Aplicaciones de Electronica Analógica I - TRANSISTORES

EL TRANSISTOR BJT ( Bipolar Junction Transistor

Transistor de union bipolar )
- Simbolo, estructura interna y diagrama de corrientes

COLECTOR C
BASE B

EMISOR E

NPN PNP
La flechita “NoPeNetra” La flechita “PeNetraP____”

- Encapsulados:
TO-18 TO-92 TO-126 TO-220

2N )
22 N )
22 (NP BC33 PN
BC 7 (N P)
32 N
7 (P
BD N )
1
BD 39 (NPP)
14 N TIP N )
0 (P P
TIP31 (N P)
32 (PN
ADVERTENCIA
Los de arriba son solo ejemplos. No todo lo que tenga estos
encapuslados será un transistor. Hay que leer el código del
dispositivo y buscar la hoja de datos para saber qué es.
Prof. Guillermo Cordido HOJA 1
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- Transistor en conmutación
El transistor se comporta como un interruptor

OFF = Abierto = “CORTE”

ON = Cerrado = “SATURACION”

Accionamiento mecánico Se “activa” aplicandole

con el dedo corriente en la base

¿Cuando se aplica?
Cuando tenemos un dispositivo electrónico delicado que puede ser muy caro,
difícil de reemplazar o simplemente por que tiene poca capacidad de
entregar corriente en sus salidas. En cualquiera de estos casos, utilizamos un
transistor para “hacer el trabajo pesado” de manejar las corrientes mas grandes

DISPOSITIVO Orden de TRANSISTOR

activación CARGA
ELECTRONICO
Baja GRANDES “PESADA”
DELICADO corriente corrientes

EJEMPLO
El NE555 es un dispositivo utilizado comunmente en electrónica. En su salida
es capaz de entregar hasta 200mA que es suficiente para encender 10 LEDs.

NE555 CARGA
Configuracion
ASTABLE
LED-10
LED-1

Prof. Guillermo Cordido HOJA 2

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¿Qué pasaría si la carga consume mas de 200ma?

Por ejemplo, si queremos conectar 50 LEDS el 555 por si solo no sería capaz
de soportar ese consumo. En este caso, necesitamos utilizar un transistor.

CARGA
50 LEDS
NE555 Ib Corriente
de base pequeña 20mA c/u
Configuracion
ASTABLE 1A

En este caso en particular la carga consume una corriente total de 1A.

De todos los transistores NPN que fueron dados como ejemplo...
El 2N2222 y el BC337 quedan descartados por que soportan hasta 0,8A.
El BD139 soporta hasta 1,5A y el TIP31 soporta hasta 3A de Ic

Los anteriores son todos transistores NPN.

Podemos implementar la misma función con un transistor PNP:

Ib Corriente
de base pequeña
1A
NE555
Configuracion
ASTABLE CARGA
50 LEDS
20mA c/u

¿Cómo podriamos modificar este circuito para manejar una carga

conectada a la tensión de red domiciliaria de 220 V~?
Surge un problema: la corriente en la carga tambien será alterna. Es decir que
cambia el sentido de circulación. Los transistores BJT admiten circulación de
corriente en un único sentido. Por lo tanto, la corriente alterna los destruiría.
Un dispositivo capaz de soportar corriente alterna es un RELAY, que es un
interruptor que cambia de posición cuando circula corriente por la bobina.
(Electro-imán)
Prof. Guillermo Cordido HOJA 3
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Por ejemplo, vamos a usar un reflector de 500w como carga.

FASE

RELAY VRED
220VRMS
NE555
Configuracion NEUTRO

ASTABLE Ib
REFLECTOR
500w (2,27A)

El 555 activa la base del transistor. El transistor se satura y permite que circule
corriente atraves de la bobina del RELAY. Se produce un campo magnético
que atrae al interruptor haciendo que se cierre y enciende la lámpara.

En el ejemplo anterior el 555 es muy fácil de conseguir en cualquier casa de

electrónica, es muy barato y además si se quema puede ser reemplazado por
otro y seguirá funcionando exactamente igual.
Si en lugar del 555 usamos un MICROCONTROLADOR (μC) este es bastante
mas dificil de conseguir y muchisimo más caro (desde 30 hasta 400$).
El microcontrolador tiene un programa dentro que es comparable con el
contenido en la memoria de un celular (musica, fotos, videos y otros archivos).
Si esa memoria falla, se pierde todo su contenido. Si compramos otro
microcontrolador, estará vacio.

Cuando el transistor pasa de saturación a CORTE la bobina se opone al

cambio abrupto de corriente y utiliza su energía almacenada para hacer que
la corriente siga circulando. Para ello se comporta como un generador
pudiendo alcanzar más de 400v durante un tiempo muy corto. Esto pone en
peligro al transistor. El diodo que se coloca en paralelo le ofrece un camino
para recircular la corriente extinguiendo la energía almacenada. Ese diodo
está para proteger AL TRANSISTOR contra los picos de tensión.

