Polarización con TBJ
Vivas Henry
Facultad de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica, Laboratorio de Dispositivos Eléctricos
Escuela Politécnica Nacional
Quito, Ecuador
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Objetivos: Caracteristica Valor
Número de Parte 2N3906
• Analizar del comportamiento de un TBJ.
Material Si
• Identificar los parámetros de operación de circuitos con
transistores TBJ en base a los resultados obtenidos en Polaridad de transistor PNP
la medición de voltajes y corrientes. Disipación total del dispositivo (Pc) 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb) 40 V
• Comparar los tipos de polarización para transistores
TBJ. Tensión colector-emisor (Vce) 40 V
Tensión emisor-base (Veb) 5V
I. TRABAJO PREPARATORIO Corriente del colector DC máxima (Ic) 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj) 135 oC
Capacitancia de salida (Cc) 5 pF
A. Dibujar la curva de trabajo del transistor en papel Ganancia de corriente cont´ınua (hfe) 100
milimetrado. Empaquetado / Estuche TO92
Tabla II: 2N3906
Anexo No1
D. Para los circuitos de las Figuras 1, 2, 3, 4 y 5 obtener
B. En papel milimetrado dibujar e identificar las regiones voltajes y corrientes de polarización.
de funcionamiento en las curvas caracter´ısticas.
Anexo No2
C. Consultar las caracterı́sticas más importantes en el
datasheet de los transistores 2N3904 y 2N3906.
Caracteristica Valor
Número de Parte 2N3904 Figura 1: Polarización de base BJT NPN.
Material Si
Polaridad de transistor NPN
Disipación total del dispositivo (Pc) 0.31 W
Tensión colector-base (Vcb) 60 V
Tensión colector-emisor (Vce) 40 V
Tensión emisor-base (Veb) 6V
Corriente del colector DC máxima (Ic) 0.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj) 135 oC
Capacitancia de salida (Cc) 4 pF
Ganancia de corriente cont´ınua (hfe) 40
Empaquetado / Estuche TO92
Tabla I: 2N3904 Figura 2: Polarización de emisor BJT NPN.
5−0,7
Ib = 683
Ib = 72,5µΩ
Ic = β ∗ Ib
Ic = 72,5−6 ∗ 100
Ic = 7,25mΩ
Figura 3: Polarización de base con alimentación común de
BJT NPN.
LV Kmalla c
1K ∗ Ie − V ce − 12 = 0
V ce = 12 − 1K ∗ ∗Ic
V ce = 12 − 13 ∗ 7,25−3
V ce = 4,75[V ]
V b = Ic ∗ R6
Figura 4: Polarización de emisor con alimentación común
de BJT NPN. V b = 72,5−6 ∗ 683
V b = 4,93[V ]
Para (2):
Ie = (β + 1)Ib (1)
V5 = 68K ∗ Ib + 0,7 + 1K ∗ Ie (2)
V5 = 68K ∗ Ib + 0,7 + 1K ∗ (β + 1)Ib (3)
V5 −0,7
Ib = 68K+(β+1)1K
5− 0,7
Ib = 68K+(101)1K
Ib = 25,44[µω]
Figura 5: Polarización por divisor de voltaje de BJT NPN.
Ic = βIb
Para (1):
β = 100 Ic = 100 ∗ 25,44−6
2,54[mΩ]
LV Kmalla b
Ic ≈ Ie
68K ∗ Ib + 0,7 − 5 = 0
LV K malla de salida
V12 = Ic ∗ Rc + V ce + IeRe V ce = V c − IcRc
V ce = V12 − Ic(Rc + Re) V ce = 12 − 201−3 ∗ 2,73
V ce = 12 − 2,54−3(1K + 1K) V ce = 11,99[V ]
V ce = 6,92[V ]
E. Simular el circuito de la Figura 4 y observar el voltaje
V ce = Ie ∗ Re obtenido sobre la resistencia de carga.
V ce = 2,54−3 ∗ 13
V ce = 2,54[V ]
V c = V ce + V e
V c = 2,54 + 6,92[V ]
V c = 9,48[V ]
Figura 6: Polarización de base BJT NPN.
Para (3):
β = 100
V be = 0,7[V ]
Ib = V c−V be
Rb
12− 0,7
Ib = 5,63
Ib = 2,01[mA]
Figura 7: Polarización de emisor BJT NPN.
V Rb = Ib ∗ Rb
V Rb = 11,25[V ]
Ic = β ∗ Ib
Ic = 100 ∗ 2,01−3
Ic = 201[mA]
Figura 8: Polarización de base con alimentación común de
BJT NPN.
Figura 9: Polarización de emisor con alimentación común
de BJT NPN.
Figura 10: Polarización por divisor de voltaje de BJT NPN.
REFERENCIAS
[1] R. Boylestad and L. Nashelsky, Electronic devices and circuit theory.
Harlow: Pearson Education, 2014.
[2] [Link], 2019. [Online]. Available:
[Link]
[Accessed: 26- Nov- 2019].
[3] ”Transistor BJT”, [Link], 2019. [Online]. Available:
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Nov- 2019].
