TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO
Es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que
también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres
terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el
terminal equivalente a la base del transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo
funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente
controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal-n y los de
canal-p, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.
TRANSISTOR JFET (TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO DE UNIÓN)
El JFET es un dispositivo de tres terminales, estas son lacompuerta (G), drenaje (D) y
fuente (S). Un transistor JFET está formado por el semiconductor que se conecta a las
terminales de fuente y drenaje. El material restante está conectado entre si para directamente
a la compuerta. Cabe señalar que en la unión tenemos una región de empobrecimiento. La
polarización del JFET está en función a la diferencia de potencial entre los materiales
semiconductores. Esto aumenta la región de agotamiento y regula la cantidad de corriente
que circula en el canal drenaje-fuente. Una vez que el voltaje genere una región de
agotamiento suficientemente grande.
Construcción
Como lo mencionamos antes, el JFET es un dispositivo de tres terminales con una
terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos. En nuestro análisis del transistor
BJT se empleó el transistor npn en la mayor parte de las secciones de análisis y diseño, con
una sección dedicada a cómo utilizar un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo
de canal n será el dispositivo importante, con párrafos y secciones dedicados a cómo utilizar
un JFET de canal p.
Figura 1 Transistor de efecto de campo de unión (JFET), canal n.
Figura 2 Transistor de efecto de campo de unión (JFET), canal p.
Funcionamiento
La polarización del JFET se realiza mediante tensión continua y consiste en prepararlo
para que en un circuito, en el cual se le quiere utilizar, a través del JFET circule una cantidad
de corriente ID por el drenaje, y a su vez se obtenga una tensión entre el drenaje y la fuente
VDS para esa cantidad de corriente ID, a esto se le llama obtener el punto de operación o
punto Q. La corriente ID va depender de la tensión compuerta fuente VGS que exista en la
malla de entrada, la VDS dependerá de la malla de salida del circuito, para ver esto será de
utilidad la gráfica de entrada y la de salida del JFET.
Simbología del canal n
Figura 3 Símbolo de un transistor JFET de canal N.
Simbología del canal p
Figura 4 Símbolo de un transistor JFET de canal P
Curvas características
Mediante la gráfica de entrada del transistor también llamada Curva característica de
transferencia universal, a la izquierda de la figura adjunta, se pueden deducir las expresiones
analíticas que permiten analizar matemáticamente el funcionamiento de este. Así, existen
diferentes expresiones para las distintas zonas de funcionamiento.
El nivel de VGS que produce 𝐼𝐷 = 0 mA está definido por 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑝, con Vp convirtiéndose
en un voltaje negativo para dispositivos de canal n y en voltaje positivo para JFET de canal
p.
Figura 5 Características de un canal n.
Figura 6 Características de un JFET de canal p.
Relaciones Importantes
En las últimas secciones se presentaron varias ecuaciones y características de operación
importantes que son de particular trascendencia para el análisis siguiente para las
configuraciones de cd y ca. Para aislar y resaltar su importancia, se repiten a continuación al
lado de las ecuaciones correspondientes para el transistor BJT. Las ecuaciones para JFET se
definen para la siguiente configuración.
Figura 7 a) Transistor JFET, b) Transistor BJT.
MOSFET
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador
(D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar
dispositivos MOSFET de tres terminales.
MOSFET Tipo Empobrecimiento
El MOSFET tipo empobrecimiento, cuyas características son parecidas a las de un JFET
entre las condiciones de corte y saturación con IDSS y también adicionalmente tiene las
características que se extienden hasta la región de polaridad opuesta de VGS.
Construcción
Este dispositivo no hay una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de
un MOSFET.
Figura 8 MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.
Simbología
Figura 9 Símbolos gráficos para (a) MOSFET tipo empobrecimiento de canal n y (b)
MOSFET tipo empobrecimiento de canal p.
EJEMPLOS
1. Trace las características para un MOSFET tipo empobrecimiento de canal n
con 𝑰𝑫𝑺𝑺 = 𝟏𝟎 𝒎𝑨 y 𝑽𝒑 = 𝟒 𝑽.
Solución
𝑉𝐺𝑆 = 0 V 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 10 mA
𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 = −4 V, 𝐼𝐷 = 0 mA
𝑉𝑝 −4𝑉
𝑉𝐺𝑆 = = = −2𝑉
2 2
𝐼𝐷𝑆𝑆 10𝑚𝐴
𝐼𝐷 = = = 2.5𝑚𝐴
4 4
𝑉𝐺𝑆 = 0.3𝑉𝑃 = 0.31 − 4 V2 = −1.2 V
Figura 10 Características de transferencia para un MOSFET tipo empobrecimiento de
canal n.
MOSFET Tipo Enriquecimiento
Las características del MOSFET tipo enriquecimiento son muy diferentes a otras, la curva de
transferencia no está definida por la ecuación de Shockley y la corriente de drenaje ahora es
la de corte hasta que el voltaje de la compuerta a la fuente alcance una magnitud específica,
es decir que el control de corriente en un dispositivo de canal n ahora se ve afectado por un
voltaje positivo de la compuerta a la fuente en lugar de por los voltajes negativos encontrados
en los JFET de canal n y en los MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.
Construcción
Se forma una losa de material p con una base de silicio y de nuevo se conoce como
sustrato.
El sustrato en ocasiones se conecta internamente a la terminal fuente, en tanto que en
otros casos se pone a la disposición una curva terminal para el control externo de su
nivel de potencial.
La fuente y el drenaje se conectan de nuevo mediante contactos metálicos a regiones
tipo n dopadas
Figura 9 MOSFET tipo enriquecimiento de canal n.
