UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN JUAN.

FACULTAD DE INGENIERIA.
DEPARTAMENTO DE ELECTRONICA Y AUTOMATICA.
GABINETE DE TECNOLOGIA MEDICA.
Area: Electrónica Analógica.
Asignatura: "Electrónica Analógica I"
Carrera: Bioingeniería.
Año lectivo: 2016

GUIA DE APRENDIZAJE Y AUTOEVALUACION

UNIDAD N°° 3
EL TRANSISTOR DE UNION. FUNDAMENTOS Y APLICACIÓN.

Actividades a desarrollar por los alumnos:

1- Leer y comprender el libro de texto de la cátedra.

2- Realizar el práctico de gabinete que se propone a continuación:

PRACTICO DE GABINETE

El alumno deberá resolver los siguientes ejercicios:

1) Calcular el punto de reposo de las siguientes configuraciones:

VCC = 12V VCC = 6V

vBE = 0.7V vBE = 0.7V
RB = 100KΩ RE = 1KΩ
RC = 1KΩ R1 = R2 = 5KΩ
β = 50. β = 40.

a) b)

VCC = -10V
vBE = 0.7V
RC = 2KΩ
RE = 1K
R1 = 8KΩ
R2 =3KΩ
c) β = 40.
2) Dados los siguientes circuitos realizar para cada caso:
a. Dibujar la línea de carga.
b. ¿Cuál es la corriente de saturación, y cuál es el voltaje de corte?
c. Si se elimina el voltaje de la base, ¿a qué es igual VCE?
d. Suponiendo que se conecte un LED en serie con la resistencia de 10KΩ de la figura a),
¿a qué es igual la corriente LED?

Rc = 10KΩ Rc = 470Ω
Rb = 47KΩ Rb = 4.7KΩ

a) b)

3) Hallar VBB para saturar y cortar al transistor. Diseñar el divisor de tensión.

VCC = 10V
VCE sat = 0.1V
VBE = 0.7V
β = 100
RC = 1KΩ
RE = 1KΩ
RB = 10KΩ

4) ¿Cuál es la corriente máxima posible de colector en la figura siguiente? Si VBB es 2V, ¿cuál es el
voltaje de colector a tierra?

RC = 910Ω
RE =180Ω
VCC = 10V

5) Hallar el punto de reposo del siguiente circuito amplificador para VBB = 1.5V y VBB = 10.7V.

VCC = 10V
VCEsat = 0.1V
β = 100
RC = 1KΩ
RB = 10KΩ
6) En el circuito de la figura, el voltaje colector a tierra es +20V. ¿Cuál de las siguientes es la causa
probable de la falla?
a. Terminales colector-emisor en cortocircuito.
b. Resistor de 10KΩ abierto.
c. Resistor de 47KΩ abierto.
d. Terminales colector-base en cortocircuito.

Rc = 10KΩ
Rb = 47KΩ

7) En el amplificador de la figura se desea hallar los valores de R1 y R2.

a. Para β = 100.
b. Para 20 < β < 60; VCEQ = 5V; ICQ no debe variar más del 10%.

VCC = 25V
RC = 1.5KΩ
RE = 1KΩ

8) Dado el siguiente circuito hallar:

VCC = 10V
VBE = 0.7V
α = 0.99
RC = 900Ω
RL = 900Ω
RE = 100Ω
CI → ∞
CE → ∞
CC → ∞

a. El valor de R1 y R2 para obtener una excursión simétrica máxima de la corriente de

carga.
b. Calcular la potencia disipada en cada resistencia (en c.c. y c.a.) y en el transistor.
Compararla con la potencia suministrada por la fuente VCC, despreciando la potencia
suministrada por la fuente de señal y la potencia de c.a. disipada en la red de polarización.
Dibujar la recta de carga de c.c., la recta de carga de c.a. y la hipérbola de máxima
disipación del transistor.
 c. Elegir del siguiente lote de transistores, el o los transistores que podrían trabajar en el
circuito.

Trans. Vbe(V) Icmáx(mA) BVce(V) Pt(mW) hfe ft(Mhz)

BC 109 0.70 200 20 300 900 300
BC 147 0.70 200 45 250 500 300
BF 183 0.74 30 20 145 115 200
BF 198 0.70 25 30 500 100 400

9) Con los valores de R1 y R2 calculados en el problema N°8, determinar el punto de reposo Q,

considerando:
a. CC un cortocircuito.
b. CE un circuito abierto.
c. Dibujar la recta de carga de c.c. y c.a. y compararlas con las dibujadas en el punto anterior.

