IGFET o MOSFET
Los transistores IGFET (Insolated Gate FET o FET de puerta aislada) también conocidos como
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET o FET de Metal Óxido Semiconductor) son una
variedad de transistores de efecto de campo que tienen el terminal de puerta (Gate) aislado del
canal por una fina capa de óxido de silicio. Eso le otorga una resistencia de entrada del orden de
los Mega ohm, mas alta aún que en el caso de los JFET. Esta resistencia tan elevada implica que
prácticamente no circula corriente por la puerta, haciendo que el MOSFET se comporte como
una resistencia variable donde la corriente entre Drenador y Surtidor es controlada por la tensión
de puerta. Sin embargo, esta resistencia tan elevada tiene el inconveniente de permitir la
acumulación de mucha carga electroestática que puede dañar al MOSFET si no es manipulado
con cuidado.
Regiones de operacion:
Region de corte: El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas condiciones el
transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto, entre los terminales del
Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región, el dispositivo
se encuentra apagado.
Region óhmica: Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de
RDS(on) viene dado por la expresión:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de RDS(on) a una corriente de Drenaje (ID)
específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < (VGS – Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y Surtidor. El valor
de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión entre la Puerta y el Surtidor
(VGS).
Region de saturacion: El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la
tensión entre el Drenador y el Surtidor (VDS) supera un valor fijo denominado tensión de saturación
(Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas características
proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de
Drenador (ID), independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor
(VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
Region de ruptura: Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde sus
propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico. La palabra ruptura
hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la parte del terminal del drenador.
Tipos de MOSFET
MOSFET de enriquecimiento: Equivale a un interruptor “Normal Cerrado”, siendo necesaria
una tensión entre Puerta y Surtidor (Vgs) para que deje de conducir. El MOSFET en modo de
enriquecimiento se usa tanto en circuitos discretos como en circuitos integrados. En circuitos
discretos, se aplica principalmente a circuitos de conmutación de potencia, lo que significa
suministrar y bloquear corrientes grandes. En circuitos integrados, se aplica fundamentalmente
en circuitos de conmutación digitales, el proceso básico que hay detrás de las computadoras
modernas.
MOSFET de empobrecimiento: Equivale a un interruptor “Normal Abierto”, siendo necesaria
una tensión entre Puerta y Surtidor (Vgs) para llevarlo al estado de conducción.
MOSFET en modo de vaciamiento
(D-MOSFET, depletion-mode MOSFET) un fragmento de material n con una puerta aislada a la
izquierda y una región p a la derecha. La región p se denomina sustrato. Los electrones que
fluyen desde la fuente hacia el drenador deben atravesar el estrecho canal existente entre la
puerta y el sustrato p. En la parte izquierda del canal hay depositada una delgada capa de dióxido
de silicio (SiO2). El dióxido de silicio es lo mismo que el vidrio, es un aislante. En un MOSFET,
la puerta es de metal. Puesto que la puerta metálica
está aislada del canal, la corriente de puerta despreciable fluye incluso cuando la tensión de
puerta es positiva.
Aunque su utilización ha disminuido notablemente, el MOSFET en modo de vaciamiento
todavía tiene aplicación en las primeras etapas de los circuitos de comunicaciones de alta
frecuencia, como por ejemplo, los amplificadores de RF. A diferencia del JFET de canal n, el D-
MOSFET de canal n puede tener una VGS positiva y continuará funcionando correctamente. Esto
se debe a que no existe ninguna union pn para poder polarizar en directa. Cuando VGS se hace
positiva, ID aumentará siguiendo la siguiente ecuación cuadrática:
Cuando la tensión VGS es negativa, el D-MOSFET opera en modo de vaciamiento. Cuando VGS
es positiva, el D-MOSFET opera en modo de enriquecimiento. Al igual que el JFET, las curvas
del D-MOSFET tienen una region óhmica, una región de fuente de corriente y una región de
corte.
Polarización de MOSFET: Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido,
son similares al circuito de polarización utilizados para JFET. La principal diferencia entre
ambos es el hecho de que el MOSFET de enriquecimiento típico sólo permite puntos de
funcionamiento con valor positivo de VGS para canal n y valor negativo de VGS para el canal p.
Para tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de canal p, es adecuado
un circuito de auto polarización. Por lo tanto se habla de recorte de realimentación y circuito
divisor de tensión para mejorar el tipo MOSFET.
Realimentación, circuito de polarización.
La siguiente figura, muestra el circuito de polarización con realimentación típico para MOSFET
canal n de enriquecimiento.
,
para el análisis en corriente continua se reemplazan los condensadores de acoplamiento por
circuitos abiertos y también se reemplaza el resistor RG por su equivalente en corto circuito, ya
que IG = 0.
Amplificadores MOSFET en modo de vaciamiento: Un MOSFET en modo de vaciamiento es
único porque puede funcionar con tensión de puerta positiva o negativa. En consecuencia,
podemos fijar su punto Q en VGS = 0 V. Cuando la señal de entrada es positiva, ID aumenta por
encima de IDSS. Cuando la señal de entrada es negativa, ID decrece por debajo
de IDSS. Puesto que no existe ninguna unión pn para polarizar en directa, la resistencia de
entrada del MOSFET se mantiene muy alta.
Puesto que IG es cero, VGS =0 V e ID = IDSS. La tensión de drenador es: VDS=VDD-IDSSRD
Analisis en alterna
Puesto que VGS = 0 V, gm = gmo
Av= gmrd
rd=RD//RL
Bibliografía
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