GATT (Gate Assisted Turn-Off Thyristor)
Modelo: FG2000FX-50DA
Marca: Mitsubishi
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 / 𝑽𝐑𝐑𝐌 Voltaje de pico máximo inverso 2500 𝑉
𝑰𝐓 (𝑹𝑴𝑺) Corriente rms en estado activo 1050 𝐴
Min. -
Typ -
𝑽𝐆𝐓 Voltaje de disparo de compuerta V
Max. 1.5
Min. −
𝑰𝐆𝐓 Corriente de disparo de compuerta 𝑚𝐴
Max. 2500
𝑰𝐇 Corriente de mantenimiento − 𝑚𝐴
𝑽𝐓𝐌 Pico de caída de voltaje en estado
1.6 𝑉
Corriente promedio en estado de conducción
𝑰𝐓 (𝑨𝑽) 1050 𝐴
GATT (Gate Assisted Turn-Off Thyristor)
Modelo: FG3000DV-90DA
Marca: Mitsubishi
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 / 𝑽𝐑𝐑𝐌 Voltaje de pico máximo inverso 4500 𝑉
𝑰𝐓 (𝑹𝑴𝑺) Corriente rms en estado activo 1490 𝐴
Min. -
Typ -
𝑽𝐆𝐓 Voltaje de disparo de compuerta V
Max. 1.5
Min. −
𝑰𝐆𝐓 Corriente de disparo de compuerta 𝑚𝐴
Max. 4000
𝑰𝐇 Corriente de mantenimiento − 𝑚𝐴
𝑽𝐓𝐌 Pico de caída de voltaje en estado
4 𝑉
Corriente promedio en estado de conducción
𝑰𝐓 (𝑨𝑽) 950 𝐴
GATT (Gate Assisted Turn-Off Thyristor)
Modelo: FG4000BX-90DA
Marca: Mitsubishi
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 / 𝑽𝐑𝐑𝐌 Voltaje de pico máximo inverso 4500 𝑉
𝑰𝐓 (𝑹𝑴𝑺) Corriente rms en estado activo 1 𝐴
Min. -
Typ -
𝑽𝐆𝐓 Voltaje de disparo de compuerta V
Max. 1.5
Min. −
𝑰𝐆𝐓 Corriente de disparo de compuerta 𝑚𝐴
Max. 3200
𝑰𝐇 Corriente de mantenimiento − 𝑚𝐴
𝑽𝐓𝐌 Pico de caída de voltaje en estado
3.8 𝑉
𝑰𝐓 (𝑨𝑽) Corriente promedio en estado de conducción
1000 𝐴
BCT (Bidirectional Controlled Thyristor)
Modelo: F5STB 18U6500
Marca: ABB Switzerland Ltd. Semiconductors
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 / 𝑽𝐑𝐑𝐌 Voltaje de pico máximo inverso 6500 𝑉
𝑰𝐓 (𝑹𝑴𝑺) Corriente rms en estado activo 2480 𝐴
Min. -
Typ -
𝑽𝐆𝐓 Voltaje de disparo de compuerta V
Max. 2.6
Min. −
𝑰𝐆𝐓 Corriente de disparo de compuerta 𝑚𝐴
Max. 400
𝑰𝐇 Corriente de mantenimiento 75-125 𝑚𝐴
𝑽𝐓𝐌 Pico de caída de voltaje en estado
− 𝑉
Corriente promedio en estado de conducción
𝑰𝐓 (𝑨𝑽) 1580 𝐴
BCT (Bidirectional Controlled Thyristor)
Modelo: 5STB 24N2800
Marca: ABB Switzerland Ltd. Semiconductors
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 / 𝑽𝐑𝐑𝐌 Voltaje de pico máximo inverso 2800 𝑉
𝑰𝐓 (𝑹𝑴𝑺) Corriente rms en estado activo 3820 𝐴
Min. -
Typ -
𝑽𝐆𝐓 Voltaje de disparo de compuerta V
Max. 2.6
Min. −
𝑰𝐆𝐓 Corriente de disparo de compuerta 𝑚𝐴
Max. 400
𝑰𝐇 Corriente de mantenimiento 150-250 𝑚𝐴
𝑽𝐓𝐌 Pico de caída de voltaje en estado
− 𝑉
Corriente promedio en estado de conducción
𝑰𝐓 (𝑨𝑽) 2430 𝐴
BCT (Bidirectional Controlled Thyristor)
Modelo: 5STB 24Q2800
Marca: ABB Switzerland Ltd. Semiconductors
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 / 𝑽𝐑𝐑𝐌 Voltaje de pico máximo inverso 2800 𝑉
𝑰𝐓 (𝑹𝑴𝑺) Corriente rms en estado activo 4130 𝐴
Min. -
Typ -
𝑽𝐆𝐓 Voltaje de disparo de compuerta V
Max. 2.6
Min. −
𝑰𝐆𝐓 Corriente de disparo de compuerta 𝑚𝐴
Max. 400
𝑰𝐇 Corriente de mantenimiento 150-250 𝑚𝐴
𝑽𝐓𝐌 Pico de caída de voltaje en estado
− 𝑉
Corriente promedio en estado de conducción
𝑰𝐓 (𝑨𝑽) 2630 𝐴
MCT (MOS Controlled Thyristor)
Modelo: MCTA75P60E1
Marca: Harris Semiconductors
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 Voltaje pico de estado apagado −1000 𝑉
𝑽𝑹𝑹𝑴 Tensión inversa máxima 5 𝑉
𝑰𝐃𝐑𝐌 Corriente máxima de bloqueo fuera del estado 3 𝑚𝐴
𝑽𝐓𝐌 Pico de caída de voltaje en estado
1.3 𝑉
𝑰𝑲𝑺𝑴 Corriente Controlable Máxima 2000 𝐴
𝑷𝑻 Máxima disipación de potencia 208 W
MCT (MOS Controlled Thyristor)
Modelo: MCTA65P100F
Marca: Harris Semiconductors
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 Voltaje pico de estado apagado −1000 𝑉
𝑽𝑹𝑹𝑴 Tensión inversa máxima 5 𝑉
𝑰𝐃𝐑𝐌 Corriente máxima de bloqueo fuera del estado 3 𝑚𝐴
𝑽𝐓𝐌 Pico de caída de voltaje en estado
1.4 𝑉
𝑰𝑲𝑺𝑴 Corriente Controlable Máxima 2000 𝐴
𝑷𝑻 Máxima disipación de potencia 208 W
MCT (MOS Controlled Thyristor)
Modelo: SMCTAC65N16
Marca: SILICON POWER
Parámetros característicos:
Símbolo Parámetro TYP Valor Unidad
𝑽𝐃𝐑𝐌 Voltaje pico de estado apagado 1400 𝑉
𝑽𝑹𝑹𝑴 Tensión inversa máxima -5 𝑉
𝑻𝐉𝐌 Temperatura máxima de unión 150 𝐶
𝒕𝐃(𝐎𝐍) Retraso de activación 82 150 𝑛𝑆
𝑰𝑲𝑺𝑴 Corriente Controlable Máxima 2000 𝐴
𝑬𝑫𝑰𝑺 descarga de energía del evento 64 120 𝑛𝑆
