I.
OBJETIVOS:
Comprobar las características de funcionamiento de un transistor
bipolar PNP
II. INTRODUCCION TEORICA
TRANSISTOR BJT
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de estado
sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia
de entrada bastante baja. Un transistor de unión bipolar está formado por
dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una
región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente
dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a
que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
Como probar un transistor
Para probar transistores bipolares hay que analizar un circuito equivalente
de éste, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos.
Ver la figura.
Se ve que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y
PNP están compuestos por diodos y se sigue la misma técnica que probar
diodos comunes. La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el
terminal E y C. Los métodos a seguir en el transistor NPN y PNP son
opuestos. Al igual que con el diodo, si uno de estos "diodos del equivalente
del transistor" no funcionan como se espera hay que cambiar el transistor.
Relación de corrientes
Considerando la ley de Kirchhoff: la suma de corrientes que entran en un
nudo es igual a la suma de corrientes que salen por dicho nudo. Al
aplicarse a un transistor PNP, la ley de Kirchhoff proporciona una
importante relación entre las tres corrientes del transistor:
Ic = Ib + Ic
Esta ecuación indica que la corriente de emisor es igual a la suma de las
corrientes de colector y base. Teniendo en cuenta que la corriente de base
es mucho menor que la corriente de colector, es habitual hacer la siguiente
aproximación: la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor.
Ie = Ic
Y la corriente de base es mucho más pequeña que la corriente de colector.
Ib<<Ic
Alfa
El alfa de continua se define como la corriente de colector dividida entre la
corriente de emisor.
Como la corriente de emisor es casi igual a la corriente de colector, dc es
ligeramente menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia,
dc es mayor que 0.99.Incluso en un transistor de alta potencia dc es mayor
que 0.95.
Beta
El beta de continua se define como la relación entre corriente de colector y
la corriente de base.
El beta de continua se conoce también como la ganancia de corriente
porque una pequeña corriente de base produce una corriente mucho
mayor de colector. La ganancia de corriente es una gran ventaja del
transistor y ha llevado a todo tipo de explicaciones. Para transistores de
baja potencia (por debajo de 1W) la ganancia está entre 100 y 300. Los
transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen
ganancia entre 20 y 100
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas,
definidas principalmente por la forma en que son polarizados:
Región activa
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región
de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de
las resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor.
Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor
como un amplificador de señal.
Región inversa
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,
el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este
modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que
la mayoría de los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de
corriente en modo activo, el parámetro beta en modo inverso
es drásticamente menor al presente en modo activo.
Región de corte
Un transistor está en corte cuando: Corriente de colector = corriente de
emisor = 0,(Ic = Ie = 0)En este caso el voltaje entre el colector y el emisor
del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (Como no hay
corriente circulando, no hay caída de voltaje).Este caso normalmente se
presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación
Un transistor está saturado cuando: Corriente de colector = corriente de
emisor = corriente máxima,(Ic = Ie = Imáx)En este caso la magnitud de la
corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las
resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver ley de
Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base
es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β
veces más grande. (Ic = β * Ib)
PNP
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones
del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a
que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de
las circunstancias
Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P.
Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a
través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente circulando
desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP está en el terminal
del emisor y apunta en la dirección en la que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en funcionamiento activo.
Como las zonas dopadas son de tipo opuesto al de un NPN, es necesario
invertir la forma de considerar su funcionamiento. Específicamente, tal
cambio quiere decir que los huecos son los portadores mayoritarios en el
emisor en vez de serlo los electrones libres. De manera breve, la
explicación de lo que sucede a nivel atómico en el transistor PNP es la
siguiente: el emisor inyecta huecos en la base, la mayor parte de
las cuales fluyen hacia el colector. Por esta razón la corriente de colector
es casi igual a la corriente de emisor. El transistor de la figura tiene dos
uniones: una entre el emisor-base y otra entre base-colector. Por tanto un
transistor es similar dos diodos contrapuestos. El diodo inferior se
denomina diodo emisor-base y el diodo superior se denomina diodo
colector-base.
CONFIGURACION EMISOR COMUN
La configuración de transistores que se encuentra con mayor frecuencia se
muestra en la figura para los transistores pnp y npn. Se denomina
configuración de emisor común porque el emisor es común tanto a las
terminales de entrada como a las de salida (en este caso, es también
común a las terminales de la base y del colector). De nuevo se necesitan
dos conjuntos de características para describir en forma completa el
comportamiento de la configuración de emisor común: una para la entrada
o circuito de la base y una para la salida o circuito del colector.
