DIODO SEMICONDUCTOR
En la teoría vista anteriormente se presentaron los
materiales tipo n y tipo p.
El diodo semiconductor se forma al unir estos
materiales. En el momento en que los dos materiales
se “unan”, los electrones y los huecos en la región de la
unión se combinarán y como consecuencia se
originará una carencia de portadores en la región
cercana a la unión.
Esta región de iones positivos y negativos descubiertos
se denomina región de agotamiento debido a la
disminución de portadores en ella.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unión
de dos materiales semiconductores de características
opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta
estructura se le añaden dos terminales metálicos para
la conexión con el resto del circuito.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Formación de la unión PN
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Polarización directa
El bloque PN en principio no permite el
establecimiento de una corriente eléctrica entre sus
terminales puesto que la zona de deplección no es
conductora.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Sin embargo, si se aplica una tensión positiva en el
ánodo, se generará un campo eléctrico que "empujará"
los huecos hacia la unión, provocando un
estrechamiento de la zona de depleccion. Sin
embargo, mientras ésta exista no será posible la
conducción.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de
la batería es mayor que la diferencia de potencial en la
zona de deplección, los electrones libres del cristal n,
adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado
hacia la uniónp-n.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Concluyendo si la tensión aplicada supera a la de
barrera, desaparece la zona de deplección y el
dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo
que sucede en la figura anterior es lo siguiente:
Electrones y huecos se dirigen a la union.
En la union serecombinan.
La tensión aplicada se emplea entonces en:
Vencer la barrera depotencial.
Mover los portadores de carga.
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Polarización inversa
Al contrario que en el apartado anterior, al aplicar una
tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se
retiran portadores mayoritarios próximos a la unión.
Estos portadores son atraídos hacia los contactos
aumentando la anchura de la zona de deplección. Esto
hace que la corriente debido a los portadores
mayoritarios sea nula.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Sin embargo, el número de portadores minoritarios
que entran a la región de empobrecimiento no
cambia, y se producen vectores de flujo de
portadores minoritarios de la misma magnitud sin
voltaje aplicado.
La corriente en condiciones de polarización en
inversa se llama corriente de saturación en
inversa y está representada por Is.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Característica tensión-corriente
En la siguiente Figura se muestra la característica V-I
De un diodo real contra un diodo ideal
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
El diodo ideal es un componente discreto que permite
la circulación de corriente entre sus terminales en un
determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.
En la siguiente Figura se muestran el símbolo y la
curva característica tensión-intensidad del
funcionamiento del diodo ideal. El sentido permitido
para la corriente es de A a K.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
De forma simplificada, la curva característica de un
diodo (I-V) consta de dos regiones, por debajo de
cierta diferencia de potencial, se comporta como un
circuito abierto (no conduce), y por encima de ella
como un circuito cerrado con muy pequeña resistencia
eléctrica.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Diferencias entre el diodo de union PN y el diodo
ideal
La resistencia del diodo en polarización directa no es
nula.
La tensión para la que comienza la conducción es VON.
En polarización inversa aparece una pequeña corriente.
A partir de una tensión en inversa el dispositivo entra en
coducción por avalancha.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Principales características comerciales
A la hora de elegir un diodo para una aplicación
concreta se debe cuidar que presente unas
características apropiadas para dicha aplicación. Para
ello, se debe examinar cuidadosamente la hoja de
especificaciones que el fabricante provee. Las más
importantes son:
• Corriente máxima en directa, IFmax o IFM (DC forward
current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el
diodo en directa sin que este sufra ningún daño.
• Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown
Voltage, BV; Peak Inverse Voltage, PIV): Es la tensión a la quese
produce el fenómeno de ruptura por avalancha.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
• Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working
Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no
sobrepasar para una operación en inversa segura.
• Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se
exprese para diferentes valores de la tensión inversa
• Caída de tensión en PD, VF (Forward Voltage): Pese a que se
ha señalado anteriormente los 0.7V como valor típico, en
muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de
esta caída de tensión, mediante la gráfica I-V del dispositivo.
