Tema 2

ESTRUCTURA DE LOS MATERIALES

1. Introducción
2. Ordenamiento de corto y largo alcance
3. La estructura cristalina
4. Imperfecciones en sólidos cristalinos
5. Observación de la microestructura

Tema 2: Estructura de los materiales 1

 2.1. INTRODUCCIÓN

 Conceptos:
Átomos
• Estado fundamental: los e- ocupan los niveles de energía
más bajos (es posible transiciones a estados energéticos
superiores)
• Configuración electrónica: Modo en cómo se van
ocupando estos estados
• Electrones de valencia: e- que ocupan los niveles más
externos. Participan en el enlace entre átomos

 Propiedades del sólido  dependen de la disposición de

átomos y fuerzas de enlace entre ellos

 Según el ordenamiento atómico:

Metales  ductilidad, resistencia
Cerámicos  transductores (captan vibraciones y generan
señal eléctrica) Un e- puede cambiar de
energía dando un salto a
Polímeros  comportamiento heterogéneo valores de energía permitidos

Tema 2: Estructura de los materiales 2

 2.1. INTRODUCCIÓN
Tabla periódica

Metales: electropositivos
No metales: electronegativos

Tema 2: Estructura de los materiales 3

 2.1. INTRODUCCIÓN. Enlace
Fuerza y Energía de enlace
 Fuerza de enlace  fuerza neta de atracción o
repulsión en función de la distancia de separación
entre dos átomos o iones

Fneta= FA + FR
Dependencia de las fuerzas
repulsiva, atractiva y resultante
 Estado de equilibrio  FA + FR = 0 con la distancia interatómica
entre dos átomos aislados.

 La distancia donde la F neta es cero 

distancia de equilibrio
Dependencia de las energías
 Energía de enlace  F=dE/da repulsiva, atractiva y resultante
con la distancia interatómica entre
dos átomos aislados.
 Posiciones estables de iones corresponden a
un mínimo en la energía  Energía de  Energía de enlace  depende del mecanismo
enlace molecular que mantiene unidos a los átomos

 Propiedades de los materiales  dependen de la

energía de enlace, forma de la curva y tipo de
enlace

Tema 2: Estructura de los materiales 4

 2.1. INTRODUCCIÓN. Enlace
• Tipo de enlace  PROPIEDADES DEL MATERIAL
– Enlace primario o químico
– Enlace secundario o físico

1. Enlaces primarios  átomos comparten o intercambian electrones de sus capas

externas para conseguir una estructura electrónica estable.
– Iónico
– Covalente
– Metálico
2. Enlaces secundarios  la disposición física de los átomos en la molécula da
como resultado una carga eléctrica no equilibrada. Las moléculas se unen
mediante fuerzas electroestáticas.
– Fuerzas de Van der Waals (interacciones tipo dipolo)
– Puentes de hidrógeno

Tema 2: Estructura de los materiales 5

 2.1. INTRODUCCIÓN. Enlace
ENLACE IÓNICO

• Transferencia de electrones de un átomo a otro  Molécula de NaCl

Na + Cl Na Cl

átomo de Na átomo de Cl catión Na anión Cl

carga positiva Na+ carga negativa Cl-

Características

 Electronegatividades de los átomos muy  Energía de enlace: 600-1500 kJ/mol ⇨ ⇧ T de

diferentes fusión
 Estructuras compactas  Materiales iónicos: duros, frágiles, eléctrica y
 Enlace no direccional térmicamente aislantes
 La resistencia del enlace aumenta con la  Típico de materiales cerámicos
carga

Tema 2: Estructura de los materiales 6

 2.1. INTRODUCCIÓN. Enlace
ENLACE COVALENTE

• Compartición de electrones
entre átomos
• La resistencia del enlace
depende del número de
electrones de valencia
CH4
Características
 Electronegatividades similares (próximos tabla periódica)
 Estructuras no compactas
 Enlace direccional
 Compuestos con resistencia y temperaturas de fusión
altas
 A menudo poseen expansión térmica baja
 Típico: polímeros, enlaces C-C, C-H, C-N;ceramicos
covalentes

Enlaces interatómicos  parcialmente iónicos y covalentes

Tema 2: Estructura de los materiales 7

 2.1. INTRODUCCIÓN. Enlace
ENLACE METÁLICO
• Compartición en masa de electrones entre varios átomos
• Electrones deslocalizados (no pertenecen a ningún átomo en concreto)  forman
una nube electrónica (electronegativa) que cohesiona a los átomos cargados
positivamente
• Átomos unidos por una nube electrónica  fácil movimiento de electrones  Alta
conductividad térmica y eléctrica
• Enlace no direccional
• Agrupación en estructuras simples de alta densidad
+ Cationes metálicos
- - -
+ -+ + - + +
- -
+ - + - + - + +-
-
+ + -+ + - +
- -
+ + -+ + +
- Electrones libres

