EL TRANSISTOR IGBT
Transistor IGBT. Es un componente electrónico diseñado para controlar principalmente altas
potencias, en su diseño está compuesto por un transistor bipolar de unión BJT y transistor de
efecto de campo de metal oxido semiconductor MOSFET.
ESTRUCTURA
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son
controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una acción
regenerativa. Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera
similar a un MOSFET de canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n se sustituye
con un drenaje + p + capa de colector, formando una línea vertical del transistor de unión
bipolar de PNP.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta
de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta
corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar,
combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y
un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras
que las características de conducción son como las del BJT. En la
figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo
cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C).
- FUNCIONAMIENTO.
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta
cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es
aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto
a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud
aproximada de 15 volts, puede causar que el tiempo
de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la
corriente de colector ID es igual a la corriente de carga
IL (asumida como constante). Una vez encendido, el
dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en
el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la
disipación de potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal
de voltaje VG de la terminal G. La transición del
estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que
la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener
un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita.
- PARÁMETROS.
ICmax Limitada por efecto Latch-up.
VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us.
y pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y
3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores
mayores)
Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
En la actualidad es el dispositivo más usado para potencias entre varios kW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.
- Aplicaciones del IGBT.
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este
es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los Variadores
de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y convertidores de potencia
que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes
de
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, D
omótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
- SÍMBOLO.
CUBIERTAS
Las cubiertas en los que se encuentran los IGBTs son básicamente los mismos encontrados para los transistores
de Transistores Bipolares y para los MOSFETs de potencia.
Esto significa que simplemente observando estos componentes no podemos saber de qué se trata. Necesitamos
tener el número de tipo para poder, a través de una Datasheet de información saber exactamente de qué se trata.
CÓMO PROBAR IGBTS
Una de las pruebas más comunes para una prueba de IGBT es la prueba dinámica que consiste en colocar como
carga una lámpara de 40 a 100 W en su colector y alimentar el circuito con una tensión de hasta 100 VDC.
Con la compuerta conectada al emisor del transistor, debe permanecer en el corte y con esto la lámpara extinguida.
Conectando la compuerta al colector (que debe hacerse con una resistencia de 10 k ohms), el transistor se satura y
la lámpara se ilumina. Este procedimiento dinámico se
muestra en la figura
Si la lámpara permanece encendida en ambas pruebas, el
IGBT es corto y si permanece apagado, el IGBT está
abierto. El lector debe ser consciente de la tensión máxima
que se puede aplicar entre la compuerta y el emisor del
transistor, que suele ser de 20 V.
Si la prueba se realiza con tensiones más grandes, la
tensión aplicada a la cancela debe ser siempre inferior a 20
V.
- CURVA CARACTERÍSTICA.