10) Hallar el punto de reposo y la excursión simétrica máxima para el siguiente circuito.

VCC = 10V
VEE = -10V
VBE = 0.7V
β = 100
RB << β.RE
RE = 100Ω
RC = 50Ω
RL = 150Ω

11) Diseñar el siguiente circuito, empleando un transistor de Si del tipo 2N3565, para cumplir las
siguientes especificaciones en el intervalo de temperaturas de 25°C a 65°C:

β tiene una dispersión de 150 a

600 (para IC = 1mA y T = 25°C)
βmín (a 25°C) = 150
βmáx (a 65°C) = 1200
∆IC / IC ≤ 15%
VBE (a 25°C) = 650 ± 50mV
VCC = 20V
ICO (a 25°C) = 50 ηA máx
ICO (a 65°C) = 3 µA máx

12) Dibujar el modelo de c.a. y determinar ∆e, ∆v, Zi que ve Vi, para el siguiente circuito:

β = 100
Ri = 3.6KΩ
Rb = 80KΩ
RC = 3KΩ
rE’ = hie / (hfe +1) = 20Ω
Ci → ∞
Cc → ∞
13)En el circuito dado, calcular: VCEQ, Ai e impedancia de entrada y salida , siendo β =100 (Si)

14) Diseñar una etapa amplificadora como la mostrada, para máxima ganancia de voltaje. Se utiliza
un transistor con βca= hfe=10; hoe= 10-4[Ω]-1 ( a 1mA) y hre≅0. Suponer hoe proporcional a ICQ
( hoe= 10-4[Ω]-1. ICQ/1mA), y Vcc= 40V, RE=50 Ω y Rl= 10K.
a) Dibujar el circuito equivalente de CA
b) Hallar R1 y R2
c) Calcular Ai y Av

15) El siguiente amplificador trabaja con un transistor de germanio, con β= 100; para ESM. Dibujar
las formas de ondas de las tensiones de colector y emisor.
16) Dado el siguiente circuito amplificador:
a. Hallar Rb para una ICQ = 0.5mA
b. Si la excursión de la corriente en la carga no es la máxima, recalcular Rb. Dibujar la
forma de onda en el colector, trabajando en señal, con sus valores correspondientes.
c. Usando parámetros híbridos, calcular el máximo valor de Vi para obtener una salida sin
recorte.

VCC = 4V
RC = 2KΩ
RE = 75Ω
RL = 1KΩ
Ri = 600Ω
βcc = 40
βca = 65

17) Para el siguiente amplificador:

a. Dibujar el modelo de c.a.
b. Seleccionar RB para obtener VCEQ = 6V.
c. Encontrar Ii y Vsal para Ei = 2V.
d. Calcular la impedancia de salida Zs del circuito.

VEE = 10V
RE = 2KΩ
RL = ∞ y RL = 2KΩ
β = 100
rE’ = 50mV / IEQ
hie = 50mV / IBQ

18) Encontrar RB para máxima excursión simétrica. ¿Qué valor de Ei será necesario para lograr esa
oscilación a la salida?

VCC = 8V
β = 60
rE’ = hib = 25mV / IEQ
Ri = 10KΩ
RC = 12KΩ
RE = 3KΩ

19) Dado el circuito amplificador de la figura:

a) Determinar el valor de RE y de la fuente de alimentación de CC, V, que permita obtener una
excursión simétrica máxima pico a pico de 3 V sobre RL.
b) Dibujar las rectas de carga de corriente continua y alterna, y situar el punto de reposo.
 c) Dibujar las formas de onda de tensión, especificando valores, de:
• Tensión de emisor.
• Tensión de colector.
• Tensión colector emisor.
• Corriente de colector
• Tensión de salida.

d) Calcular la impedancia de entrada, salida y el máximo valor de corriente de entrada.

Ci = CL → ∞
βCC = hFE = 100
βCA = hfe = 250
Ri = 50Ω

20)
a) Determinar el valor de RB y de la fuente de alimentación de CC, V, que permita obtener una
excursión simétrica máxima pico a pico de 2 V sobre RL. El diseño deberá responder a las
siguientes especificaciones:
• Impedancia de entrada Ze ≅ 25 KΩ
• Potencia del transistor en CC, PT < 5 mW.
b) Dibujar las rectas de carga de corriente continua y alterna, y situar el punto de reposo.
c) Dibujar las formas de onda de tensión, especificando valores, de:
• Tensión de emisor.
• Tensión de colector.
• Tensión colector emisor.
• Corriente de colector
• Tensión de salida.
 d) Calcular el máximo valor de la tensión y corriente de entrada.