Prof. Guillermo Cordido HOJA 4

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¿Cómo podriamos MEJORAR este circuito para proteger el dispositivo

electrónico SUPER-delicado? Vamos a usar un OPTOACOPLADOR

El optoacoplador tiene en su interior un LED y un

LUZ
FotoTransistor. El funcionamiento es muy simple:
El FotoTransistor se activa cuando recibe luz del LED.
(Vienen en un encapsulado cerrado, por lo que no
es posible ver cuando esté encendido.) A 1 6 B

El encapsulado comunmente tiene 4 patitas, C 2 5 C

aunque algunos tienen 6 como el 2N35. NC 3 4 E

+12v
FASE
+5v
RELAY

μC ILED
NEUTRO

Super Delicado

LUZ
OPTO-ACOPLADOR

La línea punteada representa un “abismo” de separación: si hubiera una falla

(ejemplo: inversión de polaridad en la fuente de 12v ) el FotoTransistor puede
quemarse, destruirse, partir a la mitad el encapsulado del Opto-acoplador,
pero el dispositivo delicado nunca se vería afectado, ya que el vínculo entre
ambos es por luz.

Prof. Guillermo Cordido HOJA 5

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- Análisis del transistor en conmutación

Antes de poder “jugar” con el transistor debemos conocer cuáles son los
límites de nuestro circuito y del dispositivo.

CARGA
Ib Corriente Reostato
10 Ω VCC
de base pequeña IC 10v

VBB
RB = 1k
IE = IC + IB

Empezaremos por el análisis de la malla del colector.

Vamos a suponer que el transistor está en zona de corte (CUT en inglés):

Recordemos que el transistor en

zona de corte se comporta como
ICCUT = 0
CARGA
un circuito abierto, por lo tanto no
10 Ω
deja pasar corriente. VCC
10v
Para que el transistor esté en corte IBCUT= 0 VOLTIMETRO
VCE = ___?
no debemos aplicarle corriente
IECUT= 0
a la base. (Podemos dejar la base
desconectada o a masa)

En la malla del colector tenemos tres tensiones involucradas:

La tensión de la fuente, la caída de tensión en la carga y la de colector-emisor.
Expresamos la 2° Ley de Kirchoff: – VCC + VRL + VCECUT = 0
Aplicamos Ley de Ohm en la carga. VRL = IC.RL = 0A.10Ω = 0v
Como no circula corriente por el colector, no hay caída de tensión. VRL = 0v
Por lo tanto, la 2° Ley de Kirchoff se resume a: – VCC + VCECUT = 0
Hacemos un pasaje de términos y concluímos que: VCECUT = VCC
Esto implica que el transistor debe soportar toda la tensión de la fuente y a
pesar que no circula corriente y que la potencia sea cero, esta tensión de
VCECUT si fuera demasiado grande podría quemar al transistor!

Prof. Guillermo Cordido HOJA 6

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Debajo podemos ver un extracto de la hoja de datos de los BD135, BD137 y BD139

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter
Philips Semiconductors Product specification

NPN power transistors BD135; BD137; BD139 BD135 − 45 V

FEATURES
• High current (max. 1.5 A)
PINNING

PIN DESCRIPTION
BD137 − 60 V
• Low voltage (max. 80 V). 1 emitter

BD139 − 100 V
2 collector, connected to metal part of
APPLICATIONS mounting surface
• Driver stages in hi-fi amplifiers and television circuits. 3 base

DESCRIPTION
NPN power transistor in a TO-126; SOT32 plastic
package. PNP complements: BD136, BD138 and BD140.
handbook, halfpage

2
VCEO collector-emitter voltage open base
BD135 − 45 V
3

1 2 3 Top view MAM254

BD137 − 60 V
Fig.1 Simplified outline (TO-126; SOT32) and

BD139 − 80 V
symbol.

LIMITING VALUES

VEBO emitter-base voltage open collector − 5 V

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter
BD135 − 45 V

VCEO
BD137
BD139
collector-emitter voltage open base
−
−
60
100
V
V IC collector current (DC) − 1.5 A
BD135 − 45 V

VEBO
BD137
BD139
emitter-base voltage open collector
−
−
−
60
80
5
V
V
V
ICM peak collector current − 2 A
IC collector current (DC) − 1.5 A
ICM
IBM
Ptot
peak collector current
peak base current
total power dissipation Tmb ≤ 70 °C
−
−
−
2
1
8
A
A
W
IBM peak base current − 1 A
Ptot total power dissipation Tmb ≤ 70 °C 8 W
Tstg storage temperature −65 +150 °C
Tj
Tamb
junction temperature
operating ambient temperature
−
−65
150
+150
°C
°C −
1999 Apr 12 2
Tstg storage temperature −65 +150 °C
Tj junction temperature − 150 °C
Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C

Una de las diferencias entre los 3 transistores es la máxima tensión que

soportan en la condicón de corte. Cabe destacar que en lugar de VCECUT el
fabricante la llamó VCEO . La “o” hace referencia a Open Base (base abierta).
Las fuentes que disponemos en el laboratorio alcanzan 30v como máximo,
aún así estariamos por debajo de la tensión de ruptura para cualquiera de los
tres transistores en cuestión.