Tema 2: Estructura de los materiales 8

 2.1. INTRODUCCIÓN. Enlace
Energías de enlace y temperatura de fusión para diferentes sustancias

Energía de enlace Temperatura

Tipo de enlace Sustancia KJ/mol eV/átomo, de fusión
ión, molécula (°C)

NaCl 640 3.3 801

IÓNICO
MgO 1000 5.2 2800

Si 450 4.7 1410

COVALENTE
C(diamante) 713 7.4 >3550

Hg 68 0.7 -39
Al 324 3.4 660
METÁLICO
Fe 406 4.2 1538
W 849 8.8 3410

VAN DER Ar 7.7 0.08 -189

WAALS Cl2 31 0.32 -101

PUENTES
NH3 35 0.36 -78
DE
H2 O 51 0.52 0
HIDRÓGENO

Tema 2: Estructura de los materiales 9

 2.1. INTRODUCCIÓN. Clasificación según el tipo de enlace
• METALES
– Enlace metálico entre átomos con 1, 2, o 3 electrones de valencia
– Metales puros: Hierro, Aluminio, Cobre, Zinc, Plomo…
– Aleaciones: Acero (Fe-C), aceros aleados (Fe-C-X, X= Cr, Mo, Ni, Mn), latones (Cu-Zn), bronces
(Cu-Sn), aleaciones ligeras base Al, Ti, Mg, superaleaciones base Ni...

• SÓLIDOS INORGÁNICOS
– Enlace iónico/covalente entre átomos con 5, 6, o 7 electrones de valencia
– CERÁMICOS (SiO2, cemento, hormigón…)

• SÓLIDOS ORGÁNICOS
– Enlace covalente en moléculas basadas en C, H y otros elementos no metálicos (O, N, F..) y enlaces
secundarios entre cadenas moleculares
 POLÍMEROS
– Asfalto, madera

Tipo de material Carácter del enlace Ejemplo

Metal Metálico Hierro (Fe) y aleaciones férreas
Cerámico y vidrio Iónico/covalente Sílice (SiO2): cristalina y no cristalina
Polímero Covalente y secundario Polietileno (C2H4)n
Semiconductor Covalente o covalente/iónico Silicio (Si)

Tema 2: Estructura de los materiales 10

 2.1. INTRODUCCIÓN. Clasificación según el tipo de enlace
POLÍMEROS
METALES
Elevado peso molecular (104-106 g/mol)
Elevada conductividad térmica y
Son ligeros, resistentes a la corrosión y aislantes eléctrica
eléctricos
Baja resistencia mecánica y no adecuados para usos a Resistencia mecánica alta, alta rigidez
elevada temperatura (modulo elástico), ductilidad y
conformabilidad, resistencia al impacto
Fáciles de conformar y obtener formas complejas
Aplicaciones estructurales
Numerosas aplicaciones: juguetes, artículos domésticos,
artículos estructurales y decorativos, recubrimientos,
pinturas, adhesivos, neumáticos...

CERÁMICOS
Elevada dureza y resistencia
Baja ductilidad, conformabilidad y resistencia al impacto
Baja conductividad eléctrica y térmica
Elevado punto de fusión, elevada estabilidad química y
resistencia a la abrasión
Buenas propiedades ópticas, eléctricas y térmicas
Numerosas aplicaciones: alfarería, ladrillos, loza, azulejos,
refractarios, imanes, abrasivos, aislantes eléctricos,
componentes de turbinas de gas...

Tema 2: Estructura de los materiales 11

 2.2. ORDENAMIENTO DE CORTO Y LARGO ALCANCE

Propiedades del sólido  dependen de disposición de átomos y fuerzas enlace entre ellos

El concepto que se utiliza para describir la regularidad en el empaquetamiento atómico es

el orden

Existen 3 niveles de organización de los átomos

1) DESORDEN:
Átomos y moléculas carecen de estado ordenado.
Gases y líquidos.
Ej: Ar (átomos distribuidos aleatoriamente en el espacio
que ocupa el gas)

2) ORDENAMIENTO DE CORTO ALCANCE:

Distribución regular de los átomos restringida a los
circunvecinos.
Ej: molécula de H2O (ordenamiento limitado
por enlaces covalentes entre átomos de H y O
con ángulos de enlace de 104°). En estado vapor
distribución aleatoria.

