FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA,

ELÉCTRICA Y TELECOMUNICACIONES

INFORME FINAL #5

Apellidos y nombres Matrícula

Palomino Campomanes, John Sebastian 18190152
Urquizo Moreno, Alfredo Adrián 18190256
Vásquez Zelaya, Rubén Arturo 16190278
Yauyo Mallqui , Marcos Amaro 18190259

Curso Tema
“EL TRANSISTOR BIPOLAR [Link]
Circuitos Electrónicos I - Laboratorio BASICAS”

Grupo Profesor

Sábado 8-10 am. Castillo, Otto

2019
 EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN CARACTERISTICAS BÁSICAS

I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

 Comprobar las características de Funcionamiento de un transistor bipolar NPN

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Multímetro
 Microamperímetro
 Miliamperímetro
 Cables de conexión diversos
 01 transistor 2N2222A o 2N3904
 Resistores: Re=220 Ω, Rc=1K Ω,R1=56K Ω, R2=22K Ω
 Condensadores: Ci=0.1µF, Co=0.1µ, Ce=3.3µF.
 Potenciómetro de 1MΩ (p1)
 01 computadora con Multisim

III. PROCEDIMIENTO

1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados, realizar la

simulación del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere todos los casos indicados
en el paso 3. Llenar los valores correspondientes en las tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5

2. Verificar el estado operativo del transistor, usando la función ohmímetro del

multímetro. Llene la tabla 5.1
 Tabla 5.1

Resistencia Directa Inversa

Base – Emisor 573.5K ohm ∞
Base – Colector 533.3 k ohm ∞
Colector – Emisor ∞ ∞

3. Implementar el circuito de la figura 5.1

A. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic), el emisor (Ie) y la base (Ib)
cuando el potenciómetro P1 está ajustado para tener una resistencia de 0Ω.

B. Medir las tensiones entre el colector–emisor (Vce), entre base–emisor (Vbe) y entre
emisor–tierra (Ve).

C. Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2

 Tabla 5.2

Valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve

(R1=56KΩ)
Teóricos 8.21 8.31 50.1 1.8 v 0.718 1.81
Simulados 7.96 7.75 63.2 2.603 0.680 1.71
Medidos 4.84 4.99 107.2 5.946 0.644 1.114

D. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la tabla 5.3

Tabla 5.3

Valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve

(R1=68KΩ)
Teóricos 6.82 6.9 41.5 3.5 v 0.7 v 1.5 v
Simulados 6.65 6.70 47.4 3.879 0.673 1.47
Medidos 4.77 4.93 93.7 6v 0.6 v 1.120 v

E. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. Observar lo que

sucede con las corrientes Ib y con la tensión Vc (usar Re=0) llenar la tabla 5.4.
 TABLA 5.4

Valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(uA) Vce Vbe Ve

P1 = Teóricos 5.84 8.9 34.6 6.3 0.7 v 0v

100KΩ Simulados 2.62 2.64 13.4 8.796 0.644 0.5
Medidos 9.57 9.73 38.64 2.21 v 0.669 0.032
v v
P1 = Teóricos 0.84 0.84 5.7 11.15 0.66 v 0
250KΩ v
Simulados 0.615 0.618 3.41 11.2 v 0.598v 0.138
Medidos 2.09 1.95 8.2 9.94 v 0.626 0.02 v
v
P1 = Teóricos 0 250 n 0.6 12 v 0.440 0
500KΩ Simulados 0.6 0.6 3.41 11.25 0.598 0.1
Medidos 0.2 mA 0 2.9 12 v 0.453 0
v
P1 = 1MΩ Teóricos 0 0 0
Simulados 0 265pA 0.109nA 12 0.244 0
Medidos 365.271 453.965 50.1 nA 12 V 0.244 0
pA pA V
F. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la salida
Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5.