Debajo podemos ver un extracto de la hoja de datos de los BD136, BD138 y BD140

LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter
Philips Semiconductors Product specification

PNP power transistors BD136; BD138; BD140

FEATURES
• High current (max. 1.5 A)
PINNING BD136 − −45 V
PIN DESCRIPTION

BD138 − −60 V
• Low voltage (max. 80 V). 1 emitter
2 collector, connected to metal part of
APPLICATIONS mounting surface
• General purpose power applications, e.g. driver stages 3 base

BD140 − −100 V
in hi-fi amplifiers and television circuits.

handbook, halfpage
DESCRIPTION
2
PNP power transistor in a TO-126; SOT32 plastic
package. NPN complements: BD135, BD137 and BD139. 3

1
VCEO collector-emitter voltage open base
1 2 3 Top view MAM272 BD136 − −45 V
BD138 V
Fig.1 Simplified outline (TO-126; SOT32)
and symbol.
− −60
LIMITING VALUES

BD140 − −80 V
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT
VCBO collector-base voltage open emitter
BD136 − −45 V

VCEO
BD138
BD140
collector-emitter voltage open base
−
−
−60
−100
V
V VEBO emitter-base voltage open collector − −5 V
IC collector current (DC) A
BD136 − −45 V
BD138
BD140
−
−
−60
−80
V
V − −1.5
VEBO emitter-base voltage open collector − −5 V

ICM peak collector current − −2 A

IC collector current (DC) − −1.5 A
ICM peak collector current − −2 A
IBM peak base current − −1 A
Ptot total power dissipation Tmb ≤ 70 °C − 8 W

IBM peak base current − −1 A

Tstg storage temperature −65 +150 °C
Tj junction temperature − 150 °C
Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C

1999 Apr 12 2
Ptot total power dissipation Tmb ≤ 70 °C − 8 W
Tstg storage temperature −65 +150 °C
Tj junction temperature − 150 °C
Los valores del par complementario son similares pero no necesariamente iguales.
°C Tamb operating ambient temperature −65 +150

Prof. Guillermo Cordido HOJA 7

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Nos queda por analizar cómo se comporta el transistor en saturación.

Consideramos que hay un cortocircuito entre colector-emisor. Podemos
suponer (como aproximación) que VCESAT≈ 0v. Para lograr que un transistor se
sature correctamente hay que aplicarle una corriente de base significativa.
Algunos fabricantes especifican el IB necesario para un ICSAT dado. Ejemplo:

CHARACTERISTICS
Tj = 25 °C unless otherwise specified. BD135, BD137, BD139
SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT
VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = 500 mA; IB = 50 mA − − 0.5 V

Podemos ver que en un caso real, la tensión VCESAT no llega a 0v. Por lo tanto,
la carga no recibirá el 100% de la tensión de la fuente de alimentación VCC

El fabricante nos especifica la

corriente de base necesaria para ICSAT = ___?
CARGA
una corriente de colector de 0,5A 10 Ω
VCC
VBE pero en base-emitter
nuestro voltage
caso la corriente IC = IB
500 mA; VCE = 2 V − − 110v V
SAT
= 0,1A
VOLTIMETRO
de colectór sería del doble (1A). VCESAT = 0,5v
Según esto podemos asumir que IESAT= IB+IC
será necesario aplicar al menos
el doble de corriente de base

En la malla del colector tenemos tres tensiones involucradas:

La tensión de la fuente, la caída de tensión en la carga y la de colector-emisor.
Expresamos la 2° Ley de Kirchoff: – VCC + VRL + VCESAT = 0
Despejamos la única incógnita: VRL = VCC – VCESAT
Aplicamos la Ley de Ohm en la carga: VRL = RL.ICSAT
Reemplazamos en la anterior: RL.ICSAT = VCC – VCESAT
Despejamos y concluímos que: ICSAT = (VCC – VCESAT) / RL

Conclusión: la corriente de saturación está limitada externamente por la

fuente de alimentación y la carga. El análisis en saturación nos permite
saber si el transistor corre peligro de quemarse por exceder la IC máxima
indicada por el fabricante. Para los transistores que trabajamos la ICmax = 1,5A

Prof. Guillermo Cordido HOJA 8

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- Transistor con señales analógicas

Hasta ahora controlamos al transistor de manera binaria: CON o SIN corriente
de base. Pero ¿qué pasaria si la aumentamos gradualmente?

CARGA
Ib Corriente Reostato
10 Ω VCC
de base pequeña IC 10v

VBB
RB = 1k
IE = IC + IB

CONTIN
UARÁ

Prof. Guillermo Cordido HOJA 9

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- Aplicaciones:
Amplificador CLASE A
Características
+ Alta fidelidad
- Bajo rendimiento

Amplificador CLASE B
Características
- Baja fidelidad
- Distorsion de cruce
- Alto rendimiento

Amplificador CLASE AB
Características respecto al CLASE B
- Fidelidad mejorada
- Distorsion de cruce reducida
- Rendimiento un poco menor

Prof. Guillermo Cordido HOJA 10