REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA.

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN.

UNIVERSIDAD DE FALCÓN.
FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA.
CATEDRA: ELECTRÓNICA INDUSTRIAL.
PROFESOR: AVINADAD MENDEZ.

TRABAJO DE ASIGNACIÓN TEÓRICA.

UNIDAD II.

AUTORA:
Laurient Pire.
V-27337861.

Punto Fijo, 1 de abril del 2020.

 TRIAC

1. DESCRIPCIÓN.

El TRIAC o TRIODO es un dispositivo semiconductor de 3 terminales

específicamente que se usa para controlar un flujo de corriente promedio
específicamente a una carga, este conduce en ambos sentidos y tiene la habilidad
de bloquearse por inversión de tensión o al disminuir la corriente por debajo del
valor de mantenimiento. En otras palabras, es un componente electrónico que se
utiliza para el control de la corriente, básicamente puede hacer la función de
interruptor de un transistor, pero este componente lo hace en corriente alterna a
diferencia del transistor que lo hace en corriente directa.

2. FUNCIONAMIENTO, COMO SE ACTIVA COMO MODELO

EQUIVALENTE.

El funcionamiento de este componente es bastante sencillo de comprender, ya

que cuenta con tres terminales, dos ánodos y una puerta o mejor conocida en
inglés como GATE. En los ánodos se coloca la corriente alterna junto con el
elemento que se quiere controlar, ya sea un motor, una lámpara, un horno, etc.
Puede ser cualquier cosa que funcione con corriente alterna, por ultimo una vez
que colocamos una corriente dentro de la terminal GATE este se activa para
actuar como un interruptor cerrado, para desactivarlo basta con quitar la corriente
de todo el circuito.

El funcionamiento del TRIAC es muy parecido al de un transistor ya que para

activar estos componentes debes sobre pasar la corriente umbral en la terminal
GATE.
 Cuando el TRIAC conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy
baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la dirección de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es más positivo en MT2,
la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos
casos el TRIAC se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el TRIAC deja
de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la
polaridad del voltaje externo aplicado por tanto actúa como un interruptor abierto.

Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variación de tensión importante al

TRIAC (dv/dt) aún sin conducción previa, el TRIAC puede entrar en conducción
directa.

3. DIFERENCIAS BÁSICAS CONTRA EL SCR O THIRISTOR.

Un SCR es un diodo modificado. Este último es un dispositivo que conduce

la electricidad en una dirección, impidiendo que vaya en el sentido contrario. El
diodo es un dispositivo de dos guías; éstas se llaman cátodo y ánodo. El SCR
tiene una tercera guía llamada puerta. Normalmente, el dispositivo no conduce
hasta que recibe una tensión en la puerta; entonces permanece encendido
hasta que el voltaje a través del cátodo y del ánodo cae más allá de un punto
crítico. El mismo puede conmutar grandes corrientes muchos miles de veces por
segundo.

Un Triac, como un SCR, cuenta con tres guías y actúa como un interruptor de
corriente. Su construcción y operación son algo más complejas que las del SCR,
ya que conduce la electricidad en dos direcciones. Esto hace que el Triac sea
más útil en los circuitos de corriente alterna (CA) que un SCR, ya que la
dirección de la CA cambia 120 veces por segundo.

Aunque un Triac conduce en ambas direcciones, lo hace de manera algo

desigual para cada dirección. El SCR, cuando se enciende, conduce en una sola
dirección. La asimetría de la conducción del Triac complica su uso. Ya que un
circuito de CA lo enciende y apaga, los ciclos positivos y negativos de la forma
de onda resultante se vuelven desiguales, produciendo un ruido eléctrico duro e
interferencia.

4. CURVAS DE FUNCIONAMIENTO.

En la siguiente figura se muestra la curva V*I característica del TRIAC. Dado

que el TRIAC es esencialmente dos SCR en configuración anti paralelo, las curvas
son similares a las curvas SCR. La curva en el primer cuadrante es para un SCR y
la curva del tercer cuadrante es para el otro SCR.
 La parte de las curvas Que indican valores máximos de Tensión Ánodo Cátodo,
corresponden los momentos durante los cuales da lugar la conmutación. La
tensión aumenta hasta la tensión de transición conductiva (o tensión de irrupción –
VBO) y luego vuelve a caer al valor bajo esperado en un diodo que está
conduciendo. El resto de la curva es como la curva normal de un diodo.

CURVA DE TRANSFERENCIA

El TRIAC permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por

debajo de la corriente de mantenimiento Ih. Esto se realiza por medio de la
disminución de la tensión de la fuente. Una vez que el TRIAC entra en conducción,
la compuerta no controla más la conducción, por esta razón se acostumbra dar un
pulso de corriente corto y de esta manera se impide la disipación de energía
sobrante en la compuerta. El mismo proceso ocurre con respecto al tercer
cuadrante, cuando la tensión en el ánodo T2 es negativa con respecto al ánodo T1
y obtenemos la característica invertida. Por esto es un componente simétrico en
cuanto a conducción y estado de bloqueo se refiere, pues la característica en el
cuadrante I de la curva es igual a la del III.
 5. HOJA DE DATOS DE UN TRIAC (DATASHEET), Y DEFINICIÓN DE
PARÁMETROS.

 VDRM: Tensión de pico repetitivo en estado de bloqueo directo. (Repetitive

peak off-state voltage). Expresa el valor máximo de voltaje repetitivo para el
cual el fabricante garantiza que no hay conmutación, con la puerta en circuito
abierto.

 VDSM: Tensión de pico no repetitivo en estado de bloqueo directo. (Non

-repetitive peak off - state voltage). Valor máximo de tensión en sentido directo
que se puede aplicar durante un determinado periodo de tiempo con la puerta
abierta sin provocar el disparo.

 VDWM: Tensión máxima directa en estado de trabajo. (Crest working off -

state voltage). Valor máximo de tensión en condiciones normales de
funcionamiento.
 VRRM: Tensión inversa de pico repetitivo. (Repetitive peak reverse
voltage). Valor máximo de tensión que se puede aplicar durante un cierto
periodo de tiempo con el terminal de puerta abierto.

 VRSM: Tensión inversa de pico no repetitivo. (Non - repetitive peak reverse

voltage). Valor máximo de tensión que se puede aplicar con el terminal de
puerta abierto.

 VRWM: Tensión inversa máxima de trabajo. (Crest working reverse

voltage). Tensión máxima que puede soportar el tiristor con la puerta abierta,
de forma continuada, sin peligro de ruptura.

 VT: Tensión en extremos del tiristor en estado de conducción. (Forward on -

state voltage).

 VGT: Tensión de disparo de puerta. (Tensión de encendido). (Gate voltage

to trigger). Tensión de puerta que asegura el disparo con tensión ánodo -
cátodo en directo.

 VGNT: Tensión de puerta que no provoca el disparo. (Non - triggering gate

voltage). Voltaje de puerta máximo que no produce disparo, a una temperatura
determinada.

 VRGM: Tensión inversa de puerta máxima. (Peak reverse gate voltage).

Máxima tensión inversa que se puede aplicar a la puerta.

 VBR: Tensión de ruptura. (Breakdown voltage). Valor límite que si es

alcanzado un determinado tiempo en algún momento, puede destruir o al
menos degradar las características eléctricas del tiristor.

 IT(AV): Corriente eléctrica media. (Average on - state current). Valor

máximo de la corriente media en el sentido directo, para unas condiciones
dadas de temperatura, frecuencia, forma de onda y ángulo de conducción.
 IT (RMS): Intensidad directa eficaz. (R.M.S. on state current).

 ITSM: Corriente directa de pico no repetitiva. (Peak one cycle surge on -

state current). Corriente máxima que puede soportar el tiristor durante un cierto
periodo de tiempo.

 ITRM: Corriente directa de pico repetitivo. (Repetitive peak on - state

current). Intensidad máxima que puede ser soportada por el dispositivo por
tiempo indefinido a una determinada temperatura.

 IRRM: Corriente inversa máxima repetitiva. (Corriente inversa). (Reverse

current). Valor de la corriente del tiristor en estado de bloqueo inverso.

 IL: Corriente de enganche. (Latching current). Corriente de ánodo mínima

que hace bascular al tiristor del estado de bloqueo al estado de conducción.