La resistencia de entrada de un MOSFET es más que la de un JFET típico, aun cuando la
impedancia de entrada de la mayoría de los JFET es suficientemente alta en la mayoría de
las aplicaciones. Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de compuerta IG
es en esencia de 0 A para configuraciones polarizadas de cd.
Operación y características básicas
El voltaje de la compuerta a la fuente se ajusta a 0 V por la conexión directa de una terminal
a la otra y se aplica un voltaje VDS del drenaje a la fuente. El resultado es la atracción del
potencial positivo en el drenaje por los electrones libres del canal n y la corriente semejante
a la que se establece a través del canal del JFET. De hecho, la corriente resultante con VGS
0 V se sigue etiquetando IDSS.
Simbología
Figura 10 MOSFET tipo empobrecimiento de canal n con 𝑽𝑮𝑺 = 𝟎 𝑽 y voltaje aplicado
𝑽𝒑𝒑
MOSFET tipo enriquecimiento de canal p
Un sustrato tipo n y regiones tipo n dopadas bajo las conexiones del drenaje y la fuente. Las
terminales no cambian, pero todas las polaridades del voltaje y las direcciones de la corriente
se invierten. Las características de drenaje aparecerán como se muestra con niveles crecientes
de corriente a consecuencia de los valores cada vez más negativos de VGS. Las
características de transferencia serán la imagen de espejo (con respecto al eje ID) de la curva
de transferencia de la figura 6.39, con ID incrementándose a una con los valores cada vez
más negativos de VGS más allá de VT.
Simbología
Los símbolos gráficos de los MOSFET tipo enriquecimiento de canales n y p, observe cómo
los símbolos tratan de reflejar la construcción real del dispositivo.
Figura 11 MOSFET tipo empobrecimiento de canal n con 𝑽𝑻 = 𝟐 𝑽 y 𝒌 =
𝟎, 𝟓𝒙𝟏𝟎−𝟏 𝑨/𝑽𝟐
Figura 12 (a) MOSFET tipo empobrecimiento de canal n (b) MOSFET tipo
empobrecimiento de canal p.
La línea punteada entre el drenaje (D) y la fuente (S) se selecciona para reflejar el hecho de
que no existe un canal entre los dos en condiciones sin polarización. En realidad, es la única
diferencia entre los símbolos para los MOSFET tipo enriquecimiento y tipo
empobrecimiento.
Ejemplo
Utilizando los datos proporcionados en la hoja de especificaciones de la figura 6.43 y un
voltaje de umbral promedio de 𝑉𝐺𝑆(𝑇ℎ) = 3 𝑉, determine:
a. El valor resultante de k para el MOSFET.
b. Las características de transferencia.
Solución
𝐼𝐷(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜)
𝑘= 2
(𝑉𝐺𝑆(𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜) − 𝑉𝐺𝑆(𝑇ℎ) )
3𝑚𝐴
𝑘=
(10𝑉 − 3𝑉)2
3𝑚𝐴
𝑘= 𝐴/𝑉 2
49
𝑘 = 0,061𝑥10−3 𝐴/𝑉 2
𝐼𝐷 = 𝑘 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
𝐼𝐷 = 0,061𝑥10−3 𝐴/𝑉 2 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2
𝐼𝐷 = 0,244𝑚𝐴
Manejo de Mosfet
La delgada capa de SiO2 entre la compuerta y el canal de los MOSFET tiene el efecto
positivo de proporcionar una característica de alta impedancia de entrada para el dispositivo,
pero su manejo se dificulta por su capa extremadamente delgada, lo que no sucedía con los
transistores BJT o JFET.
VMOS
Una de las desventajas del MOSFET típico son los niveles de manejo de potencia reducidos
(en general, menores que 1 W) comparados con los transistores BJ.
El término vertical se debe sobre todo a que ahora el canal se formó en la dirección vertical
en vez de la horizontal como en el caso del dispositivo plano. Sin embargo, el canal de la
apariencia de una “V” tallada en la base del semiconductor, la que a menudo sobresale como
una característica para memorizar el nombre del dispositivo. La construcción de la figura
6.46 es un tanto sencilla porque no incluye algunos de los niveles de transición de dopado,
pero sí permite describir las facetas más importantes de su operación.
Figura 13 Construcción de un VMOS
La aplicación de un voltaje positivo al drenaje y de uno negativo a la fuente con la compuerta
a 0 V o a algún nivel de “encendido” positivo típico.
CMOS
Se puede establecer un dispositivo lógico muy efectivo construyendo un MOSFET de canal
p y uno de canal n en el mismo sustrato. Observe el canal p inducido a la izquierda y el canal
n inducido a la derecha para los dispositivos de canal p y n, respectivamente. La
configuración se conoce como una disposición de MOSFET complementaria (CMOS); tiene
gran aplicación en el diseño de lógica de computadora. La relativamente alta impedancia de
entrada, las rápidas velocidades de conmutación y los bajos niveles de potencia de operación
de la configuración CMOS, han dado por resultado una disciplina totalmente nueva conocida
como diseño de lógica CMOS.
Figura 14 CMOS con las conexiones indicadas
LOS MESFET
Como vimos en capítulos anteriores, el GaAs se ha utilizado durante varias décadas en la
construcción de dispositivos semiconductores. Desafortunadamente, sin embargo, los costos
de fabricación y la baja densidad resultante en circuitos integrados así como los problemas
de producción evitaron que alcanzara un nivel prominente en la industria hasta hace algunos
años. La necesidad de dispositivos de alta velocidad y de métodos de producción mejorados
en años recientes ha creado una fuerte demanda de circuitos integrados a gran escala de GaAs.
Construcción
Figura 15 Construcción básica de un MESFET de canal