Tema 2: Estructura de los materiales 12

 2.2. ORDENAMIENTO DE CORTO Y LARGO ALCANCE

Ej. Sílice (SiO2):

Orden de corto alcance. Estructura tetraédrica, unión covalente de cuatro átomos de O
con uno de Si (con ángulos de enlace de 109°).
Unidades tetraédricas se unen de forma aleatoria  vidrios amorfos

Ej. Polietileno:
Ordenamiento de corto alcance: enlace
covalente átomos C-H monómero
Distribución de cadenas al azar en el espacio.

Tema 2: Estructura de los materiales 13

 2.2. ORDENAMIENTO DE CORTO Y LARGO ALCANCE

3) ORDENAMIENTO DE LARGO ALCANCE:

Átomos muestran ordenamiento general o de largo alcance que se distribuye por todo
el material  metales, muchos cerámicos y algunos polímeros.

Red o Retícula
Conjunto de puntos (puntos reticulares) que siguen
patrón regular.
Cada átomo tiene
ordenamiento de corto alcance  inmediaciones de
cada punto idénticas
ordenamiento de largo alcance  la red se distribuye
regular y uniformemente en todo el material

Diferente configuración reticular del material en forma y

dimensiones  según tamaño de átomos y tipo de enlace

La estructura cristalina se refiere al tamaño, forma y

ordenamiento atómico dentro de la red

Tema 2: Estructura de los materiales 14

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

Atendiendo al diferente grado de ordenación que puede existir en un material existen

4 tipos sólidos:

Monocristalinos  ordenación de largo alcance, único cristal sin cambios de

orientación
Policristalinos  ordenación de largo alcance, asociación de cristales con
diferente orientación
Vítreo  ordenamiento de corto alcance
Amorfo  desorden

Celdilla unidad

Menor subdivisión de la red que tiene las

características generales de toda la retícula.

Apilando celdas siguiendo la misma

orientación en las tres direcciones del
espacio  colocación de átomos en sus
posiciones correctas en el cristal.

Tema 2: Estructura de los materiales 15

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

Existen:
 14 tipos de celdillas
unitarias  Redes de Bravais
 7 sistemas cristalinas

Tema 2: Estructura de los materiales 16

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

CARACTERÍSTICAS DE LA REDES CRISTALINAS

1) Parámetros de red: parámetros reticulares que describen el sistema cristalino,

el tamaño y la forma de la celdilla unidad  Lados de las celdas unidad (a, b, c) y
ángulos que forman sus ejes (, , )

Tema 2: Estructura de los materiales 17

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

2) Número de átomos por celdilla unidad

Modelo de esferas rígidas

Cada celdilla tiene un número específico de puntos

reticulares. Éstos pueden estar compartidos por
más de una celdilla.
 Producto de átomos por punto reticular
multiplicado por el número de puntos de red por
celda unidad. Modelo de esferas reducidas

Sistema cúbico:
Número de puntos reticulares por celda unidad:
vértices 1/8, caras 1/2, posición centrada 1
Número de átomos en la celda unitaria FCC.

CS=1

BCC=2

FCC=4

Tema 2: Estructura de los materiales 18

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

3) Radio atómico en función del parámetro de red

Considerar átomos como si fueran esferas, buscar dirección compacta en la celda,

determinar geométricamente la longitud relativa en función de parámetros de red y dividir
por el nº de radios atómicos presentes en esa dirección

Radio atómico en FCC Radio atómico en BCC Radio atómico en HCP

Tema 2: Estructura de los materiales 19

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

4) Número de coordinación  Número de átomos en contacto con un átomo en

particular

BCC= 8 FCC= 12 CPH= 12

5) Factor de empaquetamiento  Fracción del espacio ocupada por átomos

[(nº de átomos/celda) (volumen de cada átomo)]

FEA =
(volumen de celda)

FEABCC = 0,68; FEAFCC = 0,74; FEACS = 0,52; FEAHCP = 0,74

Tema 2: Estructura de los materiales 20

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

6) Densidad de un sólido considerando el modelo de esferas rígidas

donde,
 = densidad
nA n = número de átomos equivalentes en la celda unidad
 A = masa atómica (g/mol)
Vc N A Vc = volumen de la celda unidad
NA = número de Avogadro (6.022 x 1023 átomos/mol)

Densidad planar  nº de átomos

que existen en un plano por unidad
de superficie

Densidad lineal  nº de diámetros

de átomo localizados en una dirección
para una determinada longitud

Tema 2: Estructura de los materiales 21

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales
Ej: Fe-α (estable baja Tª), Cr, Mo, K, V, W, aleaciones
• Materiales metálicos
– Cúbica centrada en el cuerpo (BCC)
– Cúbica centrada en las caras (FCC)
– Hexagonal compacta (HCP) BCC

