Republica Bolivarina de Venezuela
Universidad Nacional Experimental Politécnica “Antonio José de Súcre”
Vice-Rectordo Puerto Ordaz
Departamento de Ing.Eléctrica
Laboratorio de eléctronica básica
Práctica #2:
Transistores
Integrantes:
Ciudad Guayana 15 de febrero del 2019
Introducción
Un transistor BJT en un dispositivo electrónico capas de entregar una señal eléctrica
de salida proporcional a una señal de entrada. Un transistor es un dispositivo
semiconductor que consta de tres capas de semiconductor. Las capas de
semiconductor se dopan de acuerdo a la estructura del mismo. El transistor de unión
bipolar o transistor BJT, puede configurarse como NPN o PNP de acuerdo al orden
de sus capas.
Las terminales de un transistor BJT son E de emisor, B de base y C de colector. El
término bipolar hace referencia a que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado. Se puede modelar
como la unión de 2 diodos.
La configuración que veremos en esta simulación para el transistor BJT nos servirá
para determinar su comportamiento de zona activa, saturación y corte. Se pretende
evaluar el comportamiento de su frecuencia.
Marco teórico
-Construcción de Transistores:El transistor es un dispositivo de tres capas que
consta ya sea de dos capas de material tipo n y una capa de tipo p, o dos de tipo p
y una de tipo n. Al primero se le denomina transistor tipo npn y al segundo pnp. Las
tres regiones se denominan emisor, base y colector.
-Operación básica de los BTJ’s: A fin de que el transistor opere correctamente
como amplificador, las dos uniones pn deben estar correctamente polarizadas
mediante voltajes externos.
Transistor NPN. La polarización en directa de la base al emisor estrecha la capa de
empobrecimiento BE y la polarización en inversa de la base al colector ensancha la
capa de empobrecimiento BC. La región N del emisor genera electrones, que se
difunden fácilmente a través de la unión BE hacia la región P de la base. Solo un
pequeño porcentaje de electrones puede recombinarse, formando una pequeña
corriente en la base IB.
-Corrientes en el transistor: Las corrientes en un transistor son como se observa en
la figura. La flecha en el emisor de los símbolos del transistor apunta en la dirección
de la corriente convencional (Ver Figura).
La corriente del emisor es la suma de las corrientes del colector y de la base,
expresada como:
IE = IC + IB
Como se indicó anteriormente IB es muy pequeña en comparación con IE o con IC.
-Parámetros y rangos de operación de los transistores Beta de cd (βcd) y alfa de cd
(αcd): La razón entre la corriente del colector IC y la corriente de la base IB es la beta o la
ganancia de corriente de CD (βcd) del transistor:
βcd = IC/ IB
Los valores típicos de βcd varían de 20 a 200. A βcd suele designársele como hFE.
La razón entre la corriente del colector IC y la corriente del emisor IE, es la alfa de
cd (αcd):
αcd = IC/ IE
Los valores típicos de αcd varían de 0,95 a 0,99 o más.
-Relación entre alfa cd y beta cd:
IE/IC = IC/IC + IB/IC
1/αcd = 1 + 1/ βcd
1/αcd = (βcd+1)/ βcd
Entonces:
𝛼𝑐𝑑 = 𝛽𝑐𝑑 / (𝛽𝑐𝑑 + 1)
Fórmula para calcular βcd en términos de αcd:
Αcd.(βcd+1) = βcd
αcd.βcd + αcd = βcd
αcd = βcd - αcdβcd
αcd = βcd (1 - αcd)
βcd = αcd / (1 - αcd) .
-Parámetros y rangos de operación de los transistores-Corte y saturación: Cuando
IB = 0 el transistor esta en corte, conexión de la base abierta, para producir una
corriente de la base igual a cero. En corte ambas uniones, base-emisor y base-
colector, están polarizadas en inversa.
Cuando la corriente de la base se incrementa, también crece la corriente del colector
y se reduce VCE como resultado de una mayor caída de tensión a través de la R C.
Cuando ya VCE no puede crecer, aun con un aumento sostenido en IB. En este punto
de saturación no es válida la relación IC = βcd*IB. El VCE (sat) para un transistor ocurre
un poco debajo de la rodilla de las curvas del colector, inicialmente es de unos
cuantas décimas del voltios para los transistores de silicio.
-El transistor como amplificador de voltaje: Debido a que IB es extremadamente
pequeña, entonces IC es aproximadamente igual a IE, IC ≈ IE
La unión base-emisor polarizada en directa aparece como una baja resistencia con
respecto a la señal de ca.
Esta resistencia interna de ca del emisor del transistor se denominara re. La
corriente de ca del emisor es
Ie = Vent/re.
El voltaje de salida desarrollado a través de RC es:
Vsal ≈ IeRc
La razón de Vsal a Vent se denomina ganancia de voltaje de ca (Av) y se expresa
como sigue:
Av = Vsal/ Vent
Al sustituir, se obtiene:
Av = Vsal/ Vent ≈ IeRc/ Ie.re
Av ≈ Rc/ re
El transistor proporciona amplificación o ganancia de voltaje, dependiente de los
valores de Rc y re.
-El transistor como interruptor: En (a) el transistor esta en corte porque la región BE
no está polarizada en directa. Un circuito abierto entre colector y emisor, lo cual se
indica por medio de un interruptor equivalente. En la parte (b) el transistor está
saturado porque la unión BE se encuentra polarizada en directa y la corriente de
base es suficientemente grande para hacer que la corriente de colector alcance su
valor de saturación. De esta manera existe idealmente un cortocircuito entre el
colector y el emisor, como se indica con el interruptor equivalente.
