Informe final Nº5 EL TRANSISTOR
ZONA ACTIVA, CORTE Y
SATURACIÓN
Alumnos:
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad Nacional de Ingeniería
Lima, Perú
INTRODUCCIÓN
El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus respectivos
contactos llamados; colector (C), base (B) y emisor (E). La palabra bipolar se deriva del hecho
que internamente existe una doble circulación de corriente: electrones y lagunas o agujeros.
I. OBJETIVO • Reconoce la importancia del trabajo en equipo y se
integra y participa en forma efectiva en equipos
El laboratorio deacuerdo a sus experimentos tiene como multidisciplinarios de trabajo.
finalidad:
II. TEORÍA
Conocer las características técnicas y los
requerimientos de uso del transistor. A. CLASIFICACIÓN DE LOS
Adquirir destreza en el uso de los equipos y la
TRANSISTORES BIPOLARES
obtención de las curvas características del
transistor Bipolar.
1.- Por la disposición de sus capas: Transistores PNP y NPN
Adquirir destreza en el manejo de los manuales y
obtención de los data sheet de los dispositivos a
2.- Por el material semiconductor empleado: Transistores de
usar de Internet y los equipos de medición.
Silicio y de Germanio
Determinar las operaciones de corte y saturación
de los transistores.
3.- Por la disipación de Potencia: Transistores de baja
Identificar las rectas de carga y punto de
potencia, de mediana potencia y de alta potencia
operación.
Adquirir destreza en el manejo de los equipos y
4.- Por la frecuencia de trabajo: Transistores de baja
el ensamble de los circuitos.
Afianzar el trabajo en equipo asumiendo frecuencia y Transistores de alta frecuencia
responsabilidades en el desarrollo de la
experiencia. B. POLARIZACIÓN DE LOS
TRANSISTORES BIPOLARES
Competencias
Para que un transistor bipolar funcione adecuadamente, es
• Maneja correctamente el multímetro, generador, necesario polarizarlo correctamente. Para ellos se debe
fuente de alimentación y osciloscopio, configurando y cumplir que: La juntura BASE - EMISOR este polarizado
conectándolos apropiadamente. directamente, y La juntura COLECTOR – BASE este
polarizado inversamente.
• Selecciona correctamente los componentes a utilizar
para el análisis de corte y saturación del transistor Ejemplo: Si el transistor es NPN, la base debe tener un
bipolar. voltaje positivo con respecto al emisor y el colector debe
tener un voltaje también positivo pero, mayor que el de la
• Elabora informes técnicos claros mediante un base. En el caso de un transistor PNP debe ocurrir lo
formato digital establecido, detallando el proceso de contrario.
laboratorio desarrollado, entregando puntualmente.
C. CODIFICACIÓN DE LOS
• Usa software de simulación y compara con los
resultados experimentales. TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores tienen un código de identificación que en G : Tiristor tipo NPNP
algunos casos especifica la función que cumple y en otros
casos indica su fabricación. Pese a la diversidad de Cuarto
transistores, se distinguen tres grandes grupos: Europeos,
Japoneses y Americanos. Número de serie : comienza a partir del número 11
CODIFICACIÓN EUROPEA Quinto
Primera letra: Indica un transistor mejor que el anterior
A : Germanio B : Silicio Ejemplo: Es un transistor PNP de RF con mejores
características técnicas que el 2SA186.
Segunda Letra:
A : Diodo (excepto los diodos túnel)
B : Transistor de baja potencia
D : Transistor de baja frecuencia y de potencia
E : Diodo túnel de potencia
CODIFICACIÓN AMERICANA
F : Transistor de alta frecuencia
Anteriormente los transistores americanos empezaban su
L : Transistor de alta frecuencia y potencia codificación con el prefijo 2N y a continuación un número
que indicaba la serie de fabricación. Ejemplo 2N3055,
P : Foto – semiconductor 2N2924 (manuales del laboratorio). Actualmente, cada
fábrica le antepone su propio prefijo, así se tiene por
S : Transistor para conmutación ejemplo : TI1411, ECG128, etc. que corresponden
respectivamente a TEXAS INSTRUMENTS Y SYLVANIA.
U : Transistor para conmutación y de potencia
Y : Diodos de potencia
Z : Diodo Zener
Número de serie III. TABLAS OBTENIDAS EN EL
LABORATORIO Y EN LA TEORIA
100 – 999 :Para equipos domésticos tales como radio, TV,
amplificadores, grabadoras, etc. Respecto del primer circuito:
10 – 99 y la letra X, Y o Z : Para aplicaciones especiales.
Ejemplo: AD149, es un transistor de potencia, de germanio
y sus aplicaciones son de baja frecuencia.
CODIFICACIÓN JAPONESA
Primero
0 (cero): Foto transistor o fotodiodo 1: Diodos
2: Transistor
Segundo
S : Semiconductor
Tercero
A : Transistor PNP de RF (radiofrecuencia)
B : Transistor PNP de AF (audiofrecuencia)
C : Transistor NPN de RF
D : Transistor NPN de AF
Tabla datos teoricos:
F : Tiristor tipo PNPN
V3(v) Vc(v) Vb(v) Ic(mA) Ib(uA) beta
0 12 21.663u 12.25nA -120pA
V -102
1 11.19 -90mV 84.4uA 500nA 168.8
2 11.56 -367mV 438uA 2.04 214.70 Tabla experimental:
3 11.16 -669mV 840uA 3.72 225.8
4 10.77 -977mV 1.228 5.433 226.02 Potenciomet 56k 47k 22k 15k 3.3k
5 10.41 -1.29 1.589 7.17 221.61
ro
6 10.08 -1.6 1.915 8.9 215.16
Vb (v) 5.88 5.45 3.67 2.81 0.8
7 9.78 -1.91 2.21 10.64 207.70
8 9.52 -2.23 2.47 12.36 199.83
9 9.28 -2.54 2.71 14.134 191.73 Vc (v) 6.65 7.29 9.09 9.87 11.8
10 9.06 -2.86 2.936 15.9 184.65 9
11 8.86 -3.17 3.135 17.65 177.62 Ve (v) 5.16 4.8 3.01 2.17 0.21
12 8.68 -3.49 3.315 19.41 170.78
13 8.5 -3.81 3.48 21.17 164.38 Ic mA 5.29 4.88 3.04 2.19 0.2
14 8.36 -4.12 3.638 22.94 158.58
15 8.22 -4.46 3.782 24.7 153.1 Ib uA 26 24 15 10 1
16 8.08 -4.76 3.91 26.45 147.82
Zona Activ Activ Activ Activ Cort
a a a a e
Tabla datos experimentales
V3(v) Vc(v) Vb(v) Ic(mA) Ib(uA) beta Tabla teorica:
0 0.88 0.145 0.88 0.805 109.31
1 0.123 0.165 0.123 0.915 134.42 R Ic mA Vc Zona
2 0.495 0.506 0.495 2.88 171.87 o 0.145 12v activa
3 0.940 0.848 0.940 4.711 199.53 1k 0.219 11.78v corte
4 1.366 1.293 1.366 7.18 190.25 3.3k 0.219 11.27v corte
5 1.842 1.733 1.842 9.63 191.27
6 2.2 2.15 2.2 12 183.33
7 2.66 2.42 2.66 13.5 197.03 Tabla experimental:
8 3.06 2.97 3.06 16.5 185.45
9 3.66 3.3 3.66 18.3 200 R Ic mA Vc Zona
10 4.1 3.85 4.1 21.3 192.4 o 0.204 12.08v activa
1k 0.20 11.89v corte
3.3k 0.22 11.4v corte
Respecto del segundo circuito implementado:
IV. RESPUESTAS A PREGUNTAS
PARA EL INFORME INFORME
FINAL
a). Haga una tabla comparando los valores teóricos con los
valores experimentales. ¿Cómo los explica?