Además, es frecuente que los fabricantes
suministren datos adicionales a cerca del
comportamiento del dispositivo para otras
temperaturas diferentes a la nominal.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Resumiendo
Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la
aplicación de un voltaje a través de sus terminales
ofrece tres posibilidades:
Sin polarización (VD = 0 v), En ausencia de un voltaje
de polarización aplicado, el flujo neto de carga en
cualquier dirección para un diodo semiconductor es
cero.
Polarización directa (VD > 0v), un diodo
semiconductor se encuentra en polarización directa
cuando se establece una asociación tipo p con positivo
y tipo n con negativo.
polarización inversa (VD < 0v), la corriente que se
forma bajo una situación de polarización inversa se
denomina corriente de saturación inversa.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
NIVELES DE RESISTENCIA
A medida que el punto de operación de un diodo se
desplaza de una región a otra, la resistencia del diodo
también cambiará debido a la forma no lineal de la
curva característica. En los siguientes párrafos, se
demuestra que el tipo de voltaje o señal aplicada
define el nivel de resistencia de interés. Se
presentarán tres niveles diferentes, los cuales
seguirán apareciendo en cuanto revisemos otros
dispositivos; por lo tanto, la comprensión clara de su
definición es muy importante.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
1. Resistencia de DC o resistencia estática
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
La resistencia de dc en el punto de inflexión de la curva y
por debajo de él, será mayor que los niveles de
resistencia que se obtienen sobre la sección de
crecimiento vertical de las características.
Los niveles de resistencia para la región de polarización
inversa naturalmente serán muy altos. Ya que los
óhmetros utilizan por lo regular una fuente de corriente
relativamente constante, la resistencia que determinen
será la del nivel de corriente predeterminado
(comúnmente unos cuantos miliamperios).
Por lo tanto, en general, a menor corriente a través del
diodo mayor será el nivel de resistencia de dc.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Ejemplo1.
Determine los niveles de resistencia dc para el diodo de la
siguiente figura utilizando los siguientes valores:
a. ID = 2mA
b. ID = 20mA
c. VD = -10V
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Solución
(a) En ID = 2 mA, VD = 0.5 V (de la curva) y
(b) En ID = 20 mA, VD = 0.8 V (de la curva) y
(c) En VD = -10 V, ID = -1uA (de la curva) y
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2. Resistencia de AC o resistencia dinámica
Si se dibuja una línea recta tangente a la curva sobre
el punto Q como se muestra en la figura, se definirá
un cambio particular en el voltaje y en la corriente
que se puede utilizar para determinar la resistencia
de ac o dinámica para esta región de las
características del diodo. En forma de ecuación,
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Mientras mayor sea la pendiente, menor será el valor
de Vd para el mismo cambio en Id y menor será la
resistencia. La resistencia de ac para la región de
crecimiento vertical de la característica es por lo
tanto muy pequeña, mientras que la resistencia de
ac es mucho mayor para niveles bajos de corriente.
Por lo tanto, en general, mientras menor sea el
punto de operación Q (corriente más pequeña o
voltaje más pequeño) mayor será la resistencia de
ac.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
EJEMPLO 2
Para las características de la
siguiente figura:
(a) Determinar la resistencia
de ac cuando ID = 2 mA.
(b) Determinar la resistencia
de ac cuando ID = 25 mA.
(c) Comparar los resultados
de los incisos (a) y (b) con la
resistencia de dc en cada
nivel de corriente.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Solución
(a) Para el caso lD = 2 mA; se dibujó la línea tangente en ID
= 2 mA como se muestra en la figura y se eligió una
excursión de la señal de 2 mA por encima y por debajo del
nivel de corriente especificado para el diodo. En el punto
ID = 4 mA, VD = 0.76 V, y en ID = 0 mA, VD = 0.65 V. Los
cambios en la corriente y el voltaje que resultan son:
Y la resistencia ac será:
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
(b) Para el caso ID = 25 mA, se dibujó la línea tangente en
ID =25 mA como se muestra en la figura, con una
excursión de 5 mA por encima y por debajo del nivel de
corriente elegido para el diodo. En el punto ID = 30 mA, VD
= 0.8 V, y en ID = 20 mA, VD = 0.78 V. Los cambios en la
corriente y el voltaje que resultan son:
Y la resistencia ac será:
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
c) Para el caso lD = 2 mA, VD = 0.7 V y
lo cual excede por mucho a la rd de 27.5 .
