UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE
Nombres: Corrales David, López Steve
NRC: 4742
Fecha: 17-01-2020
INFORME N° 10
1. Tema: Circuito amplificador señal y baja frecuencia, utilizando un transistor JFET.
2. Objetivos:
2.1. General:
Diseñar y analizar el funcionamiento de un amplificador para baja señal.
2.2. Específicos:
Analizar el comportamiento de un circuito amplificador en polarización.
Analizar el comportamiento de un circuito amplificador en AC.
Verificar que los valores teóricos coincidan con los valores experimentales.
3. Marco Teórico:
Simbología transistor JFET
G Drenador
Drenador (D)
Puert (D)
G Puerta
a
Fuente
Fuente (s)
(s)
Canal
Canal n
P
VGs(off) : - G V
VGS Min : 2.5, 3.5, 4.5 (v)
Transistor
2N5457
105 S 5mA
VDS MÁX 25 (v)
Elemento de controlar FET
la corriente de dos
terminales.
Su construcción, mayor
parte del material tipo JFET MOSFET
N.
Tiene un terminal
llamado drenaje.
Tiene un terminal
llamado fuente.
Tiene un terminal CANAL CANAL
llamado puerta. n D
4. Diseño:
4.1. Circuito: amplificador.
VDD
RD
C2
R1
C1
V0
Vi R2
Rs
Cs
-
Figura 1. Circuito Amplificador polarización por división de tensión.
Donde
Vi: Señal de entrada.
R1 y R2: Resistencia del divisar de tensión.
RD: Resistencia de drenaje.
Rs: Resistencia de fuente.
C1: Condensador de Acoplamiento.
C2 y Cs: Condensador de desacoplamiento.
VDD: Fuente de tensión continua.
Vo: Señal de salida.
4.2. Cálculos
VGS (off) = - 6 v
IDss = 5mA
Recta de carga y punto Q
ID
Ioss
5mA
Q
2,14 mA
1mA=lD=
VGS off
-6v -2,07v
VG=2 VGS
Figura 2. Recta de carga y punto Q
Análisis en DC
Figura 2. Equivalente Thevenin.
V GS 2
LD = lDss (1− )
V GSoff
VGS= VG - lDRs
V DD
Vs=
10
lG= 0 mA
ls= lD
R2
VG= V
R 1+ R 2 DD
R2
VGS= VG - VS = V −l R
R 1+ R 2 DD S s
R2
VGS = V −l R
R 1+ R 2 DD D s
V DD R2
lD1= V
R S (R 1+ R 2) DD
VGs= VG
VG
LD =
RS
VDD= RD lD +VDS + ls Rs
VDD = RD lD +VDS + ls Rs
VDS = VDD - ID (RD + Rs)
V DD
V GS OFF =−6 v V s= V s =I D RS
10
R2
I DSS =5 mA V G= V V Gs=V G −I D R S
R1 + R2 DD
V G =2
I D =1 mA
VG
I D= V DSS=V DD−I D ¿
RS
V DS=20−(1 mA )( R D +2 k )
VG 2
R S= = =2 KΩV DS −20=−1 mA R D +2
I D 1mA
V DS −33
=R D
−1 mA
V DS −33
V DD=20 v =R D
−1 mA
15−22
=R D
−1 mA
R D=7 KΩ
V D=I D R D
V D=1 mA ( 7 k )
V D=8
R1=90 KΩ
R1=10 KΩ
Análisis en AC
Donde
Zi =9 KΩ
Z out =1.6 KΩ
5. Simulación:
Figura 3. Simulación amplificador en configuración emisor común
y polarización por divisor de voltaje.
6. Materiales:
Resistencias 2.2 kΩ, 1 kΩ, 10kΩ, 3.6 kΩ
Capacitores
Transistor 2N5457
Protoboard
7. Equipos:
Fuente de poder
Multímetro
Osciloscopio
8. Tabla de datos:
Tabla 1. Voltajes obtenidos del circuito amplificador
Calculad Simulado Medido Error
o [%]
VD 9.25 v 10.01 V 9.8 V 2.45
VS 6.3 V 6.89 V 6.5V 3.72
V DS 4.2 V 3.1 V 3.9V 3.2
9. Análisis de resultados
En la Figura 2, se observa que los valores tanto de I D y V GS permiten definir el punto Q
de operación que para esta práctica se sitúa en la zona activa o zona de trabajo puesto
que se requiere un amplificador.
Por otra parte, en la Tabla 1, es prominente el hecho de que los valores calculados y
simulados distan un poco; esto no sucedía en circuitos hechos anteriormente, donde
los valores calculados y simulados coincidían con exactitud. Esto se debe a las
diversas aproximaciones que se usa para hacer el diseño junto con los cálculos
respectivos.
De cualquier manera, los valores calculados, simulados y medidos tienen proximidad y
se parecen por lo que podemos decir que la práctica se efectuó de forma correcta.
10. Conclusiones
El análisis del amplificador JFET en polarización por divisor de voltaje requiere
de conocimientos previos como leyes de Kirchhoff y equivalente Thevenin.
El amplificador en operación arroja determinados valores que son interpretados
para llegar a determinar si la zona en la que está trabajando es la adecuada.
El análisis mediante la recta de carga y el punto Q permite situar al transistor en
la zona que se desea trabajar.
Los valores teóricos distan un poco de los experimentales pero la aproximación
es buena, y por tanto los datos son fiables.
11. Observaciones
La curva característica de un transistor no puede ser usada para el análisis de
algún otro.
Los grupos de trabajo deben tener sus propios materiales y equipos; no se
acepta prestar ningún elemento entre ellos.
12. Recomendaciones
Tener a mano diversas copias de la curva característica del transistor en uso;
para este caso particular el 2N5457.
Diferenciar los pines puerta, drenaje y fuente del transistor, antes de conectarlo
a V DD.
Colocar el alambre de timbre, en el Protoboard, teniendo en cuenta que se
precisa un cableado estructurado.
13. Bibliografía
Boylestad, R., & Nashelsky, L. (2003). Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos. México: Pearson Educación.