TABLA 5.5

Vi Vo Av Vo Av(sin
Ce)
R1=56KΩ Teóricos 17.67v
rms
Simulados 17.67v 3.12mVrms 0.17K 75.4m 4.26K
rms
Medidos 64m Vpk 1.25 Vpk 19.531 360 m 5.625
Vpk
R1=68KΩ Teóricos 17.67v
rms
Simulados 17.67v 5.16mVrms 0.3K 76m 4.3K
rms
Medidos 64m Vpk 288m Vpk 4.5 340 m 5.313
Vpk
GRÁFICAS DE LA TABLA 5.5

SEÑAL DE ENTRADA (1 kHz) MEDIDAS

V máx Vpp
64.0 mV 127 mV
Vrms Escala
44.3 mV Tiempo 250 us
Frecuencia Voltaje 20 mV
850.2 Hz

SEÑAL DE SALIDA (R1=56KΩ, con Ce) MEDIDAS

V máx Vpp
1.25 V 2.40 V
Vrms Escala
803 mV Tiempo 250 us
Frecuencia Voltaje 500 mV
1.022 kHz

SEÑAL DE SALIDA (R1=56KΩ, sin Ce) MEDIDAS

V máx Vpp
360 mV 560 mV
Vrms Escala
198 mV Tiempo 500 us
Frecuencia Voltaje 500 mV
1.190 kHz
 SEÑAL DE SALIDA (R1=68KΩ, con Ce) MEDIDAS
V máx Vpp
1.34 V 2.55 V
Vrms Escala
897 mV Tiempo 250 us
Frecuencia Voltaje 500 mV
1.191 kHz

SEÑAL DE SALIDA (R1=68KΩ, sin Ce) MEDIDAS

V máx Vpp
340 mV 540 mV
Vrms Escala
195 mV Tiempo 500 us
Frecuencia Voltaje 500 mV
1.214 kHz
TABLERO ADICIONAL. Vo VARIANDO LA FRECUENCIA

f ( kHz) Vo ( V) f ( kHz) Vo ( V)
1 1.24 50 5.59
3 2.88 70 5.59
5 3.83 80 5.59
10 5.40 100 5.59
20 5.40 200 5.59
30 5.59 300 5.40
GRÁFICAS:

SEÑAL DE SALIDA (1 kHz) MEDIDAS

V máx Vpp
1.25 V 2.40 V
Vrms Escala
803 mV Tiempo 250 us
Frecuencia Voltaje 500 mV
1.022 kHz
SEÑAL DE SALIDA (3 kHz) MEDIDAS
V máx Vpp
2.88 V 5.88 V
Vrms Escala
2.06 V Tiempo 250 us
Frecuencia Voltaje 1V
3.060 kHz

SEÑAL DE SALIDA (5 kHz) MEDIDAS

V máx Vpp
3.83 V 7.76 V
Vrms Escala
2.87 V Tiempo 250 us
Frecuencia Voltaje 2V
5.047 kHz

SEÑAL DE SALIDA (10 kHz) MEDIDAS

V máx Vpp
5.40 V 9.39 V
Vrms Escala
3.49 V Tiempo 250 us
Frecuencia Voltaje 5V
9.947 kHz
SEÑAL DE SALIDA (20 kHz) MEDIDAS
V máx Vpp
5.40 V 9.00 V
Vrms Escala
3.78 V Tiempo 50 us
Frecuencia Voltaje 5V
20.20 kHz

SEÑAL DE SALIDA (30 kHz) MEDIDAS

V máx Vpp
5.59 V 10.0 V
Vrms Escala
3.88 V Tiempo 25 us
Frecuencia Voltaje 5V
30.71 kHz

SEÑAL DE SALIDA (50 kHz) MEDIDAS

V máx Vpp
5.59 V 10.0 V
Vrms Escala
3.88 V Tiempo 10 us
Frecuencia Voltaje 5V
50.85 kHz
SEÑAL DE SALIDA (70 kHz) MEDIDAS
V máx Vpp
5.59 V 10.0 V
Vrms Escala
3.90 V Tiempo 10 us
Frecuencia Voltaje 5V
71.02 kHz