Para el caso ID = 25 mA, VD = 0.79 V y
lo cual excede por mucho a la rd de 2
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Calculamos la resistencia dinámica de forma gráfica, sin
embargo, existe una definición básica en cálculo diferencial
que establece lo siguiente:
La derivada de una función en un punto específico es
igual a la pendiente de la línea tangente dibujada en ese
punto.
Por lo tanto, la ecuación es equivalente a calcular la
derivada de la función en el punto de operación Q. Si se
encuentra la derivada de la ecuación general del diodo
semiconductor con respecto a la polarización directa
aplicada y luego se invierte el resultado, se obtendrá una
ecuación para la resistencia de ac o dinámica en esa
región.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Mediante algunas maniobras básicas del cálculo
diferencial. En general, ID>> IS en la sección de la
pendiente vertical de las características y
Al sustituir n= 1 para el caso del Ge y del Si para la
sección de crecimiento vertical en las características,
obtendremos:
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Y a temperatura ambiente:
Al invertir el resultado para definir un índice de
resistencia (R= V/I), se obtiene:
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Todos los niveles de resistencia determinados hasta
ahora se han definido para la unión p-n y no
incluyen la resistencia del material semiconductor
en sí (denominada resistencia de cuerpo) ni la
resistencia presentada por la conexión entre el
material semiconductor y el conductor metálico
externo (denominada resistencia de contactó). Estos
niveles adicionales de resistencia pueden incluirse
en la ecuación anterior al agregarle la resistencia
denotada por rB como se muestra en la siguiente
ecuación. Por lo tanto, la resistencia r’d, será:
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Ejemplo 3
Para el ejemplo 2, la resistencia de ac para el nivel
de 25 mA se calculó en 2 . Al utilizar ahora la
ecuación anterior obtenemos
La diferencia de aproximadamente 1 podría
tomarse como la contribución debida a rB .
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Para el ejemplo 2, la resistencia de ac para el nivel de
2 mA se calculó como 27.5 . Ahora mediante la
ecuación anterior pero multiplicando por un factor
de 2 para esta región (ya que en el punto de inflexión
de la curva n = 2),
La diferencia de aproximadamente 1.5 podría
tomarse como la contribución debida a rB
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
3. Resistencia de AC promedio
Si la señal de entrada es lo suficientemente grande
para producir una excursión amplia como en la
siguiente figura, la resistencia asociada con el
dispositivo para esta región se denomina resistencia
de ac promedio, la cual es, por definición, la
resistencia determinada por una línea recta
trazada entre las dos intersecciones establecidas
por los valores mínimos y máximos del voltaje de
entrada. En forma de ecuación:
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Ejemplo 3
Para el gráfico anterior encontrar la resistencia ac promedio:
Si la resistencia de ac (rd) se determinara cuando ID = 2 mA su valor
sería mayor que 5 , y si se determinara a 17 mA sería menor. En
medio, la resistencia de ac efectuaría la transición del valor alto en 2
mA hacia el valor bajo en 17 mA. Entonces el valor que se considera
será un promedio de los valores en ac de 2 á 17 mA.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
El hecho de que un nivel de resistencia pueda
emplearse para un intervalo tan amplio de
características demostrará ser algo muy útil en la
definición de circuitos equivalentes para un diodo en
el siguiente capitulo. .
“Para ambos niveles de resistencia de dc y de ac,
mientras menor sea el nivel de corriente utilizado
para determinar la resistencia promedio, mayor
será el nivel de resistencia”.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
RESUMIENDO
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS
Un circuito equivalente es una combinación de
elementos elegidos de forma apropiada para
representar de la mejor manera las características
terminales reales de un dispositivo, sistema o
similar, para una región de operación particular.
