Transistor JFET.
El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el paso de
una cierta cantidad de corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea principal;
existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de canal p, lo que se comente para el
de canal n, es similar para el de canal p, la diferencia será el sentido de las corrientes
y las tensiones sobre el JFET; constan de 3 pines, los cuales reciben los nombres
de drenaje (D), compuerta (G) y fuente (S); lo que hace el JFET es controlar la
cantidad de corriente que circula entre el drenaje y la fuente, esa corriente se
controla mediante la tensión que exista entre la
compuerta y la fuente.
En este caso el 2N3819, se muestran los 3 pines
que tiene con sus nombres, el orden va depender
del JFET, se tiene que ver su hoja de datos para
conocerlos.
La siguiente es la representación simbólica de los JFET
Están formados
Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y tipo p, al igual que los
diodos; la figura que sigue es una representación para comprender como están
distribuidos los materiales semiconductores para el de canal n y el de canal p, y las
conexiones de los pines a estos semiconductores,
En la figura anterior se puede ver que para el JFET de canal n, al material
semiconductor tipo n se le han conectado en extremos opuestos el drenador(D) y la
fuente(S), mientras el material tipo p se conecta a la compuerta(G), se observa que
hay un paso o un canal entre el drenador y la fuente, formado por el semiconductor
tipo n de allí el nombre de canal n, el cual está rodeado por el material
semiconductor tipo p, entre la compuerta y la fuente se forma un diodo, en el
transistor JFET lo que se hace es polarizar en inversa este diodo, para el caso del
JFET de canal n la tensión de polarización de dicho diodo tiene que ser negativa y
a lo mucho igual a cero, se la representa como VGS (tensión compuerta fuente), lo
que se logra al hacer esto es que la región de agotamiento del diodo se puede
controlar variando la tensión VGS, cuando la VGS=0 la región de agotamiento del
diodo será mínima y el canal n será lo más ancho que pueda; si poco a poco la
tensión VGS se hace negativa, esta hará que la región de agotamiento del diodo
crezca, ya que el diodo se polariza en inversa, esto a su vez hace que el canal
semiconductor se angoste, llegará un momento que la VGS sea lo suficientemente
negativa que hará que la región de agotamiento sea tan grande como para que el
canal semiconductor desaparezca o se cierre; a esa tensión se le conoce como
tensión compuerta fuente de apagado o de corte del JFET y se representa como
VGSoff.
Para polarizar un JFET de canal n, de la batería o fuente de alimentación VGG que
se use entre la compuerta y la fuente se conectará su polo negativo hacia la
compuerta(G) y hacia la fuente(S) su polo positivo; la batería o fuente de
alimentación VDD que se conecta entre el drenaje y la fuente, es la encargada de
suministrar la corriente que se controla con la VGS, VDD se conecta con su polo
positivo en el drenaje(D) y el negativo a la fuente(S);
Si el JFET es de canal p las conexiones de las alimentaciones se invierten, tal como
se ve en la imagen siguiente:
De la figura anterior se puede ver que al estar polarizado el diodo entre la compuerta
y la fuente en inversa, la corriente que se aparece a través de la compuerta IG es
muy pequeña, del orden de los nA, por eso se considera que IG=0, también es por
este motivo que se dice que el JFET tiene una alta impedancia de entrada,
propiedad que se aprovecha en los amplificadores basados en el JFET; la corriente
que circula entre el drenaje y la fuente se conoce como corriente de drenaje ID, el
valor de esta corriente depende del valor de la tensión VGS; como se ha visto
anteriormente al hacer variar la VGS se logra que la región de agotamiento aumente
o disminuya, lo que hace que el canal por el que circula la corriente de drenaje ID
disminuya o aumente, al disminuir o aumentar el canal se controla la cantidad de ID
que circula por el JFET; esta es la forma que se controla la corriente por tensión con
el transistor JFET.
Cuando VGS=0 la región de agotamiento será mínima, en este caso si la tensión
entre el drenaje y la fuente VDS se aumenta la corriente de drenaje ID aumentará
también, pero llegará un momento que la corriente ID deje de aumentar por más
que se aumente la VDS, en ese momento se dice que el JFET se ha saturado (en
un JFET la VDS tiene un límite que si se sobrepasa el JFET se dañará, ese valor
máximo para VDS se encuentra en su hoja de datos), a esa corriente ID que ya no
aumenta más se la conoce como corriente de drenaje fuente de saturación la cual
se simboliza como IDSS, es un dato muy importante característico de los JFET que
se encontrará en su hoja de datos; cuando la VGS=VGSoff la corriente ID=0, como
se puede ver la ID variará desde un mínimo de 0A hasta un máximo de IDSS y todo
esto controlado por la VGS.
