TRANSISTORES 2009
Los transistores bipolares son semiconductores activos, que disponen de 2 junturas PN y por lo tanto de 3 capas
consecutivas de material semiconductor. Según la secuencia de capas se dividen en PNP y NPN.
Veamos los símbolos para cada caso.
Los terminales se denominan
E = emisor su función es suministrar portadores de carga
C = colector, su función es recolectar los portadores
B = base, su función es controlar el flujo de cargas
Un transistor sin polarizaci6n es similar a dos diodos contrapuestos. Cada diodo tiene una barrera de potencial de
0,7 V, aproximadamente. Si se conectan fuentes de tensión externas para polarizar al transistor, se obtienen,
corrientes a través de las diferentes partes del transistor.
El emisor esta fuertemente dopado; su funci6n consiste en emitir o inyectar electrones libres a la base. La base
ligeramente dopada también tiene un propósito bien definido: dejar pasar hacia el colector la mayor parte de los
electrones inyectados por el emisor. El colector se llama así porque colecta o recoge la mayoría de los electrones
provenientes de la base.
TIPOS DE CONFIGURACIONES
Existen tres formas útiles de conectar un transistor: en EC (emisor común), en CC (colector común), o en BC
(base común). Nos centraremos en la conexión EC porque es la m6s utilizada.
POLARIZACION
Polarizar en directa el diodo emisor y en inversa el diodo colector produce los resultados mas útiles.
En el instante en que la polarización directa se aplica a1 diodo
emisor, los electrones del emisor todavía no han entrado en la
zona de la base. Si Vbb es mayor que la barrera de potencial
emisor-base, circula una elevada comente de electrones del
emisor hacia la base. Teóricamente estos electrones libres
pueden circular en cualquiera de las dos direcciones siguientes:
por una parte, pueden circular hacia la izquierda saliendo de la
base, pasando a través de RB en su camino hacia el terminal
positivo de la fuente. Por otra parte, los electrones libres
pueden circular hacia el colector. La mayoría de ellos siguen el
camino hacia el colector por dos razones:
La primera es el débil dopaje de la base. Por esta causa, los
electrones libres tienen una larga vida en la zona de la base; por
tanto, tienen tiempo suficiente para llegar a1 colector.
La segunda razón es que la base es muy estrecha. Casi todos
los electrones inyectados por el emisor pasan a través de la
base a1 colector.
Los electrones que libres van hacia el colector, son atraídos por la fuente de tensi6n Vcc. Como consecuencia de
ello, circulan a través del colector y a través de Rc, hasta que alcanzan el terminal positivo de la fuente de tensi6n
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del colector. A1 aplicarse a un transistor, la ley de Kirchhoff proporciona la relaci6n entre las tres corrientes del
transistor:
IE = IC + IB
Para las caídas de potencial en las junturas se cumple que:
VCE = VBE + VBC
Para alcanzar un efecto amplificador la juntura base emisor debe ser polarizada en directo y la juntura base
colector en inversa. La relación entre la Ic e Ib se conoce como beta β o hFE, que representa la ganancia en
continua de un transistor.
CURVAS CARACTERISTICAS
Las propiedades especiales de un transistor pueden ser indicadas con precisión por medio de las curvas
características. En este caso, a diferencia del diodo, son necesarias varias curvas o familias de curvas que
vinculan las distintas magnitudes del transistor: VBE, IB, VCE y IC
Esta combinación permite obtener 4 curvas:
CURVAS DE ENTRADA: relacionan IB en función de VBE con VCE como parámetro o constante
CURVAS DE GANANCIA DE CORRIENTE: relacionan IC en función de IB con VCE como parámetro o
constante.
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CURVAS DE SALIDA: representan la IC e función de VCE y como parámetro la IB
CURVAS DE CONTROL: Representa IC en función de la VBE con VCE como parámetro
CIRCUITO TIPICO PARA OBTENER CURVAS
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VALORES CARACTERISTICOS
Los valores característicos se dividen en datos límites o máximos y datos característicos. Los datos máximos son
los valores que nunca deben ser sobrepasados ya que se destruiría el componente; los datos característicos
indican su comportamiento para puntos de trabajos específicos.
Es la máxima tensión que soporta entre colector y emisor
Vce Si base esta en corto circuito se presenta como Vces
Si la base esta en circuito abierto se presenta como Vceo
Vcb Es de idénticas características que el anterior
Vbe Es la máxima tensión inversa que soporta dicha juntura
Ic Es la máxima corriente de colector que soporta en estado permanente. Es corriente continua.
