Optativa II
Microondas
Diodo Gunn
Los diodos Gunn son unos dispositivos electrónicos que emiten radiación
electromagnética en el rango de las microondas. Es una clase particular de diodo, que,
junto con el diodo de efecto túnel, permite disponer solamente de una zona N en el
material Es una forma de diodo usado en la electrónica de alta frecuencia. A diferencia
de los diodos ordinarios Los diodos Gunn son usados para construir osciladores en el
rango de frecuencias comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias aún más altas
(hasta Terahertz). Este diodo se usa en combinación con circuitos resonantes
construidos con guías de ondas, cavidades coaxiales y resonadores y la sintonización
es realizada mediante ajustes mecánico, eléctricos. Los diodos Gunn suelen fabricarse
de arseniuro de galio para osciladores de hasta 200 GHz, mientras que los de Nitruro
de Galio pueden alcanzar los 3 Terahertz. Los que están disponibles hoy en día emiten
radiación de una frecuencia de entre 10 y 100 GHz más o menos 1 GHz se lee un
gigahercio y es una unidad que significa que la radiación tiene una frecuencia de
[Link] Hz, que son [Link] de hercios o [Link] de oscilaciones
por segundo.
Los diodos Gunn funcionan haciendo uso del llamado efecto Gunn, una propiedad de
determinados semiconductores J. B. Gunn se dio cuenta de que, al aplicar una
diferencia de potencial constante en otras palabras, una tensión o un voltaje constantes
entre los extremos de un trocito de un semiconductor como el fosfuro de indio (InP) o el
arseniuro de galio (GaAs), dopados tipo n, la corriente que circulaba por el material
dejaba de ser continua y oscilaba a gran velocidad. [1]
Figura 1. Funcionamiento diodo Gunn
(a) Esquema del diodo.
(b) Relación entre la velocidad de los electrones y el campo eléctrico. A un campo
eléctrico aplicado E le corresponde una velocidad de electrones determinada, va. (c)
Dependencia de la densidad de electrones y el campo eléctrico respecto de la
posición dentro de la pieza de Ga As.
Aplicando el diferencial de voltaje en los extremos tenemos
Figura 2. Funcionamiento diodo Gunn
(a) Para unos determinados valores del campo eléctrico dentro y fuera del dominio,
todos los electrones viajan a la misma velocidad.
(b) El dominio de carga espacial de Gunn ya no crece más y sigue su viaje hacia el
electrodo positivo.
(c) El campo eléctrico fuera del dominio no es suficientemente grande como para
que se formen más dominios adicionales. [1]
Modos de Operación:
Modo de acumulación de carga
Cuando 𝑛0 𝐿 < 1012 𝑐𝑚−2 la inestabilidad de carga no llega a desarrollarse
completamente en el tiempo de tránsito. Se produce una zona de
acumulación de electrones, electrones “lentos” del mínimo 2, lo que cambia
la distribución de campo en el interior del dispositivo. Una pequeña
fluctuación en el cátodo genera un exceso local de electrones que va
aumentando a medida que es arrastrado hacia el ánodo. [2]
Figura 3. Modo de acumulación.
Modo de dominio estable
Modo de operación con pulsos cortos de corriente, dicho modo se caracteriza
por su pequeño rendimiento. [3]
Figura 4. Curva característica, Modo dominio estable.
Rendimiento mayor en cavidad resonante de microondas.
Figura 5. Cavidad resonante.
Modo de tiempo de tránsito
Periodo de oscilación = tiempo de transito con un rendimiento ideal de 10%
τ = 𝜏𝑡
Figura 6. Modo de tiempo de tránsito.
Modo de dominio extinguido o retrasado
Modo de operación, se recoge el pulso durante el semiciclo negativo, este
modo consigue un rendimiento del 20%
τ ˃ 𝜏𝑡
Figura 7. Modo retrasado
Modo suprimido (quenched)
Para trabajar a frecuencias mayores se suprime el dominio antes de llegar al
ánodo.
Figura 8. Modo suprimido, comportamiento voltaje y corriente.
Figura 9. Modo suprimido.
Modo Acumulación de carga espacial limitada (LSA).
No se da tiempo a formar dominio, buscando eliminar los electrones
cercanos al cátodo cuando la señal está bajo el umbral.
Los electrones llegan al ánodo a través de muestra de conductividad
negativa.
Figura 10. Modo LSA
Modo amplificación
En este modo no existen portadores suficientes para dominios
𝑛0 𝐿 < 1012 𝑐𝑚−2
Bibliografía:
[1] The Gunn Diode: Fundamentals and Fabrication, Robert van Zyl, Willem Perold,
Reinhardt Botha.
[2] Apuntes Dispositivos Emisores De Microondas (Dispositivos Gunn).
[3] [Link]/~tejada/manuales/DCIM/[Link]
[4] Capítulo III Dispositivos de estado sólido en microondas
