ELECTRONICA INDUSTRIAL
PRACTICO DE SELECCION Y CARACTERISTICAS
DE LOS TIRISTORES (SCR)
AÑO 2020
Bibliografía
Titulo: SCR Manual
Autor: General Electric
FCEFyN - UNC
Preparo: Ing. Sergio Gangi – Cátedra: Electrónica Industrial - UNC
FUNCIONAMIENTO DE TIRISTORES (SCR)
• La denominación general de tiristores incluye a todos aquellos componentes
semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la
realimentación regenerativa de una estructura PNPN. Existen varios tipos dentro de
esta familia de los cuales el más empleado es el rectificador controlado de silicio o
SCR (semiconductor controlled rectifier)
• Es un componente con dos terminales principales (ánodo cátodo) y uno auxiliar para
disparo llamado puerta.
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CARACTERISTICA VI DE UN TIRISTOR
Con tensión positiva entre ánodo y cátodo, el tIristor entra en franca conducción si
adicionalmente se le aplica un impulso de corriente de valor adecuado en compuerta y
se hace circular una corriente de determinado valor ente A y K (corriente de enganche)
Este estado se mantiene aún en ausencia de la corriente de puerta gracias a un proceso
interno de regeneración de portadores, y para volver al estado de bloqueo es necesario
reducir la corriente ánodo-cátodo por debajo de cierto valor (corriente de mantenimiento)
durante cierto tiempo.
No puede conducir en sentido cátodo a ánodo. Se comporta como un diodo rectificador
con iniciación de la conducción controlada por la puerta y en caso de superarse la
máxima tensión de bloque directo el SCR entra en conducción.
IG2 > IG1
+ VAK -
IA →
IG ↑
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EJERCICIO SELECCION DE TIRSTOR
Dado un circuito rectificador controlado como el de la figura, se pide:
• Graficar formas de onda.
• Parámetros de selección del TIRSTOR
• Potencia de continua sobre la carga
• Seleccionar fusible y verificar la protección
Datos
• V in = V s = 220V
• R L= 20 Ω
• θ i = π /4
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FORMAS DE ONDA DEL CIRCUITO (Carga resistiva)
+Vs max
VS
θ (t)
2π
I GATE
Θi
-V L+
V s max
2π IL= IT
A
V L (load)
IG V S = V in
Θi π 2π
VT
+I s max G
K
VG
I L = I T (SCR)
V s max
V T (SCR)
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V s max
DISEÑO DEL CIRCUITO
Solución
1) Calculo de la tensión, corriente y potencia media (average) sobre la carga
1 𝑇
𝑉𝑚𝑒𝑑𝑖𝑎 (𝑝𝑒𝑟𝑖𝑜𝑑𝑜) = ∗ 0
𝑣 𝑡 ∗ 𝑑𝑡 2π
𝑇
V s max
1 +π
V L (av) = 2π ∗ V s (max) ∗ sen θ dθ
θi
VL
O centrando la función a integrar en θ = π /2 -π/4 0 π/2
1 +π/2
V L (av) = 2π ∗ −π/4
V s (max) ∗ cos θ dθ = 0,2717 * V s (max)
Por ser senoidal la forma de onda de la tensión secundaria se cumple la siguiente relación
entre valor eficaz (rms) y máximo (pico) 2π
V s (rms) = V s (max) / √2 I s max
VL (av) = V s (max) * 0,3842 = 84,53 V
I L= I T
IL (av) = IT (av) = VL (av) / R L = 4,23 A
- π/4 0 π/2
PL (av) = VL (av) * IL (av) = 84,53 V * 4,23 A = 357 W
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DISEÑO DEL CIRCUITO
2) Calculo de la tensión y corriente eficaz (rms) sobre la carga y sobre el tiristor
1 +π/2
VL (rms) = √( 2π ∗ −π/4
Vs2 (max) ∗ cos2 θ ∗ dθ )
2π
Integramos reemplazando cos2 θ = (1 + cos 2θ ) / 2 V s max
VL (rms) = 0,4767 * V s (max)
VL
V s (rms) = V s = V s (max) / √2 ( tensión senoidal)
-π/4 0 π/2
V L (rms) = V s (max) * 0,674 = 148,28 V
I L (rms) = I T (rms) = V L (rms) / R L = 7,4 A
Otra forma de calcular I T (rms)
1 +π/2 2π
I T (rms) = √( ∗ Is 2 ∗ cos2 θ ∗ dθ )
2π −π/4 (max) I s (max)
I T (rms) = 0,4767 * I s (max)
I L= I T
I s (max) = V s (max) / R L = 15,55 A
- π/4 0 π/2
I T (rms) = 0,4767 * I s (max) = 7,4 A
Tensión inversa y directa máxima sobre el Tiristor
V RWM = V DWM = V s (max) = 311 V
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SELECCION DE TIRSTOR
Valores Calculados
IT (av) = 4,2 A
VL (av) = 84,5 V
PL (av) = 357 W
a = Ff = IT (rms) / IT (av) = 1,75
V L (rms) = 148,28 V
Parametros de selección de los SCR
IT (rms) = 7,38 A
V PI = 311 V
Seleccionamos un tiristor BTW 38 – 800
IT (rms) = 16 A
V DRM / RRM = 800 V
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SELECCION DE TIRSTOR
3) Selección de tiristores para el rectificador controlado
• Los tiristores se seleccionan con los siguientes parámetros
o Corriente eficaz (rms) por tiristor
I T(RMS) = 7,4 A
Normalmente se toma un coeficiente de seguridad asociado a la sobrecargas que pueda
tener el circuito. Si no se conoce exactamente la magnitud de las sobrecargas esperadas se
puede estimar el coeficiente de seguridad en un 30 %, lo que conduce a seleccionar
tiristores de corriente eficaz 9,62 A.
o Tensión inversa y directa máxima aplicada sobre el tiristor que es en este caso la tensión
de pico de alimentación como puede verse en la forma de onda de V T .