Los resultados obtenidos tanto experimentales se
muestran en las tablas adjuntadas en el acapite
anterior.
FIGURA 2
Las dos primeras tablas nos muestran los
valores de corrientes, voltajes y el beta
caracteristico del transistor.
Las dos tablas siguientes, nos muestran que
amedida que variamos ciertos parametros del
Tabla teorica: circuito estos influyen y nos indican en que zona
esta trabajando el transistor tanto
Pot 56k 47k 22k 15k 3.3k experimentalmente como teoricamente.
Vb 5.61 5.278 3.595 2.782 0.783
Vc 7.08 7.411 9.05 9.854 11.78
Ve 4.95 4.62 2.958 2.157 0.221
Ic mA 4.92 4.589 2.943 2.146 0.220
Ib uA 35.48 30.17 15.41 10.62 1.39
8 2
Zona Activa Activa Activa Activa Corte
b). Para el circuito de la fig.1, obtenga las gráficas de las
curvas: Ic vs Vce ; Ic vs Ib ; β vs Ic é Ib vs Vbe . ¿Qué
diferencia observa entre las curvas teóricas y
experimentales?
En las siguientes curvas que se mostraran a
continuacion, compararemos tanto los valores
teoricos como experimentales.
CURVA Ic VS Vce:
TEORICO
TEORICO
EXPERIMENTAL
CURVA Ic VS Ib:
EXPERIMENTAL
CURVA Ib VS Vbe:
TEORICO
c). Para los circuitos de las figuras: 2 y 3. Presente la
forma de onda de entrada (Vin ) y de la carga (VL )
obtenida en el laboratorio. Qué relación de fases hay entre
ellas?
EXPERIMENTAL
SIMULACIÓN DEL VOLTAJE DE SALIDA
CURVA BETA VS IC:
TEORICO
R EALIZACIÓN DEL CIRCUITO EN EL
LABORATORIO
EXPERIMENTAL En ambos gráficos, se observa el desfase de
30Hz aproximadamente,teniendo presente que la
frecuencia de trabajo de ambas ondas están
alrededor de los 60Hz, (y no solo ello también se experimental presentan un error casi
puede notar que el VL está muy atenuado, esto es
despreciable. Esto se debe a que en
por que en al moemnto de ver el voltaje .)
ese acápite verificamos las zonas de
trabajo del transistor (zona de corte,
zona activa y zona de saturación),
d). Observe los límites para la zona activa y compárelos con
los valores obtenidos para la región de saturación y corte.
dependen únicamente del tipo de
transistor.
e. Mostrar las capturas e imagen en cada caso y explicar
V. OBSERVACIONES
1) Al momento de ver la frecuencia
de salida en la carga se pudo
llegar a observar pequeños
aumentos en esta; sugiriendo un
análisis en frecuencia, lo cual se
verá capítulos más adelantes.
CIRCUITO UTILIZADO EN EL LABORATORIO
2) Al momento de comparar los
resultados teóricos y
experimentales en las zonas de
trabajo del transistor bipolar
estos era próximos. Con ello se
demostró las propiedades del
transistor.
VI. BIBLIOGRAFIA
MILLMAN Y HALKIAS,
FUENTE DE ALIMENTACION DC
"ELECTRÓNICA INTEGRADA".
SHILLING Y BELOVE,
"CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
CONCLUSIONES DISCRETOS E INTEGRADOS".
1) Al realizar la simulación y con la [Link]
teoría obtenida se puede llegar a sitio/contenidos_mo.php?it=1484
interpretar que el voltaje que se
refleja en la carga ha de ser [Link]
desfasado a esta y atenuada a su vez; 0/calibracion-de-os
lo cual en la experimentación se llegó
a observar; por lo tanto se concluye
que el transistor en la configuración [Link]
dada tendrá una AV muy baja. php?id=2383
2) Los resultados obtenidos en circuito
número dos, tanto teórico como
