuesta en frecuencia
mayor y conmutar corrientes grandes. pobre debido a la alta capacidad de entrada.
- La alta impedancia de entrada de los FET les - Los FET se pueden dañar debido a la electricidad
permite retener carga el tiempo suficiente para estática.
permitir su utilización como elementos de - Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en
almacenamiento. general son menos lineales que los BJT.
-Impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012)
MΩ.
-Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
-Son más estables con la temperatura que los BJT.
- Se comportan como resistencias controladas por
tensión para valores pequeños de tensión drenaje-
fuente.
-Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan
menos pasos y permiten integrar más dispositivos en
un CI.

[Link] los diferentes encapsulados de transistores de acuerdo a especificaciones técnicas:

Consulte en internet o en otra fuente bibliográfica de su interés los diferentes tipos de encapsulados de
transistores que se encuentran en el comercio electrónico, luego realice un cuadro donde indique la
apariencia de cada encapsulado y su referencia. Incluya los encapsulados existentes de transistores de
tecnología SMD (montaje superficial). Anexe dicho cuadro al informe que inició con la Actividad anterior.
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TIPOS DE ENCAPSULADOS

- TO92

 Este transistor pequeño es muy utilizado para la

amplificación de pequeñas señales. La
asignación de patitas (emisor – base – colector)
no está estandarizado, por lo que es necesario a
veces recurrir a los manuales de equivalencias
para obtener estos datos.

–  TO-18

Es un poco más grande que el encapsulado TO-

92, pero es metálico. En la carcasa hay un
pequeño saliente que indica que la patita más
cercana es el emisor. Para saber la configuración
de patitas es necesario a veces recurrir a los
manuales de equivalencias.

– El TO-39

 Tiene el mismo aspecto que es TO-18, pero es

más grande. Al igual que el anterior tiene una
saliente que indica la cercanía del emisor, pero
también tiene la patita del colector pegado a la
carcasa, para efectos de disipación de calor.
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–  TO-126

 Este tipo de encapsulado se utiliza mucho en

aplicaciones de pequeña a mediana potencia.
Puede o no utilizar disipador dependiendo de la
aplicación en se esté utilizando. Se al disipador
por medio de un tornillo aislado en el centro del
transistor. Se debe utilizar una mica aislante

– El TO-3

Este encapsulado se utiliza en transistores de

gran potencia. Como se puede ver en el gráfico
es de gran tamaño debido a que tiene que
disipar bastante calor. Está fabricado de metal y
es muy normal ponerle un “disipador” para
liberar la energía que este genera en calor.

TO-220

 Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en

que se deba de disipar potencia algo menor que
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con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-

126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar
disipador, fijado por un tornillo debidamente
aislado.

TO-252

TO-252 , es un paquete de
semiconductores desarrollado por Motorola
para montaje en superficie en placas de
circuito . Representa una variante de montaje en
superficie  del paquete TO-251 , y una variante
más pequeña del paquete D2PAK . A menudo se
usa para MOSFET de alta potencia y reguladores
de voltaje.
El paquete puede tener 3 pines con paso de
90 mils (2.3 mm) o 5 pines con paso de 45 mils
(1.1 mm).

TO-3P

Es una variante del TO-3 Aunque parece más un

TO-220 grande su diseño permite utilizarlo en
vez del TO-3 fueron muy populares para ciertas
aplicaciones como televisores y ciertos montajes
pero ya se ha reducido du número de
aplicaciones.
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TRANSISTORES SMD-MONTAJE SUPERFICIAL

El tamaño de estos componentes es muy reducido, ahorrando espacio en la placa y cantidad de cobre
utilizada. Esta es una de las mayores ventajas de los SMD, ya que al ocupar tan poca superficie se minimiza
también la longitud de las pistas. Además, la eliminación de los terminales hace que mejore la inductancia
y la resistencia parásita que se da en el encapsulado.

SOT-23

Los transistores que usan este

tipo de encapsulado son los
más conocidos en montaje
superficial se caracterizan por
sus reducidas dimensiones y
por sus tres terminales
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SOT-223

Se utiliza para
transistores de señal
mediana ya que son
capaces de manejar
corrientes de 1 o 2
amperes.