V PI = V PD = 311 V
Debido a las sobre tensiones que pueden generase en el circuito los diodos se eligen con
un factor de seguridad de al menos 2 a 2,5 veces o sea la tensión pico inversa repetitiva de
selección será del orden de 622 V.
o Con estos valores podemos entrar en las tablas de selección de los fabricantes de
semiconductores. Por ejemplo podemos seleccionar el tiristor BTW 38 – 1000
I T(RMS) = 16 A
V RRM = V DRM = 800 V
V RWM = V DWM = 600 V
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CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR BTW 38
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CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR BTW 38
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CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR BTW 38
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CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR BTW 38
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CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR BTW 38
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CARACTERISTICAS DEL TIRISTOR BTW 38
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CALCULO DE POTENCIA Y DEL DISIPADOR
8,5
4,2 60
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CALCULO DE POTENCIA Y DEL DISIPADOR EN UN TIRSTOR
Resistencia térmica disipador
R th j-a = R th j-mb + R th mb-h + R th h-a
P SCR (W) = R th j-a * (T j – T a) = 8,5 W
Siendo T a = 60 °C
R th mb-a = 6 °C/W
R th h-a = R th mb-a - R th mb-h = 5,5 °C/W
T mb = T J max - R th j-mb * P SCR (W) = 125 - 1,8 * 8,5 = 109,7 °C
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CALCULO DE POTENCIA Y DEL DISIPADOR EN UN TIRSTOR
Resistencia térmica disipador
R th h-a = R th mb-a - R th mb-h = 5,5 °C/W
Se seleccionamos un perfil disipador 325 AB negro anodizado de 50 mm de longitud
R th h-a = 3,8 °C/W
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CORRIENTE MAXIMA NO REPETITIVA DE UN TIRSTOR
Se usa en el caso típico de una sobrecarga tipo cortocircuito
I2*t (t = 10 ms) = (150 / √2) 2 * 0,01 ≈ (106) 2 * 0,01 ≈ 112,5 A2 s
150
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TENSION DE DISPARO POR COMPUERTA EN UN TIRSTOR
1,5
25
25
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CARACTERISTICA VI DE UN TIRSTOR
20
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MAXIMA VELOCIDAD DE CRECIMIENTO DE TENSION EN ESTADO APAGADO
200
66
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MAXIMA VELOCIDAD DE CRECIMIENTO DE TENSION EN ESTADO APAGADO
RL
Se coloca una red RC para evitar disparo por dV/dt y
debe cumplirse R
V DM
VT
dV/dt CIRCUITO ≤ dV/dt SCR C
El fabricante mide dV/dt con un circuito RC como el de
la figura siendo
V T=V C
V T = V C = V DM * (1 - e – t / τ )
τ = RL * C V DM
0,632 V DM
Siendo V DM = 2/3 V DRM
α t
τ
El fabricante define
dV/dt = tg α
tg α = 0,632 * V DM / τ
tg α = 0,42 * V DRM / (R L * C) ≤ dV/dt SCR
Por lo tanto debe cumplirse
C ≥ 0,42 * V DRM / (R L * dV/dt SCR )
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MAXIMA VELOCIDAD DE CRECIMIENTO DE TENSION EN ESTADO APAGADO
Calcularemos la red RC con los datos de nuestro circuito
V DM = 2/3 V DRM = 533,34 V
dV/dt SCR = 200 V / μs
C ≥ 0,42 * V DRM / (R L * dV/dt SCR ) ≥ 0,056 μF
C = 0,1 μF / 400 V
R ≥ V C max / I TSM = 311 / 150 = 2,07 Ω
R = 2,2 Ω / 0,25 W
X C = 1 / (2 * π * f * C) = 3183 Ω
Z = √ ( R 2 + X 2 c ) ≈ 3183 Ω
I Z = 220 / 3183 = 69 mA
P R = I Z 2 * R ≈ 0,1 W
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SOBRECORRIENTE MEDIA INICIAL EN UN CIRCUITO RECTIF CON TIRISTOR
Caso típico sobrecarga por arranque motor de continua ≈ 3 * I L (av) = 12,6 A
El tiempo de duración permitido depende de la temperatura inicial
3*IL(av)
≈12,6 A
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SOBRECORRIENTE MEDIA INICIAL EN UN CIRCUITO RECTIF CON TIRSTOR
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SOBRECORRIENTE MEDIA INICIAL EN UN CIRCUITO RECTIF CON TIRSTOR
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IMPEDANCIA TERMICA DE UN TIRISTOR
R th = 1,8
Z th = 0,1
1 ms Preparo: Ing. Sergio Gangi –Cátedra: Electrónica Industrial - UNC