Ej: Fe-γ, Al, Cu, Ni, Pt, Ag, Pt y Au

FCC

Ej: Be, Cd, Mg, Co, Ti-α, Zn

HCP

Tema 2: Estructura de los materiales 22

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

BCC (cúbica centrada FCC (cúbica centrada

en el cuerpo) en las caras) HCP (hexagonal
compacta)
esquinas esquinas
esquinas
centro del cubo centro de las caras centro de cara superior
e inferior
9 átomos 14 átomos
centro del plano

17 átomos

Tema 2: Estructura de los materiales 23

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales
 Número de átomos equivalente en celda unidad

Nueve átomos BCC

Número de átomos equivalentes

Centro 1
Esquinas 8x(1/8) 1
Total átomos eq. 2

Cada átomo de las

esquinas compartido
Nº de átomos equivalentes
con otras siete celdas
BCC 2
FCC 4
Cada átomo de la HCP 6
esquina contribuye 1/8

Tema 2: Estructura de los materiales 24

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

 Índice de coordinación  Nº de vecinos más próximos

BCC 8

HCP 12
FCC 12

Tema 2: Estructura de los materiales 25

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

 Cálculo del FEA

Vol átomos celda unidad

FEA 
Vol celda unidad

FCC
radio del átomo: r Volumen de átomos en celda unidad, Va
4 4
Va  n Vesfera Vesfera   r 3 Va  n   r 3
3 3
4r Volumen de celda unidad, Vc

a  2 2 r 
Vc  2 2  r 
3

Longitud de la cara: a n  4  r3
FEA  3  0.74
Nº atom. eq. FCC: n = 4 
2 2 r
3

Tema 2: Estructura de los materiales 26
 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

Estructura cristalina cubica centrada en el cuerpo (BBC)

Número de coordinación = 8 (Átomo central rodeado por 8 vecinos)

Nº átomos por celdilla: 1 (centro) + 8 * 1/8 (vértices) = 2 átomos

Factor de empaquetamiento (FEA) = 0,68

Tema 2: Estructura de los materiales 27

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

Radio atómico en función del parámetro de red (R)

Calculamos la arista del cubo en función del radio del átomo

Tema 2: Estructura de los materiales 28

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

Estructura cristalina cubica centrada en las caras (FCC)

Número de coordinación: 12

Nº átomos por celdilla: 6 * 1/2 (centro caras) + 8 * 1/8 (vértices) = 4 átomos

A-B-C-A-B-C

Factor de empaquetamiento:

[(nº de átomos/celda) (volumen de cada átomo)]

FEA = = 0,74 máximo compacto
(volumen de celda) Átomos esféricos

Tema 2: Estructura de los materiales 29

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

Radio atómico en función del parámetro de red (R)

máximo empaquetamiento, átomos en contacto en la diagonal de la cara del cubo

Relación entre la arista del cubo (a) y el radio atómico (R)

R = (√2/4) * a

Tema 2: Estructura de los materiales 30

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales
Estructura cristalina Hexagonal Compacta (HCP)
Numero de coordinación: 12

Nº átomos por celdilla: = 12* 1/6 + 2* 1/2 (vértices) + 3 centro = 6 átomos

A-B-A-B

Factor de empaquetamiento: fracción del espacio ocupada por átomos

[(nº de átomos/celda) (volumen de cada átomo)]

FEA = = 0,74 máximo compacto
(volumen de celda) Átomos esféricos

Tema 2: Estructura de los materiales 31

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

ESTRUCTURA n
IC Relación a-R FEA
CRISTALINA (at/celda)

a  4R
BCC 8 2 3 0,68

FCC 12 4 a  2R 2 0,74

HCP 12 6 a  2R 0,74

c  1,633
a

Tema 2: Estructura de los materiales 32

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales

REDES METÁLICAS. ESTRUCTURAS COMPACTAS

• Apilamientos compactos de esferas EMPAQUETAMIENTO

– Esferas apiladas que representan átomos o iones

– Apilar en capas esferas de igual tamaño de la
forma más compacta posible
– En una capa, cada esfera queda rodeada de
otras seis esferas HEXAGONAL CÚBICO

A-B-A-B (HCP)

A-B-C-A-B-C (FCC)

Tema 2: Estructura de los materiales 33

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA. Metales
REDES METÁLICAS. ESTRUCTURAS COMPACTAS

Apilamientos compactos, empaquetamiento cerrado:

A-B-A-B (HCP) A-B-C-A-B-C (FCC)

No forman empaquetamiento cerrado:

Sólidos iónicos  átomos de diferente tamaño
Sólidos covalentes  enlaces demasiado rígidos

