LABORATORIO DE ELECTRÓNICA III (EE-443N)
(FIEE-UNI: Ciclo académico: 2019-2)
INFORME PREVIO No.1 “Circuitos Sintonizados y Transformadores de
Redes Selectivas”
Lopez Loja Rodney
20152600E
[email protected] Abstract— This report is an approach to tuned circuits and
selective network transformers. An analysis of the circuits will
be performed using the equivalent models of the bipolar
transistor, including the analysis of the variation of some
parameters to meet the design conditions. Finally, the
processes to follow to experimentally obtain the characteristic
values of the circuit and the considerations for choosing the
transistors to be used are described.
Keywords—amplifier, transistor, tuned circuits, coil, voltage,
resonance. FIGURE 1. Modelado ideal de elementos asociados.
I. INTRODUCTION El factor de calidad Q se define como:
Los amplificadores son indispensables en cualquier
sistema de comunicaciones, al igual que los filtros, los
osciladores, los mezcladores, etc. Como sabemos, las señales
A. Representación del transistor
de radiofrecuencia generalmente son de muy baja amplitud,
y por tanto, es evidente que la señal debe ser amplificada El modelo que se emplea en general para representar a un
hasta conseguir el nivel de potencia de salida requerido. transistor es el de red bipuerto híbrido. Para este caso resulta
más práctico emplear el modelo de red bipuerto admitancia:
Los amplificadores sintonizados contienen circuitos
resonantes en el circuito de entrada, en el circuito de salida, o V1 hie hre I 1
en ambos. Se usan para amplificar estas pequeñas señales en I = h hoe V2
banda estrecha (es decir, señales cuyas componentes 2 fe
pertenecen a una estrecha banda de frecuencias), mientras
que rechazan las señales de las bandas de frecuencia Se transforma una red de impedancia:
adyacentes. Por ejemplo, los receptores de radio y televisión
utilizan amplificadores sintonizados para seleccionar una
señal de entre las varias que llegan al receptor a través de la
antena.
II. OBJECTIVE
Medir los parámetros de las bobinas FI de AM.
III. THEORETICAL FOUNDATION
Un circuito sintonizado está formado por elementos
reactivos, inductancias, condensadores, líneas de energía, FIGURE 2. Red de admitancia.
cristales piezoeléctricos, etc. y se utilizan en los receptores y
trasmisores.
I1 −1 −1
Una aplicación típica es en las etapas de radiofrecuencia Y11 = = hie (1 + h fe ) + hoe + hie hre
V1 V2 = 0
de amplificación donde se quiere que el circuito amplifique
solamente una banda de frecuencias. A las inductancias y I2 −1
condensadores están asociadas resistencias que se deben a la Y21 = = −hoe − hie hre
resistencia óhmicas en las bobinas y pérdidas dieléctricas en V1 V2 = 0
los condensadores que se hacen más evidentes a altas
I2 −1
frecuencias. Se pueden modelar suponiendo que son Y22 = = hoe − hie hre h fe
elementos ideales, reactivos puros, con una resistencia que V2 V1 = 0
podemos asociar en paralelo, en serie o en ambos modelos.
I1 −1
Y12 = = −hoe + 2hie hre h fe
V2 V1 = 0
El modelo queda expresado como:
978-1-5386-5447-7/18/$31.00 ©2018 IEEE
I 1 Yi Yr V1 Se tiene la disposición del circuito:
I = Y Yo V2
2 f
Donde:
V1 = Veb
V2 = Vcb
Ahora se puede realizar el análisis en AC y encontrar el
voltaje de salida en función al voltaje de entrada.
B. Circuitos L, C y R paralelo
Se supone que L y C son ideales (sus pérdidas se pueden
transferir a R)
FIGURE 3. Circuito resonante RLC paralelo. FIGURE 5. Circuito sintonizado de la experiencia.
La condición de resonancia se da cuando: Su circuito equivalente en AC.
Donde representa la frecuencia de resonancia, y se
presenta el siguiente comportamiento.
FIGURE 6. Equivalente AC circuito sintonizado.
Y operando:
Esto debido a la relación de transformación.
Luego, en resonancia:
Y con la equivalencia:
Donde:
FIGURE 4. Curva característica de una red sintonizada.
IV. PREVIOUS REPORT
A. Determine la expresión de Vo1, Vo2 y Vo3 en forma
literal del amplificador mostrado en la figura número 1
(Colector conectado a Vo1). En función de qué Y así:
parámetro principal se encuentra (Vo). Considere Lin,
Cin, Rp de la bobina y capacidades parásitas del
transistor.
B. Haga un análisis en DC y determine el rango del La principal consideración que debemos tener en cuenta
potenciómetro Rp y el valor de la resistencia R1 para es que deben ser idénticos para formar el espejo de corriente.
obtener una corriente entre 100 y 300µA. - Para el transistor Q3:
De Q1 y Q2:
La principal consideración es que este transistor sea
capaz de operar a altas frecuencias.
De dato R2=10KΩ A partir de esto, se consideran los transistores más
A partir de ello, se despeja R1 y Rp: comerciales en función al datasheet.
V. EQUIPMENT AND MATERIALS
- Bobinas de FI de AM (Negra, Amarilla, Blanca)
Y, asumiendo Rp y R1 mínimos, con los valores de 0Ω y
1Ω respectivamente. - 02 Transistores 2N2222
- 01 Transistor BF494
Para poder obtener el valor de R1(max) se deben usar los - 01 Resistencia de 100 Ω / 0.5 W
datos de y el (min), y reemplazarlos en la - 02 Resistencias de 1 KΩ / 0.5 W
ecuación anterior de R1:
- 02 Resistencias de 10 KΩ / 0.5 W
- 01 Potenciómetro de 500 KΩ / 0.5 W
Eligiendo un valor conveniente para R1, seria:
- 02 Condensadores electrolíticos de 10 µF-25 V
- 01 Condensador electrolítico de 1 µF-25 V
Se reemplaza en las ecuaciones, y se obtiene para : - 01 Condensador cerámico de 47 pF - 50 V
- 01 Condensador cerámico de 100 pF - 50 V
Con lo cual, se obtienen los valores para Rp: - 01 Fuente de alimentación doble
- Osciloscopio
- Generador de funciones
C. Describa la manera de obtener en forma
experimental: - Multímetro digital
a) La frecuencia de resonancia (mínima y máxima) de
la bobina de FI. REFERENCES
Para hallar la máxima y mínima frecuencia de resonancia
de la bobina de FI de forma experimental se debe girar de [1] Circuitos electrónicos: amplificación lineal con circuitos discretos e
integrados, Carlos Medina R.
extremo a extremo el tornillo que se encuentra en la parte
superior de la bobina de color (blanca, negra y amarilla).
b) La inductancia Lin, la capacitancia Cin.
Para hallar la inductancia y la capacitancia, nos basamos
en elegir una frecuencia de resonancia que se puede obtener
a partir de:
c) Resistencia de pérdidas de la bobina.
Para hallar la Rp se debe usar la siguiente igualdad
debido a que todos los demás parámetros ya son conocidos:
D. Indique las consideraciones que se deben tomar en
cuenta para escoger los transistores.
- Para los transistores Q1 y Q2:
