CUESTIONARIO
1. Cuantos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre?
a) 1 b) 4 c) 18 d) 29
2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es
a) 0 b) +1 c) -1 d) +4
3. Si a un átomo de cobre se le extrae su electrón de valencia, la carga
resultante vale
a) 0 b) +I c) -1 d) +4
4. La atracción que experimenta hacia el núcleo el electrón de Valencia de
un Átomo de cobre es
a) Ninguna b) Débil c) Fuerte d) Imposible de describir
5. ¿Cuantos electrones de valencia tiene un Átomo de silicio?
a) 0 b) 1 c) 2 d) 4
6. El semiconductor mas empleado es
a) Cobre b) Germanio c) Silicio d) Ninguno de los anteriores
7. ¿Cuál número de protones posee un átomo de silicio?
a) 4 b) 14 c) 29 d) 32
8. Los Átomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe
el nombre de
a) Enlace covalente b) Cristal c) Semiconductor d) Orbital de valencia
9. Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos a temperatura
ambiente causados por
a) El dopaje b) Electrones libres c) Energía térmica
d) Electrones de valencia
10. Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un
a) Enlace covalente b) Electrón libre c) Hueco d) Recombinación.
11. La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre de
a) Enlace covalente b) Tiempo de vida c) Recombinación
d) Energía térmica
12. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta
como
a) Una batería b) Un aislante c) Un conductor d) Un hilo de cobre
13. El tiempo que transcurre entre la creación de un hueco y su
desaparición se conoce como
a) Dopaje b) Recombinación c) Tiempo de vida d) Valencia
14. Al Electrón de valencia de un conductor se le denomina también por
a) Electrón ligado b) Electrón libre c) Núcleo d) Protón
15. ¿Cuantos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?
a) 1 b) 2 c) 3 d) 4
16. ¿Cuantos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?
a) 1 b) 2 c) 3 d) 4
17. Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos circulan
a) Distanciándose del potencial negativo b) Hacia el potencial positivo
c) En el circuito externo d) Ninguna de las anteriores
18. ¿cuantos huecos presenta un conductor?
a) Muchos b) Ninguno c) Solo los producidos por la energía térmica
d) El mismo número que de electrones libres
19. En un semiconductor intrínseco, el número de electrones libres es
a) Igual a1 número de huecos b) Mayor que el número de huecos
c) Menor que el número de huecos d) Ninguna de las anteriores
20. La temperatura de cero absoluto es igual a
a) -273 °C b) 0 °C c) 25 °C d) 50 °C.
21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco
presenta
a) Pocos electrones libres b) Muchos huecos
c) Muchos electrones libres d) Ni huecos ni electrones libres
22. A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene
a) Algunos electrones libres y huecos b) Muchos huecos
c) Muchos electrones libres d) Ningún hueco
23. El número de electrones libres y de huecos en un semiconductor
intrínseco aumenta cuando la temperatura
a) Disminuye b) Aumenta c) Se mantiene constante
d) Ninguna de las anteriores
24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que
los huecos circulan hacia
a) La izquierda b) La derecha c) En cualquier dirección
d) Ninguna de las anteriores
25. Los huecos se comportan como
a) átomos b) Cristales c) Cargas negativas d) Cargas positivas
26. ¿Cuantos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?
a) 1 b) 3 c) 4 d) 5
27. ¿Qué número de electrones de valencia tiene un átomo como donador?
a) 1 b) 3 c) 4 d) 5
28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p, ¿Que emplearía?
a) átomos aceptadores b) átomos donadores c) Impurezas pentavalentes
d) Silicio
29. Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo
a) Extrínseco b) Intrínseco c) Tipo n d) Tipo p
30. ¿Cuantos electrones libres contiene un semiconductor tipo p?
a) Muchos b) Ninguno c) Solo los producidos por la energía térmica
d) El mismo número que de huecos
31. La plata es el mejor conductor. ¿cual es el número de electrones de
valencia que tiene?
a) 1 b) 4 c) 18 d) 29
32. Si un semiconductor intrínseco tiene un billón de electrones libres a
la temperatura ambiente, ¿Cuantos presentaría a la temperatura de 75 °C?
a) Menos de un billón b) Un billón c) Más de un billón
d) Imposible de contestar
33. Una fuente de tensión es aplicada a un semiconductor tipo p. Si el
extremo izquierdo del cristal es positivo, ¿en qué sentido circularán los
portadores mayoritarios?
a) Hacia la izquierda b) Hacia la derecha c) En ninguna dirección
d) Imposible de contestar
34. ¿Cuál de los siguientes conceptos está menos relacionado con los
otros tres?
a) Conductor b) Semiconductor c) Cuatro electrones de valencia
d) Estructura cristalina
35. ¿Cuál de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la
temperatura ambiente?
a) 0 °C b) 50 °C c) 25 °C d) 75 °C
36. ¿Cuantos electrones hay en la orbital de valencia de un átomo de
silicio dentro de un cristal?
a) 1 b) 8 c) 4 d) 14
37. Los iones positivos son átomos que
a) Han ganado un protón b) Han perdido un protón
c) Han ganado un electrón d) Han perdido un electrón
38. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n?
a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y
a) Iones positivos b) Iones negativos
c) átomos pentavalentes d) átomos donadores
40. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p?
a) Neutro b) Cargado positivamente c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos electrones libres
41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puede mover?
a) Huecos b) Electrones libres c) Iones d) Portadores mayoritarios
42. ¿A que se debe la zona de deplexión?
a) Al dopaje b) A la recombinación c) A la barrera de potencial
d) A los iones
43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente
es de
a) 0,3 V b) 1 V c) 0,7 V d) 2 mV por °C
44. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en
directa, la tensión aplicada debe superar
a) OV b) 0,7 V c) 0,3 V d) 1 V
45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente
a) Muy pequeña b) Muy grande c) Cero d) En la región de ruptura
46. La corriente superficial de fugas es parte de
a) La corriente de polarización directa
b) La corriente de ruptura en polarización directa
c) La corriente inversa
d) La corriente de ruptura en polarización inversa
47. La tensión que provoca el fenómeno de avalancha es
a) La barrera de potencial b) La zona de deplexión
c) La tensión de codo d) La tensión de ruptura
48. La difusión de electrones libres a través de la unión de un diodo
produce
a) Polarización directa b) Polarización inversa
c) Ruptura d) La zona de deplexión
49. Cuando la tensión inversa crece de 5 V a 10 V, la zona de deplexi6n
a) Se reduce b) Crece c) No le ocurre nada d) Se rompe
50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinación de
electrones libres y huecos puede producir
a) Calor b) Luz c) Radiación d) Todas las anteriores
51. Si aplicamos una tensión inversa de 20 V a un diodo, la tensión en la
zona de deplexión sería de
a) 0 V b) 0,7 V c) 20 v d) Ninguna de las anteriores
52. Cada grado de aumento de temperatura en la unión decrece la barrera
de potencial en
a) 1 mV b) 2mV c) 4 mV d) 10 mV
53. La corriente inversa de saturación se duplica cuando la temperatura
de la unión se incrementa
a) 1 °C b) 2 °C c) 4 °C d) 10 °C
54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensión
inversa aumenta
a) 7 por 100 b) lOO por lOO c) 200 por 100 d) 2mV
Preguntas
-Explique por qué el cobre es un buen conductor de electricidad.
-¿En qué difiere un semiconductor de un conductor? Incluya dibujos en su
explicación.
-Explique todo lo que sepa acerca de 1os huecos y como se diferencian de
los electrones libres. Incluya algunos dibujos.
-Exprese la idea básica de semiconductores dopados. Incluya algunos
dibujos que justifiquen su explicación.
-Demuestre, dibujando y explicando la acción, por qué existe corriente en
un diodo polarizado en directa.
-Diga por qué existe una corriente muy pequeña en un diodo polarizado en
inversa.
-Un diodo semiconductor polarizado en inversa se romperá bajo ciertas
condiciones. Describa la avalancha con suficiente detalle para que pueda
entenderse.
-Por qué un diodo emisor de luz produce luz. Explique.
-Los huecos circulan en un conductor? ¿Por qué o por qué nó? ¿Que sucede
a los huecos cuando alcanzan el final de un semiconductor?
- Qué es la corriente superficial de fugas?
-¿Porqué importante la recombinación en un diodo?
-¿en qué se diferencian el silicio extrínseco del intrínseco? ¿Por qué es
importante la diferencia?
-En sus propias palabras describa lo que sucede cuando se origina la
unión pn. Su argumento debería incluir la información sobre la zona de
deplexión.
-En la unión pn de un diodo, ¿cuáles son las cargas portadoras que se
mueven, huecos o electrones libres?
PROBLEMAS
1. ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana tres electrones?
2. ¿Cuánto vale la carga neta de un átomo de silicio si pierde todos sus
electrones de valencia?
3. Clasifique cada uno de 10s siguientes como un conductor o
semiconductor:
a) Germanio b) Plata c) Silicio d) Oro
4. Un diodo está polarizado en directa. Si la corriente es 5 mA a través
del lado n, ¿cuál es la carga a través de cada uno de 1os siguientes:
a) Lado p. b) Cables de conexión externos c) Unión
5. Clasifique cada uno de 1os siguientes como un semiconductor tipo n o
tipo p:
a) Dopado por un átomo aceptador
b) Cristal con impurezas pentavalentes
c) Los portadores mayoritarios son huecos
d) Se añadieron átomos donadores al cristal
e) Los portadores minoritarios son electrones
6. Un diseñador debe utilizar un diodo de silicio entre las temperaturas
de 0°C a 75°C. ¿Cuáles serán 1os valores mínimo y máximo de la barrera de
potencial?
7. Un diodo de silicio tiene una comente de saturación de 10 nA a 25°C.
Si debe funcionar en el rango de 0°C a 75°C, cuáles serán 1os valores
máximos y mínimos de la corriente de saturación?
8. Un diodo presenta una corriente superficial de fuga a 10 nA cuando su
tensión inversa es de 10 V. ¿Cuál será su corriente superficial de fuga
si la tensión inversa crece hasta 50 V?