CPH FCC

Tema 2: Estructura de los materiales 34

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA

TRANSFORMACIONES ALOTRÓPICAS

Materiales que poseen más de una estructura cristalina

912 ºC
Fe: Fe BCC ( Tª) Fe FCC ( Tª)
885 ºC
Ti: Ti CPH( Tª) Ti BCC ( Tª)
13,2 ºC
Sn: Sn Cdiamante ( Tª) Snβ BCT ( Tª)  PESTE DEL ESTAÑO
http://www.youtube.com/watch?v=FUoVEmHuykM

Las transformaciones alotrópicas normalmente implican un cambio volumétrico

ISOTROPÍA Y ANISOTROPÍA
Isotropía: material aproximadamente iguales propiedades en todas la direcciones
Anisotropía: diferentes propiedades según la dirección

Tema 2: Estructura de los materiales 35

 2.3. LA ESTRUCTURA CRISTALINA
EJEMPLOS:
Expedición de Scott al Polo Sur
Para evitar pérdidas entre las juntas de piel de sus
bombonas de queroseno, Scott había usado soldaduras
enriquecidas con estaño o de estaño puro  al regreso
las bombonas estaban vacías.
Todos murieron en marzo de 1912, entre otras causas,
porque fueron incapaces de cocinar o de fundir hielo
para beber.

Campaña de Napoleón a Rusia

Las tropas de napoleón, cuando éste las mandó a
invadir rusia durante el invierno de 1812: los broches
de estaño de las chaquetas de sus soldados, según
algunos historiadores, se partían cada vez que se
levantaba un viento helado, dejando expuestas las
ropas interiores de los franceses.
Napoleón perdió más de 400.000 soldados, toda su
artillería (unas 580 piezas) y 175.000 caballos
Adolph Northen (1828-1876)

Tema 2: Estructura del estado sólido 36

 2.4. IMPERFECCIONES EN SÓLIDOS

Irregularidad en la red en la cual una o más de sus dimensiones son del orden de un
diámetro atómico.
De punto: vacantes.
Según la geometría o dimensiones del defecto: De línea: dislocaciones.
De superficie: límites de grano y macla.

2.4.1. DEFECTOS DE PUNTO

 Dimensiones atómicas en las 3 direcciones del

espacio

Se originan por el movimiento de átomos durante el

calentamiento o procesado del material,
introducción de impurezas o por aleación.

Se subdividen en:
 Vacantes
 Sustitucionales
 Intersticiales

Tema 2: Estructura de los materiales 37

 2.4. IMPERFECCIONES EN SÓLIDOS. Defectos puntuales

Vacantes

 Posición reticular de un cristal no ocupada por un átomo.

 Existencia de vacantes  explicar fenómeno de difusión en estado sólido
 Se producen durante la solidificación y como consecuencia de vibraciones
térmicas que desplazan a los átomos de sus posiciones reticulares
 En los sólidos a T  0 K  átomos con vibraciones térmicas
 Según T   la amplitud media de la vibración
 Para que un átomo abandone una posición reticular dejando un lugar
vacante  su E vibracional debe ser mayor que Ev

La probabilidad de que esto ocurra:

P = A exp (-Ev/kT)

P  nº de átomos que por segundo abandonan la

posición reticular
A  Cte
Ev  E de activación por átomo
k  Cte de Boltzman (1,38x10-23 J/átomoK)
T  Temperatura en grados Kelvin Barrera de energía Ev que debe superar el
átomo para abandonar la posición de equilibrio

Tema 2: Estructura de los materiales 38

 2.4. IMPERFECCIONES EN SÓLIDOS. Defectos puntuales

Dos posibilidades:
 Átomo desplazado pase a ocupar una posición intersticial  átomo auto-intersticial
 Átomo se mueve hacia una posición superficial en la red

Defecto Frenkel: átomo pasa a ocupar posición intersticial dejando una vacante
(autointersticial).

Defecto Schottky: átomo se mueve a posición superficial de la red dejando una vacante
simple.

Schottky Frenkel
Schottky

Frenkel

Tema 2: Estructura de los materiales 39

 2.4. IMPERFECCIONES EN SÓLIDOS. Defectos puntuales

Experimentalmente → para una T existe una concentración de equilibrio de defectos

Frenkel y Schottky.

