ESCUELA NACIONAL DE MARINA MERCANTE ¨ALMIRANTE MIGUEL GRAU¨
CALLAO, PERÚ / MAYO 5, 2020
ELECTRÓNICA
LABORATORIO
CIRCUITOS DE POLARIZACÍON
INFORME
OBJETIVO: BASE, que controla el flujo de los portadores
de corriente. Su labor es la equivalente a la
REJILLA cátodo en los tubos de vacío o
Los siguientes experimentos tienen como "lámparas" electrónicas.
finalidad mostrar:
Identificar las tres regiones de un COLECTOR, que capta los portadores de
transistor BJT. corriente emitidos por el emisor. Su labor es la
Aprender a realizar montajes utilizando equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o
transistores BJT. "lámparas" electrónicas.
Identificar y analizar las corrientes
entregadas por cada una de las tres
regiones de un transistor. Ventajas de los transistores
electrónicos
TEORÍA:
El consumo de energía es sensiblemente bajo.
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres El tamaño y peso de los transistores es
o más electrodos. Los tres electrodos principales bastante menor que los tubos de vacío.
son emisor, colector y base. La conducción Una vida larga útil (muchas horas de servicio).
entre estos electrodos se realiza por medio de Puede permanecer mucho tiempo en depósito
electrones y huecos. El germanio y el silicio son (almacenamiento).
los materiales más frecuentemente utilizados No necesita tiempo de calentamiento.
para la fabricación de los elementos Resistencia mecánica elevada.
semiconductores. Los transistores pueden reproducir otros
fenómenos, como la foto sensibilidad.
Los transistores pueden efectuar prácticamente
todas las funciones de los antiguos tubos Tipos de Transistores
electrónicos, incluyendo la ampliación y la
rectificación, con muchísimas ventajas.
Transistores Bipolares de unión, BJT. (PNP o
NPN)-BJT, de transistor bipolar de unión (del
Elementos de un transistor o inglés, Bipolar Junction Transistor).
transistores:
El término bipolar refleja el hecho de que los
El transistor es un dispositivo semiconductor de huecos y los electrones participan en el proceso
tres capas que consiste de dos capas de material de inyección hacia el material polarizado de
tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de forma opuesta.
material tipo p y un tipo n. al primero se le
llama transistor NPN, en tanto que al segundo MATERIAL DE
transistor PNP.
REFERENCIA:
EMISOR, que emite los portadores de Introducción a la electrónica,
corriente, (huecos o electrones). Su labor es la 6ta Edición – Malvino, Albert
equivalente al CATODO en los tubos de vacío o
Paul.
"lámparas" electrónicas.
Electrónica I – Guerrero,
Alberto
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Lic. Cortez M. Juan
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RESPUESTAS DE PREGUNTAS:
1. Para cada uno de los circuitos mostrados se pide hallar I C y V CE
asumiendo:
a. Vcc=5 , y β=100 ( NPN ) .
Sea V BE =0.7 y V cc=5 v
C1:
5−0.7
I B 1= mA =0.00524 mA
820
I c1 =100 I B 1
I C 1=0.524 mA
( 4.7)(100)(5−0.7)
V CE 1=5−
820
V CE 1=2.535 V
V1
5V
+V
517.4uA
820k 4.7k
DC A
2.568 V
DC V
Q1
NPN
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C2:
5−0.7
I B 2= mA=0.00425mA
910+(1+100)
I c2 =β I B 2
I C 2=0.425 mA
I E 2 =(1+ β) I B 2
I E 2 =0.429 mA
V CE 2=5−( 4.7 ) ( 0.425 )−0.429
V CE 2=2.573 V
V2
5V
+V
4.7k
910k
420.2uA
DC A
2.601 V
DC V
Q2
NPN
1k
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C3:
De (8)
5−0.7
I B 3= mA=0.00372 mA
680+ 4.7(1+100)
De (9)
I c3 =β I B 3
I C 3=0.372 mA
De (10)
I E 3 =(1+ β ) I B 3
I E 3 =0.375 mA
De (11)
V CE 3=5− ( 4.7 ) ( 0.375 )
V CE 2=3.237 V
V3
5V
+V
4.7k
680k
368.2uA
DC A
3.252 V
Q3
DC V
NPN
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b. Para V CC =5 V , y β=200(BC107BP).
C1:
5−0.7
I B 1= mA =0.00524 mA
820
I c1 =200 I B 1
I C 1=1.048 mA
( 4.7)(200)(5−0.7)
V CE 1=5−
820
V CE 1=0.07 V
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V1
5V
+V
4.7k
1.037mA
820k
DC A
124.3mV
DC V
Q1
BC107BP
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C2:
5−0.7
I B 2= mA=0.00387 mA
910+(1+200)
I c2 =β I B 2
I C 2=0.774 mA
I E 2 =(1+ β) I B 2
I E 2 =0.777 mA
V CE 2=5−( 4.7 ) ( 0.774 ) −0.777
V CE 2=0.585 V
V2
5V
+V
4.7k
910k
850 .9u A
DC A
14 6. 0mV
DC V
Q2
BC107BP
1k
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C3:
5−0.7
I B 3= mA=0.00289 mA
680+ 4.7(1+200)
I c3 =β I B 3
I C 3=0.578 mA
I E 3 =(1+ β ) I B 3
I E 3 =0.581 mA
V CE 3=5− ( 4.7 ) ( 0.581 )
V CE 2=2.269 V
∆ I C 3≈ ( 0.578−0.375
0.375 ).100
∆ I C 3 ≈ 54.13 %
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V3
5V
+V
4.7k
680k
595.3uA
DC A
2.191 V
DC V
Q3
BC107BP
¿En qué porcentaje aumenta Ic para los tres casos al aumentar el β de 100 a 200?
