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PROGRAMA: Ingenieria electrónica y telecomunicaciones PUNTOS:

ASIGNATURA: GRUPO: CT06038 FRANJA HORARIA:

ELECTRONICA I

TITULO DE LA PRÁCTICA: PRÁCTICA No : 6 FECHA:

POLARIZACIÓN Y
FUNCIONAMIENTO DEL
MOSFET
NOMBRE DEL DOCENTE: ALVARO HERNANDO LOPEZ

NOMBRE DEL (OS) ESTUDIANTE(S) CÓDIGO(S):

NICOLAS DAVID MORALES GUTIERREZ 702500

1. RESUMEN
En esta practica se analizara el funcionamiento de los transistores JFET y MOSFET para la
obtención de sus curvas características y su curva de transferencia, de esta manera
determinaremos su reacción a diferentes voltajes y se comprenderá su funcionamiento.
2. INTRODUCCIÓN
A continuación se presenta la práctica de laboratorio correspondiente al transistor efecto de
campo, dispositivo de gran importancia en la electrónica, se trata de transistores unipolares, es
decir, que solo trabajan con un tipo de portadores, este tipo de transistores se llaman de efecto de
campo porque el control de la corriente se ejerce mediante la influencia de un campo eléctrico
externo. Estos transistores se clasifican en dos tipos: FET o JFET (Junction Field Effect
Transistor) y MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated
Gate Field Effect Transistor). Los MOSTFET son más importantes que los JFET ya que la mayor
parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS. La principal
ventaja del transistor MOSFET es que utiliza baja potencia para llevar a cabo su propósito y la
disipación de la energía en términos de pérdida es muy pequeña, lo que hace que sea un
componente importante en los modernos ordenadores y dispositivos electrónicos como los
teléfonos celulares, relojes digitales, pequeños juguetes de robot y calculadoras. Lo anterior
conlleva a que los ingenieros electrónicos deben familiarizarse y adquirir excelentes competencias
en el uso y aplicación de estos dispositivos, dada su alta importancia y utilización en los
desarrollos electrónicos vigentes.
Escriba en esta sección los objetivos planteados en la práctica.
3. MARCO TEÓRICO
El transistor: consta de tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales
específicos en cantidades específicas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que
emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las
dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el
transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En
el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de
los resistores, condensadores e inductores que son elementos pasivos.
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De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es función amplificada de la que se
inyecta en el emisor, pero el transistor solo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si
desde una fuente de corriente continua se alimenta la base para que circule la carga por
el colector, según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación o ganancia logrado
entre corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros
a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de
Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor,
frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como
corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los
tres tipos de esquemas(configuraciones) básicos para utilización analógica de los transistores son
emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET,
CMOS, VMOS, etc.) no utiliza la corriente que se inyecta en el terminal de base para modular la
corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta y gradúa la
conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenaje. Cuando la conductancia es nula
y el canal se encuentra estrangulado, por efecto de la tensión aplicada entre Compuerta y Fuente,
es el campo eléctrico presente en el canal el responsable de impulsar los electrones desde la
fuente al drenaje. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenaje (D) será
función amplificada de la tensión presente entre la compuerta y la fuente, de manera análoga al
funcionamiento del triodo.
Los transistores de efecto de campo son los que han permitido la integración a gran escala
disponible hoy en día; para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios cientos de miles
de transistores interconectados, por centímetro cuadrado y en varias capas superpuestas.

Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de

señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio
transistor.

Cuando hablábamos de los BJT, mencionamos que existen 2 tipos de transistores, los NPN y los
PNP y que cuentan con 3 terminales: la base, el colector y el emisor.

Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate, Drain y Source (compuerta, drenaje y fuente). A
su vez, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y los canal P.
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Existen diferentes tipos de MOSFET, dependiendo de la forma cómo están construidos

internamente. Así, tenemos MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, cada
uno con su símbolo característico. Sin embargo, para efectos de este artículo simplemente
consideraremos que los MOSFET de los que vamos a hablar son de enriquecimiento, utilizando la
simbología antes presentada.