SOT-89

Estos transistores se
manejan cuando se
requiere una corriente
de mediana
intensidad,su capacidad
para disipar el calor es
casi la misma que los
SOT-223 pero son mas
pequeños que estos

4.
SOT-26

Normalmente se usan
para transistores dobles
por sus dimensiones
este encapsulado posee
tiene cinco o seis
terminales

TO-263

Se utilizan para
transistores que
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manejan corrientes
altas más de 5 amperes.

[Link] la simbología de transistores FET utilizada en diagramas electrónicos de acuerdo a

especificaciones técnicas: Consulte en el Texto Guía “Electrónica Aplicada” de Pablo Alcalde Sanmiguel,
Editorial Paraninfo, capítulo 14 compartido en la carpeta “Material de Apoyo” de la plataforma Classroom,
en internet o en otra fuente bibliográfica de su interés la simbología de las diferentes clases de transistores
FET, JFET y MOSFET, realice una tabla donde relacione cada símbolo con el transistor correspondiente.

[Link] las curvas características, recta de carga y zonas de trabajo de un transistor BJT de
acuerdo a especificaciones técnicas: Consulte en el texto guía “Electrónica Aplicada” de Pablo Alcalde
Sanmiguel, Editorial Paraninfo, capítulo 12 compartido en la carpeta “Material de Apoyo” de la plataforma
Classroom, en internet o en la fuente de información que considere pertinente, las curvas características y
recta de carga de un transistor BJT, realice una gráfica donde muestre cómo se obtiene la recta de trabajo
a partir de las curvas características y explique detalladamente éste procedimiento. Ubique en la recta los
puntos de corte, de trabajo y saturación y delimite las zonas activa y prohibida; además, explique qué
parámetros se pueden obtener a partir de estas curvas y en qué forma se pueden obtener o calcular.

[Link] conceptos básicos de transistores de acuerdo a especificaciones técnicas: Ingrese al enlace

establecido por su Instructor técnico en la plataforma Classroom y presente la prueba “Transistores-T2”.
Para resolver correctamente la prueba debe leer los capítulos 12, 13 y 14 del texto guía “Electrónica
Aplicada” de Pablo Alcalde Sanmiguel Editorial Paraninfo y asistir a las sesiones de formación técnica con
su Instructor, también podrá buscar otras fuentes de información y consultar la información dispuesta en
la carpeta “Material de apoyo” de la plataforma Classroom. Tenga en cuenta el plazo máximo de
presentación informado en el cronograma del curso y, la duración de la prueba.

[Link] pruebas de funcionamiento a transistores comerciales de acuerdo a especificaciones

técnicas: Ingrese a la carpeta “Material de Apoyo” de la plataforma Classroom y vea el video “Transistor
prueba con multímetro”. Si tiene problemas de ingreso a la plataforma, podrá ver el video en el siguiente
enlace de Youtube: [Link] Al entender el proceso de prueba
de transistores bipolares, y basándose además en las explicaciones ofrecidas por su Instructor técnico,
adquiera los transistores por él indicados, luego siga el siguiente procedimiento:
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● Coloque el multímetro en Posición de “Probador de diodos”.

● Realice las 6 pruebas de rigor a cada transistor.
● Identifique el orden de las terminales de cada transistor. Realice un dibujo de cada uno donde se
vea su referencia y el orden de las terminales (E=Emisor, C=Colector, B=Base). Si el transistor se
encuentra en mal estado y no puede identificar las terminales, busque la hoja técnica del
fabricante y coloque el orden de terminales establecido por él.
● Identifique si el transistor es PNP o NPN. Si el transistor está en mal estado, básese en la hoja
técnica (datasheet).
● Identifique si el transistor está en buen o mal estado. Si el transistor se encuentra en mal estado,
especifique si se encuentra en corto, en fuga o abierto y en qué terminales presenta la falla.
● Identifique el encapsulado de cada transistor de acuerdo a lo investigado en la actividad anterior y a la
hoja técnica.

● A medida que vaya probando los transistores, realice una tabla con los siguientes campos:

Referencia Dibujo Orden de Terminales Tipo (NPN-PNP) Encapsulado Estado(B/M) Observaciones

Tabla 1: Práctica prueba transistores.

Luego de llenar esta tabla, adjúntela al informe que ha venido desarrollando en las actividades anteriores.
3.8. Implementar un interruptor con fotocelda utilizando el transistor de acuerdo a especificaciones
técnicas: Simule e implemente el circuito de la Figura 1 de aplicación de un transistor operando en corte y
saturación:
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Figura 1: Interruptor con Resistencia LDR (Fotocelda)

● La resistencia LDR (Light Dependent Resistor, o Resistencia Dependiente de la Luz), la consigue en

cualquier tienda de componentes electrónicos como Fotocelda.

● Ajuste el potenciómetro RV1 de tal manera que, al dar luz a la fotocelda, el LED se encienda y al
quitarle luz o taparla, el LED se apague. Presente el circuito a su Instructor y explique por qué sucede
ese fenómeno:

● Si NO logra que el LED se apague por más que mueva el potenciómetro, verifique el circuito, si está
completamente seguro de que está correcto, suprima la resistencia R1 y repita el procedimiento. Esto
puede suceder por las características de resistencia interna de la fotocelda que compró.

● Realice las medidas necesarias y consolide los datos obtenidos en la Tabla 2:

LED ON LED OFF
VBE
VCE
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R LDR
Tabla 2: Valores medidos en el transistor y la resistencia LDR
● Tenga en cuenta que LED ON = LED encendido, LED OFF = LED apagado, VBE = Voltaje Base-Emisor,
VCE = Voltaje Colector-Emisor y R LDR = Valor en Ohmios de la Fotocelda.
● IMPORTANTE: Para medir el valor en ohmios de la fotocelda, debe DESCONECTARLA del circuito, de lo
contrario, puede dañar el multímetro u obtener lecturas incorrectas. Para medir éstos valores,
recuerde que en LED ON la resistencia LDR debe tener luz, y en LED OFF debe estar cubierta o no tener
luz. Anexe los resultados obtenidos en el informe que ha venido elaborando con anterioridad.

● Modifique el circuito de la Figura 1, colocando los componentes como aparecen en el circuito de la

Figura 2:
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Figura 2: Interruptor modificado con Resistencia LDR (Fotocelda)

● Ajuste el potenciómetro RV1 hasta que logre el efecto contrario al circuito de la actividad anterior,
es decir, que, al dar luz a la fotocelda, el LED se apague y al quitarle luz o taparla, el LED se
encienda. Presente el circuito a su Instructor y explique por qué sucede ese fenómeno. Realice
nuevamente las mediciones de la Tabla 2. ¿Cambió alguna medición? ¿Por qué?
3.9. Realizar el encendido y apagado de un bombillo de 120VAC mediante un relevo de 12VDC y un
transistor operando en modo corte/saturación de acuerdo a especificaciones técnicas: Realice los cálculos
pertinentes para poder hallar RB en el montaje de la Figura 3, luego simúlelo en Proteus e impleméntelo en
protoboard presentándolo a su Instructor, para ello siga las siguientes recomendaciones:

● Debe medir con un multímetro la impedancia (resistencia en ohmios) de la bobina del relevo. Se
recomienda medir la resistencia del relevo que compró, ya que en ocasiones los relevos
dependiendo el fabricante vienen con bobinas de diferente impedancia. El relevo será la carga o
resistencia de colector del circuito. Modifique, de ser necesario, el valor de la resistencia de la
bobina del relevo en Proteus ISIS con la resistencia real medida para evitar fallas en la simulación.

● Debe verificar el HFe o Beta de su transistor en el datasheet del mismo. En caso de contar con
multímetro con medidor de HFe, puede medir su transistor en él para una mayor precisión en los
cálculos. Recuerde que, debido a la calidad, al fabricante de su transistor y a otros factores como la
temperatura ambiente, el HFe puede variar entre transistores de la misma referencia.
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● Tenga mucho cuidado al conectar el relevo, ya que, de no hacerlo correctamente, puede realizar
un cortocircuito y dañar los componentes, incluida la fuente DC.

Figura 3: Control de un bombillo de 120VAC.

Anexe los cálculos y resultados de éste circuito al informe que ha venido elaborando con anterioridad.

