Universidad Nacional Mayor de San Marcos
(Universidad nacional del Perú, Decana de América)
Facultad de ingeniería eléctrica y electrónica
Escuela de ingeniería eléctrica
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Universidad Nacional Mayor de San Marcos
(Universidad nacional del Perú, Decana de América)
Facultad de ingeniería eléctrica y electrónica
Escuela de ingeniería eléctrica
TRANSISTOR JFET
I. INTRODUCCIÓN:
También denominado Transistor de Efecto de Campo. Su nombre proviene del acrónimo
inglés Junction Field Effect Transistor. La principal característica de este tipo de
transistores es que prácticamente no requieren de corriente de entrada en su terminal de
control. Permite el paso, o no, de corriente entre Source y Drain, sus terminales, mediante
la aplicación de un voltaje en su terminal Gate.
Al no necesitar corrientes de polarización, como ocurre con los transistores bipolares, se
puede reducir el número de componentes externos necesarios para hacerlo funcionar.
II. ANTECEDENTES:
El amplificador JFET de fuente común utiliza transistores de efecto de campo de unión
como su dispositivo activo principal que ofrece características de alta impedancia de
entrada, es necesario encontrar un punto de reposo adecuado o "Q-point" para la
polarización correcta del circuito amplificador JFET con configuraciones de amplificador
único de fuente común (CS), drenaje común (CD) o seguidor de fuente (SF) y Common-
gate (CG) disponible para la mayoría de los dispositivos FET.
El circuito amplificador consiste en un JFET de canal N, pero el dispositivo también
podría ser un MOSFET de modo de agotamiento de canal N equivalente ya que el
diagrama de circuito sería el mismo solo un cambio en el FET, conectado en una
configuración de fuente común. La tensión de puerta JFET Vg está polarizada a través de
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la red de divisor de potencial establecida por las resistencias R1 y R2 y está polarizada
para operar dentro de su región de saturación que es equivalente a la región activa del
transistor de unión bipolar.
Como el N-Channel JFET es un dispositivo de modo de agotamiento y normalmente está
"ENCENDIDO", se requiere un voltaje de compuerta negativo con respecto a la fuente
para modular o controlar la corriente de drenaje. Esta tensión negativa puede
proporcionarse polarizando desde una tensión de fuente de alimentación separada o
mediante una disposición de polarización propia, siempre que una corriente constante
fluya a través del JFET incluso cuando no haya señal de entrada presente y Vg mantenga
una polarización inversa de la fuente de puerta pn. unión.
En nuestro ejemplo simple, la polarización se proporciona desde una red divisoria
potencial que permite que la señal de entrada produzca una caída de voltaje en la
compuerta así como un aumento de voltaje en la compuerta con una señal sinusoidal.
Cualquier par adecuado de valores de resistencia en las proporciones correctas produciría
la tensión de polarización correcta, de modo que la tensión de polarización de la puerta
de CC Vg se da como sigue
Tenga en cuenta que esta ecuación solo determina la relación de las resistencias R1 y R2
, pero para aprovechar la muy alta impedancia de entrada del JFET y reducir la disipación
de potencia dentro del circuito, necesitamos hacer que estos valores de resistencia sean
tan altos. como sea posible, siendo comunes los valores en el orden de 1MΩ a 10MΩ.
La señal de entrada ( Vin ) del amplificador JFET de fuente común se aplica entre el
terminal Gate y el rail zero volts, (0v). Con un valor constante de voltaje de compuerta
Vg aplicado, el JFET opera dentro de su "región Ohmica" actuando como un dispositivo
resistivo lineal. El circuito de drenaje contiene la resistencia de carga, Rd . El voltaje de
salida, Vout se desarrolla a través de esta resistencia de carga.
La eficiencia del amplificador JFET de fuente común puede mejorarse mediante la
adición de una resistencia, Rs incluida en el cable fuente con la misma corriente de
drenaje que fluye a través de esta resistencia. Resistor, Rs también se utiliza para
configurar los amplificadores JFET "Q-point".
Cuando el JFET se conecta por completo a "ON", se desarrolla una caída de tensión igual
a Rs * Id a través de esta resistencia, aumentando el potencial del terminal de fuente por
encima de 0v o nivel del suelo. Esta caída de voltaje a través de Rs debido a la corriente
de drenaje proporciona la condición necesaria de polarización inversa a través de la
resistencia de la puerta, R2 genera de manera efectiva la retroalimentación negativa.
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Por lo tanto, para mantener la unión de compuerta-fuente polarizada en reversa, la tensión
de fuente, Vs , necesita ser más alta que la tensión de compuerta, Vg . Por lo tanto, esta
tensión de fuente se da como:
Luego, la corriente de drenaje, Id también es igual a la corriente de la fuente, es como
"Sin corriente" ingresa al terminal de la puerta y se puede dar como:
Este potencial circuito de polarización del divisor mejora la estabilidad del circuito
amplificador JFET de fuente común cuando se alimenta desde una única fuente de CC en
comparación con la de un circuito de polarización de voltaje fijo. Tanto la resistencia, Rs
como el capacitor de derivación de fuente, Cs, cumplen básicamente la misma función
que la resistencia del emisor y el condensador en el circuito amplificador del transistor
bipolar de emisor común, es decir, proporcionan buena estabilidad y evitan una reducción
de la pérdida de ganancia de tensión. Sin embargo, el precio pagado por una tensión de
compuerta quiescente estabilizada es que una mayor cantidad de la tensión de
alimentación se reduce a través de Rs.
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III. OBJETIVOS:
Identificar como está conformado un transistor JFET
Polarizar el JFET
Hallar el VDS y el ID variando el voltaje en la fuente (VDD)
IV. EQUIPOS Y MATERIALES:
Resistencias
Transistor JFET
Cables conectores
Fuente DC variable
V. MEDICIONES:
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VI. CÁLCULOS MATEMÁTICOS:
Al armar el circuito con las resistencias indicadas en la pizarra nos dimos cuenta
que las mediciones que nos entregaba eran de VR2=2,606V y VRS=2,309V
Reemplazando estos datos en la Ecuación:
𝑉𝐺𝑆 = (𝑉𝑅2 − 𝑉𝑅𝑆 ) < 0
𝑉𝐺𝑆 = (2,606 − 2,309) = 0,297𝑣; 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑒𝑠𝑡𝑜 > 0
Al insertar el potenciómetro en lugar de la resistencia de 3.3k e ir variando
llegamos al valor de 1,672kΩ. El cual nos entrega los valores: VR2=1,461v y
VRS=1,464v
Reemplazando estos datos en la Ecuación:
𝑉𝐺𝑆 = (𝑉𝑅2 − 𝑉𝑅𝑆 ) < 0
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𝑉𝐺𝑆 = (1,461 − 1,464) = −0,03𝑣; 𝑠𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑒𝑠𝑡𝑜 < 0
Para este caso cumpliría que el IDSS=ID
VII. CONCLUSIONES:
Un amplificador JFET de fuente común tiene una muy buena relación entre sus
impedancias de entrada y salida y para cualquier cantidad de corriente de salida,
I OUT el amplificador JFET tendrá una ganancia de corriente muy alta Ai.
Los amplificadores JFET son extremadamente valiosos como circuitos de
adaptación de impedancia o se usan como amplificadores de voltaje. Del mismo
modo, porque: Potencia = Voltaje x Corriente, (P = V * I) y los voltajes de
salida son generalmente varios milivoltios o incluso voltios, la ganancia de
potencia, Ap también es muy alta.
VIII. BIBLIOGRAFÍA:
http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador-jfet-de-
fuente-comun.html
https://studylib.net/doc/18035154/2n5457---general-purpose-jfets
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