En otras palabras, una vez que se define el circuito
equivalente, es posible eliminar el símbolo del
dispositivo de un diagrama y sustituirlo por el
circuito equivalente sin afectar de forma importante
el comportamiento real del sistema.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Debido a que un diodo semiconductor de silicio no
alcanza el punto de conducción sino hasta que VD
llega a 0.7 V bajo polarización directa (como se
muestra en la figura anterior) deberá existir en el
circuito equivalente una batería VT que se oponga a
la dirección de conducción.
La batería solamente indica que el voltaje a través
del dispositivo deberá ser mayor que el voltaje de
umbral de la batería antes de que pueda establecerse
una conducción a través del dispositivo en la
dirección determinada por el diodo ideal.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Cuando la conducción se establezca, la resistencia
del diodo será el valor especificado de rav.
Sin embargo, recuerde que VT en el circuito
equivalente no es una fuente de voltaje
independiente. Si se coloca un voltímetro sobre un
diodo en particular encima de una mesa de
laboratorio, no se obtendrá una lectura de 0.7 V. La
batería solamente representa el desfasamiento
horizontal en las características que deberán
superarse para poder establecer la conducción.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
El nivel aproximado de rav puede determinarse
generalmente a partir de un punto de operación que
se describe en la hoja de especificaciones.
Por ejemplo, para un diodo semiconductor de silicio,
si IF = 10 mA (una corriente de conducción directa
para el diodo) cuando VD = 0.8 V, sabemos que para
el silicio se requerirá un desplazamiento de 0.7 V
para que la curva característica se eleve y
obtenemos
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Circuito equivalente simplificado
Para la mayoría de aplicaciones, la resistencia rav es lo
suficientemente pequeña al compararla con los otros
elementos de la red, como para poder ignorarla.
El circuito equivalente reducido se muestra en la misma
figura, y manifiesta que en un sistema electrónico, un
diodo de silicio polarizado directamente, bajo
condiciones de corriente dc tendrá una caída de 0.7 V a
través de él.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
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NOTACIÓN DE DIODOS
SEMICONDUCTORES
Las notaciones que de manera más frecuente se utilizan
para los diodos semiconductores, se proporcionan en la
siguiente figura. Para la mayoría de los diodos, se presenta
una marca como un punto o una banda en la terminal del
cátodo. La terminología de ánodo y cátodo es un legado de
la notación de los tubos de vacío. El ánodo se asocia con el
potencial mayor o el positivo, y el cátodo con la terminal
con el potencial menor o negativa. Esta combinación de
niveles de polarización provocará una polarización directa
para el diodo o condición de "encendido".
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
DIODOS ZENER
En la siguiente figura se aprecia la caída en una forma casi
vertical de la característica bajo un potencial de
polarización inversa denotado como Vz. El hecho de que la
curva caiga alejada del eje horizontal en lugar de que se
eleve alejada de la región positiva VD indica que la
corriente en la región Zener mantiene una dirección
opuesta a aquélla de un diodo en polarización directa. Esta
región de características únicas se utiliza en el diseño de los
diodos Zener.
Un diodo Zener, es un
diodo de silicio que se
ha construido para que
funcione en las zonas de
ruptura. Llamados a
veces diodos de
avalancha o de ruptura.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Si un diodo zener está funcionando en la zona zener,
un aumento en la corriente producirá un ligero
aumento en la tensión. El incremento es muy
pequeño, generalmente de una décima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensión entre sus
terminales prácticamente constante en un amplio
rango de intensidad y temperatura, cuando están
polarizados inversamente, por ello, este tipo de
diodos se emplean en circuitos estabilizadores .
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Tanto el diodo semiconductor como el diodo Zener se
presentan juntos en la siguiente figura para asegurar que
se entienda claramente la dirección de la corriente en cada
uno (dirección de conducción), junto con la polaridad
requerida para el voltaje aplicado.
Para el diodo semiconductor, el estado de "encendido"
resistirá una corriente en dirección de la fecha del
símbolo.
Para el diodo Zener, la dirección de conducción es opuesta
a la flecha de su símbolo.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
La localización de la región Zener puede controlarse
mediante la variación de los niveles de dopado. Un
incremento en el dopado, que produce un
incremento en el número de impurezas añadidas,
disminuye el potencial Zener. Existen diodos Zener
disponibles con potenciales Zener de 1.8 a 200 V con
valores de potencia de 1/4 a 50 W.