 IH: Corriente de mantenimiento. (Holding current). Mínima corriente de

ánodo que conserva al tiristor en su estado de conducción.

 IDRM: Corriente directa en estado de bloqueo. (Off - state current).

 IGT: Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger). Corriente de

puerta que asegura el disparo con un determinado voltaje de ánodo.

 IGNT: Corriente de puerta que no provoca el disparo. (Non-triggering gate

current).

 ITC: Corriente controlable de ánodo. (Controllable anode current). (Para el

caso de tiristores GTO).

 I2t: Valor límite para protección contra sobre intensidades. (I2t Limit value).
Se define como la capacidad de soportar un exceso de corriente durante un
tiempo inferior a medio ciclo. Permite calcular el tipo de protección. Se debe
elegir un valor de I2t para el fusible de forma que: I2t (fusible) < I2t (tiristor)
 PGAV: Potencia media disipable en la puerta. (Average gate power
dissipation). Representa el valor medio de la potencia disipada en la unión
puerta-cátodo.

 PGM: Potencia de pico disipada en la puerta. (Peak gate power

dissipation). Potencia máxima disipada en la unión puerta-cátodo, en el caso
de que apliquemos una señal de disparo no continua.

 Ptot: Potencia total disipada. (Full power dissipation). En ella se consideran

todas las corrientes: directa, media, inversa, de fugas, etc. Su valor permite
calcular el radiador, siempre que sea preciso.

 Tstg: Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range).

Margen de temperatura de almacenamiento.

 Tj: Temperatura de la unión. (Juntion temperature). Indica el margen de la

temperatura de la unión, en funcionamiento.

 Td: Tiempo de retraso. (Delay time).

 Tr: Tiempo de subida (Rise time).

 tgt; ton: Tiempo de paso a conducción. (Gate - controlled turn – on time).

 tq; toff: Tiempo de bloqueo, (Circuit - commutated turn - off time). Intervalo
de tiempo necesario para que el tiristor pase al estado de bloqueo de manera
que aunque se aplique un nuevo voltaje en sentido directo, no conduce hasta
que haya una nueva señal de puerta.

 di/dt: Valor mínimo de la pendiente de la intensidad por debajo de la cual

no se producen puntos calientes.

 dv/dt: Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no se

produce el cebado sin señal de puerta.
 (dv/dt)C: Valor mínimo de la pendiente de tensión por debajo de la cual no
se produce el nuevo cebado del SCR cuando pasa de conducción a corte.

DATA SHEET DEL TRIAC BT137

6. USOS O APLICACIONES TÍPICAS.

Si bien su funcionamiento es fácil de entender y sus aplicaciones radican para

encender o desactivar cualquier dispositivo que funcione con corriente alterna,
como por ejemplo: control de iluminación, atenuador de luces, control de motores,
etc.

Aunque también se puede utilizar para controlar la velocidad de un motor

activándolo y desactivándolo miles de veces para disminuir la su velocidad a esto
se le conoce como modulación por ancho de pulso o PWM en inglés (pulse width
modulation).
 DIAC

1. DESCRIPCIÓN

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor doble

de dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la
corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras
la corriente circulante no sea inferior al valor triple de voltios característico para
ese dispositivo. El comportamiento es variable para ambas direcciones de la
corriente. La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de
alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara
de neón. Su funcionamiento se centra en aplicaciones a frecuencia de red.

2. FUNCIONAMIENTO, COMO SE ACTIVA EL MODELO EQUIVALENTE

La operación del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN

hasta un voltaje de ruptura equivalente al del transistor bipolar. Debido a la
simetría de construcción de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas
direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que
el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de
ruptura, presentando una región de impedancia negativa (si se sigue aumentando
la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra que el
dispositivo maneje corrientes muy grandes.
 3. CURVAS DE FUNCIONAMIENTO

Nótese que tanto para voltaje positivo o negativo (como pasa en AC) tiene el
mismo comportamiento.

En la curva podemos observar que:

• V < VBO: El DIAC se comporta como un circuito abierto, ya que no hay un flujo de
corriente significativa, solo la de fuga.

• V > VBO: El DIAC se comporta como un cortocircuito, entra en conducción, se

reduce el voltaje de 30 V (VBO) hasta 5 V (VF) y la corriente aumenta
considerablemente  de 50 uA (IBO) hasta mucho más de 10 mA .

La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de

alrededor de 30 V.

Cuando la tensión de disparo se alcanza, la tensión en el DIAC se reduce y

entra en conducción dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR
o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control
de potencia mediante control de fase.
 4. HOJA DE DATOS DE UN DIAC TIPICO Y DEFINICIÓN DE
PARÁMETROS

DATASHEET DB3

 Voltaje de ruptura VBO: 32 V típicos

 Simetría del voltaje de ruptura |VBO1 - VBO2| máx.: 3 V
 Corriente de ruptura IBO máx.: 100 μA
 Corriente pico repetitivo en conducción máx. (20 μs, 100 Hz): 2 A
 Potencia disipada máx.: 150 Mw

Hasta que la tensión aplicada entre sus extremos supera la tensión de disparo
VBO. La intensidad que circula por el componente es muy pequeña. Al superar la
tensión la corriente aumenta bruscamente y disminuye VBO.

 VBO (Voltaje de ruptura).

 IBO (Corriente de ruptura).

 IB (Leakeage Current = Corriente de ruptura).

 IL (Corriente de enclavamiento).
 MOSFET DE CANAL N Y P

1. DESCRIPCIÓN

Un MOSFET es un dispositivo de tres terminales conocidos como: compuerta,

drenador y surtidor. Un nivel de tensión aplicado a la compuerta controla el flujo de
electrones desde el surtidor hasta el drenador. Debido a que la tensión de la
compuerta desborda el valor del umbral, entonces el transistor cambia de modo no
conductor a modo conductor, mientras que la resistencia de la compuerta es
extremadamente alta, ya que se encuentra en el orden de los millones de
megaohmios. Debido a esta alta resistencia, el consumo de corriente en la
compuerta del MOSFET es muy baja. La resistencia entre el surtidor y el drenador
es baja cuando el dispositivo conduce corriente. Por lo tanto, un MOSFET puede
controlar decenas de amperios de corriente con una pérdida muy baja. Además de
los tipos de canal P y N, los MOSFET son fabricados como dispositivos para modo
de enriquecimiento y para modo de empobrecimiento. Un transistor en modo de
enriquecimiento normalmente está apagado y se enciende con una tensión,
mientras que un dispositivo en modo de agotamiento se encuentra encendido y se
apaga con un nivel de tensión. Las descripciones que siguen se aplican a los
MOSFET en modo de enriquecimiento.

En otras palabras, un transistor MOSFET, es un dispositivo de estructura metal

oxido semiconductor. Es un transistor que se controla con voltaje en la compuerta
usado para amplificar o conmutar señales. Actualmente, la versión de los
transistores, el más utilizado ya que es la base para la mayoría de los circuitos
integrados. El transistor MOSFET desplazó al transistor BJT, el cual es controlado
mediante la corriente de base. Además, respecto a los transistores BJT los
MOSFET, tienen un consumo menor, tamaño inferior, control con voltaje,
independiente de uso de resistencias, velocidades de conmutaciones mayores,
entre otras ventajas.

2. FUNCIONAMIENTO, COMO SE ACTIVA MODELO EQUIVALENTE

 Canal P

Para activar un MOSFET de canal P en adelante, se aplica una tensión

negativa a la compuerta. Este voltaje es negativo con respecto a tierra. En un
circuito, se conecta el terminal del canal surtidor del MOSFET P a una fuente
de tensión positiva y el drenador a una resistencia conectada a tierra, además
la resistencia limitará la corriente que fluye a través del transistor. El diagrama
del circuito para un MOSFET de canal P tiene una flecha apuntando hacia la
parte exterior de la compuerta.

 Canal N

Un MOSFET de canal N se enciende cuando aplicas un voltaje positivo en

el terminal de la compuerta. El voltaje será mayor que el suministro de tensión
positivo en el terminal drenador, mientras que la resistencia entre el extremo
positivo y el drenador limitará la corriente. Para este tipo de MOSFET, el
terminal surtidor deberá conectarse a tierra y el símbolo esquemático para el
mismo tendrá una flecha apuntando hacia la compuerta del dispositivo.

 Lado bajo y lado alto

El circuito conocido como controlador de lado de baja utiliza un MOSFET de

canal N, al cual se le denomina "lado de baja". Esto es debido a que el circuito
se conecta al extremo de la tierra del mismo, mientras la tensión de
alimentación positiva controla el dispositivo cuando el MOSFET se enciende.
Por el contrario, el conductor del lado de alta tiene un MOSFET de canal P,
conectado al terminal positivo de la alimentación, con el dispositivo de
conmutación conectado al terminal del drenador del transistor a tierra. El
 conductor del lado de baja es un circuito más simple que el del lado del alta,
sin embargo te permite cambiar la dirección de la corriente a través del
dispositivo.

3. DIFERENCIA BASICA CONTRA EL TRANSISTOR BJT – BIPOLAR

La principal diferencia entre los transistores bipolares (BJT) y los Mosfet

consiste en que estos últimos son controlados por tensión aplicada en la puerta
(G) y requieren solo una pequeña corriente de entrada, mientras que los
transistores BJT (Bipolares), son controlados por corriente aplicada a la base.

4. CURVAS DE FUNCIONAMIENTO Y ECUACIÓN DE TRABAJO

El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes

regiones de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la
presente discusión se utiliza un modelo algebraico que es válido para las
tecnologías básicas antiguas, y se incluye aquí con fines didácticos. En los
MOSFET modernos se requieren modelos computacionales que exhiben un
comportamiento mucho más complejo.

CORTE

Cuando VGS < Vth

Donde Vth es la tensión de umbral del transistor.

De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se
encuentra apagado. No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo
que el MOSFET se comporta como un interruptor abierto.
Un modelo más exacto considera el efecto de la energía térmica descrita por la
distribución de Boltzmann para las energías de los electrones, en donde se
permite que los electrones con alta energía presentes en la fuente ingresen al
canal y fluyan hacia el drenador. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es
una función exponencial de la tensión entre puerta-fuente. La corriente subumbral
sigue aproximadamente la siguiente ecuación:

Donde I D0 es la corriente que existe cuando V GS = Vth, VT = kT/q es el voltaje
térmico, n = 1 + CD/COX
Donde C D es la capacidad de la región de agotamiento, y C OX es la capacidad
de la capa de óxido.

REGION LINEAL U OHMNICA

Cuando VGS > Vth y VDS < (VGS – Vth)
Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se
crea una región de agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (huecos en
PMOS, electrones en NMOS) en la región de agotamiento, que darán lugar a un
canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de
modo que una diferencia de potencial entre drenador y fuente dará lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión
de puerta.
La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente es modelada por
medio de la ecuación:

Donde μ μn es la movilidad efectiva de los portadores de carga,

CoxEs la capacidad del óxido por unidad de área, WWWWW  es el ancho de
la puerta,  L es la longitud de la puerta.

SATURACIÓN O ACTIVA
 Cuando VGS > Vth y VDS > (VGS – Vth)
Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador
y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por la fuente no se
interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
En esta región la corriente de drenador se modela con la siguiente
ecuación:

EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN

Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores

MOSFET, pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo
orden, como por ejemplo:

 Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la

corriente de drenador no crece cuadráticamente en transistores de canal corto.
 Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensión entre fuente y sustrato
modifica la tensión umbral que da lugar al canal de conducción.
 Modulación de longitud de canal.
 5. HOJA DE DATOS DE UN MOSFET TIPO CANAL N Y DESCRIPCIÓN DE
PARÁMETROS

PARÁMETROS:

 Gate-Source Breakdown Voltage, VGSS: Tensión de ruptura puerta-fuente.

Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el sustrato (unido
a la fuente) y el drenador. Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se
especifica a qué pequeña circulación de corriente corresponde.

 Gate-Source Cutoff Voltage, VGS: Tensión tope puerta-fuente. La tensión

máxima soportable entre puerta y fuente, suele alcanzar un valor típico de 20V
(positivos o negativos)

 Saturation Drain Current, Idss: Corriente de saturación de drenaje.

Máximo valor que puede alcanzar la intensidad de corriente por el drenador.

 Gate Reserve Current, IGSS: Corriente inversa en la puerta. Valor de la

intensidad de corriente negativa en la puerta del dispositivo.

