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Silicon Carbide

Este documento describe los dispositivos electrónicos de carburo de silicio y sus ventajas sobre los dispositivos de silicio convencionales. Los dispositivos de carburo de silicio pueden funcionar a temperaturas más altas, tienen características de conmutación superiores y son más pequeños. En particular, los diodos de carburo de silicio tienen un rango de temperatura de funcionamiento de -170°C a 300°C, lo que los hace ideales para aplicaciones espaciales y de alta potencia. Los MOSFET y diodos de barrera Schott

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Este documento describe los dispositivos electrónicos de carburo de silicio y sus ventajas sobre los dispositivos de silicio convencionales. Los dispositivos de carburo de silicio pueden funcionar a temperaturas más altas, tienen características de conmutación superiores y son más pequeños. En particular, los diodos de carburo de silicio tienen un rango de temperatura de funcionamiento de -170°C a 300°C, lo que los hace ideales para aplicaciones espaciales y de alta potencia. Los MOSFET y diodos de barrera Schott

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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
DEBER N°2

NOMBRE: Emerson Aldás López


FECHA: 22-10-2019
GRUPO: GR1

Dispositivos electrónicos a base de CARBURO DE SILICIO


Los dispositivos y circuitos electrónicos semiconductores a base de carburo de silicio
(SiC) se están desarrollando actualmente para su uso en condiciones de alta temperatura,
alta potencia y alta radiación bajo las cuales los semiconductores convencionales no
pueden funcionar adecuadamente. En el área particular de los dispositivos de potencia,
las evaluaciones teóricas han indicado que los rectificadores de diodos y de energía SiC
funcionarían en mayores rangos de voltaje y temperatura, tienen características de
conmutación superiores y, sin embargo, tienen tamaños de matriz casi 20 veces más
pequeños que los dispositivos basados en silicio clasificados correspondientemente.
Los componentes de SiC dominan temperaturas mucho más altas Para los componentes
de potencia bipolares basados en el Si se recomienda en general una temperatura de
servicio inferior a 125 ˚C, mientras que los componentes unipolares, como los MOSFET,
pueden utilizarse hasta una temperatura de 150 ˚C.

Diodos de carburo de silicio para aplicaciones de alta potencia

Rango de temperatura de funcionamiento inusualmente amplio que lo hace idóneo para


espacio y ambientes hostiles. La peculiaridad de estos diodos es su rango de temperatura
de funcionamiento inusualmente amplio, de -170ºC a 300ºC, no existe actualmente en el
mercado ningún producto equivalente.
Los MOSFET y diodos de barrera Schottky de SiC de Microchip ofrecen
una conmutación más eficiente a frecuencias más altas y superan las pruebas de robustez
a niveles que se consideran críticos para garantizar la fiabilidad a largo plazo.

SCT2450KE (FET)
Fig.1. Estructura de un MOSFET basado en SiC
Tiristores bipolares de SiC para tensiones superiores a 10 kV
Como ya se ha mencionado, el diseñador de circuitos de conmutación utiliza
componentes bipolares sólo si la tensión de Substratos experimentales SiC (wafers) de
distintas dimensiones con estructura de diodos. Estos defectos tienen un diámetro de cerca
de 1 µm y este servicio es demasiado alta para los componentes unipolares (MOSFET y
diodos Schottky). En el futuro, el uso de SiC en las estructuras MOSFET y en los diodos
Schottky permitirá alcanzar una tensión de ruptura mucho más alta que con el Si. Por
tanto, previsiblemente se emplearán estructuras MOSFET en la mayoría de aplicaciones.
Esto es válido especialmente para las tensiones de servicio de hasta varios kilovoltios
Fuente
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