Circuito 1:
∆ I C 1≈ ( 1.048−0.524
0.524 ).100
∆ I C 1 ≈ 100 %.
Circuito 2:
∆ I C 2≈ ( 0.774−0.425
0.425 ) .100
∆ I C 2 ≈ 82.1 % .
Circuito 3:
∆ I C 3≈ ( 0.578−0.375
0.375 ).100
∆ I C 3 ≈ 54.13 % .
¿Cuál es el β medido en cada uno de los circuitos?
El β medido seria 100 para los circuitos del primer caso y 200 para los del segundo caso.
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2. En el siguiente circuito se pide hallar en forma teórica:
I C , V C , V E , V CE , si el β del transistor es igual a 200 ¿Qué
potencia dispara el transistor? En la simulación utilice
transistor BC107BP y mida sus valores anteriores.
Solución.
Formulas (Equivalente de Thevenin):
18.V CC
V TH = V
(18+120)
18.120
RTH = KΩ
(18+120)
V TH =( RTH ) . I B 4 +V BE+ 0.62 K . I E 4
I B 4 =(1+ β I B 4 )
V TH −V BE
I B4= mA … … … … … … … … … … … …
R TH +0.62(1+ β)
I C 4=β I B 4 … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … …
I E 4=( 1+ β I B 4 ) … … … … … … … … … … … … … … … … … …
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V C 4 =V CC −4.7 . I C 4 … … … … … … … … … … … … … … … … …
V E 4 =0.62 I E 4 … … … … … … … … … … … … … … … … … … …
V CE 4=V C 4−V E 4 … … … … … … … … … … … … … … … … … …
Sea:
De las ecuaciones de Thevenin:
18.(12)
V TH = V =1.565 V
(18+120)
18.120
RTH = KΩ=15.652 KΩ
(18+120)
1.565−0.7
I B4= mA ≈ 0.00616 mA
15.652+0.62(1+ 200)
I C 4=β I B 4 → I C 4 =1.233 mA
I E 4=(1+ β I B 4 )
I E 4=1.239 mA
V C 4 =12−4.7(1.233)
V C 4 =6.204 V
V E 4 =0.62(1.239)
V E 4 =0.768V
V CE 4=6.204−0.768
V CE 4=5.436 V
Potencia disipada:
P DC =(V ¿¿ CE)( I c )≈ 6.70 mW ¿
12V
+V
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Lic. Cortez M. Juan 4.7k
1.358mA
DC A
120k
5.616 V
Q4
BC107BP
4.771 V
DC V
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18k R9
0.62k
845.0mV
DC V
3. En los cuatro diagramas con β igual a 200 repita el
procedimiento con una fuente de alimentación de 15 voltios.
3.1.
C1:
15−0.7
I B 1= mA =0.01743 mA
820
I c1 =200 I B 1
I C 1=3.4878 mA
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( 4.7)(200)(15−0.7)
V CE 1=15−
820
V CE 1=−1.3842V
transistor en corte
V1
15V
+V
3.168mA
820k 4.7k
DC A
108.5mV
DC V
Q1
BC107BP
C2:
15−0.7
I B 2= mA=0.0128 mA
910+(1+200)
I c2 =β I B 2
I C 2=2.574 mA
I E 2 =2.587 mA
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V CE 2=15−( 4.7 ) ( 2.574 ) −2.587
V CE 2=0.315 V
transistor cerca de la saturación
V2
15V
+V
4.7k
910k
2.608mA
DC A
120.0mV
DC V
Q2
BC107BP
1k
C3:
15−0.7
I B 3= mA =0.0088 mA
680+ 4.7(1+200)
I c3 =β I B 3
I C 3=1.760 mA
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I E 3 =1.769 mA
V CE 3=15− ( 4.7 ) ( 1.769 )
V CE 2=6.685 V
V3
15V
4.7k +V
680k
2.047mA
DC A
5.347 V
Q3
DC V
BC107BP
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3.2
De las ecuaciones de Thevenin:
18.(15)
V TH = V =1.956 V
(18+120)
18.120
RTH = KΩ=15.652 KΩ
(18+120)
1.956−0.7
I B4= mA ≈ 0.00895mA
15.652+0.62(1+ 200)
I C 4=β I B 4 → I C 4 =1.790 mA
I E 4=(1+ β I B 4 )
I E 4=1.799 mA
V C 4 =15−4.7(1.790)
V C 4 =6.587 V
V E 4 =0.62(1.799)
V E 4 =1.115 V
V CE 4=V C 4−V E 4
V CE 4=5.471 V
Potencia disipada:
P DC =(V ¿¿ CE)( I c ) ≈ 9.794 mW ¿
15V
+V
Cadete 2° CUB Muñoz S. Juan 4.7k
1.926mA
Lic. Cortez M. Juan
DC A
120k
5.946 V
DC V
4.748 V
DC V
ESCUELA NACIONAL18k R9 ¨ALMIRANTE MIGUEL GRAU¨
DE MARINA MERCANTE
0.62k
CALLAO, PERÚ / MAYO 5, 2020 1.198 V
DC V
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Lic. Cortez M. Juan