Ahora que conocemos la simbología, tanto del BJT como del MOSFET podemos establecer lo
siguiente:

 Ambos dispositivos son transistores

 Ambos dispositivos tienen 3 terminales
 Ambos dispositivos pueden funcionar como interruptores (o conmutadores) y como
amplificadores de señales
 Físicamente, ambos dispositivos lucen iguales:

Ambos dispositivos pueden ser físicamente idénticos si se consideran 2 modelos con el

mismo encapsulado. Lo único que hace la diferencia entre ellos es el número de serie, a
partir del cual podemos reconocer si se trata de un BJT o un MOSFET.
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4. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL
Para la obtención de la curva característica de los JFET y MOSFET se procederá a armar un
circuito simulado en multisim el cual constara de dos fuentes de voltaje dos resistencias y un
transistor MOSFET, en este caso utilizaremos el transistor 2n3458 que es de tipo JFET, las
resistencias tendrán valores de 500 kΩ para RG y 1.5kΩ para la resistencia en el drenador.
La curva de transferencia se ontendra de acuerdo a los datos otorgados por el fabricante,
estos datos serán los siguientes

En la imagen podemos observar que la corriente de saturación del drenador será de 15 mA y

el voltaje off será de -7.8, tomaremos unos valores de vgg=3V y de VDD=12V para hallar
algunos datos exactos, asi haciendo las operaciones matemáticas obtenemos:
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−3 v 2
ID=15 mA (1− ) =5.68 mA
−7.8 v

Dándole valores a VGS obtendremos la curva de trasferencia, aclarando que la curva de

transferencia será a partir de los datos obtenidos por el fabricador
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Continuando con el tercer punto del laboratorio empezamos a simular en el software multisim,
y comenzamos a variar los valores de vgg y de vdd, inmediatamente nos damos cuenta que
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entre más aumentamos el valor de vdd, mas aumenta en valor de la corriente en el drenador,
pero no ocurre lo mismo con vgg, entre mas aumentamos el valor en vgg, en valor de la
corriente del drenador disminuye, hasta el punto en el que queda una corriente muy baja,
también observamos que llega a un punto que seria 3.5 voltios en vgg, en este punto la
corriente deja de disminuir y se mantiene igual asi cambiemos el valor de vdd, su valor es casi
0 pero no llega a cero, se mantiene constantemente alrededor de los micro voltios, se observa
algo curioso y es que cuando el voltaje es de 7 voltios y 12 voltios en vdd, despues de los 3.5
voltios en vgg obtenemos un valor de 0 en al corriente del dranador, así lo muestra el
simulador multisim

Recreando las graficas en una herramienta online se puede observar la curva característica
VDD-ID(mA) la cual es exponecial, en crecimiento, según va creciendo el voltaje en vdd va
creciendo la corriente en el drenador, también se puede observar que las graficas empiezan
exponencialmente y llegan a un punto en el que dan una curva y trata de aplanarse, con un
aumento mas pequeño después de un voltaje alto

En el numeral 5 de la guía nos damos cuenta de que a medida que aumenta el voltaje en vgg,
la corriente en el drenador disminuye al punto de volverse 0, cuando ajustamos el valor de vgg
en 6 voltios nos da un valor en la corriente del dredador en el orden de los picofaradios, aun
asi sigue siendo muy bajo, llegando a cero, también nos damos cuenta que el valor de vgs es
casi igual al valor de vgg, esto quiere decir que el valor de vgs es independiente del valor de
vdd, la tabla se podrá observar mas adelante en los datos obtenidos.
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Continuando con el siguiente punto del taller nos piden dejar vdd en 12 voltios y variar vgg
hasta obtener un voltaje de 6 voltios en vds, esto es obtiene cuando le damos un valor a vgg
de 0,7 voltios, el valor en vds es casi igual a 6 voltios

Nos seguimos dando cuenta que el valor de vgs sigue rigiéndose por VGG, lo contrario de
VDS que cambiara cuando los valores de VGG son muy bajos.
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En el numeral 14 del laboratorio se realiza la simulación del circuito con un mosfet de

enriquecimiento 2n7000 y se procede a hallar los valores de vds e ID, cuando empezamos a
variar los valores no damos cuenta que la corriente en el drenador será la misma cuando
vgg=1V y cuando VGG=2V, esto también sucede con el voltaje drenador-fuente, además
podemos observar que el valor de id es casi similar cuando VGS=2.1V cambia pero muy poco,
en el orden de los micro amperios.
Cuando le damos un valor de 2.1v en VGG la corriente será la misma, no importa que
aumentemos el valor de VDD, la corriente siempre tendrá el mismo valor, pero el valor de vds
si seguirá aumentando
A medida que se incrementa el valor de VDD se incrementa también el valor de la corriente en
el drenador, y el voltaje en vds, pero al llegar por encima de los 2,3v en VGG y después de los
8V en VDD se puede observar que el valor de la corriente en el drenador deja de aumentar,
llegando a su pico máximo aquí podríamos decir que es la corriente de saturación IDSS
Esto también se observa cuando el valor de VGG es de 2,2V aunque en este caso la corriente
llega a su pico máximo cuando VDD equivale a 4 voltios
(Estos datos estarán incluidos en la parte de datos obtenidos)