SEÑAL DE SALIDA (100 kHz) MEDIDAS

V máx Vpp
5.59 V 9.00 V
Vrms Escala
3.88 V Tiempo 5 us
Frecuencia Voltaje 5V
101.2 kHz

SEÑAL DE SALIDA (200 kHz) MEDIDAS

V máx Vpp
5.40 V 9.60 V
Vrms Escala
3.88 V Tiempo 2.5 us
Frecuencia Voltaje 5V
200.2 kHz
 SEÑAL DE SALIDA (300 kHz) MEDIDAS
V máx Vpp
5.40 V 9.39 V
Vrms Escala
3.50 V Tiempo 2.5 us
Frecuencia Voltaje 5V
303.0 kHz

OBSERVACIONES DE PROCEDIMIENTO:

-En el circuito de la tabla 5.1 se trabajó con un transistor 2N3904, en las siguientes
tablas con el 2N2222

- Los valores teóricos y simulados no se condicen con los valores experimentales en los
casos: de las tablas 5,2, 5,3, debido a que se trabajó con condensadores de 4.7uF en vez
de 0.1uF.

- En las siguientes tablas 5.3 y 5.4 resulta un error propio relacionado con la
implementación del circuito.
IV. CUESTIONARIO

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa con

el multímetro en función ohmímetro.

Para este experimento utilizamos el transistor 2N3904, al medir con el multímetro en

función de ohmímetro entre la base y el emisor en forma directa nos dio un valor de
573.5K ohm aproximadamente, mientras al medirlo inversamente nos daba infinito;
cuando medimos entre la base y el colector en forma directa nos dio un valor de 533.3 k
ohm aproximadamente, mientras que al medirlo inversamente nos dio infinito, con estos
datos podemos confirmar, como nos indica la teoría, que la resistencia entre base-emisor
es mayor que la resistencia entre base-colector. Sobre los valores dados en cada caso en
el transistor comprobamos que se da porque el transistor actúa como diodo al medir
base-emisor y al medir base-colector (directa e inversa). Sin embargo, cuando medimos
con el ohmímetro el colector-emisor, nos dio un valor demasiado alto en directa como
en inversa

2. Representar la recta de carga en un grafico Ic vs Vce del circuito del

experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y 5.4

Las gráficas se encuentran en la seccion de anexos

3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?

Con los datos obtenidos en las tablas 5.2 y 5.3 podemos concluir que se encuentran en la
zona activa, debido a ellos funcionan como amplificadores y se comprueba analizando
los valores. Si es que el transistor se hubiera encontrado en Zona de Corte (es como si se
tratara de un interruptor abierto), entonces en los cuadros de datos nos hubiera salido
que la corriente del colector (Ic) sería casi cero y el Voltaje Colector-Emisor (Vce) sería
aproximadamente igual al valor de la fuente Vcc (12v). En cambio, si estuviera en la
Zona de Saturación (es como si se tratara de un interruptor cerrado), entonces en los
cuadros el Voltaje Colector-Emisor (Vce) sería muy pequeña, casi cero.
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 150KΩ? Explicar
los valores e indicar el valor teórico.

Con R1=150KΩ β=220 (teóricamente)

R1, R2 y Vcc hallamos su equivalente Thevenin, para que nos quede de la siguiente
manera:

22𝐾∗12
𝑉𝑡ℎ = = 1.53𝑉
150𝐾+22𝐾

𝑅1𝑥𝑅2 150𝐾𝑥22𝐾
𝑅𝑡ℎ = = =
𝑅1+𝑅2 150𝐾+22𝐾

19.2𝐾Ω

Hallamos Ib
𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝑏𝑒 1.53 − 0.7
𝐼𝑏 = = = 12.24µ Amp.
𝑅𝑡ℎ + (β + 1)Re 19.2𝐾 + (221𝑥220)

Hallamos Ic

Ic= βxIb = 220x12.24 µ = 2.69 m Amp.

Hallamos Vce

Vce = Vcc – Ic(Rc + Re) = 12 – 2.69m(1220) = 8.72 V.