Ecuaciones básicas:
Ie = Ic + Ib
Vcc = Vce + IcRL
Vs = Vbe + IbRs
Pc = Vce × Ic
CONFIGUACION BASE COMUN
La terminología relativa a base común se desprende del hecho de que la
base es común a los lados de entrada y salida de la configuración.
Además, la base es usualmente la terminal más cercana o en un potencial
de tierra. Las direcciones de corriente se referirán a la convencional (flujo
de huecos) en vez de la correspondiente al flujo de electrones.
Esta elección se fundamenta principalmente en el hecho de que enorme
cantidad de literatura disponible en las instituciones educativas y
empresariales hace uso del flujo convencional, de que las flechas en todos
los símbolos electrónicos tienen una dirección definida por esta
convención. Recuérdese que la flecha en el símbolo del diodo define la
dirección de conducción para la corriente convencional. Para el transistor:
CONFIGURACION COLECTOR COMUN
La configuración de colector común se emplea fundamentalmente para
propósitos de acoplamiento de impedancia ya que tiene una elevada
impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, que es lo opuesto
a las configuraciones de base común y de emisor común.
III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO
Fuente de poder DC
Multímetro
Micro amperímetro
Voltímetro DC
Transistor 2N3906
Resistores: Re = 330Ω, Rc = 1KΩ, R1 = 56KΩ y R2 = 22KΩ
Condensadores: Cb = 0.1uF, Cc = 0.1uF y Ce = 3.3uF
Osciloscopio
Potenciómetro
Cables y conectores
Fuente de poder DC
Multímetro
Transistor 2N3906 CONDENSADORES
OSCILOSCOPIO POTENCIOMETRO
IV. INFORME PREVIO
1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento
de un transistor bipolar
El transistor posee tres estados de operación:
Zona de saturación: El diodo colector esta polarizado directamente y el
transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un
aumento adicional de la base no provoca un aumento de la corriente del
colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un
interruptor cerrado.
Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente
de corriente, determinada por la corriente de la base. A pequeños
aumentos de la corriente de base corresponden grandes aumentos de
la corriente del colector, de forma casi independiente de la tensión entre
el emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo base- emisor ha
de estar polarizado en directa; mientras el diodo base-colector, de forma
inversa.
Zona de corto: El hecho de hacer nula la corriente de base, es
equivalente a mantener un circuito base-emisor abierto, en estas
circunstancias la corriente del colector es prácticamente nula y por ello
se puede considerar el transistor en su circuito colector-emisor como un
interruptor abierto.
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en
directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica
los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos
los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que
existe entre la base y colector.
2. De los manuales, obtener los datos del transistor bipolar 2N3906
2N3906
3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento
V. PROCEDIMIENTO
1. Verificar el estado operativo del transistor usando un ohmímetro. Llenar
la tabla 3.1
TABLA 3.1
2. Implementar el circuito de la figura 3.1
a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener B (P1 = 0)
b. Medir las tensiones entre el colector – emisor y entre emisor – tierra
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 3.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ. Repetir los pasos a y b. Anote los resultados
obtenidos en la tabla 3.3
e. Aumentar el valor de resistencia de P1 a 100KΩ, 250K, 500K y 1M.
Observar lo que sucede con las corrientes Ic e Ib así como con la
tensión Vcc (usar Re = 0). Llene la tabla 3.5
3. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal.
Observar la salida Vo con el osciloscopio. Anote sus resultados en la
tabla 3.4
TABLA 3.2
TABLA 3.3
TABLA 3.4
TABLA 3.5
VI. CUESTIONARIO FINAL
1. Explicar el comportamiento del transistor al realizar su verificación de
operatividad con el ohmímetro.
El transistor se comportó como 2 diodos unidos por el cátodo como se muestra
a continuación.
2. Representar la recta de carga en un gráfico Ic vs Vce del circuito del
experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 3.2, 3.3 y 3.5
Vce(V)
0 1 2 3 4 5 6 Ic(mA)
3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 3.2 y 3.3?
Vce(V)
0
1 2 3 4 5 6 Ic(mA)
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 120KΩ?
De la malla 1:
5. Exponer sus conclusiones acerca del experimento.
Los valores prácticos tienen una ligera diferencia con los teóricos
Al realizar los cálculos se usaron valores teóricos de tablas y manuales. Esto
influyó en la diferencia entre los valores teóricos y prácticos.
Los valores de las resistencias son importantes en la ubicación del punto de
trabajo y la recta de carga
La corriente Ic (mA) es pequeña y la corriente Ib (uA) es aún más pequeña.
VII. BIBLIOGRAFIA
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_ bipolar.
http://www.unicrom.com/tut_como_probar_diodo_transistor.
http://hosting.udlap.mx/profesores.
Principios de Electrónica. Albert Malvino.
