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Optimización de Polarización BJT

Este informe de práctica describe tres métodos de polarización de transistores bipolares: 1) polarización universal, 2) polarización con fuente de corriente, y 3) uso de una carga activa en el colector. Se diseñan los circuitos para cada método y se calculan parámetros como voltajes, corrientes y ganancia. Luego, se verifican experimentalmente y comparan los resultados medidos con los cálculos.

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Optimización de Polarización BJT

Este informe de práctica describe tres métodos de polarización de transistores bipolares: 1) polarización universal, 2) polarización con fuente de corriente, y 3) uso de una carga activa en el colector. Se diseñan los circuitos para cada método y se calculan parámetros como voltajes, corrientes y ganancia. Luego, se verifican experimentalmente y comparan los resultados medidos con los cálculos.

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UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOSÉ DE CALDAS

FACULTAD DE INGENIERÍA
LABORATORIO ELECTRONICA II
INFORME PRACTICA #1

APLICACIÓN FUENTES DE CORRIENTE


(POLARIZACIÓN-CARGA ACTIVA)
GISETH NATALIA MURCIA MONSALVE - 20172005002
CHRISTIAN RICARDO GOMEZ MARTINEZ – 20171007030
ANDRES FELIPE CHACON ALONSO – 20181005078

I. INTRODUCCIÓN

Los transistores son componentes electró nicos que consisten de la unió n de tres capas

de dopado contrario con una terminal metá lica cada una. Hay dos tipos de transistores

en la teoría de la electró nica, los BJT y los FET. Existen tres configuraciones

principales en la teoría de transistores bipolares, que cumplen con la funció n de

amplificador del transistor, sin embargo, debido al comportamiento interno del

transistor por la unió n de materiales dieléctricos es posible que se presente una

amplificació n, atenuació n o se amplifiquen otros aspectos como la potencia o la

corriente.

II. MARCO TEORICO

POLARIZACIÓN DEL BJT

La polarizació n del BJT se realiza mediante tensió n continua, y consiste en preparar el

transistor para que trabaje en la regió n activa. Para que un transistor trabaje como

amplificador, la conexió n base-emisor del transistor se polariza en directo,

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permitiendo el flujo de corriente al aplicar una diferencia de potencial entre los

terminales; así mismo, se polariza la conexió n base-colector en inverso aplicando una

diferencia de potencial que fortalece la pared de cargas generada por la unió n PN del

material que impida el paso de corriente.

 POLARIZACIÓN UNIVERSAL

En la polarizació n universal [ANEXO 1] se busca situar el punto de operació n en la

regió n característica donde el dispositivo opera con mayor linealidad, de modo de

cualquier cambio en la señ al de entrada provoque una respuesta proporcional en la

salida. Se utiliza una fuente de voltaje DC y resistencias, para que a través del

colector circule una corriente Ic, y a su vez se obtenga una tensió n entre el colector y

el emisor Vce para esa Ic. La corriente Ic va a depender de la corriente en la base Ib

de la malla de entrada, porque Ic=β*Ib, la Vce dependerá de la malla de salida del

circuito.

 FUENTE BIPOLAR DE CORRIENTE

Una fuente de corriente [ANEXO 2] es un dispositivo que proporciona una intensidad

de corriente constante independiente de las variaciones de voltaje. Consta de al menos

2 transistores y una resistencia que fija la corriente de referencia. Idealmente los dos

transistores deben ser idénticos (ganancia de corriente y corrientes de base). Un

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transistor funciona como diodo (corto entre colector y base) mientras que el otro

funciona en la regió n activa.

 CARGA ACTIVA

Una carga activa es un elemento de circuito compuesto de dispositivos activos, como

los transistores, que proporcionan resistencias incrementales de alto valor resultando

etapas amplificadoras con elevada ganancia operando incluso con bajos niveles de

tensiones de polarizació n, como ocurriría si se utilizan resistencias de gran valor.

Comú nmente la carga activa se incluye en la salida de un espejo de corriente y se

representa de manera ideal como una fuente de corriente.

III. DISEÑO

1. POLARIZACIÓN UNIVERSAL

Diseñ ar la red resistiva clá sica de polarizació n para ICQ= 0.5 mA y VCC=15v polarizando

VRC≈VCE≈VRE en malla salida.

1
Como V RC ≈ V CE ≈ V ℜ= V CC =5 v
3

1 1
V V
3 CC 15 v 3 CC 15 v
RC = = =10 kΩ y RC = = =10 kΩ
I CQ 3(0,5 mA) I CQ 3( 0,5 mA)

Como I CQ =β I B , β ≈ 100 y V BE ≈ 0,7

Por Estabilidad Termica RB =0,1 β(R E )=10 R E=100 kΩ

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De la Ecuacion Estatica de Salida V TH =I B RB + V BE + I CQ R E=0,5 v+ 0,7 v +5 v =6,2 v

R B∗V CC R ∗R
R B 1= ≈ 242 kΩ y R B 2= B B 1 ≈ 170 kΩ
V TH R B 1−RB

26 mv 26 mv
Como hie = = =5,2 kΩ y β ≈ 100
IB 5 μA

−β∗RC −100∗10 kΩ
Ganancia para Emisor Comun A V = = ≈−190
hie 5,2 kΩ

2. POLARIZACIÓN CON FUENTE DE CORRIENTE

Polarizar el transistor utilizando fuente de corriente, para las mismas condiciones del

paso anterior.

Asumiendo I Ref ≈ I CQ =0,5 mA

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1
V −V BE
V −V BE 2 CC 7,5 v −0,7 v
Para la resistencia que fija la corriente de referencia R P= = = =13,6 kΩ
I Ref I Ref 0,5 mA

3. UTILIZANDO CARGA ACTIVA EN EL COLECTOR

Utilizar una carga activa, con fuente de corriente a cambio de Rc (con transistores PNP

con características similares a los del arreglo CA3086), para mismas condiciones del

primer paso.

Para la Carga Activa , Asumiendo I Ref ≈ I CQ =0,5 mA

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1
V −V BE
V −V BE 2 CC 7,5 v−0,7 v
La resistenciaque fija la corriente de referencia R P= = = =13,6 kΩ
I Ref I Ref 0,5 mA

Para la Ganancia usando análisis del circuito equivalente en AC

Como hoe=15,6 μS

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V Out =−hfe ¿ I B∗ ( hoe1 N



1
hoe P)y V ¿ =I B∗hie

26 mV
hie = =5,2 kΩ
IB

1
Av=
V Out
=
−hfe∗ ( 2∗hoe )= −100∗32,1 KΩ =−616.37
V¿ hie 5,2 kΩ

IV. DESARROLLO

1. POLARIZACIÓN UNIVERSAL

Verificar voltajes y corriente IC.

VRC VCE VRE IC


Calculad
Medido Calculado % Medido Calculado % Medido Calculado % Medida %
a
5.
5.12V 5V 2.4 4,71V 5V 5.16V 5V 3.2 512 μA 500 μA 2.4
8

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Medir AV, aplicando señ al de 1 KHz en la entrada y tomar salida en el colector del

transistor, desacoplar RE con condensador de 100µF.

V OUT −2,96 V
Ganancia A V = = ≈−152
V¿ 19,5 mV

Av
Medido Calculado %
-152 -190 20

2. POLARIZACIÓN CON FUENTE DE CORRIENTE

Medir y comparar resultados con los obtenidos en paso anterior.

VRC VCE VRE IC


Calculad
Medido Calculado % Medido Calculado % Medido Calculado % Medida %
a
3.
4.99V 5V 0.2 4,83V 5V 5.18V 5V 3.6 504 μA 500 μA 0.8
4

8
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3. UTILIZANDO CARGA ACTIVA EN EL COLECTOR

Medir y verificar los voltajes y corriente IC.

VRC VCE VRE IC


Calculad Calculad
Medido Calculado % Medido % Medido % Medida Calculada %
o o
5.695 13. 13.7 510.389µ
5V 4.314V 5V 4.99 5V 0.2 500 μA 1.2
V 9 2 A

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Medir Av y comparar con el primer paso.

Av
Polarización clásica Carga activa
Calculad
Medida Calculada % Medida %
a
-162 -190 20  - -616 - 

V. ANÁLISIS DE RESULTADOS

¿Es necesario lograr que la diferencia de potencial se distribuya equitativamente entre

los transistores de malla salida del paso 3? Explique.

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Es necesario distribuir equitativamente entre los transistores de malla el voltaje de polarización Vcc

debido a que el modelo equivalente de espejos de corriente requiere la aplicación de un voltaje de

polarización Vcc para el flujo de la corriente de referencia la cual es equivalente, adicionalmente el

voltaje en DC Vcc originalmente se reparte sobre la resistencia de colector, la resistencia de emisor

y genera una diferencia de potencial emisor-colector, de esa manera y analógicamente como son

montajes de circuitos equivalentes debe caer sobre la carga activa y la fuente de corriente de

polarización la misma diferencia de potencial que caería sobre dicha resistencia de emisor o

colector para polarizar bien el transistor y de esa manera no se genere deformación en la señal de

salida, asi mismo es necesario unificar las tierras del circuito lo cual al redibujar el montaje se

obtiene una configuración de Vcc que cae sobre la carga activa y sobre la fuente de corriente de

polarización, adicionalmente si se reparte equitativamente el voltaje Vcc se facilitan los cálculos en

la fase de diseño del transistor como amplificador debido a que los modelos usados tanto en carga

activa como en la fuente son similares

VI. CONCLUSIONES

 El uso de fuentes de corriente para polarizar y como carga activa fijan las

corrientes estabilizando el circuito, esto hace que se reduzca el margen de error

entre las medidas reales y las teó ricas.

 Pese a que, a diferencia de las otras configuraciones, la polarizació n universal,

mantiene ciertamente un margen de error pequeñ o, resultando confiable con las

distribuciones de voltaje, aunque la ganancia se ve claramente reducida si la

comparamos con la teó rica que se obtiene con la carga activa.

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 La ganancia de voltaje se ve importantemente comprometida al usar carga activa,

ya que se aumenta significativamente mostrando gran utilidad en la amplificació n

de señ ales, con respecto a lo que se evidenció en la polarizació n universal, esto, se

puede explicar por una mejor distribució n de los voltajes puesto que la corriente

se mantiene fija dentro del circuito.

VII. BIBLIOGRAFIA

 “Circuitos microelectró nicos”. RASHID, Muhamad. Editorial Thompson (2000)

VIII. ANEXOS
ANEXO1: Circuito de Polarización Universal de Transistores BJT

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ANEXO 2: Modelo de una Fuente de Corriente con Transistores BJT

ANEXO 3: Especificaciones Datasheet CA3086

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