VCC VCC
VCC VCC
IC ICsat ICsat
IB
VBB
0V
(a) (b)
Condiciones de corte.
Un transistor se encuentra en corte cuando la unión base-emisor cuando no está
polarizada en directa. Sin tomar en cuenta la corriente de fuga, todas las corriente
son cero y VCE es igual a VCC.
VCE(corte) = VCC
VCC VCC
VCC VCC
IC ICsat ICsat
IB
VBB
0V
(a) (b)
Condiciones de saturación.
La unión base-emisor cuando está polarizada en directa y hay suficiente corriente
en la base para producir una corriente máxima del colector.
IC(sat) = ( VCC -VCE(sat) ) / Rc
Dado de que en saturación VCE es muy pequeño, una aproximación para la
corriente de saturación del colector es:
IC(sat) ≈ VCC / Rc
El valor mínimo de la corriente de la base necesaria para producir saturación es:
IB(mín) = IC(sat) / βcd
IB debe ser significativamente mayor que IB(mín) para mantener saturado el
transistor.
VCC VCC
VCC VCC
IC ICsat ICsat
IB
VBB
0V
(a) (b)
Objetivos
Determinar el Comportamiento de los transistores BJT en corriente alterna.
Explique la respuesta de frecuencia del transistor BJT.
Materiales y equipos utilizados
El software utilizado para realizar las simulaciones es:
CircuitMaker: Student Version 6.2c; Copyright 1999, Protel Technology.
Los equipos y materiales empleados en las simulaciones son:
Fuentes de voltaje DC.
Voltímetro: resistencia interna de 100 MΩ.
Amperímetro: resistencia interna de 1uΩ.
Se utilizaron resistencias con los siguientes valores 100kΩ,1kΩ,500Ω,150Ω
y 100Ω.
Transistores 2N3904, 2N3906.
Diodo zener 1N4731.
Desarrollo
Procedimiento ejecutado:
1. Se realizó el montaje n° 1, indicado en las actividades de laboratorio.
2. Se tomaron los valores de voltaje en el transistor V ce para todos los valores
de las fuentes indicados.
3. Se realizó el montaje n° 2, indicado en las actividades de laboratorio.
4. Se tomaron los valores de voltaje y corriente a través de la resistencia de
150Ω.
5. Se realizó el montaje n° 3, indicado en las actividades de laboratorio.
6. Se determinó la forma de onda a la salida del transistor.
7. Se determinó la forma de onda a la salida variando la frecuencia.
Diagramas de los montajes realizados:
Montaje n° 1:
a)
b)
c)
En el montaje a) se puede observar que el transistor está trabajando de forma
activa ya que hay voltaje y corriente. El montaje b) está en saturación ya que no
hay voltaje o en nuestro caso es muy bajo y hay corriente, para el montaje c) se
tiene que el transistor esta en corte ya que toma el valor de la fuente, por lo cuál
existe un voltaje pero no una corriente.
Montaje n° 2:
En el montaje se puede apreciar un circuito con el transistor en modo de saturación,
ya que en la base hay un voltaje mucho mayor de lo normal, en este caso la corriente
del emisor es prácticamente la misma que la del colector, ya que el transistor al
estar en saturación, actúa como un corto circuito entre colector y emisor. Para el
cálculo del voltaje Vo, hacemos uso de la corriente de saturación dada por el
fabricante, que vienen a ser unos 49mA. Obtenemos el voltaje de Re, luego
restamos Vcc-Vre y a ese resultado le restamos el voltaje emisor-colector. Este
voltaje (emisor-colector) es muy pequeño debido a la configuración del circuito Ve-
c=0.1v. Entonces 10V-4.990V-0.1V=4.91V nos da un aproximado del voltaje Vo
medido en el montaje.
Montaje n° 3:
En el montaje, a simple vista de podría observar un circuito amplificador-inversor de
señales, circuito que en su primera fase amplificaría e invertiría la señal y en su
segunda fase invertiría y amplificaría de nuevo la señal para así dejarla en su
posición original y a su vez permitiría estudiar mejor la señal ahora amplificada.
Dicho esto:
Al observar las señales obtenidas, observamos que no se presenta amplificación
alguna en ninguna estancia, pero si se aprecia la inversión y reversión de la misma
en ambas salidas. Esto se debe a que la formula específica para la salida Vo en
este modelo de “amplificador” es vo=-vi*(rc/re) Y como las 2 rc y re son iguales
entonces vo=-vi Es decir la salida tendrá la misma amplitud pero invertida, para que
se presentase una amplificación rc>re, pero en este caso no lo aumenta, solo le
suma un voltaje dc a la señal.
En un amplificador inversor-normal para que no le sume ese voltaje dc se debe
colocar un capacitor en el emisor a tierra para que consuma ese voltaje.
Ahora, variando la frecuencia:
Cuando lo hacemos, nada más se presentan cambios/variaciones en el periodo de
la onda. Nada más allá de eso. Pero si la frecuencia supera la frecuencia máxima
de trabajo del transistor pues comienza a distorsionar la señal y hasta se podría
dañar el transistor.
Análisis y Conclusiones
Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño
de los circuitos electrónicos. Se puede comentar que con el invento de estos
dispositivos han dado un giro enorme a nuestras vidas, ya que en casi todos los
aparatos electrónicos se encuentran presentes, en la práctica se pudieron
observar distintos usos para un transistor y su funcionamiento en CA como:
amplificador y switch.
