CMOS

INDICE

- FENOMENOS DE LAS DESCARGAS ELECTROMAGNETICAS

DE LOS CMOS
- INDICE SEGUN LAS CARACTERISTICAS DE LOS CMOS
 LA FAMILIA LOGICA CMOS

La familia lógica CMOS es, junto con la TTL, una de las familias lógicas más
populares. Utiliza transistores MOSFET complementarios (canal N y canal P) como
elementos básicos de conmutación. CMOS es una abreviación de Complementary
Metal Oxide Semiconductors (semiconductores complementarios de óxido
metálico). Los circuitos integrados digitales fabricado mediante tecnología CMOS
se pueden agrupar en las siguientes categorías o subfamilias básicas:

CMOS ESTANDART
CMOS DE ALTA VELOCIDAD (HC)
CMOS COMPATIBLE CON TTL (HCL)
CMOS EQUIVALENTE A TTL c

Familia CMOS estándar

La familia CMOS estándar comprende principalmente los dispositivos que se
designan como 40XX (4012, 4019), etc.) Y 45XX (4528, 4553, etc.). Existen dos
series generales de dispositivos CMOS designadas “A” y “B”.
Los dispositivos de la serie “A” se designan con el sufijo A (por ejemplo 4011A) o
simplemente no lo traen (4011 = 4011A). Todos los dispositivos de la serie “B” llevan
el sufijo B (por ejemplo 4029B).
La principal diferencia entre los dispositivos de las series A y B está en que los
CMOS “B” contienen una circuitería interna de protección que reduce el riesgo de
daño del dispositivo por el fenómeno de descarga electrostática .
De otro lado, los dispositivos CMOS “B” tienen frecuencia de operación más altas,
tiempos de propagación más cortos y mayor capacidad de salida (fan-out) que los
dispositivos de la serie “A”. En este curso se trabaja con dispositivos de ambas
series (40XX, 40XXB, 45XX y 45XXB) pero preferiblemente con los e la serie B
Características de los circuitos integrados (74C14, 74C164, rtc.). Son pin por pin y función por
CMOS función equivalentes a los dispositivos TTL
correspondientes (especialmente a los de la serie 74L)
Las características más sobresalientes de las familias Conservan todas las características comunes a los
CMOS estándares 40 y 45 son, a grandes rasgos, las dispositivos CMOS estándares: baja disipación de
siguientes: potencia, buena velocidad de operación, amplios
márgenes de oltaje, alta inmunidad al ruido, etc.
Baja disipación de potencia. Es la ventaja más Se espera que la 74C sea la serie CMOS estándar del
sobresaliente. En estado de reposo, una compuerta futuro. Es un 50% más rápida que las series 40 y 45,
CMOS típica consume alrededor de 10 nanovatios. pero consume un 50% más de potencia.
Este bajo consumo de potencia simplifica el diseño y el
costo de la fuente de alimentación. CMOS de alta velocidad. Comprende los dispositivos
Por esta razón, los circuitos integrados CMOS se designados como 74HCXX y 74HCXXX (74HC85,
utilizan extensamente en equipos operados por pilas o 74HC373, etc.). Tienen las mismas características de
baterías. entrada y de alimentación de los dispositivos CMOS
estándares y son pin por pin compatibles con los
Buena verdad de operación. Los circuitos dispositivos TTL. LS correspondientes (74LS85,
integrados CMOS son típicamente más lentos que los 74LS373, etc.).
TTL pero suficientemente rápidos para la mayoría de La serie 74HC ofrece velocidades de operación
las aplicaciones. Pueden operar a frecuencias hasta comparables a los de la serie 74LS TTL Schottky de
de 10 Mhz y tienen tiempos de propagación del orden baja potencia y superiores a las de las series 40, 45 y
de 10 a 50 nanosegundos por compuerta. 74C. En los demás aspectos, sus características son
similares a las de estas últimas. Siguen siendo
sensibles al daño por electricidad estática.
Amplios márgenes de tensión de
alimentación CMOS de alta velocidad con entradas TTL
Los dispositivos de la serie 40XXA pueden operar con
tensiones entre + 3 y + 15 voltios y los de la serie Comprende los dispositivos designados como
40XXB con tensiones entre + 3 y + 18 voltios. La 74HCTXX y 74HCTXXX (74HC74, 74HC190, etc.).
tensión de alimentación se designa como VDD. Poseen las mismas características de los dispositivos
Algunos valores típicos para VDD son +5V y + 10V. HC, excepto que sus entradas son compatibles con los
Este, amplio rango de alimentación permite utilizar niveles lógicos de TTL. Tienen la misma configuración
fuentes de voltajes no reguladas. de pines de los dispositivos TTL Schottky de baja
Cuando se emplean circuitos TTL y CMOS en el potencia o LS.
mismo sistema, se utiliza generalmente una tensión de Los dispositivos HCT constituyen la mejor alternativa
alimentación de + 5V. de que se dispone actualmente para convertir total o
Cuando hay circuitos TTL y CMOS trabajando a parcialmente sistemas basados en lógica CMOS.
tensiones diferentes deben hacerse compatibles los
niveles lógicos de ambas familias mediante circuitos COMPARACION DE LAS FAMILIAS LOGICAS
apropiados de interfase.
Una tecnología ideal debería producir dispositivos con
Los niveles de voltaje de 0 a 0.3 VDD, para estado una velocidad de operación muy alta y un consumo de
bajo y de 0.7 VDD para el estado alto. Por ejemplo, potencia muy bajo. Como hemos visto. Ninguna de las
si se utiliza una tensión de alimentación VDD de 10V. tecnologías antes analizadas satisface al mismo
Los dispositivos CMOS interpretarán un voltaje entre 0 tiempo ambas condiciones porque las rápidas
y3 voltios como un estado lógico bajo ó 0 y un voltaje consumen más potencia y viceversa.
entre 7 y 10 voltios con un estado lógico alto ó 1.
En la figura siguiente se comparan cualitativa y
Alta inmunidad al ruido. Los circuitos CMOS son gráficamente las familias TTL 74, 74L, 74H, 74S, 74LS,
esencialmente inmunes al ruido electromagnético 74ALS, 74AS y las familias CMOS 40, 45, 74C, 74HC
(EMI) externo generado por aparatos eléctricos, líneas y 74HCT, desde los puntos de vista de velocidad y
de transmisión, descargas atmosféricas, etc. consumo de potencia.
Esta característica los hace excelentes en aplicaciones Como puede verse, los dispositivos fabricados con
industriales y automotrices, donde son comunes los tecnología CMOS de alta velocidad (HC) son lo más
altos niveles de ruido. próximo al ideal de familia lógica.
La tecnología HC proporciona el mejor compromiso
Otros circuitos integrados CMOS entre velocidad de operación y consumo de potencia
Además de las series CMOS estándares 40 y 45 de todas las tecnologías de fabricación de citcuitos
existen varias subfamilias CMOS cada vez más integrados digitales.
importantes. Las más conocidas son:

CMOS equivalente a TTL. Comprende los

dispositivos designados como 74CXX y 74CXXX
Entre los dispositivos TTL, excluyendo los de las estáticos excesivos entre ellos.
familias avanzadas, sobresalen por sus características
de velocidad y consumo los fabricados con tecnología Otros métodos son puro sentido común: un dispositivo
Schottky de baja potencia (LS). CMOS no debe manipularse más de lo necesario. Esto
es aplicable también a dispositivos TTL Schottky y en
En el momento actual, la 74LS es la serie más general a cualquier circuito integrado.
importante de la familia TTL y la más utilizada.
Los dispositivos CMOS vienen generalmente
EL FENOMENO DE LAS DESCARGAS empacados en contenedores que sirven para reducir
el riesgo de daño por descarga electrostática y
ELECTROSTATICAS DE LOS CMOS mantienen todos los pines al mismo potencial. Los
contenedores más comunes (espumas y fundas)
Todos los dispositivos CMOS son particularmente antiestáticas) se ilustran en la figura siguiente.
susceptibles al daño por descarga electrostática (ESD)
entre cualquier par de pines. Es prudente conservar los dispositivos CMOS en sus
contenedores originales hasta que sea tiempo de
La electrostática o electricidad estática consiste en la utilizarlos en el circuito de aplicación.
creación, conciente o inconsciente, de los altos Cuando se manipulan dispositivos CMOS puede ser
voltajes en la superficie de un material aislante por necesario adoptar precauciones extras para prevenir
efecto de fricción o frotamiento. descargas estáticas. Se recomienda, por ejemplo, que
el usuario y la superficie de trabajo estén puestos a
Esta sensibilidad a la carga estática se debe a la tierra, esta última a través de una alta resistencia (2 a
extremadamente alta impedancia de entrada que 10 M).
caracteriza a los transistores MOS.
Otro método es incrementar la humedad relativa del
Esta alta impedancia permiten que se desarrollen sitio de trabajo. Las herramientas también deberán
fácilmente voltaje prohibitivos, capaces de destruir la estar preferiblemente puestas a tierra.
delgada capa de óxido aislante que separa la
compuerta del canal en estos dispositivos. Las tarjetas de circuito impreso y en general los
productos terminados que contienen dispositivos
La electricidad estática está siempre presente en CMOS deberán ser manipulados de la misma forma
cualquier ambiente de trabajo. Se genera cada vez que los circuitos integrados individuales y almacenarse
que se frotan dos materiales diferentes. en espumas o bolsas antiestáticas.
Cuando usted camina a través de una alfombra en un En resumen, existen tres reglas básicas para utilizar
día seco, usted genera un voltaje estático (créalo) de circuitos integrados CMOS y prevenir su daño por
35000 V (35 KV) y manipulando una bolsa plástica electricidad estática:
usted genera 20000 (20 KV).
1.- Conserve el circuito integrado en su contenedor
Un circuito integrado CMOS se destruye con voltajes original hasta que sea insertado en el circuito de
estáticos entre 250 y 3000 V y cuando usted lo utilización.
manipula inadecuadamente puede aplicarle hasta
6000 voltios de electricidad estática. 2.- Conecte todas las entradas no utilizadas a un nivel
estable; esto es, envíelas al positivo o al negativo de la
El efecto inmediato de una descarga electroestática de fuente, dependiendo del circuito. No las deje flotantes.
alto voltaje de un circuito integrado CMOS es la
destrucción definitiva o el deterioro a corto o largo 3.- Revise cuidadosamente la polaridad de la fuente de
plazo de la capa de óxido aislante que separa la alimentación. El positivo debe ir al terminal identificado
compuerta del canal en sus transistores MOSFET de como VDD o VCC y el negativo o tierra al terminal
entrada. identificado como VSS o GND en el manual del
fabricante o en las especificaciones.
El daño por descarga electrostática de los dispositivos
CMOS puede ser controlado o incluso eliminarse el
uso de una estrategia apropiada de prevención.

La idea básica detrás de la mayoría de técnicas es

mantener todos los pines del dispositivo al mismo
potencial, para evitar que se desarrollen voltajes