Cristal imperfecto debe tener energía libre menor que un cristal perfecto

G= H-TS

 H se identifica con Ev (energía para desplazar

un átomo desde su posición reticular hasta un
intersticio (d. Frenkel) o hasta su posición
reticular (d. Schottky) )  aumento de energía
libre
 Presencia de defectos aumenta el grado de
desorden (aumenta S)  favorece descenso de
energía libre
 ΔG disminuye hasta un mínimo y luego a vuelve
a aumentar  el mínimo marca el número de
defectos de equilibrio
Contribución de H y S

Tema 2: Estructura de los materiales 40

 2.4. IMPERFECCIONES EN SÓLIDOS. Defectos puntuales

Número de vacantes en equilibrio Nv para una cantidad determinada de material se

incrementa con la temperatura según la ecuación:

Nv = N exp (-Q/kT)  Nv/N = Ce = Aexp(-Ev/kT)

Nv = nº de defectos en equilibrio
N = nº de átomos del cristal
Ce = concentración de defectos en equilibrio
Ev = energía de formación de defectos

Concentración de defectos en equilibrio en función de la temperatura

(A = 1, ED = 1 eV/atom)

Temperatura (K) Ce

0 10-∞
200 6,5 x 10-26
400 2,5 x 10-13
600 4,2 x 10-9
800 5,2 x 10-7
1000 9,2 x 10-6
1200 6,1 x 10-5

Tema 2: Estructura de los materiales 41

 2.4. IMPERFECCIONES EN SÓLIDOS. Defectos puntuales

• Ev a una temperatura dada depende del tipo de material

• En metales la proporción de defectos de estos dos tipos es muy pequeña
• Defectos Frenkel  importantes en cristales que poseen redes abiertas, pueden
acomodar átomos intersticiales sin mucha distorsión. Estructuras con bajos índices de
coordinación  ZnS
• Defectos Schottky → mayor proporción en cristales con alto índice de coordinación 
NaCl
• Procesos importantes en materiales sólidos (recristalización, precipitación,…) tienen
lugar por movimiento de átomos en el cristal
• Conocimiento de vacantes en equilibrio es importante  la difusión de átomos
sustitucionales se produce por mecanismo de vacantes

Tema 2: Estructura de los materiales 42

 2.4. IMPERFECCIONES EN SÓLIDOS. Defectos puntuales

Impurezas en sólidos
• Aleaciones  se añaden átomos extraños para conseguir unas determinadas propiedades

• Añadiendo átomos de impurezas a un metal se forma una solución sólida y/o una nueva fase
dependiendo del tipo de impureza, concentración y temperatura de la aleación.

• Pueden aparecer defectos puntuales debido a impurezas de dos tipos:

 Intersticiales  átomos de impurezas llenan los intersticios atómicos del disolvente

 Sustitucionales  átomos de soluto sustituyen a los átomos de disolvente. Existen leyes

que determinan el grado de solubilidad  Soluciones Sólidas

Intersticial Sustitucionales

Tema 2: Estructura de los materiales 43

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos puntuales
 Posiciones intersticiales  huecos entre átomos de la red donde se pueden colocar
átomos de menor tamaño

• Átomo intersticial con radio ligeramente mayor al radio de la posición intersticial se introduce
desplazando átomos
• Átomos con radio inferior al radio del hueco no se acomodan  situación no estable
• Si el átomo intersticial es demasiado grande se introduce en un sitio con un nº de coordinación
mayor
– Huecos octaédricos (n)
- BCC  h.o.= 3; h.t = 6
BCC: caras del cubo
FCC: centro del cubo y centro de aristas - FCC  h.o.= 4; h.t = 8
– Huecos tetraédricos (2n) - HCP  h.o.= 6; h.t = 12

Red BCC

Red FCC

Tema 2: Estructura de los materiales 44

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos puntuales

Mecanismos de difusión

 Por vacantes
 Intercambio de un átomo de una
posición reticular normal a una
vacante
 Depende del nº de vacantes y de
la energía de activación para el
intercambio
Posición del átomo intersticial Posición del átomo intersticial
 Intersticial antes de la difusión después de la difusión

• Los átomos de mueven de una

posición intersticial a otra vecina
desocupada
• Tiene lugar por interdifusión de
átomos pequeños: H, C, N.

https://www.youtube.com/watch?v=nvyOTTapLeI

Tema 2: Estructura de los materiales 45

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos de línea

2.4.2. DEFECTOS DE LÍNEA. DISLOCACIONES

- Ausencia o presencia extra de un semiplano átomos en una zona determinada de un

cristal
- Aparecen durante la solidificación de materiales cristalinos y como consecuencia de la
aplicación de tensiones  Todos los cristales tienen dislocaciones
- Tienen la capacidad de desplazarse en el seno del cristal por la aplicación de una carga,
siendo así las responsables de los procesos de deformación plástica
- Permiten explicar discrepancias entre tensión teórica y experimental para deformar
plásticamente un cristal perfecto

Dislocación de vértice o borde:

En un cristal se introduce medio plano de átomos 
se genera defecto de línea (distorsión en el borde del
plano extra)
http://www.youtube.com/watch?v=MOemxfudDuo

