Teorema de Miller
En el comportamiento de alta frecuencia de un amplificador es importante las capacidades inter-
terminales asociadas a los dispositivos activos. En amplificadores monoetapa inversores cuya
ganancia está desfasada 180º (Av es negativa) la capacidad de realimentación conectada entre la
entrada y la salida influye de una manera significativa sobre la frecuencia de corte superior y limita
su ancho de banda. Este fenómeno se denomina efecto Miller. En la figura 3.7 se muestra
gráficamente la aplicación del teorema de Miller sobre la capacidad Cƒ. Esta capacidad de
realimentación se puede descomponer en dos, C1 y C2, resultando el circuito equivalente de la
derecha. A la capacidad C1 se le denomina capacidad de entrada Miller e indica que en un
amplificador inversor la capacidad de entrada se incrementa en un término que depende de la
ganancia del amplificador y de la capacidad conectada entre los terminales entrada y salida del
dispositivo activo. Obsérvese que si Av>>1, entonces
Respuesta a alta frecuencia de transistores
Similar al análisis realizado anteriormente, en la figura 3.8.a se muestra una red RC con frecuencia
de corte superior. Esta red a frecuencias bajas transmite la señal de salida a la entrada (figura 3.8.b)
y a frecuencias altas el condensador se sustituye por un cortocircuito (figura 3.8.c) resultando que
Vo=0. El diagrama de Bode de la figura 3.8.d indica que el circuito tiene una frecuencia de corte
superior, ƒH, a partir de la cual la pendiente es de 20dB por década. Fácilmente se comprueba que
la relación entre la tensión de salida y entrada de este circuito es
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La determinación de la ƒH en amplificadores básicos puede simplificarse si se hace la siguiente
aproximación: las reactancias de cada uno de los condensadores de un amplificador que delimitan
ƒH es muy alta, prácticamente un circuito abierto, en comparación con las impedancias del resto del
circuito. Es decir, el efecto de las reactancias de los condensadores a la frecuencia ƒH todavía no es
muy importante. Esto permite aplicar el principio de superposición estudiando la aportación
individual de cada uno de los condensadores a la frecuencia de corte superior. Si se extiende la
ecuación 3.16 a una red con múltiples condensadores se obtiene la siguiente expresión
Donde Ci es un condensador interno y Ri1 la resistencia vista a través de los terminales de este
condensador, supuesto el resto de condensadores externos en circuito abierto. Por consiguiente, la
ƒH se define como
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Modelo de alta frecuencia de transistores bipolares
Hay dos factores que definen el comportamiento en alta frecuencia de los transistores bipolares: la
dependencia de la hfe con la frecuencia y los condensadores internos. En la gráfica de la figura 3.9.a
se observa esta dependencia y se definen dos frecuencias: f ß, frecuencia de corte superior que es
la frecuencia a la cual decae en 1/ 2 ≈0.707 la hfe a frecuencias medias especificada por hfeø, y ƒT,
frecuencia de transición definida como la frecuencia a la cual la hfe vale 1. El fabricante proporciona
el valor de ƒT en función de la corriente de colector (figura 3.9.b), siendo éste un parámetro
importante que fija el ancho de banda del transistor.
En la figura 3.10.a se muestra el modelo simplificado a alta frecuencia de un transistor bipolar. Está
constituido por dos capacidades dominantes: Cbc o Cob o Cc , y Cbe o Cib o Ce , las cuales varían
con la tensión inversa (reverse voltage). Cbc se obtiene gráficamente calculando la VBC del
transistor (tensión inversa de la unión colector-base). Cbe tiene asociada dos capacidades, difusión
del emisor y de unión emisor-base. Al ser la primera mucho mayor que la segunda, esta capacidad
se puede estimar como
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siendo VT el potencial térmico que vale 25mV a 25ºC. La relación entre ƒT y ƒß y esas capacidades es
la siguiente
E-C en frecuencias altas: efecto Miller
El amplificador en emisor común, cuyo circuito equivalente en alterna se muestra en la figura 3.11.a,
presenta una respuesta en frecuencia limitada por la capacidad de entrada. Para comprobar este
efecto, el circuito equivalente de pequeña señal y alta frecuencia de la figura 3.11.b es transformado
en el circuito equivalente de la figura 3.11.c si se aplica el teorema de Miller sobre la capacidad Cbc.
Este teorema, descrito en el apartado 3.5, permite descomponer esa capacidad en dos, una de valor
(1-Av)Cbc que se suma a Cbe incrementando significativamente la capacidad de entrada Ci (efecto
Miller) al ser |Av| >>1, y otra de valor (1-1/Av)Cbc de pequeño valor cuyo efecto en la frecuencia
de corte superior es despreciable y puede eliminarse. Fácilmente se determina la ƒH de este circuito
si aplicamos la ecuación 3.18 al condensador Ci se obtiene
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