UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN ANTONIO ABAD
DEL CUSCO
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA ELECTRONICA
SISTEMAS DIGITALES II
TRABAJO ENCARGADO
MEMORIA RAM 4X4
INFORME FINAL
DOCENTE: ING. PALOMINO LOPEZ ALEXANDER
ALUMNOS: CANDIA VILLAFUERTE EDUARDO JESUS 103183
SEMESTRE: 2019-I
Cusco – Perú
2019
INDICE
1. MARCO TEORICO
2. SIMULACION
3. MATERIALES
4. ARMADO DEL CIRCUITO
1. MARCO TEORICO
LA MEMORIA
La memoria es un dispositivo electrónico el cual puede almacenar bits de información
permanentemente o transitoriamente; dicha información puede estar conformada por
datos a ser procesados o instrucciones de programas. En el caso de las memorias
RAM (random acces memory) estas son llamadas memorias volátiles porque debe ser
abastecida de energía. Si la energía es interrumpida se pierden los datos.
Las memorias RAM se dividen en estaticas (SRAM) y dinámicas (DRAM).
Las SRAM almacenan los bits utilizando flip-flops, tienen la propiedad de retener su
contenido mientras estén conectadas a la fuente de alimentación.
Las DRAM se compone de celdas que almacenan datos utilizando capacitores. La
presencia o ausencia de carga en el capacitor se interpreta como un 1 o un 0 binario.
Debido a la tendencia a descargarse de los capacitores, las memorias DRAM
requieren refrescarse para evitar la pérdida de datos.
*estructura general de una memoria RAM
En el esquema simplificado de la figura anterior se muestran tres elementos, la
memoria en sí, el decodificador y el registro de dirección.
La memoria está formada básicamente por 2n registros apilados. Para indicar cada uno
de los registros, utilizaremos lo que llamaremos dirección de memoria, un número que
identifica la localidad del registro dentro de la memoria. Cada uno de estos registros se
denomina palabra, y puede tener un tamaño que en las computadoras de hoy en día
varía comúnmente de 4 a 64 bits. Para indicar el tamaño de la memoria, se usa el
termino de capacidad, que es el número de bits que almacena. Normalmente la
capacidad se indica en Bytes (1 byte = 8 bits). Una manera de expresar el tamaño de
la memoria es el mostrado en la figura, donde la capacidad es 2n x m. El primer
número (2n) indica el número de palabras y el segundo (m) el número de bits de cada
palabra.
Todo sistema de memoria requiere diferentes tipos de líneas de entrada y salida para
desempeñar sus funciones básicas de escritura y lectura. Así tendremos líneas de
entradas de direccionamiento, líneas de entrada de datos, una línea de entrada para el
control de escritura o lectura, una línea de entrada para seleccionar la memoria y las
líneas de salida de datos.
Las líneas de direccionamiento sirven para tener acceso a una de las localidades de
memoria, bien sea para escribir en ella o para leer su contenido. Estas líneas son las
salidas del decodificador de direcciones. Un decodificador posee n entradas y
2n salidas. Todas las salidas estarán en cero menos la correspondiente a la
combinación de entrada.
Así sí que queremos efectuar una operación en
la dirección 101, por ejemplo, el número
correspondiente a esta dirección estará
almacenado en binario en el registro de
dirección.
Las salidas del registro de dirección son las
entradas del decodificador, lo que activará la
salida correspondiente del decodificador, y esta
habilitará para escritura o lectura la dirección de
la palabra correspondiente en la memoria.
Las líneas de entradas son para ingresar datos a una dirección determinada de la
memoria. La entrada estará disponible en todas las palabras de la memoria, y solo se
guardará en la dirección seleccionada.
Las líneas de salida permitirán que la palabra seleccionada propague su contenido
hacia la salida.
La línea de control LECTURA/ESCRITURA permitirá guardar el dato de la línea de
entrada en la dirección seleccionada o leer en las líneas de salida el dato contenido en
la dirección seleccionada.
La línea de SELECCION permite seleccionar una porción de la memoria. (Una
memoria está formada por varios chips de memoria, cada uno de esos chips posee
una línea de selección que lo activa cuando está en uso.)
Para entender mejor el funcionamiento de una memoria consideremos la figura que se
muestra a continuación:
La figura anterior muestra un segmento de la memoria. Se observan solamente las
palabras i-1, i, i+1 de las 2ndirecciones y solamente los primeros 3 bits de cada
dirección.
Las líneas i-1, i, i+1 son las salidas del decodificador (de las 2n líneas posibles).
Solamente estará en 1 la línea correspondiente a la dirección almacenada en el
registro de memoria, y que será la dirección de memoria en la cual queremos guardar
un dato o desde la cual queremos leer un dato.
El contenido de una dirección pasara por la compuerta AND a la salida del flip-flop de
esa dirección. Esta será la dirección correspondiente a la almacenada en el registro de
dirección. El contenido del registro direccionado se propagará a través de la cadena de
OR hacia la salida de datos.
Los datos de entrada están disponibles en la entrada de todas las direcciones de la
memora. Un pulso en la línea de ESCRIBIR pasará solamente a través de uno de las
2n compuertas AND a las cuales está conectado y que corresponde a la dirección
almacenada en el registro de dirección
Para leer una palabra desde la memoria:
1. La línea de ESCRITURA debe estar en cero
2. La dirección de la palabra desde la cual se quiere leer un dato se coloca en el
registro de dirección
3. El contenido de la dirección seleccionada se lee en la salida de datos.
Para escribir una palabra en la memoria:
1. La dirección en la cual queremos escribir un dato se coloca en el registro de
dirección.
2. El dato que queremos guardar se coloca en la entrada de datos.
3. Se aplica un pulso en la línea de ESCRITURA( ) con lo que la dirección
seleccionada guarda el dato.
2. SIMULACION
Circuito memoria 3x3:
*vista general de la simulación
*Esquema y configuración del multiplexor 3:8 74138
*datos de entrada
*circuito de memoria 3x3
*Circuito de salida
Circuito memoria 4x4:
*Vista general de la simulación
*circuito de seleccionador (74138)
*circuito para datos de entrada
*Circuito de memoria 4x4
*circuito de salida
3. MATERIALES
PARA LA MEMORIA 3X3:
PARA LA MEMORIA 4X4:
5. MONTANJE DEL CIRCUITO