3.10. Diseño de un amplificador Emisor Común con polarización universal de acuerdo a especificaciones
técnicas: De acuerdo a lo investigado y a lo explicado por su Instructor, diseñe, simule en Proteus ISIS e
implemente un amplificador emisor común con las siguientes características:

● Vcc: 12 Voltios.
● Transistor: C945 (En Proteus utilice el 2N3904).
● HFE = Mida éste valor en su transistor con el medidor de H FE de su multímetro y diligencielo. ● Rc:
1,2KΩ.
● Rx (carga): 10KΩ.
● Vin: 3Vp-p, 1KHz.
● Seleccionar el valor comercial más cercano para cada resistencia calculada.
Realice el análisis en DC y AC conforme a lo explicado, y realice en los dos casos todo el procedimiento
pertinente. Aproxime las resistencias resultantes a los valores comerciales para implementar el circuito.
Calcule y coloque condensadores de acoplamiento conforme a la frecuencia de la señal a amplificar.
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Figura 4: Amplificador emisor común. (a): Circuito en DC, (b): Circuito para análisis en AC. Cuando
termine el análisis en DC y AC, diligencie los resultados obtenidos en las Tablas 3 y 4 en las filas
“Calculado”:
Valor Re Rb1 Rb2 re rinb Zin RL
Calculado
Comercial
Tabla 3: Valores resistencias análisis en DC amplificador Emisor Común. Los campos sombreados NO se
diligencian.
Simule el circuito en Proteus ISIS solo con la fuente DC SIN colocar la señal del generador y realice las
mediciones solicitadas en la Tabla 4, diligenciando los valores obtenidos en la fila “Simulado”. En el
momento de implementar el circuito, energice el circuito solo con la fuente DC SIN colocar la señal del
generador y diligencie los valores correspondientes al análisis en DC de la Tabla 4 en la fila “Medido Frío”,
luego, caliente el transistor con un cautín durante un tiempo aproximado de 15 segundos, vuelva a tomar
las mediciones y consigne los datos en la Tabla 4, sección “Medido Caliente”, ¿Hubo algún cambio en los
valores? En caso de haberlo, ¿Cuál fue el parámetro que más se afectó? ¿Por qué?
Valor Vcc Vcq Icq Veq Ieq Vbq Vce Vcb Vbe Ibq Id HFE it ibp icp

Calculado

Simulado

Medido Frio

Medido Caliente

Tabla 4: Voltajes y Corrientes análisis en DC amplificador Emisor Común. Los campos sombreados NO se
diligencian.
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Ahora, coloque la señal del generador solicitada, tanto en Proteus ISIS como en el circuito real y realice las
mediciones en el osciloscopio de la señal de salida, calcule la ganancia práctica del amplificador (Av) y
diligencie los valores del circuito real en la Tabla 5 en el campo “SIN CP”, que quiere decir “Sin
Condensador de Paso”, luego, coloque un condensador de 10uF en paralelo con RE, repita las mediciones y
vuelva a calcular la ganancia. ¿Tuvo algún cambio la ganancia de voltaje (Av)? Diligencie los valores en la
Tabla 5, en el campo “CON CP” que quiere decir “Con condensador de paso”.
Valor Vin Vout Av
SIN CP
CON CP
Tabla 5: Valores prácticos de ganancia con y sin condensador de paso.

Presente el circuito a su Instructor y envíe el archivo PDSPRJ de la simulación en el link habilitado en la

plataforma BlackBoard para tal fin.

3.11. Implementar un amplificador de baja potencia con transistores BJT de acuerdo a especificaciones
técnicas: Utilizando los gráficos de correspondencia de pines de los transistores de la Figura 5 y los
diagramas del circuito impreso del amplificador de baja potencia con transistores BJT de la Figura 6, el cual
está compuesto por un amplificador de voltaje y un amplificador de corriente, construya el diagrama
esquemático del circuito en Proteus ISIS.

Figura 5: Correspondencia de pines de los transistores a utilizar.

Los transistores a utilizar solo para la simulación en Proteus ISIS serán los siguientes:
● Q1=C945 solo para simular utilice 2N3704
● Q2=S8050 solo para simular utilice 2N3904
● Q3= S8550 solo para simular utilice 2N3906
Simule el amplificador con señal de entrada de 200mV a 1KHz y un voltaje de alimentación (Vcc) de 12
Voltios que se genera por medio de la fuente de voltaje compuesta por cuatro diodos, un transformador y
un condensador. Coloque un osciloscopio con un canal conectado a la señal de entrada y el otro canal
conectado a la señal de salida y diligencie la Tabla 6. De acuerdo a lo estudiado, ¿Qué configuración de
amplificador de voltaje tiene? ¿Qué configuración de amplificador de corriente tiene?
Vin Vout Av

Tabla 6: Valores prácticos amplificador de baja potencia.