 Gate Operating Current, IG: Corriente de operación en la puerta. Corriente

mínima que se debe aplicar en la puerta para que se logre el funcionamiento
del MOSFET.

 Drain Cutoff Current, ID: Corriente tope de drenaje. La corriente máxima

que puede soportar el drenador sin que se estropee.

 Drain-Source On-Voltage, VDS: Tensión de encendido o umbral drenaje-

fuente. Tensión mínima que se debe alcanzar entre drenador y fuente para
lograr al funcionamiento del MOSFET.
 Drain-Source On-Resistance, RDS: Resistencia de encendido drenaje-
fuente. Es uno de los parámetros más importante en un MOSFET. Cuanto
menor sea, mejor es el dispositivo. Para un dispositivo particular, crece con la
temperatura y decrece con la tensión de puerta, teniendo este decrecimiento
tiene un límite.

 Gate-Source Forward Voltage, VGS: Tensión directa puerta-fuente. Caída

de tensión correspondiente en la puerta y el drenador.

DATA SHEET DE MOSFET’S 2N4391, 2N4392 Y 2N4393

 IG BJT

1. DESCRIPCIÓN

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT,

del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que
se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este
dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores
de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación
del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de
control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de
conducción son como las del BJT.

2. FUNCIONAMIENTO, COMO SE ACTIVA MODELO EQUIVALENTE.

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende

inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,

puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de
potencia en la puerta es muy baja.
 El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la
terminal G. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede
tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede
estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de

encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor
el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de
encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la
corriente IC se auto limita.

3. DIFERENCIA CONTRA EL TRANSISTOR BJT-BIPOLAR, MOSFET E

INCLUSO CONTRA EL SCR, VENTAJAS QUE PRESENTA.

Definimos el IGBT como un híbrido entre los transistores MOSFET y los BJT, o

bipolares, que aprovecha las ventajas de ambas tecnologías, por lo que será
sobre estos dos con los que realizaremos las comparaciones más específicas,
observando sus ventajas y desventajas.

El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con las características

de los transistores bipolares, pero es controlado por tensión como un MOSFET,
tiene una impedancia de entrada elevada como los MOSFET, alta capacidad de
corriente, caída de tensión directa (voltaje colector-emisor de saturación) muy baja
así como la facilidad de comando gracias a la compuerta aislada que ofrece la
tecnología MOSFET, además de las bajas pérdidas en conmutación como
los BJT, puesto que la energía aplicada en la puerta que activa el dispositivo es
pequeña, con corrientes de orden de nano amperios y tensiones de control de
unos 15V, haciendo posible su control mediante circuitos integrados, además de
no necesitar la corriente de base para mantenerse en conducción como los
bipolares. En general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de
manejo de corriente propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de
conducción por tensión que ofrece un MOSFET.

Entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen una relativamente

baja velocidad de respuesta (20Khz) en comparación con el MOSFET aunque
puede trabajar con altas frecuencias y grandes intensidades, pero no siempre
traen el diodo de protección (Damper) que incluyen los MOSFET. En sus primeras
versiones, los IGBT eran propensos a entrar abruptamente en conducción, pero en
la actualidad, las nuevas tecnologías de fabricación están eliminando este defecto.

Otro de los posibles problemas con algunos tipos de IGBT es el coeficiente de

temperatura negativo que poseen, que podría conducir al dispositivo a una deriva
térmica muy difícil de controlar. Lo que significa que tiene un comportamiento
dependiente de la temperatura. Por supuesto, estas desventajas quedan
eclipsadas cuando reconocemos la capacidad de un IGBT de poder trabajar con
varios miles de Voltios y corrientes tan elevadas que permiten hablar de cientos de
Kilovatios de potencia controlada.

A parte de estas características, un IGBT cuenta con una caída de tensión

significativamente menor en comparación con un MOSFET convencional en
dispositivos con clasificación más alta de tensión de bloqueo, aunque las pérdidas
en conmutación son mayores. A diferencia de un MOSFET, el IGBT no puede
conducir en la dirección inversa. Es capaz de bloquear tensiones Vce negativas, al
contrario que el MOSFET, que no puede debido a su diodo parásito.

