CÓDIGO: SGC.DI.

505
GUIA PARA LAS PRÁCTICAS DE VERSIÓN: 2.0
FECHA ULTIMA REVISIÓN:
LABORATORIO, TALLER O CAMPO. 12/04/2017

DEPARTAMENTO: Eléctrica y Electrónica CARRERA: Electrónica e instrumentación.

PERÍODO Octubre 2018-
ASIGNATURA: Electrónica I. NIVEL: III
LECTIVO: Febrero 2019
DOCENTE: Dra. Nancy Guerron NRC: 3762 PRÁCTICA N°: 6
-Alexis Zambrano
ALUMNOS:
-Jennyfer Toaquiza
LABORATORIO DONDE SE DESARROLLARÁ LA PRÁCTICA Circuitos Electrónicos
TEMA DE LA
PRÁCTICA: Curva característica del transistor.
INTRODUCCIÓN:
Simbología del Transistor. Correspondencia con lo real.

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales donde la señal de uno de los terminales controla las
otras dos. Los transistores se utilizan para amplificación y como interruptores.
Elementos de un transistor o transistores:
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien,
de dos capas de material tipo p y un tipo n. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.
• EMISOR, que emite los portadores de corriente, (huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los
tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
• BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de
vacío o "lámparas" electrónicas.
• COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los
tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.
Regiones operativas del transistor
Región de corte: Un transistor está en corte cuando:
• Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de alimentación del circuito. (Como no hay corriente
circulando, no hay caída de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:
• Corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm.
Configuraciones: Hay tres tipos de configuraciones típicas en los amplificadores con transistores, cada una de ellas con
características especiales que las hacen mejor para cierto tipo de aplicación. y se dice que el transistor no está conduciendo.
Normalmente este caso se presenta cuando no hay corriente de base (Ib = 0)

- Emisor común

- Colector común

- Base común
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Cómo probar un transistor

Para probar transistores hay que analizar un circuito equivalente de este, en el que se puede utilizar lo aprendido al probar diodos.
Ver la siguiente figura.

Figura 1

Se puede ver que los circuitos equivalentes de los transistores bipolares NPN y PNP están compuestos por diodos y se puede
seguir la misma técnica que se sigue al probar diodos comunes. La prueba se realiza entre el terminal de la base (B) y el terminal E
y C. Los métodos para seguir en el transistor NPN y PNP son opuestos. Al igual que con el diodo si uno de estos "diodos del
equivalente del transistor" no funcionan cono se espera hay que cambiar el transistor.

OBJETIVOS:
Comprobar el funcionamiento de los reguladores lineales fijos y variables.
Determinar voltajes y corrientes de seguridad de los componentes.
MATERIALES:
REACTIVOS: INSUMOS:
No aplica
EQUIPOS:
Fuentes de alimentación de 5V a 20V / 1A., Multímetro.
Transistores ECG123A y ECG159.
Resistencias de 220Ω,22KΩ, de ½ W.
Potenciómetros de 5 KΩ.
MUESTRA:
No aplica
ACTIVIDADES POR DESARROLLAR:

Transistor NPN.
1. Seleccione el transistor NPN y mida la resistencia en directa de las uniones E-B y C-B y llene en la Tabla 1.
2. Mida la resistencia en inversa de las uniones E-B y C-B y llene en la Tabla 1.

Curva de salida del transistor NPN.

En lugar de los medidores de corriente, colocar puentes de alambre. El P1 fijara la corriente de base, y P2 Fijara
voltaje colector emisor.

1. Retire el puente de la base e instale el multímetro configurado en µA, para medir corriente de base, gire
lentamente P1 hasta obtener 150µA en la base. Retire el multímetro y reinstale el puente. Mida el voltaje entre
base y emisor.
VBE=0.75 (V)
2. Con el multímetro configurado en CC mida el voltaje entre colector y emisor. Gire P2 hasta que la lectura de 6V
o aproximado.
3. Retire el puente de colector e instale el multímetro configurado en mA, para medir la corriente de colector.
Tomado el valor retire el multímetro y coloque el puente.
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4. Repita los pasos, para IB desde 250µA a 0µA en pasos de 50 µA, en cada caso para diferentes valores de VCE
desde 10V a 0V en pasos de 2V. Si es necesario, reduzca el valor de la resistencia de colector (RC) o elimine la
RC por un puente de 0Ω. Registre los datos obtenidos en la tabla.

Figura 2: Transistor NPN.

RESULTADOS OBTENIDOS:
Tabla 1. Resistencia entre las Uniones.

Resistencia (Directa) (Directa) (Inversa) (Inversa)

TR E-B C-B E-B C-B

∞ ∞
(NPN) 0.107 𝑀Ω 0.107 𝑀Ω

0.72𝑉 0.73𝑉

Tabla 2. Curva Característica de salida.

𝑽𝑪𝑬 = 𝟎𝑽 𝑽𝑪𝑬 = 𝟐𝑽 𝑽𝑪𝑬 = 𝟒𝑽 𝑽𝑪𝑬 = 𝟔𝑽 𝑽𝑪𝑬 = 𝟖𝑽 𝑽𝑪𝑬 = 𝟏𝟎𝑽

𝑰𝑩 𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐸 𝐼𝐶 𝑉𝐵𝐸

(𝑚𝐴) (𝑉) (𝑚𝐴) (𝑉) (𝑚𝐴) (𝑉) (𝑚𝐴) (𝑉) (𝑚𝐴) (𝑉) (𝑚𝐴) (𝑉)

0uF 0.01 0 0.25 0.2 0.3 0.5 0.4 0.7 0.6 0.7 0.8 0.7

50uF 0.01 0.62 8.89 0.72 9.15 0.72 9.38 0.72 9.64 0.72 9.86 0.72

100uF 0.02 0.64 16.8 0.74 18.3 0.74 18.9 0.74 19.5 0.74 20.7 0.74

150uF 0.02 0.65 24.1 0.75 24.4 0.75 25.3 0.75 25.8 0.75 26.2 0.75

200uF 0.04 0.66 30.5 0.77 31.1 0.77 31.7 0.77 33 0.77 33.8 0.77

250uF 0.04 0.67 38.3 0.78 38.4 0.78 38.6 0.78 39.5 0.78 40.5 0.78
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1. Elabore un informe de cada práctica realizada, analizando los resultados obtenidos con los calculados en el preparatorio.
Al comparar datos de los valores calculados y los valores medidos nos damos cuenta en que existe, una no tan
exagerada, diferencia entre los valores dichos.
El margen de error se puede dar por varias razones:
• Los instrumentos de medida no tienen ni una precisión y ni una exactitud perfecta, el desgaste de los instrumentos
también hay que tomar en cuenta.
• Al hacer los cálculos, nos podemos encontrar con números decimales y la perdida de estos afecta significativamente a
los resultados finales.
• Otra razón podría ser el error de diseño y fabricación de los elementos.
• Los modelos ideales pueden afectar en la vida real, es por eso que se recomienda utilizar los modelos aproximados.
CONCLUSIONES:
✓ El transistor BJT presenta tres regiones de trabajo: La región de corte, la región de saturación, la región activa.
✓ En la región de corte la corriente en el colector es aproximadamente cero, si la corriente en la base es cero.
✓ En la región de saturación la corriente en el colector es la máxima, si la para cualquier variación de la corriente de base.
✓ En la región Activa la corriente de colector está en función de la ganancia y la corriente en la base.
RECOMENDACIONES:
✓ Revisar la polarización de cada uno de los componentes antes de energizar el circuito.
✓ Revisar las conexiones del multímetro:
✓ En serie al circuito para medir corriente, con la escala mayor en la selección de amperios y el conector rojo lo más cercano
a la polarización positiva.
✓ En paralelo al circuito para medir voltaje, con la escala mayor en la selección de voltios y el conector rojo lo más cercano a
la polarización positiva.

REFERENCIAS:
[1] R. Boylestad, Boylestad and Nashelsky’s electronic devices and circuit theory, 1st ed. Toronto: Prentice Hall, 2001,
pp. 16-25.
[2] A. Sedra and K. ”Senales”Smith, Microelectronic circuits, 4th ed. Oxford: ˜ Toronto pp. 2-6
FIRMAS
F: ………………………………………………. F: ……………………………………………………

Nombre: Ing. Marcelo Silva Nombre: Ing. Mayra Erazo

COORDINADOR DE ÁREA DE COORDINADOR/JEFE DE LABORATORIO
F: ……………………………………………. CONOCIMIENTO
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Nombre: Nancy Guerrón Paredes

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