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(a)

(b)
Figura 6: Diseño de un circuito impreso para amplificador de baja potencia con transistores. (a) Lado de
componentes. (b) Lado de pistas del circuito impreso.
El diseño de este amplificador tiene un potenciómetro doble y dos conectores para parlantes, los cuales
son redundantes. ¿Por qué? Modifique el circuito de tal forma que quede con un potenciómetro sencillo,
un solo conector para parlante, suprima el rectificador con 4 diodos y el conector del transformador,
reemplazándolo por un conector para fuente DC. La idea es alimentar el amplificador con la fuente que Ud
realizó el trimestre anterior y así ahorrar costos.
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A partir del plano de Proteus ISIS con las modificaciones, realice la baquelita del amplificador en Proteus, la
cual NO debe exceder los 25cm 2, recuerde colocar conectores para la fuente y el parlante, imprímala,
realice el método de planchado y presente el circuito funcionando a su instructor técnico en el ambiente
de formación. Usando la hoja de datos de los fabricantes (DATASHEET), consulte la información de los
transistores para soldarlos correctamente al circuito impreso. De acuerdo a sus criterios de diseño, es
posible que la ubicación de los componentes y las pistas que realice en su circuito impreso queden
diferentes a las de la Figura 6, no se preocupe, lo importante es que el diseño esté correcto y el
amplificador funcione adecuadamente. La correspondencia en la nomenclatura de los componentes para
esta actividad es la siguiente:

● TR1: Transformador de 110V a 9 V de 200mA. (SUPRIMIRLO)

● Q1: Transistor C945
● Q2: Transistor S8050
● Q3: Transistor S8550
● R3, R6: 2 resistencias de 100 Ω a ¼ w
● R4, R5: 2 resistencias de 560 Ω a ¼ w
● R1: 1 resistencia de 2.2k Ω a ¼ w
● R2: 1 resistencia de 100K Ω a ¼ w
● C2: 1 condensador de 220uF a 16 V electrolítico ● C1: 1 condensador de 0.22uF a 16V electrolítico
● C4: 1 condensador de 100uF a 16V electrolítico
● C3: 1 condensador de 470uF a 16V electrolítico ● D2,D3,D4,D5: Cuatro diodos 1N4001
(SUPRIMIRLOS) ● SW1: Un interruptor de dos posiciones.
● D1: Un diodo led.
● RV1-RV2: Un Potenciómetro doble de 50KΩ. (CAMBIARLO POR SENCILLO)
● LS1, LS2: Dos parlantes de 8Ω a 1w de 2 pulgadas. (DEJAR UNO SOLO, NO COMPRARLOS)
● J1: Dos conectores para los parlantes (DEJAR UNO SOLO), un conector para la señal de entrada de
tres pines (CAMBIARLO POR DE 2 PINES).
● Una baquelita virgen de 25cm2.
● Un plug de 3.5mm estéreo.

Con el plug de 3.5mm debidamente cableado (ver Figura 7), conecte un celular compatible con éste plug
como señal de entrada del amplificador, desconectando el generador y el osciloscopio del circuito. Realice
un puente entre el canal izquierdo y el canal derecho, ya que nuestro amplificador es monofónico. Conecte
el parlante a la salida del amplificador y reproduzca una canción en el celular, verifique que se escuche en
su amplificador sin distorsión.

Figura 7: Conexiones de un plug de 3.5mm.

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Si tuvo fallas en el procedimiento investigue cuales fueron sus causas, documéntelas y saque conclusiones
del por qué se dieron u ocurrieron.

5. ACTIVIDADES DE EVALUACIÓN
Evidencias de Aprendizaje Criterios de Evaluación Técnicas e Instrumentos de Evaluación

Evidencias de Conocimiento: ● Presenta informes con información Informe escrito, formulación de

