PreInforme Practica 3

APLICACIONES CON EL TRANSISTOR BJT

Bibiana Paola Baldrich Luna Juan Camilo Rios Renteria

Universidad de Medellín Universidad de Medellín
Estudiante de Ing. Telecomunicaciones Estudiante de Ing. Telecomunicaciones
Medellín, Colombia Medellín, Colombia
bibianabaldrich@[Link] Juancari1@[Link]

Abstract— Este documento es un pre-informe del laboratorio Al aplicar una señal alterna a la entrada, el punto de trabajo se
donde Comprobara el funcionamiento del transistor como
desplaza y amplifica esa señal.
amplificador de pequeña señal y determinar su respuesta en
frecuencia y el diseño de un regulador de voltaje programable
El análisis
empleando el regulador de voltaje integrado LM- 317 y
transistores BJT como elementos de control. del comportamiento del transistor en amplificación se
simplifica enormemente cuando su utiliza el llamado modelo
de pequeña señal obtenido a partir del análisis del transistor a
Keywords—simulación; LM317; Transistores; BJT; pequeñas variaciones de tensiones y corrientes en sus
Reguladores; Pspice; Amplificacion; 2N3904 terminales.
I. INTRODUCCION Bajo adecuadas condiciones, el transistor puede
Para esta actividad utilizaremos transistores BJT como ser modelado a través de un circuito lineal que incluye
amplificadores de pequeña señal y determinas su respuesta en equivalentes Thévenin, Norton y principios de teoría de
frecuencia. Diseñaremos reguladores de voltaje programable circuitoslineales.
empleando reguladores de voltaje integrado. Para eso
El modelo de pequeña señal del transistor es a veces
utilizaremos transistores 2N3904, resistencias segu el diseño,
llamado modelo incremental de señal. Los circuitos que se van
capacitores de 100nF, transistores NPN, reguladores de voltaje
a estudiar aquí son válidos a frecuencias medias, aspecto que
LM317 entre otros elementos.
se tendrá en cuenta en el siguiente tema.
También utilizaremos el paquete de simulaciones Pspice en
modo texto para el diseño del amplificador lineal de pequeña En la práctica, el estudio de amplificadores exige
señal; para poder determinar la ganacia del amplificador en previamente un análisis en continuapara determinar la
cada etapa y la ganancia total. polarización de los transistores.

Posteriormente, es preciso abordar los cálculos

II. TRASISTOR COMO AMPLIFICADOR LINEAL
de amplificación e impedancias utilizandomodelos de
pequeña señal con objeto de establecer un circuito equivalente.
La polarización de un transistor es la responsable de establecer
Ambas fases en principio son independientes pero están
las corrientes y tensiones que fijan su punto de trabajo en la
íntimamente relacionadas. [1]
región lineal (bipolares) o saturación (FET), regiones en donde
los transistores presentan características más o menos
lineales.
 III. OPERACIÓN EN REGION ACTIVA DE UN
TRASISTOR IV. FRECUENCIAS DE CORTE, ANCHO DE BANDA Y
DIAGRAMAS DE BODE
La región activa directa corresponde a una polarización directa
de la unión emisor-base. Esta es la región de operación normal
En todo amplificador aparecen
del transistor para amplificación.
elementos reactivos (condensadores, inductancias, etc.).
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base Algunos soncomponentes del circuito electrónico diseñados
para realizar una cierta función (por ejemplo eliminar

Centrando la atención en la recombinación de los electrones continua, filtrar, etc.) y otros muchos parásitos (inductancia de

en la base procedentes del emisor podemos observar que allí cables, capacidades parásitas de uniones PN, etc.) Se conoce

donde había un hueco pasa a haber, tras la recombinación, un como Diagrama de Bode la representación de la variación de

ión negativo inmóvil. Si desaparecen los huecos de la base y ganancia de un amplificador con la frecuencia (módulo y

se llena de iones negativos, se carga negativamente, y se argumento).

repelen los electrones procedentes del emisor. En este caso se

Diagrama de Bode: Representación de módulo y fase de
impediría la circulación de la corriente, es decir, es necesario
una función de transferencia o ganancia, en función de la
que la corriente de base reponga huecos para que haya
frecuencia (f) o la pulsación (ω)
corriente de colector.

Por tanto, por cada electrónrecombiando hay que introducir un

hueco nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposición
de huecos es lenta (corriente IB pequeña) lacapacidad de
inyectar electrones será baja, debido a la repulsión eléctrica.
Este fenómeno tiene la propiedad de ser aproximadamente
lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominada

ganancia directa de corriente, o bien ganacia estática de
corriente.

Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la

base, atraídos por el potencial positivo aplicado al colector,
pueden atravesar la unión BC, y dar origen a la corriente de
• La escala de frecuencias (o pulsación) se representa en escala
colector IC
logarítmica.
Mediante el emisor, se inunda la base de
electrones, aumenta drásticamente el número de portadores • El diagrama de módulos se representa en decibelios (escala
minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente logarítmica).
inversa aumenta también. [2]
• El diagrama de fases se representa linealmente.
La escala logarítmica comprime los valores muy grandes y años 60, junto con el Transistor PNP 2N3906, y representó
permite un mayor rango de valores sin pérdida de resolución un gran incremento de eficiencia, con un encapsulado TO-
para los valores pequeños. 92 en vez del antiguo encapsulado metálico. Está diseñado
para funcionar a bajas intensidades,
Si se aplica una señal de alterna de frecuencia variable a un
bajas potencias, tensiones medias, y puede operar a
amplificador, se observa que la ganancia es función de la
velocidades razonablemente altas. Se trata de un transistor de
frecuencia.
bajo costo, muy común, y suficientemente robusto como para
ser usado en experimentos electrónicos
Un amplificador de alterna tiene una frecuencia de
corte inferior y una frecuencia de corte superior.
El Transistor PNP complementario del 2N3904 es
La frecuencia de corte inferior es debida a los condensadores
el 2N3906. El Transistor NPN 2N2222 es otro transistor muy
de acoplo del amplificador. La frecuencia de corte superior es
popular, con características similares al 2N3904, pero que
debida a las capacidades parásitas del amplificador y
permite intensidades mucho más elevadas. 3 No obstante, en
del cableado del circuito. Un amplificador de continua solo
todas las aplicaciones que requieren baja intensidad, es
tiene una frecuencia de corte superior. [3]
preferible el uso del 2N3904.
El Transistor 2N3904 es un transistor muy popular para
aficionados debido a su bajo coste. [5]

Parameter Symbol Min Max Units

collector-base VCBO _ 60 V
voltage
collector- VCEO _ 40 V
emitter voltage
emitter-base VEBO _ 6 V
voltage
V. TRASISTOR 2N3904 collector Ic _ 200 mA
current (DC)
fT 300 _ MHz
transition
frequency
Delay Time TD _ 35 nS

Rise Time TR _ 35 nS

Storage Time TS _ 200 nS

Imagen del trasistor 2n3904 [4]
Fall Time TF _ 50 nS
El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores
NPN generalmente usado para amplificación. Este tipo de Tabla 1: Parámetros del transistor 2N3904
transistor fue patentado por Motorola Semiconductor en los
 VI. AMPLIFICADOR DE PEQUEÑA SEÑAL Etapa 1: Entre V2 y C3

Voltaje en V2

 Simulamos el circuito anterioren Pspice modo texto, para

esto utilice los valores de elementos indicados, R12 es Voltaje Max: 100mV
una resistencia variable de máximo 100 ohm y R9 es otra
resistencia variable de 1kΩ a 10kΩ.

Voltaje en C3
 Ajustamos R12 a 50Ω y R9 a 1kΩ.
NETLIST

AMPLIFICADOR_LINEAL_DE_PEQUEÑA_SEÑAL
V2 1 0 SIN(0 100m 3k)
R12 1 2 50
C1 2 3 100n
R4 3 0 1k
C2 4 0 100n
R1 4 6 68k
Q1 5 4 3 Q2N3904 Voltaje Max: 2.037 V
R3 5 6 2.2k
C3 5 7 100n
R5 7 6 100K
R2 0 4 15k Ganancia de Voltaje
R6 0 7 22k
C8 11 0 100n
R9 11 0 1k
R7 8 6 4.7k
R8 11 9 220
C9 8 10 100n
Q2 8 7 9 Q2N3904
V1 6 0 DC 10
R13 0 10 1k
Ganancia de Voltaje: 20,39
.lib [Link]
.TRAN 100u 50m 100u 100u
Etapa 2: Entre C3 y R13
.PROBE
.END
 Etapa 2: Entre V2 y R13

Voltaje en C3 Voltaje en V2

Voltaje Max: 2.037 V

Voltaje Max: 100mV

Voltaje en V13 Voltaje en V13

Voltaje Max: 444.478mV

Voltaje Max: 444.478mV

Ganancia de Voltaje
Ganancia de Voltaje

Ganancia de Voltaje: 218.376m

Ganancia de Voltaje: 4.453

 Mida la señal de salida en el colector de Q2 y

capture la gráfica (C9) y capturamos las graficas
con pspice .

Voltaje en colector Q2

R12= 50 y R9 = 500

R12=100 y R9=1k
Voltaje en C9

La presencia del capacitor anula las componentes de Corriente

directa, permitiendo solo la amplificación de señales en
Corriente alterna
R12=10 y R9= 1K
 Variamos R12 y R9
.

R12= 50 y R9 = 5K
 R 5= ( Vout
Vreg
−1 )∗R 1 →(
15 V
1.25 V
−1 )∗1000=11 k Ω

Para los valores apropiados de R6 a R10 para que los

transistores trabajen en saturación se hicieron los siguientes
cálculos.
Para esto utilizaremos un beta forzado que es la cuarta parte
del beta de transistor, lo anterior es para que el transistor
trabaje en la zona de saturación, siendo la corriente de la base
muy pequeña, los transistores fueron medidos previamente en
el laboratorio para tener valores aproximados

Para R6
Vadj=Vout+ Vreg →1.2+1.25=2.45 voltios
R12 R9 Ganancia Ganancia Ganancia β 285
etapa 1 etapa 2 etapa 3 β Forzado = = =71.25
50 5K 21.184 98.234m 2.081 4 4
50 50 19.809 251.440m 4.98 Ic=100 μA
0 Ic 100 μA
100 1k 20.333 215.749m 4.366 Ib= = =1.403 μA
β Forzado 71.25
10 1k 20.431 218,702m 4.46
5−0.7
R 6= =3.06 M Ω
1.403 μ
VII. DISEÑO DE REGULADOR PROGRAMABLE

Para R7
Vadj=Vout+ Vreg →5+ 1.25=6.25 voltios
β 295
β Forzado = = =73.75
4 4
6.25−0.2 6.05
Ic= = =6.1mA
R2 990
Ic 6.1 mA
Ib= = =82.711 μA
β Forzado 73.75
Siendo R1=1K Ω , Vreg=1.25V, Vout =5V 5−0.7
R 7= =51.98 K Ω
R 2= ( Vout
Vreg
−1 )∗R 1→ (
5V
1.25 V
−1)∗1000=3 k Ω 82.711 μ

Siendo R1=1000 Ω , Vreg=1.25V, Vout =9V Para R8

Vadj=Vout+ Vreg → 9+1.25=10.25 voltios
R 3= ( Vout
Vreg )
−1 ∗R 1 → (
9V
1.25 V
−1 )∗1000=6.2 k Ω
β Forzado = =
β 284
=71
4 4
Siendo R1=1000 Ω , Vreg=1.25V, Vout =12V 10.25−0.2 10.05
Ic= = =4.912mA
Vout 12 V R2 2046
R 4= ( Vreg )
−1 ∗R 1→ (
1.25 V )
−1 ∗1000=8.6 k Ω
Ib=
Ic
=
4.912 m
=69.1834 μA
β Forzado 71
Siendo R1=1000 Ω , Vreg=1.25V, Vout =15V 5−0.7
R 8= =62.15 K Ω
69.1834 μ
Para R9
Vadj=Vout+ Vreg →12+1.25=13.25 voltios
β 291
β Forzado = = =72.75
4 4
13.25−0.2 13.05
Ic= = =4.59mA
R2 2838
Ic 4.598 m
Ib= = =63.2 μA
β Forzado 72.75
5−0.7
R 9= =68.0 K Ω
63.2 μ

Para R10

Vadj=Vout+ Vreg →15+ 1.25=16.25 voltios

β 291
β Forzado = = =72.75
4 4
16.25−0.2 16.05
Ic= = =4.42mA
R2 3630
Ic 4.598 m
Ib= = =60.77 μA
β Forzado 72.75
5−0.7
R 10= =70.75 K Ω
60.77 μ

REFERENCES

[1][Link]
[2] [Link]
[3] [Link]
[4] [Link]
[5] [Link]
PRÁCTICA 5. APLICACIONES DE TRASISRTORES BJT

Presentado por:
Bibiana Paola Baldrich Luna (Cod 1020452675)
Juan Camilo Rios Renteria

Presentado a:
Diana Maria Gomez
 Universidad de Medellín
Facultad de Ingeniería
Programa Ingeniería en Telecomunicaciones
Electronica Analogica I
Medellín, marzo de 2014