CIRCUITOS DE DISPARO DE MOSFET
El circuito de disparo (driver) debe proveer los
12 D
siguientes requerimientos :
Vgs(t)
-12
a)Voltaje de encendido del mosfet
RDS(ON)
(Vgs>2Vth).
2Vth _ b)Los requerimientos de corriente originados
50 Ω +ඵ
±12V por la capacitancia Ciss.
+ c)En ocasiones cuando el circuito del
Vgs 2000pF
_
convertidor lo determine, se debe considerar
la necesidad de aislamiento de los terminales
S
del MOSFET.
a)Modelo circuital de la activación de un mosfet
La figura 2.38 a) muestra la configuración del
circuito de disparo. Una fuente que representa
12
la señal proveniente del circuito de control
12
,que debe proveer la carga de la capacitancia
de entrada del MOSFET, y un voltaje superior
G a 2Vth
,El proceso de carga del capacitor, establece
el límite de la frecuencia de conmutación.
HCPL 2211 S Actualmente los fabricantes de circuitos
integrados ofrecen una amplia gama de
b)Optoacoplador y emisor seguidor para la drivers para MOSFET e IGBT. La fig. 2.38b)
activación muestra la utilización del C .I. HCPL 2211 para
disparar un MOSFET o un IGBT.
Fig. 2.38 Disparo del MOSFET
MOSFET IRF730
El MOSFET IRF730 es un transistor usado como interruptor en aplicaciones donde la carga requiera hasta
400 V ó 5.5 A, tiene un encapsulado TO-220AB que maneja cargas de hasta 50 W. En la figura 11 se muestra
la distribución de pines del IRF730.
Figura 11. Distribución de pines del IRF730. Fuente: Datasheet IRF730.
Dispositivos controlados a la conducción y al bloqueo, por una señal continua de corriente (BJT) o
de voltaje (MOSFET-IGBT).
ENCENDIDO Y APAGADO DEL GTO 1
Para entrar en conducción se necesita una alta
Conduciendo Bloqueado
I variación temporal de la corriente de
bloquea compuerta, hasta alcanzar el valor IGM
necesario para poner en conducción todo el
cristal. Si sólo entra en conducción una parte, y
circula toda la corriente el GTO se puede dañar.
IGM C Una vez se establece la conducción, baja la
IGT corriente a la requerida (IGT) para que el GTO
t siga conduciendo.
La aplicación de una corriente negativa del
orden de 0,1 a 0,2 IA bloquea al GTO, pero debe
mantenerse un voltaje negativo para evitar la
conducción esporádica del GTO.
Para el proceso de encendido y bloqueo se
requieren circuitos (snubber) de protección
IGMB para la conmutación.
El circuito de control al apagado requiere d
TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN (BJT)
El BJT es un dispositivo controlado por corriente.
ib(t) El circuito de disparo (base driver) de un BJT
debe suministrar una corriente suficiente, para
ic
mantener el transistor conduciendo en
condición de saturación(iB>ic/βf ).La ganancia
típica de un BJT está en el orden de 5 a 10. Para
t
mejorar la ganancia se utiliza la configuración
Darlington
Además de suministrar permanentemente la
corriente de conducción, el driver debe generar
inicialmente un pulso de sobre-corriente, con
valor pico de ic ,para acelerar el proceso de
a) Forma de onda de ib.
encendido(fig. 2.35a).
VCC Para apagar el transistor rápidamente, se debe
C
aplicar a la base un pulso de corriente negativa,
0.047µF
para remover la carga almacenada y reducir el
tiempo de almacenamiento.
El circuito de la fig. 2.35b) cumple con los
ib(t) requerimientos de la forma de onda de ib. El
22 Ω capacitor permite el pico del pulso positivo de
E corriente para el encendido, y el negativo para el
apagado
-VEE
b)Circuito de disparo emisor-seguidor(2)
Fig. 2.35 Encendido y apagado del BJT