Tema 2: Estructura de los materiales 46

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Dislocaciones

Movimiento de mayor nº de dislocaciones a lo largo de un mismo plano  aumenta la

anchura del escalón
Magnitud y dirección del deslizamiento originado por el movimiento de una única
dislocación  b  vector de Burgers
Dislocación helicoidal  planos reticulares forman una espiral alrededor de la línea de
dislocación. Es paralela a su vector de Burgers. Se mueve en dirección perpendicular al
vector de Burgers

Tema 2: Estructura de los materiales 47

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos de superficie

2.4.3. DEFECTOS DE SUPERFICIE. Límites de Grano

 Interfase entre cristales que poseen diferente orientación cristalográfica, composición o
dimensiones de la celdilla unidad
 La superficie que separa los granos  zona estrecha donde los átomos no se
encuentran espaciados de forma apropiada

 Los límites de grano son áreas de alta energía  esta región es más favorable para la
nucleación y el crecimiento de precipitados

Tema 2: Estructura de los materiales 48

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos de superficie

Límite de grano posee elevada energía  defecto de no equilibrio

Cristal rebaja su energía libre  reduciendo el área total ocupada por los límites de
grano  crecimiento de grano, esferoidización o engrosamiento de partículas

Control de las propiedades del metal  Ecuación de Hall-Petch

Con la temperatura
Reducción del tamaño de grano   nº de granos   límites
de grano  obstaculiza el movimiento de las dislocaciones
a) crecimiento de grano

b) esferoidización

c) engrosamiento σy = σo + Kd-½

Importante conocer el tamaño de grano de mi material

Tema 2: Estructura de los materiales 49

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos de superficie
CÁLCULO DEL TAMAÑO DE GRANO

Importante conocer el tamaño de grano del material

Método ASTM
N´ = nº granos por pulgada2 a 100 aumentos
N´ = 2 G-1
G = tamaño de grano

Sistema Internacional
N = nº granos por mm2
N = 2 G+3
G = tamaño de grano

Diámetro medio de grano (d)

C nL = nº de granos/Longitud línea
d  C = cte (1,5 para granos equiaxiales)
n LM M = aumentos

Tema 2: Estructura de los materiales 50

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos de superficie
CÁLCULO DEL TAMAÑO DE GRANO
Cálculo de G

1 1º) N (nº de granos/mm2)

13
12 14 Nº de granos = 8 + 14/2 = 15 granos
2
11 Área = π. r2 = π. (36,5/500)2 = 0,016 mm2

4 1
3 N = nº de granos/mm2 = 15/0,016 = 895,97
10

6 3 2 4 2º) G
9
5 5 N = 2 G+3  Log N = (G+3) log2
7 1 G = (log N/ log2)-3 = 6,8
8 6
8
7 500X
Cálculo de d (diámetro medio de grano)

D= 7,3 cm d = C/( nL*M) = 1,5/[(6/73)*500]= 0,0365 mm = 36,5 μm

Tema 2: Estructura de los materiales 51

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos de superficie
Faltas de apilamiento
Error en secuencia de apilamiento de planos compactos. Se produce en metales FCC y HC
Ej: ABCABCABC Red FCC perfecta
ABCABABCABC Existe plano A en vez de C
Falta de apilamiento interfiere en el proceso de deslizamiento

Límite de macla
Defecto que separa dos partes de un grano que tienen una diferencia en la orientación
cristalográfica → una parte de la red es una imagen especular de la porción vecina →
plano que actúa como espejo es el límite de macla

Maclas de recocido → durante la recristalización

Maclas de deformación → durante el movimiento de

las dislocaciones

Importancia → se pone en juego nuevos sistemas de

deslizamiento por el cambio de orientación producido

Tema 2: Estructura de los materiales 52

 2.4. DEFECTOS CRISTALINOS. Defectos de superficie

 Maclas de deformación: son bandas estrechas de aspecto lenticular

Se forman durante el movimiento de las dislocaciones

 Maclas de recocido: se forman cuando ciertos cristales son tratados térmicamente

después de trabajados en frío y son consecuencia de la regeneración estructural
(recristalización)
Son rectas y muy anchas

Macla de deformación Macla de recocido

Tema 2: Estructura de los materiales 53

 2.5. OBSERVACIÓN DE LA MICROESTRUCTURA

Metalografía: técnica que revela la organización espacial de fases y compuestos que

conforman un material metálico

Se obtienen:
a) Los diversos compuestos y fases
b) Las diferentes formas y tamaños que adoptan en la estructura
c) Las diversas configuraciones entre las fases y compuestos

Etapas:

a) Selección de la muestra: corte de la zona que se quiere observar

b) Preparación metalografía de las probetas: desbaste y pulido para obtener una
superficie pulida para su observación por el microscopio
c) Observación de las probetas por microscopía: Óptica y electrónica
d) Tratamiento de la información