Con estos nuevos valores obtenidos el punto de operación cambia de posición, aunque
sigue manteniéndose en los límites de la recta de carga, solo se ha desplazado más hacia
a la derecha (en el eje de Vce) y más abajo (en el eje de Ic).
5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento
(transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).

En este experimento solo utilizamos el transistor NPN, pero daremos algunos detalles
teóricos sobre los transistores NPN y PNP. Aunque los dos tienen la función de
proporcionar la capacidad de la amplificación y / o de la conmutación, se diferencian en
otras cosas: Como están construidos de manera diferente, corriente y voltaje deben ser
asignados de manera distinta para que puedan trabajar. Un transistor NPN recibe voltaje
positivo al terminal de colector y voltaje positivo al terminal de base. Un PNP transistor
recibe un voltaje positivo al terminal emisor y un voltaje negativo en el terminal base (o,
más bien, un voltaje más negativo o más bajo que el suministrado en el terminal del
emisor). Con respecto a esto, el flujo de corriente para activarlos también es distinto, Un
transistor NPN está alimentado cuando se suministra una corriente suficiente a la base
del transistor. Por lo tanto, la base de un transistor NPN debe estar conectada a una
tensión positiva para corriente a flujo en la base. Un transistor PNP es lo opuesto. En un
transistor PNP, la corriente fluye fuera de la base (corriente negativa a la base) dando a
la terminal de base una más negativa (una inferior) tensión que lo que es suministrado al
terminal emisor. Con un transistor NPN, la corriente necesita ser originada a la base del
transistor para su funcionamiento. Esto significa que las necesidades actuales deben
fluir hacia la base. En un transistor PNP, la corriente se obtiene o se hunde desde la base
del transistor a tierra para el funcionamiento. Esto significa que la corriente debe salir
de la base; y así como estas hay más diferencias, pero estas son las más importantes

V. CONCLUSIONES.

 Con la ayuda del Multímetro en función de Ohmímetro pudimos comprobar cuál

de los pines del transistor es la base, colector y emisor (Resistencia de Base-
Emisor es mayor que Resistencia de Base-Colector).

 Cuando ajustábamos al Potenciómetro en 0 Ω, la manera de hallar los valores

para los cuadros era mediante Resistencia Thevenin y Voltaje Thevenin, con las
Resistencias R1 y R2.

 Cuando aumentábamos la R1 de 56 K Ω a 68K Ω las corrientes disminuyeron

(la del colector, base y emisor) pero la de la base varió en más magnitud.

 A medida que aumentábamos el potenciómetro la corriente colector disminuye.

  A medida que aumentábamos el potenciómetro la corriente base disminuye.

 A medida que aumentábamos el potenciómetro la Vce (v) aumenta.

 Con respecto a las medidas en AC pudimos notar la amplificación de señal de la

salida con respecto a la entrada, obteniendo una considerable ganancia.

 Sin embargo cuando retirábamos el condensador, aún había ganancia pero no era
en gran cantidad.

 Así como también la ganancia disminuía cuando aumentaba R1.

VI. OBSERVACIONES.

 Debido a que no se contó con el condensador de 3.3 uf se realizó la experiencia

con un condensador de 4.7 uf

 Al momento de finalizar las medidas de corriente en análisis DC de nuestro

circuito realizado en protoboard, se manifestó un incidente en el tomacorriente

al momento de apagar la fuente de 12 v, al parecer hubo cortocircuito, lo que nos

llevó a verificar de forma más meticulosa para evitar futuros daño.

 Verificar antes de hacer las mediciones, que los transistores estén en buen estado,

caso contrario, nos daría mediciones erróneas.

 Identificar el emisor, colector y base del transistor antes de hacer las mediciones,

para no tener errores al armar el circuito del experimento.

 En el circuito de la tabla 5.1 se trabajó con un transistor 2N3904, en las siguientes

tablas con el 2N2222.

VII. ANEXOS.

Circuito de la figura 5.1 implementado en laboratorio.

Commented [U1]: