1
UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN
FACULTAD DE INGENIERIA DE PRODUCCION Y SERVICIOS
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRICA
INSTRUMENTACIÓN
TEMA
FOTORESISTENCIAS LDR
DOCENTE
ING. JUAN CARLOS COPA PINEDA
ALUMNOS
AYME HUANCA WILLIAN
FERNANDEZ PAZ DIEGO ALBERTO
GARCIA CHUQUIMAMANI DAVID
RADA MINAYA KEVIN
GRUPO: A
AREQUIPA – 2019
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
2
INTRODUCCIÓN
La fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento
de intensidad de luz incidente.
Un fotoresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio
CdS. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por
la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la
banda de conducción.
La siguiente practica tiene como finalidad de implementar un sensor de intensidad de luz
utilizando un sensor LDR.
OBJETIVOS
Determinar las curvas características de las fotosíntesis
Determinar la sensibilidad de las fotorresistencias
Implementar un sensor de luz que pueda emplearse para la activación y desactivación de
un circuito.
MARCO TEÓRICO
SENSOR LDR
Un LDR es un resistor que varía su valor de resistencia eléctrica dependiendo de la cantidad
de luz que incide sobre él. Se le llama, también, fotorresistor o fotorresistencia. El valor de
resistencia eléctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en él (en algunos casos
puede descender a tan bajo como 50 ohms) y muy alto cuando está a oscuras (puede ser de
varios megaohms).
Los LDR se fabrican con un cristal semiconductor fotosensible como el sulfuro de cadmio
(CdS). Estas celdas son sensibles a un rango amplio de frecuencias lumínicas, desde la luz
infrarroja, pasando por la luz visible, y hasta la ultravioleta.
La variación de valor resistivo de un LDR tiene cierto retardo, qie es diferente si se pasa de
oscuro a iluminado o de iluminado a oscuro.
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
3
SIMBOLO
VALOR OHMICO
Si medimos entre sus extremos nos encontraremos que pueden llegar a medir en la
oscuridad valores cercanos al MegaOhm (1MΩ) yexpuestas a la luz mediremos valores
en el entorno de los 100Ω
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
4
PRINCIPALES CARACTERÍSTICAS DE LAS FOTO-RESISTENCIAS
Los valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz brillante.
Disipación máxima, (50 mW-1W).
Voltaje máximo (600V).
Respuesta Espectral.
El tiempo de respuesta típico de un LDR está en el orden de una décima de segundo.
VENTAJAS DE LAS FOTO-RESISTENCIAS
Alta sensibilidad (debido a la gran superficie que puede abarcar).
Fácil empleo.
Bajo costo.
No hay potencial de unión.
Alta relación resistencia luz-oscuridad.
Desventajas de las fotoresistencias
Respuesta espectral estrecha.
Efecto de histéresis.
Estabilidad por temperatura baja para los materiales mas rápidos.
La variación del valor de la resistencia tiene cierto retardo, diferente si se pasa de oscuro
a iluminado o de iluminado a oscuro. Esto limita a no usar los LDR en aplicaciones en las
que la señal luminosa varía con rápidez.
Respuesta lenta en materiales estables.
COMO USAR UN LDR
Lectura analógica
Para la conexión más simple de un LDR a nuestro microcontrolador, debemos hacer un divisor
de tensión, de donde sacaremos una señal que solo podremos leer con una entrada analógica,
podemos conectarlo de dos maneras diferentes como las del siguiente esquema.
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
5
Si seguimos el ejemplo de la izquierda, el LDR como resistencia inferior del divisor de tensión,
nos dará la tensión máxima, cuando tengamos el LDR en plena oscuridad (en este caso se
fijado 5v como referencia de tensión superior), ya que el LDR estará oponiendo el máximo de
su resistencia entre la salida y tierra por tanto en out tendriamos practicamente 5V. Si
seguimos el ejemplo de la derecha, lo utilizamos como resistencia superior, el resultado será
el opuesto, tendremos la tensión máxima cuando esté completamente iluminado, ya que en
estos momentos su resistencia baja, y permite circular practicamente los 5V a out.
DESARROLLO
Simulación
Observamos que mientras el ldr recibe luz lumínica tiene una resistencia baja por lo tanto la
parte no inversora posee una mayor diferencia de potencial entonces nuestro diodo led
enciende
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
6
Caso contrario ocurre cuando al ldr se le disminuye la luz lumínica, entonces el ldr tiende a
una alta resistencia por lo cual tiene menor diferencia de potencial que la parte inversora por
lo tanto el diodo led se apaga
Parte experimental
LDR
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
7
Observamos que mientras el ldr recibe luz luminica el diodo led está encendida
Ahora si tapamos un poco la luz que recae sobre el lrd notamos que el diodo led se apaga
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
8
Si volvemos a destapar el ldr su resistencia disminuye entonces el diodo led vulve a encender
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
9
CONCLUSIONES
Se Implementó un sensor de luz que pueda emplearse para la activación y desactivación
de un circuito.
Se simulo el circuito del sensor de luz.
Se observó que mientras el LDR recibe luz lumínica tiene una resistencia baja por lo tanto
la parte no inversora posee una mayor diferencia de potencial por lo tanto nuestro diodo
led encendió.
De lo contrario si se le disminuye la luz lumínica al LDR este tiende a una alta resistencia
por lo tanto tiene menor diferencia de potencial que la parte inversora esto hara que el
diodo led se apague.
Instrumentación Ingeniería Eléctrica
Universidad Nacional De San Agustín