Es la máxima potencia que pude soportar
Ptotal P = Vce Ic
Corriente de corte de colector. Son portadores minoritarios cuando la unión base colector
ICBO
esta polarizada en inverso
VCEsat Tensión colector emisor de saturación
VBE Tensión base emisor cuando la juntura esta en directo
hFE Ganancia de corriente en continua ó
Las regiones en las que puede operar un transistor son:
Región activa
Región de saturación
Región de corte.
En la siguiente grafica se indican las regiones en las que puede operar un transistor y la región de trabajo segura
IB = 0
El término polarización se refiere a todo lo relacionado con la aplicación de voltajes de continua que ayuden a
establecer un nivel fijo de tensión y corriente sobre las características de salida de modo tal que se establezca un
punto de trabajo llamado punto de reposo (quiescent point) simbolizado por la letra Q. El punto Q se selecciona
de acuerdo a la aplicación del circuito.
RESOLUCION GRAFICA DEL PUNTO Q – RECTA DE CARGA
La recta de carga se define como el lugar geométrico de todo los puntos en que puede operar un transistor para
un circuito de polarización dado. Por lo tanto para cada circuito hay una recta de carga específica y su
intersección con la curva de IB determina el punto de reposo o punto Q. Las coordenadas de dicho punto son las
tensiones y corrientes del transistor
Esta recta nos permite visualizar las condiciones de trabajo de un transistor. Como toda recta requiere de dos
puntos para su representación. Estos puntos se obtienen para dos condiciones extremas a partir de la ecuación de
malla de salida.
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Zonas de funcionamiento
Esta recta nos permite distinguir 3 zonas en función de la polarización:
A) zona activa ó lineal: es la zona en que se polariza al tr adecuadamente. En esta zona se obtiene una
ganancia de I tal que Ic = β Ib donde β es conocido como ganancia de I
B) zona de saturación: Vce = 0 (0,2V) la unión colectora esta polarizada en directo. Ic < β Ib (llave
cerrada)
C) zona de corte : Vce = Vcc, Ib = 0, Ic = 0 mínima y la Vbe < 0,7V para un transistor de Si (llave
abierta)
Punto Q y estabilidad
Para que el transistor funcione como amplificador es necesario que lo haga en la región activa para que la
respuesta ante una señal sea o mas lineal posible, es decir sin distorsión. Cuando se construye un amplificador
este se polariza con tensiones continuas adecuadas. Una vez trazada la recta de carga con los valores de Vcc y la
Rc ó R de carga es posible fijar un punto Q ó de reposo dentro de la zona mas lineal de las curvas de salida.
Generalmente este se sitúa en el centro de las curvas características y nos fija con sus coordenadas las Ic, Ib, y
Vce que deberán circular por el dispositivo. Estas corrientes y tensiones se fijaran con los elementos pasivos
adecuados.
La estabilidad del punto Q se puede ver perturbada por variaciones de temperatura ó variaciones propias de los
parámetros del componente.
La inestabilidad del punto Q se debe a 3 factores:
1- ICB0: corriente inversa de saturación es debida a potadores minoritarios y es despreciable frente a Ic pero
se duplica por cada 10° de aumento de temperatura. Cuando aumenta la temperatura se produce un
desplazamiento de las características y varía el punto Q. La corriente total que circula por el colector es
entonces: Ic = βIb + ICB
2- β : ganancia de corriente puede variar en un mismo transistor desviando el punto Q.
3- Vbe : esta tensión disminuye 2,5 mV por cada grado de aumento de temperatura.
Los circuitos de polarización deben diseñarse de tal forma que compensen todas las variaciones presentadas.
POLARIZACION FIJA
Ecuaciones del circuito
Vcc = Ic Rc + Vce malla de salida
Vcc = Ib Rb + Vbe malla de entrada
Ecuación para la recta de carga Vcc = Ic Rc + Vce
Tomamos dos puntos extremos:
1- para Ic = 0 => Vcc = Vce primer punto
2- para Vce = 0 => Ic = Vcc/Rc segundo punto
3- marque los puntos sobre la recta y una. La recta que se observa es la recta de carga estática es decir sin
señal.