A pesar de todo esto el MOSFET es un producto ya maduro y que ha logrado

un desarrollo constructivo muy importante. Los IGBT son una nueva tecnología
que superará a los MOSFET por encima de los 300 Voltios y los 100 Amperios,
pero estos últimos continúan teniendo un crecimiento muy dinámico en el área de
la automoción y la electrónica de consumo, lo que hará que su decadencia no
resulte tan sencilla.
 4. CURVAS DE FUNCIONAMIENTO.

La curva característica de un IGBT es muy similar a la de un transistor bipolar.

Dentro de las regiones de trabajo de un IGBT tenemos la zona de avalancha,

saturación, corte.

Los IGBT pueden ser NPN O PNP solo puede cambiar la corriente en dirección

hacia adelante es decir del colector a emisor, a diferencia de los MOSFET que
tienen capacidades de conducción de corriente en forma bidireccional.
Controladas hacia adelante e incontrolables hacia atrás. Se puede implementar
un PWM de alto voltaje control de velocidad, fuentes de alimentación conmutadas,
y conversores de CC a CA empleando energía solar que operan en el rango
de KHZ.

5. USO TIPICO.

El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de

potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión.
Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en
máquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y
por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico,
Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en
Inglés UPS), etc.

6. HOJA DE DATOS DE UN IG BJT, DEFINICIÓN DE PARÁMETROS.

 UJT

1. DESCRIPCIÓN.

El transistor uniunión o transistor unijuntura (en inglés UJT: UniJuntion

Transistor) es un tipo de transistor que contiene dos zonas semiconductoras.
Tiene tres terminales denominados Emisor, Base uno y Base dos. Está formado
por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se
difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que
determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de
resistencias o factor intrínseco.

2. FUNCIONAMIENTO COMO SE ACTIVA MODELO EQUIVALENTE.

La curva de corriente versus voltaje para un transistor de unijuntura exhibe una

propiedad inusual llamada "resistencia negativa". Al principio el voltaje y la
corriente incrementan juntos como lo hacen para la mayoría de los dispositivos
electrónicos. Sin embargo después de que el voltaje llega a su pico éste disminuye
mientras la corriente continúa incrementando entre las terminales del emisor y la
de base 2. La resistencia negativa le proporciona al UJT su comportamiento de
activación.

Para hacer que el UJT funcione se necesita un voltaje positivo, llamado el

voltaje interbase, a través de las puntas base 2 y base 1. El transistor de
unijuntura tiene un rango máximo de voltaje interbase, por lo que el circuito no
puede excederlo sin dañar el componente. El valor del voltaje interbase establece
el voltaje de activación emisor-base

3. DIFERENCIA BÁSICA CONTRA EL TRANSISTOR BJT-BIPOLAR O EL

MOSFET O EL IG BJT.

Transistor Unijunction (UJT): tiene solo 1 unión, solo emisor y base (B1 y

B2). Es de tipo N o de tipo P. Actúa como interruptor electrónico.

Transistor de unión bipolar (BJT): tiene 2 uniones, emisor / base y

colector. Es de 2tipo → NPN o PNP. Actúa como amplificador, interruptor.
 4. CURVAS DE FUNCIONAMIENTO.

Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el

voltaje Ve-B1 sobrepasa un valor Vp de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de
modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el
dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el
dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa. Este es un
proceso con realimentación positiva, por lo que esta región no es estable, lo que lo
hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en
osciladores de relajación.

5. USO TIPICO

Su uso como el dispositivo activo en osciladores de relajación, una de las

aplicaciones más importantes de UJT o ponga es
desencadenar tiristores ( rectificadores controlados de silicio (SCR), TRIAC , etc.).
Una tensión de CC se puede utilizar para controlar un UJT o PUT circuito de tal
manera que el "en-período" aumenta con un aumento en la tensión de control de
CC. Esta aplicación es importante para gran control de corriente AC.

UJT también se puede utilizar para medir el flujo magnético. El efecto

Hall modula el voltaje en la unión PN. Esto afecta a la frecuencia de los
osciladores de relajación UJT. Esto sólo funciona con UJT. PUT no presentan este
fenómeno.
6. HOJAS DE DATOS DE UN UJT TIPICO Y DEFINICIÓN DE PARÁMETROS