Hallando teóricamente la curva de trasferencia y se parecen en que a medida que incrementa

vgs disminuye id aunque los valores obtenidos con el simulador no son parecidos a los
obtenidos teóricamente, esto puede ser debido al voltaje Vth el cual cambia, teóricamente
tome un valor de 3 voltios y en el simulador tiene un valor por defecto de 2 voltios, en el
simulador me da una grafica un poco inestable, con cambios como una line axponencial y
otras líneas continuas
En el numeral 19 del laboratorio empiezo a variar la fuente vgg para obtener un voltaje de 6V
en vds, aquí me doy cuenta que al darle valor después de los 2 voltios a vgg empieza a
disminuir el voltaje en vds, antes de los 2 voltios se mantiene en los mismos 12 voltios que
tiene la fuente vdd, me doy cuenta de esto al poner 2,1 voltios en vgg, así observo que el
voltaje de vds empieza a disminuir
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También se observa que después de los 2,4 voltios en vgg el valor de vds desciende mucho,
menos de 0.5 voltios
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Al final el mejor caso para obtener 6 voltios masomenos en vds es el siguiente

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5. DATOS OBTENIDOS
Segundo punto:
A continuación se podrá observar la curva de transferencia de acuerdo a los datos
establecidos por el fabricante
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En el tercer punto podemos observar la tabla que se crea apartir de los datos obtenidos de regular
los voltajes vdd y vgg, asi obtenemos la corriente en el drenador

En el cuarto punto podremos obtener las graficas y las curvas de la corriente del drenador con
respecto al voltaje vdd
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desed

desde aquí en adelante las graficas se vuelven iguales, en el orden de los picofaradios, casi 0

punto 5 de la guía:
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Numeral 6 de la guía:

Tabla numero 3:

En el numeral 14 realizamos el montaje del circuito con un mosfet 2n7000

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Teóricamente hallamos la curva de transferencia

En el numeral 16 del laboratorio hallamos la tabla de valores:

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A continuación presentare las graficas obtenidas en función de VDS vs ID con respecto a la

grafica anterior

En la segunda grafica, cuando VGG equivale a 2 voltios aboservamos que es la misma que la
primera
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Al dejar vdd en 12 voltios y variar vgs hasta obtener la mitad de vdd en vds se obtiene

6. ANÁLISIS Y DISCUSIÓN DE RESULTADOS

A medida que se incrementa el valor de VDD se incrementa también el valor de la corriente en
el drenador, y el voltaje en vds, pero al llegar por encima de los 2,3v en VGG y después de los
8V en VDD se puede observar que el valor de la corriente en el drenador deja de aumentar,
llegando a su pico máximo aquí podríamos decir que es la corriente de saturación IDSS.
Entre más aumentamos el valor de vdd, mas aumenta en valor de la corriente en el drenador,
pero no ocurre lo mismo con vgg, entre mas aumentamos el valor en vgg, en valor de la
corriente del drenador disminuye, hasta el punto en el que queda una corriente muy baja.
Los resultados obtenido teóricamente no son exactamente iguales a los resultados obtenidos
con la simulación, esto es debido al voltaje thushold el cual cambiara en el simulador, aunque
cambiemos el valor de ese voltaje en el simulador nos seguida dando un margen de
diferencia.
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Los valores que se obtienen en el mosfet antes de los 2 voltios en vgg serán casi iguales, no
cambiaran mucho, después de los 2,1 voltios empezamos a ver los cambios significativos

7. CONCLUSIONES
En el jfet la corriente disminuirá a medida que aumentamos VGS, pero llegara a un punto en el
que se mantendrá igual, aunque nos da una corriente tan pequeña que se puede equivaler a
0, lo contrario ocurre con el vds que aumentara exponencial mente
En el mosfet legamos a la conclusión de que entre mas voltaje VDS halla mas corriente en el
drenador habrá, hasta llegar a un punto en el que la corriente llega a su saturación máxima y
se mantiene en un estado contiuo
Lo contrario ocurre con el voltaje vgs, el valor de la corriente disminuirá a medida que
aumentemos el valor de la compuerta-fuente
El voltaje de vgs será independiente del voltaje de vdd, se mantendrá según el voltaje que le
demos a vgg
También en el mosfet cuando le damos un valor de 2.1v en VGG la corriente será la misma,
no importa que aumentemos el valor de VDD, la corriente siempre tendrá el mismo valor, pero
el valor de vds si seguirá aumentando

8. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
Boylestad, Robert L.; Fundamentos de electrónica; México: Prentice-Hall Hispanoamericana,
2003.
9. REFERENCIAS WEB
GARCIA GONZALES, Antony. ¡Que es y como se utiliza mosfet?. {En línea}. Fecha. {5/04/202}.
disponible en: ([Link]