Inconvenientes:
1° variaciones por temperatura: Ico se duplica por cada 10° de aumento de temperatura
2° variación de β: un mismo componente tiene una ganancia mínima y máxima que se refleja en el β
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POLARIZACION POR REALIMENTACION DE COLECTOR
En este circuito se mejora la estabilidad del punto de reposo ya que el
potencial al que varia Rb es función de la salida.
Vcc = (Ic + Ib ) Rc + Vce
Vcc = (Ic + Ib ) Rc + Ib Rb + Vbe
Ib = (Vcc – Ic Rc – Vbe) / (Rc + Rb) Si Ic aumenta Ib no aumenta tanto
POLARIZACION POR REALIMENTACION DE EMISOR
Ecuaciones de malla
POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION
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Debido a que β es sensible a la temperatura se busca un circuito de polarización tal que presente un punto de
reposo muy estable frente a las variaciones de beta o la temperatura.
El circuito que se presenta e el que presenta menor sensibilidad a los cambios de β o la temperatura.
Las ecuaciones del circuito son
Vcc = Vce + Ic Rc +Ie Re = Vce + Ic ( Rc + Re )
R1 Y R2 forman un divisor de tensión tal que un equivalente
Rb = R1 // R2 = R1 R2 / (R1 + R2 )
VT = Vcc R2 / (R1 +R2)
Vt es la tensión equivalente Thevenin y Rth es la R equivalente
Thevenin
El proceso de diseño es donde se especifican las tensiones y corrientes y deben determinarse los componentes
asociados para fijar los niveles de diseño. La trayectoria hacia la solución está menos definida y puede requerir
de ciertas suposiciones básicas que no se realizan cuando solamente se analiza una red.
El diseño de polarización se plantea a través de 2 ejemplos pensados para operar en un punto específico. En este
sentido se procede a encontrar los valores específicos de los componentes asociados y aproximarlos a los valores
estándares que mejor se acomoden.
1. Polarización por realimentación de emisor
Un buen criterio para encontrar los valores de RE y RC es considerar que la diferencia de potencial que debe caer
en RE es un décimo 1/10 de la tensión de fuente.
Los datos con que cuenta son:
VCC = 20 V
Transistor: 2N4401
β = 150
ICQ = 2 mA
VCEQ = 10V
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2. Polarización por división de tensión
Los datos con que cuenta son:
VCC = 20 V
β = 80
ICQ = 10 mA
VCEQ = 8V
El circuito funciona correctamente si se supone que
la corriente que atraviesa a R1 y R2 es lo
suficientemente grande como para que se pueda
despreciar la corriente de base. En este sentido la
red R1 y R2 es un divisor de tensión
Un buen criterio de ingeniería supone que
I1 = I2 = 10Ib luego β RE > 10R2
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Amplificador con pequeña señal
La polarización es por división de tensión. La señal se inyecta por el circuito de base a través de un C de
acoplamiento C1. La carga se conecta al circuito de colector por medio de un C de acoplamiento C2 y la Re se
desacopla a través de un C3.
Para la DC los Capacitores se comportan como circuito abierto por lo que el circuito de polarización solo queda
constituido por las Resistencias y la fuente. Esto significa que ni la carga ni la señal que proviene de la entrada
afectan al punto de reposo. El presente es un diseño totalmente práctico por lo que los
cálculos son aproximados.
Se desea diseñar una etapa preamplificadora con un Tr BC
238B o equivalente en la configuración emisor común
autopolarizado. La ganancia de la etapa G es de 25 la Ic máx.
para el Tr propuesto es según hojas de datos de 100mA el hFE
= 200 y la Vcc es de 12V. Calcular las R de polarización.
Las ecuaciones o fórmulas de diseño son:
G = (Vo / Vi ) ganancia en continua de la señal
a aplicar.
Ve = ( Ic x R4 ) potencial del emisor.
Vb = ( Ve + Vbe ) potencial de base.
Vbe = 0.7 si el transistor es de Si.
Ib = ( Ic / hFE ) donde hFE es el βdel transistor
Ic = ( Vcc – Vc ) / Rc donde Vcc = tensión de fuente.
I1 = 10 x Ib se adopta una I por la rama del
divisor de tensión 10 veces mayor que Ib.
R1 = ( Vcc – Vb )/ I1
R2 = Vb / I1
R4 = R3 / G
Rc = ½ Vcc / Ic
También se necesita conocer el valor de:
• Vi y Vo que son la máxima amplitud de entrada y salida que se desea obtener en nuestro caso es de 25.
• Sea Vi = 20mV y Vo = 500mV
• Icmax es la máxima corriente de colector que especifica el fabricante. De este valor en la etapa de
diseño solo consideramos la 150 ava parte para una etapa preamplificadora y la 50 ava parte
para potencia.
Ic = 100mA /150 = 0,67mA
Rc = ½ Vcc / Ic = 8,9K
R4 = Re = Rc /25 = 328Ω
Si Ic = Ie
Ve = R4 Ic = 0,22V
Ib = Ic / β = 0,67mA/200 = 3,35uA
I1 = 10 x Ib = 33,5uA
Vb = ( Ve + Vbe ) = 0,22V +0,7V = 0,92V
R1 = ( Vcc – Vb )/ I1 = 330K
R2 = Vb / I1 = 27,4K
Los capacitores de paso se eligen para que su Xc sea por lo menos 10 veces menor que la impedancia que ve a la
mínima frecuencia de trabajo del amplificador. Estos se comportan como un cortocircuito para la menor
frecuencia de señal.
RESPUESTA EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR
La respuesta en frecuencia de un amplificador es una representaci6n de su ganancia en funci6n de la frecuencia.
En la región de frecuencias medias la ganancia de tensión es máxima. En este margen es donde suele funcionar
un amplificador. En bajas frecuencias, la tensión de salida disminuye debido a que los condensadores de acoplo y
de desacoplo ya no funcionan como cortocircuitos. En lugar de ello, sus reactancias capacitivas son
suficientemente grandes como para hacer caer parte de la tensi6n de la señal alterna. El resultado es una perdida
de ganancia de tensión a medida que se aproxima a cero hercios (0 Hz). En altas frecuencias la ganancia de
tensi6n decrece por las capacidades internas de las propias uniones. Estas capacidades proporcionan caminos
directos para la señal alterna. A medida que la frecuencia aumenta, las reactancias capacitivas decrecen lo
suficiente como para entorpecer el funcionamiento normal del transistor. El resultado es una perdida de ganancia
de tensi6n.Las capacidades parasitas de las conexiones es otra raz6n para la perdida de ganancia de tensi6n a
altas frecuencias. Cualquier cable de conexión en un circuito de transistor actúa como una placa de condensador,
y el chasis actúa como la otra placa. Las capacidades .parasitas de las conexiones son capacidades no deseadas
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que forman caminos de derivaci6n para la señal de alta frecuencia y le impiden alcanzar la resistencia de carga.
Esto es equivalente a decir que la ganancia de tensión decrece.
FRECUENCIA DE CORTE
Las frecuencias a las que la ganancia de tensión es igual a 0,707 de su valor máximo se denominan frecuencias
de corte. f, es la frecuencia de corte inferior y f2 es la frecuencia de corte superior. Las frecuencias de corte
también se denominan frecuencias de mitad de potencia porque la potencia en la carga a esas frecuencias es la
mitad de su valor máximo. Cuando la ganancia de tensión es 0,707 de su valor máximo, la tensi6n de salida es
0,707 del valor máximo. La potencia es V 2 / R. Cuando se eleva a1 cuadrado 0,707 se obtiene 0,5.
Se define como frecuencias medias de un amplificador el margen de frecuencias entre 10f1 y 0,lf2. En las
frecuencias medias la ganancia de tensión del amplificador es aproximadamente máxima y se denomina Amed
Las tres características importantes de cualquier amplificador de alterna son su Amed, f1 yf2.
DISTORCION
Decimos que un amplificador distorsiona cuando la señal de salida no es fiel reflejo de la entrada. Esta se
produce por la falta de linealidad de los componentes y capacidades parásitas asociadas a los componentes o
líneas de transmisión. En general podemos clasificarlas en 3 tipos.
Distorsión por la característica de transferencia: la señal reproducida no es fiel reflejo de la entrada.
Por ej presenta atenuaciones.
Distorsión de frecuencia: frecuencias diferentes son amplificadas de modo distinto. Un amplificador
posee un cierto ancho de banda enmarcado entre una frecuencia f1 y f2
llamadas frecuencias de corte inferior y superior respectivamente, fuera de
este espectro presenta grandes atenuaciones.
Distorsión por desplazamiento de fase o retardo. la señal esta desfasada respecto de la entrada.
Capacidades parásitas.
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Para suministrar a una carga suficiente potencia es necesario conectar circuitos que sean capaces de gobernar las
corrientes exigidas por las cargas. Estas etapas se conocen como amplificadores de potencia o etapa de potencia.
Se clasifican en: clase A, B, AB, C dependiendo de la forma de salida a partir de una entrada senoidal.
CLASE A CLASE AB CLASE B CLASE C
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RENDIMIENTO: expresa la relación entre la potencia alterna entregada a la carga y la potencia dada por la
fuente de alimentación
η= (P carga max / Pcc )x 100
POTENCIA DISIPADA EN LA CARGA: es la potencia de CA disipada en la carga
PL = v ef 2 / RL = Vpp 2 / 8 RL
GANANCIA DE POTENCIA: Ap = Po / Pi o en dB como Ap [dB] = 10 log Po/Pi
El dB (decibel) es una unidad relativa que expresa una relación logarítmica de potencia y no una medida de
potencia. Surgió como necesidad de establecer una medida de la atenuación de una línea telefónica.
El dB = 10 log (P1 /P2) donde P1 es la potencia de entrada y P2 la de salida. Cuando la relación es P2/P1
entonces hablamos de ganancia en dB.
CLASE A
Una configuración típica utilizada es el par Darlington. Básicamente son 2 transistores acoplados directamente en
una disposición CC (También se la conoce con el nombre de seguidor de emisor ya que el emisor sigue las
variaciones de la entrada). la entrada se inyecta entre base y colector y la salida se obtiene en emisor.
El par Darlington se puede obtener comercialmente en una sola capsula y sus principales características son:
Elevada ganancia de corriente β1. β2)
Elevada impedancia de entrada
Baja impedancia de salida (esto permite conectar cargas de muy baja impedancia sin que se vean
afectadas por la propia impedancia del dispositivo)
La máxima ganancia se obtiene cuando el punto Q
se sitúa en el centro de la recta de carga.
El rendimiento de esta etapa si la carga es R3 es:
η= P carga max / Pcc x 100 = 2 RL / 8 RL. 100% =
25%
PRL = Vcc 2 / 8 RL
Pcc = Vcc 2 / 2 RL
CLASE B
Amplifica un solo semiciclo, luego para obtener una replica de la entrada es necesario disponer de 2 transistores
conectados adecuadamente.
Una configuración típica es la de simetría complementaria o push – pull
Los requisitos eléctricos son disponer de transistores complementarios (PNP y NPN)
Esquema simplificado
Durante el semiciclo positivo Q3 conduce en la zona
activa y circula corriente en la carga de + a – y Q4
permanece cortado. Durante el semiciclo negativo
conduce Q4 y la tensión en la carga se invierte.
El rendimiento es del 78,5%.
Una desventaja es la distorsión por cruce que
presenta a la salida, cuando los transistores pasan del
corte a conducción. Los transistores no empiezan a
conducir hasta que haya una tensión de unos 0,6
voltios entre base y emisor. Esto significa una
disminución de la señal de entrada. Para eliminarla es
necesario aplicar una ligera polarización directa a cada
diodo emisor (dos diodos en serie entre las bases) .
Este hecho significa situar el punto Q ligeramente por
encima del corte. Pasa a ser un clase AB, el ángulo de
conducción es ligeramente superior a 180º
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TRANSISTOR EN CONMUTACION
Este tipo de funcionamiento se caracteriza por que el dispositivo opera con niveles intensos en regiones no
lineales. En estas regiones el componente combina su funcionamiento entre dos estados: corte y saturación sin
estados intermedios, es decir que cambien su estado de plena conducción a un profundo corte.
Los transistores a utilizar en estos casos deben tener la suficiente ganancia para que la señal de entrada
generalmente una que excursiona muy rápidamente de 0 V a un valor máximo, no sufra ninguna deformación en
la salida. La corriente máxima que puede circular de colector a emisor está limitada por la tensión de
polarización de Base y la carga del colector.
El tipo de transistores mas utilizados son los NPN en la configuración de emisor común.
Las regiones en las que opera son las de corte y saturación las que están caracterizadas por:
1. Condición de Saturación: la Ic es lo suficientemente grande como para que toda la Vcc aparezca en los
terminales de carga. Por lo tanto el componente aparece como un interruptor cerrado. Si bien la condición de
funcionamiento de base es igual que en la región activa en la región de saturación con la diferencia entre un
estado y otro que en estado de saturación la corriente de colector no es sensible a las variaciones de la
corriente de base.
2. Condición de corte: cuando Ib es lo suficientemente pequeña no hay circulación de corriente en la carga por
lo que el componente actúa como un interruptor abierto.
La configuración típica es
Ecuaciones de cálculo:
Ic (sat) = (Vcc – Vce sat ) / Rc
Ib (sat) = Ic (sat) / βmin = Vcc / (RB miν.)
La tensión de entrada debe ser lo suficientemente alta como para
entregar una Ib que pueda cerrar el dispositivo. Por lo tanto la acción
de abrir o cerrar el interruptor lo ejecuta la Vin.
Variantes para asegurar el estado de corte.
Con la resistencia de sujeción el
Con diodo en serie asegura que el transistor potencial de base es siempre más
permanezca al corte aunque Vin se encuentre negativo que la entrada
próxima a 0,6 V.
Mejora de velocidad de respuesta
El capacitor incrementa la velocidad de respuesta
del circuito tanto para la condición de saturación
como la de corte. Las capacidades empleadas
normalmente son del orden de los pF.
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Vcc Si la carga presenta un capacitor en paralelo el tiempo
de respuesta se ve afectado por la constante de tiempo
T1 del circuito. Para resolver este problema se recurre a la
configuración en tótem pole. Cuando T1 es llevado a
conducción T2 es llevado al corte y activa la carga. Si
T2 T2 es llevado a plena conducción la carga queda
desactivada. El circuito de entrada debe ser tal que no
ponga en conducción a los dos transistores
simultáneamente ya que se ponen en corto circuito.
Aplicaciones
• Indicadores de eventos: es un tipo de indicador visual que permite observar la condición de cierta etapa o
circuito. También como excitadores de display de 7 segmentos.
• Interfaz para distintos niveles de señal: son circuitos de frontera que permiten acondicionar distintos niveles
de señal.
Uno de los circuitos mas utilizados es la operación a través de un
rele ya que nos provee de aislacion. Cuando las cargas son de tipo
inductivo al cambiar de estado se generan transitorios de muy alta
tensión por lo que se suele utilizar un diodo de amortiguación que
absorbe el pico de tensión y evita el daño al transistor.
• Circuitos de lógica: son circuitos de toma de decisiones cuyo resultado se asocia a un nivel alto a la salida.
VA VB S
• Temporizadores:
La temporización consiste en retardar la conexión o desconexión o ambas acciones de un dispositivo o sistema
Un circuito temporizador básico consiste en:
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A la entrada se aplica una función escalón y el Q1 permanece al
corte hasta que la Vc supere la Vz + Vbe.
El tiempo para que esto ocurra depende de la constante de carga
de la red RC.
Con una R variable se puede controlar o ajustar el tiempo. La red
RC es la base de los sistemas temporizadores.
La ecuación de carga de un capacitor es:
Vc = Ve ( 1 - e-t/RC )
Despejando el tiempo
T = RC ln Ve /(Ve – Vc ) = RC ln Ve / [ Ve – ( Vz + Vbe )]
Luego es un circuito que retarda la conexión.
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PARTE PRÁCTICA
1. Identificar con un mulltímetro el tipo (PNP, NPN) y los terminales del transistor.
Un transistor se puede esquematizar como dos diodos en contratase. Luego hay que determinar las dos
junturas con la función del tester de diodo. El Tester Digital entrega en las Puntas de Prueba un voltaje
suficiente para hacer trabajar y polarizar directamente las junturas del transistor.
Seleccione función de diodo
Combine las puntas de prueba tal que pueda encontrar las 2 junturas es decir dos lecturas de
aproximadamente 0,6 V para los transistores de Si.
La punta común a ambas uniones es la base. Si la punta que coloco es la roja el transistor es NPN, sino
es PNP.
De las dos lecturas de tensión de polarización la mayor apunta al terminal de emisor, la restante es el
colector
NOMBRE TIPO CONFIGURACION
2. Circuito de polarización fija. Regiones de operación
Montar el circuito
Calcular analíticamente el punto Q
Dibujar la recta de carga y marcar el punto de reposo
Datos R1 = 220K, R3 = 1K, Vcc = 12V
Repita el calculo para R1 = 100K y 470K
Redacte sus conclusiones
Calculo analítico
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3. Ejercitación
Calcular para cada caso el punto de reposo
Dibujar la recta de carga y ubicar el punto Q
Recalcular para cada caso si el β se duplica
Redacte sus conclusiones para cada caso
Circuito 1 circuito 2
Circuito 3 circuito 4
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