pertinente y coherente de acuerdo
preguntas. / Lista de chequeo,
● Informe en Formato ICONTEC con las con la norma técnica ICONTEC.
evidencias teóricas, tabla de prueba ● Describe conclusiones pertinentes y cuestionario.
de transistores y cálculos solicitados acordes con las fallas que tuvo en la
en cada una de las actividades. presentación de los circuitos de
● Prueba virtual en plataforma acuerdo a especificaciones técnicas.
BlackBoard. ● Realiza la prueba virtual de acuerdo a
información consultada.
Evidencias de Desempeño:
Simulaciones, observación directa. /
● Utiliza los instrumentos de medida
● Práctica prueba de transistores (tabla Lista de chequeo.
físicos y virtuales solicitados y los
debe ir en informe anterior). calibra correctamente de acuerdo a
● Simulación de circuito de Interruptor su manual de operación.
con fotocelda (normal y modificado). Construye simulaciones de acuerdo a
●
● Simulación de circuito de control lo solicitado y conforme a los
bombillo de 120VAC con transistor. esquemáticos dados.
● Simulación de amplificador Emisor Identifica los transistores BJT y sus
●
Común. modos de trabajo de acuerdo a
● Simulación de circuito amplificador de especificaciones técnicas.
baja potencia con diseño de circuito Promueve la disciplina y el trabajo
● autónomo y en equipo.
impreso.
● Mediciones simuladas y prácticas de Realiza diseño de circuitos impresos
● con herramientas CAD de acuerdo a
cada circuito y en la prueba de
transistores. especificaciones técnicas.

Implementa los circuitos de acuerdo Valoración de producto / Lista de

Evidencias de Producto: ● con los esquemáticos sugeridos.
chequeo.
Tiene en cuenta los rangos de
● Circuito interruptor con fotocelda en ● operación de voltaje en los circuitos
protoboard. (normal y modificado). de acuerdo a la hoja técnica.
● Circuito control bombillo 120VAC en Diagnostica, corrige y registra las
protoboard. ● fallas y sus posibles causas.
● Circuito amplificador emisor común en
protoboard.
● Amplificador de baja potencia con BJT
en circuito impreso.

6. GLOSARIO DE TERMINOS

● Protoboard: Tablero pequeño con múltiples orificios que sirve para probar el funcionamiento de un
determinado circuito antes de diseñarle un circuito impreso.
● Corte: Estado de no conducción del transistor.
● Saturación: Estado de conducción total del transistor.
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● Corto: Estado en el cual hay una resistencia de 0 Ohmios entre 2 puntas, normalmente es una falla en
un componente electrónico.
● Abierto: Estado en el cual hay una resistencia infinita entre 2 puntas, puede ser una falla o un estado
normal en un componente electrónico, dependiendo las especificaciones del mismo.

Control de Mauricio Mahecha Díaz Instructor CEET Ajuste para mayo 11 de 2020.
Cambios Técnico formación virtual

● Fuga: Estado en el cual hay una resistencia de un valor no estándar entre 2 puntas, normalmente es
una falla en un componente electrónico, ya que el valor de esa resistencia no coincide con el
estipulado en la hoja técnica del fabricante para los terminales del componente electrónico que se
está probando.
● Tensión de Ruptura: Voltaje de trabajo máximo soportado por un componente electrónico sin
dañarse.
● Corriente de fuga: Corriente originada en un BJT cuando se alimenta con un voltaje muy cercano a su
tensión de ruptura sin señal alguna en su base.
● Zona Activa: Se refiere a la zona de trabajo de un BJT donde se puede utilizar para la amplificación de
señales de audio o similares.
● Polarización: Se refiere a la forma de alimentar y configurar un transistor BJT para trabajar en región
activa.
● Método de planchado: Se refiere al método de traspaso de un diseño de circuito impreso a una
baquelita virgen mediante el uso de una plancha y papel termotransferible.
● Nomenclatura: Forma de identificar un componente electrónico mediante un código o una
referencia.6.

7. REFERENTES BILBIOGRAFICOS
7. [1] Alcalde SanMiguel. Pablo, “Electrónica Aplicada”, Transistores, 1st Ed. Madrid, España: Ed
Paraninfo, 2010, ch 12, 13, 14.
8. [2] ESCALES BARBAL, Joseph, “Electrónica Básica”, 1st Ed. Bogotá, Colombia: Ed ISPA.
9. [3] HERMOSA DONATE, Antonio “Principios de Electricidad y Electrónica”, Tomo 1, Madrid, España, Ed
Marcombo, 2ª Ed., 2005.
10. [4] “El transistor”, Autor desconocido, disponible en: [Link]
%[Link]. Consultado en octubre de 2014.

8. CONTROL DEL DOCUMENTO

Nombre Cargo Dependencia Fecha
Autor (es) Juan David Rodrigue Instructor CEET Julio 16 de 2017.
Martínez z Técnico
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