Tema 2: Estructura del estado sólido 54

 2.5. OBSERVACIÓN DE LA MICROESTRUCTURA
PREPARACIÓN METALOGRÁFICA

1. CORTE 3. DESBASTE Y PULIDO

2. EMBUTICIÓN

4. ATAQUE QUÍMICO

Tema 2: Estructura del estado sólido 55

 2.5. OBSERVACIÓN DE LA MICROESTRUCTURA

MICROSCOPÍA ÓPTICA
- Microscopio metalúrgico: Comparado con tipo biológico, difiere en
la manera en que la muestra es iluminada
- Muestra metalográfica es opaca, debe ser iluminada con luz
reflejada

Tema 2: Estructura del estado sólido 56

 2.5. OBSERVACIÓN DE LA MICROESTRUCTURA
MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA

SEM TEM

Tema 2: Estructura del estado sólido 57

 RESUMEN. Influencia de los defectos en las propiedades mecánicas

Dislocación:
El encuentro entre varias dislocaciones produce interacciones  se requiere mayor
esfuerzo  metal más resistente
Al aumentar el nº de dislocaciones  aumenta la resistencia del metal 
endurecimiento por deformación

Límite de grano:
 límites de grano  Reducción del tamaño de grano  + granos  > obstáculo al
movimiento de las dislocaciones  aumenta la resistencia del metal

Límite de macla:
Obstaculiza el movimiento de las dislocaciones  aumenta la resistencia del metal

Tema 2: Estructura de los materiales 58

 Anexo: Notaciones cristalográficas

INDICES DE MILLER PARA DIRECCIONES

Procedimiento

- Para definir la dirección cristalográfica se

traza una línea en dicha dirección
que pase por el origen.Utilizando un sistema de
coordenadas adecuado se determinan las
coordenadas de dos puntos que están en esa
dirección
- Se restan las coordenadas (segundo punto –
primer punto) para obtener el nº de parámetros
de red medidos en la dirección de cada eje del
sistema de coordenadas
- Se eliminan las fracciones y/o se reducen los
resultados a los enteros mínimos
- Se representan los números entre corchetes
[uvw] sin comas entre ellos. Si se obtiene un nº
negativo se representa una barra sobre el nº

Tema 2: Estructura de los materiales 59

 Anexo: Notaciones cristalográficas

Hay que tener en cuenta que:

- Una dirección y sus negativos no son idénticos.
Representa misma línea pero direcciones opuestas.
- Los vectores de dirección paralelos poseen los
mismos índices.
-Una dirección y sus múltiplos son idénticos. Ej:
[100] y [200]
-Direcciones equivalentes  índices dependen de
la forma de establecer ejes de coordenadas. Se
denominan familias de direcciones y se indican
entre paréntesis angulares  . Ej: Diagonales del
cubo 111, diagonales de las caras cúbicas
110, lados del cubo 100

Ej. Direcciones de la familia 110:

[110] [101] [011]

[101] [011] [110]
[011] [110] [101]
[110] [101] [011]

Tema 2: Estructura de los materiales 60

 Anexo: Notaciones cristalográficas
ÍNDICES DE MILLER PARA PLANOS CRISTALOGRÁFICOS

Procedimiento:
• Se identifican los puntos en los cuales el plano intercepta a los ejes de coordenadas
x, y, z en función del parámetro de red. Las intersecciones pueden ser fracciones. Si
el plano pasa por el origen del sistema de coordenadas este debe ser desplazado.
• Se obtienen los recíprocos de estas intersecciones.
• Se despejan las fracciones y se determina el conjunto más pequeño de números
enteros que estén en la misma razón que las intersecciones, pero no se reducen a
mínimos enteros.
Ej: I 1/3 2/3 1 R 3 3/2 1 enteros 6 3 2
• Se encierran cifras resultantes entre paréntesis sin comas (hkl). Los nº negativos se
representan con una raya sobre la cifra.

Tema 2: Estructura de los materiales 61

 Anexo: Notaciones cristalográficas

Tener en cuenta que:

•Los planos y sus negativos son idénticos (no es el caso de las direcciones)

• Los índices de Miller de un plano y sus múltiplos no representan planos idénticos (hkl  ah
ak al)

• En la celda unitaria, los planos de una familia representan grupos de planos equivalentes
que tienen sus índices de Miller cambiados debido a la orientación de las coordenadas. Se
representan mediante llaves hkl

Tema 2: Estructura de los materiales 62

 Anexo: Notaciones cristalográficas

Indices de Miller-Bravais en celdas unitarias hexagonales

Plano (h k i l) donde h + k = -i Direcciones [h’ k’ l’]  [h k i l]

h = (2h’ – k’)/3
k = (2k’ – h’)/3
i = - (h’ + k’)/3
l = l’

Tema 2: Estructura de los materiales 63