El circuito de polarización visto anteriormente ahora con
los símbolos quedaría así:
Pruebas con el transistor JFET
En el circuito propuesto la tensión VGS=0, la tensión VDS será variable del que se
pueden ver sus valores con la ayuda del voltímetro, ese voltaje variable lo
proporcionará la fuente de alimentación VDD, la corriente ID a través del drenaje se
mide con el amperímetro, en un inicio la VDS será la mínima que proporcione VDD
por ejemplo VDS1, para esta tensión se tendrá un valor de ID1, luego se aumenta
la tensión poco a poco por ejemplo a VDS2 al cual le corresponderá un valor de
corriente de ID2, se verá que en un principio estos cambios son en forma lineal, es
decir si VDS aumenta entonces ID aumenta en forma proporcional, esto es se
cumple la ley de Ohm, en este caso se dice que el JFET se encuentra polarizado
en la región ohmica; si se sigue aumentando VDS se verá que llega un momento en
que la corriente ID ya no aumenta en forma lineal, si no que tiende a no cambiar o
cambia muy poco por mas que se aumente el valor de VDS, en ese momento se
dice que el JFET se ha saturado, esa corriente que se mida es la máxima cantidad
de corriente que podrá conducir el JFET, a esa corriente se la llama corriente
drenaje fuente de saturación IDSS, y a la tensión VDS a partir de la cual se ve que
la corriente de drenaje ya no cambia, es decir ID=IDSS se la conoce como tensión
de estrangulamiento y se simboliza como Vp, mayormente los valores obtenidos en
forma experimental no coinciden de un dispositivo a otro aun sean de la misma
familia, esto es normal, pero los valores obtenidos se encontrarán dentro del rango
que se especifica en la hoja de datos del JFET utilizado.
Amplificación con el transistor JFET
para un transitor JFET de canal n, en esta ocasión el circuito a utilizar se polariza
por divisor de tensión ya que es el mas estable en comparación con los demás tipos
de polarización del JFET, la ganancia en tensión que se logra con un transistor
JFET es pequeña con respecto a lo que se puede ganar en un circuito de
amplificación de un transistor BJT, lo que si se logra con un circuito de amplificación
hecho con un JFET, es la obtención de corriente analógica a través del drenador, a
partir de una pequeña de señal de tensión analógica vgs, que en la figura
correspondería a fuente analógica vi.
Es necesario el uso de la gráfica de transferencia para elegir un punto de operación
Q en la polarización del JFET, la gráfica se obtiene con la ayuda de la hoja de datos
del JFET que se esté utilizando, en ella se podrá elegir una corriente de drenaje IDQ
adecuada, al cual le corresponderá una VGSQ, luego se elegirá una VDSQ de tal
manera que el JFET quede polarizado en la región activa que es donde se le puede
utilizar en circuitos de amplificación.
En la gráfica de entrada, la corriente de drenaje IDQ para el punto de operación se
puede elegir entre 0 y IDSS, normalmente cercano al punto medio para que en la
amplificación la distorsión en la salida no sea apreciable y tampoco se afecte a la
ganancia de tensión, una vez elegida la IDQ, en la gráfica se puede encontrar la
VGSQ que le corresponderá a ese punto de operación. Para utilizar el JFET en
amplificación, la tensión drenaje fuente en el punto de operación VDSQ tiene que
tiene que ser mayor a la tensión de estrangulamiento Vp, de esta manera se
asegura que el transistor está polarizado en la región activa que es donde se le
puede utilizar en circuitos de amplificación.
Una vez ubicado el punto de operación se hallará el valor de la transconductacia
para ese punto, para eso se tiene que utilizar la fórmula vista en el tema anterior, la
cual es:
Amplificación gmq
gm0 es el valor de la transconductancia cuando VGS=0, este valor está en la hoja
de datos del JFET.
VGS es la VGSQ al cual se ha polarizado el JFET.
Este valor gmQ junto con la impedancia de salida rd son necesarios para conocer
cuanta será la ganancia de tensión del circuito de amplificación, mediante la
siguiente fórmula:
Av=gmQ*rd
En el circuito de polarización tiene que cumplirse la siguiente condición:
VGSQ=VG-VS, de aquí
VG=VGSQ+VS, pero VG tiene que ser un valor positivo, esto es VG>0, entonces:
VGSQ+VS>0; luego
VS > -VGSQ, como se está viendo el caso para un JFET de canal n, -VGSQ resulta
una cantidad positiva, esta tensión VS es la que caerá sobre la resistencia de la
fuente RS y tiene cumplir la condición obtenida para que la polarización sea
correcta.
En el caso de la salida para el circuito de polarización tiene que cumplirse ademas
de que la VDSQ>Vp, una condición obtenida a partir de la recta de carga de la
salida:
VDS=VDD-(RS+RD)ID, esta es la ecuación de recta de carga en la salida, como
VDS>Vp, entonces:
VDD-(RS+RD)ID>Vp, de aquí se obtiene
RS+RD<(VDD-Vp)/(ID), la suma de las resistencias de polarización RS y RD tienen
que cumplir esta condición para que el circuito de polarización utilizado en la
amplificación sea correcta.