Ci = CL → ∞
βCC = hFE = 100
βCA = hfe = 250
Ri = 50Ω

21) En el circuito amplificador de la figura:

a) Determinar el valor de RB, y de la fuente de alimentación de CC, V, que permita obtener
una excursión simétrica máxima pico a pico de 2 V sobre RL. El diseño deberá responder a
las siguientes especificaciones:
• Impedancia de entrada Ze ≅ 30 KΩ
• Potencia del transistor en CC, PT < 5 mW.
b) Dibujar las rectas de carga de corriente continua y alterna, y situar el punto de reposo.
c) Dibujar las siguientes formas de onda, especificando valores, de:
• Tensión de emisor.
• Tensión de colector.
• Tensión colector emisor.
• Corriente de colector
• Tensión de salida
d) Calcular el máximo valor de la corriente y tensión de entrada .
Ci = Co → ∞
βCC = hFE = 100
βCA = hfe = 250
Ri = 50 Ω

22) En el circuito amplificador de la figura determinar:

a) El punto de reposo del circuito, que permite disipar en la carga una potencia de 16 mW, de
modo tal que el transistor disipe la mínima potencia.
b) Calcular el valor de Rb .
 c) Por efecto térmico el valor de β puede variar entre 50 y 150, especificar el máximo ∆ICQ en
forma porcentual, y diseñar otro circuito de polarización que tienda a reducir este valor.
d) Dibujar , especificando valores, las siguientes formas de ondas:
• Tensión de emisor.
• Tensión de colector.
• Tensión colector emisor.
• Corriente de colector
• Tensión de salida 1KΩ C
e) El máximo valor de la corriente de entrada,
para la máxima excursión en la salida .

Ci
β = 100

RB
Co

1 KΩ RL = 2 KΩ

V = 40 V

23) Dado el circuito amplificador de la figura, determinar:

a) El punto de reposo del circuito, que permite disipar en la carga una potencia de 4 mW, de
modo tal que el transistor disipe la mínima potencia.
b) Calcular el valor de Rb .
c) Por efecto térmico el valor de β puede variar entre 50 y 150, especificar el máximo ∆ICQ en
forma porcentual, y diseñar otro circuito de polarización que tienda a reducir este valor.
d) Dibujar , especificando valores, las siguientes formas de ondas:
• Tensión de emisor.
• Tensión de colector.
• Tensión colector emisor.
• Corriente de colector
• Tensión de salida
e) El máximo valor de la tensión de 1KΩ Co
entrada, para la máxima excursión
en la salida .
Ci
β = 100

RL = 2 KΩ

RB
333 Ω

V = 22 V
24) Dado el circuito amplificador de la figura:
a) Dibujar las rectas de carga de corriente continua y alterna, y situar el punto de reposo que
permita obtener la máxima excursión simétrica pico a pico de 2 V sobre RL. Se impone
como condición de diseño, que el transistor disipe mínima potencia.
b) Calcular el valor de R1, que permita la polarización calculada en a)
c) Si la impedancia de entrada del circuito amplificador es inferior a 2 KΩ, rediseñar el valor
de R1 y R2, a fin de obtener dicha impedancia.
d) Dibujar las formas de onda de tensión, especificando valores, de:
• Tensión de emisor.
• Tensión de colector.
• Tensión colector emisor.
• Corriente de colector
• Tensión de salida.

e) Calcular la impedancia de salida y el máximo valor de corriente de entrada.

Ci = Co = Cr → ∞
βCC = hFE = 100
βCA = hfe = 250

25) En el siguiente circuito amplificador, calcular:

a) Las coordenadas del punto de polarización, considerando:
• La máxima excursión simétrica en Rl de 8 V p-p
• La impedancia de entrada del circuito Ze =50 KΩ
• Mínima la disipación de potencia en corriente continua en Re
• El valor de la fuente de cc, V
b) Dibujar la Recta de carga de CC y CA, consignando los valores extremos y ubicando el
punto de polarización.
c) Dibujar las formas de onda de tensión, especificando valores, de:
• Tensión de emisor.
 • Tensión de colector.
• Tensión colector emisor.
• Corriente de colector
• Tensión de salida.

d) Calcular la impedancia de salida y el máximo valor de corriente de entrada para la máxima

excursión en la salida.