Electrónica Industrial I 2018-C
Reporte de práctica: Control de potencia DC con MOSFET.
Nombres:
Ángel del Jesús 16-01-0072
Eudy Luna 16-01-0038
Daniel Minaya 16-01-0019
Introducción teórica
La abreviación MOSFET significa transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor.
Estos constan de 4 terminales, que son: compuerta, fuente, drenador y sustrato (a menudo
conocidos en inglés como gate “G”, source “S” y drain “D” respectivamente). El terminal
sustrato generalmente no se encuentra físico en el dispositivo puesto que está unido internamente
con el terminal fuente. Estos dispositivos son controlados por un voltaje aplicado en su
compuerta. Pueden ser utilizados como amplificadores o interruptores.
Los MOSFET son la base de funcionamiento de los tantos microchips y microcontroladores que
encontramos en el mercado hoy en día, debido a sus características de respuesta en alta
frecuencia y su estabilidad. Estos son muy sensibles a la estática, por lo que deben tratarse con
sumo cuidado.
Encendido
Apagado
Figura A-1. Características i-v Figura A-2. Símbolo de un MOSFET canal N
enriquecimiento.
En este apartado estaremos analizando el comportamiento de un MOSFET frente a una fuente
generadora de pulsos a una frecuencia de 1kHz, con el objetivo de controlar la potencia
entregada a una carga por medio del PWM (modulación por ancho de pulso), que es un control
por medio del ancho del pulso que se entrega a la carga.
Componentes utilizados
MOSFET RFP70N03/HA.
Resistor de carga R1 de 500Ω.
Fuente generadora de pulsos 4v.
Fuente de alimentación 20vdc.
Cálculos
Parámetros
En este caso se calcularon dos parámetros de la fuente generadora de pulsos, el PER, que es el
periodo de lo pulsos, y el PW que es el ancho del pulso que se está generando para la activación
del MOSFET.
1
Como PER es el periodo, que está dado por: τ = , y la frecuencia dada es de 1kHz, entonces:
f
1
τ= =0.001 s=1 ms
1 kHz
Luego, el PW, va a depender del porcentaje de potencia que se le quiera entregar a la carga. En
este caso, se entregarán los siguientes porcentajes: 25%, 50% y 100%.
Entonces, para un 25%, el PW está dado por: PW =0.25 τ=0.25 ( 1 ms )=0.25 ms.
Para un 50% el PW será: PW =0. 50 τ =0.50 ( 1 ms )=0.50 ms.
Para un 100% el PW será: PW =τ=1 ms .
Esperados
V2
El valor máximo de potencia entregada a R1 está dado por: P=
R1
Donde V=20v y R1= 500Ω.
V 2 20 v 2
Entonces P= = =0.8 w , que si nos fijamos en las figuras A-4, 5 y 6, es el valor máximo
R 1 500 Ω
de potencia entregada.
Ahora bien, la potencia promedio entregada a R1 está dada por la siguiente ecuación:
T
1
Pm = ∫ P ( t ) dt
T 0
Luego, se calcularon la potencia promedio para cada porcentaje como sigue:
Para un 25%.
0.00025 s 0.001 s
Pm =
1
0.001 s [∫ 0
(0.8 w) dt + ∫
0.00025 s
]
( 0 ) dt =
( 0.8 w) 0.00025 s (0.8 w)(0.00025 s)
0.001 0
t] =
0.001 s
Pm =0.2 w
Para un 50%.
0.000 5 s 0.001s
Pm =
1
0.001 s [ ∫
0
(0.8 w) dt + ∫
0.0005 s
]
( 0 ) dt =
(0.8 w) 0.0005 s (0.8 w)( 0.0005 s)
t]
0.001 0
=
0.001 s
Pm =0. 4 w
Para un 100%.
0.00 1 s
Pm =
1
0.001 s [∫ 0
]
(0.8 w)dt =
( 0.8 w) 0.00 1 s (0.8 w)(0.00 1 s)
0.001 0
t] =
0.001 s
=0.8 w
Estos resultados son mostrados en la siguiente tabla, para una mejor comprensión.
Porcentaje Potencia promedio
25% 0.2w
50% 0.4w
100% 0.8w
Tabla B-1. Potencia promedio entregada a R1.
Diagrama esquemático
Figura A-3. Circuito control de potencia DC
con PWM.
V1 es ajustado a 0 para que el mínimo voltaje entregado por la fuente generadora de pulsos sea
0v y V2 es ajustado a 4 para que el máximo sea de 4v, que se encuentra dentro del rango de
voltaje de compuerta admitido por el MOSFET en cuestión (ver anexo C-1). También, el voltaje
máximo de este es de 30v.
Gráficas
Figura A-4. Potencia instantánea entregada a R1
(25%).
Figura A-5. Potencia instantánea entregada a
R1 (50%).
Figura A-5. Potencia entregada a R1 (100%).
Figura A-6. Voltaje instantáneo en R1 (25%).
Figura A-6. Voltaje instantáneo en R1 (50%).
Figura A-6. Voltaje instantáneo en R1 (100%).
Conclusión
En conclusión, el método PWM es muy factible a la hora de controlar la potencia que se quiere
entregar a una carga de forma precisa. Se fundamenta en modificar el ciclo de trabajo de una
señal periódica, como se vio anteriormente. Esta es una técnica muy utilizada en la industria,
cuando se quiere controlar la velocidad de un motor, o la intensidad de una bombilla DC, entre
otras aplicaciones.
Algunas desventajas que puede presentar este método es el hecho de que se requiere de una
fuente generadora de pulsos para controlar la activación del MOSFET.
También se pudo comprobar la respuesta del MOSFET a la frecuencia, pues en este ejemplo, fue
expuesto a trabajar a una frecuencia de 1kHz.
Anexos
Anexo C-1. Parámetros máximos del MOSFET RFP70N03/HA.