Debido a su capacidad para soportar temperaturas y
corriente mayores, se prefiere utilizar el silicio para
fabricar diodos Zener.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
El circuito equivalente completo del diodo Zener en la
región Zener incorpora una pequeña resistencia dinámica y
una batería de equivalente al potencial Zener como se
muestra en la siguiente figura.
Sin embargo, para el resto de las aplicaciones siguientes,
debemos asumir como primera aproximación que los
resistores externos son mucho más grandes en magnitud
que el resistor equivalente Zener y que el circuito
equivalente simplemente será el que se indica en la figura
derecha.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
El coeficiente de temperatura refleja el cambio
porcentual de Vz con respecto a la temperatura, y se
define por la ecuación:
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Ejemplo 4
Determine el voltaje nominal del diodo Zener de la
siguiente tabla a una temperatura de 100°C.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Solución
De la ecuación del coeficiente de temperatura podemos
despejar el cambio porcentual de VZ con respecto a la
temperatura:
Y dado que el coeficiente de temperatura es positivo, el
nuevo potencial Zener definido por VZ es:’
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
NOTACIÓN DE DIODOS ZENER
En la figura siguiente aparecen tanto la
identificación de las terminales como el encapsulado
para distintos diodos Zener. Observe que su
apariencia es muy parecida a la de los diodos
semiconductores.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
DIODOS EMISORES DE LUZ
Los tipos de estructuras que emiten luz cuando son polarizadas
apropiadamente son el diodo emisor de luz (LED) y la pantalla de cristal
liquido (LCD)
Como su nombre lo implica, el diodo emisor de luz es un diodo que emite
luz visible o invisible (infrarroja) cuando se energiza. En todas las uniones
p-n semiconductoras una parte de esta energía se libera en forma
de calor y otra en forma de fotones.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
En diodos de Si y Ge el mayor porcentaje de la energía convertida durante la
recombinación en la unión se disipa en forma de calor dentro de la
estructura y la luz emitida es insignificante.
Por esta razón, el silicio y el germanio no se utilizan en la construcción de
dispositivos LED.
Por otra parte los diodos construidos de GaAs emiten luz en la zona
infrarroja (invisible) durante el proceso de recombinación en la unión p–n.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Aun cuando la luz no es visible, los LED infrarrojos tienen numerosas
aplicaciones donde la luz visible no es un efecto deseable. Éstas incluyen
sistemas de seguridad, procesamiento industrial, acoplamiento óptico
controles de seguridad como abre puertas de cochera y centro de
entretenimiento domésticos, donde la luz infrarroja del control remoto es el
elemento de control.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
La superficie metálica conductora externa conectada al material tipo
p es más pequeña para permitir la salida del máximo de fotones de energía
luminosa cuando el dispositivo se polariza en directa. la recombinación de
los portadores inyectados producida por la unión polarizada en directa
produce luz emitida en el sitio de la recombinación.
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Cuando hablamos de la respuesta de dispositivos electroluminiscentes, nos
referimos a sus longitudes de onda y no a su frecuencia.
Las dos cantidades están relacionadas por la siguiente ecuación:
Donde:
c = 3 x 10^8 m/s (es la velocidad de la luz en el vacío)
f = frecuencia en Hertz
λ = longitud de onda en metros
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DIODOS SCHOTTKY
Un diodo Schottky está formado por la unión de un metal tal como platino,
con silicio de tipo n. Estos dispositivos tienen un almacenamiento de carga
despreciable y se utilizan en aplicaciones de conmutación de alta
velocidad.
El material metálico actúa como aceptador para los electrones cuando está
unido al silicio n. Así, cuando el material está conectado al silicio de tipo n,
los electrones del silicio se difunden inicialmente en el metal. esta difusión
hace que el material n se empobrezca de electrones cerca de la unión y por
consiguiente que adquiera un potencial positivo.
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Cuando es aplicada exteriormente una tensión positiva suficientemente
grande entre los terminales del diodo, los electrones de la región n están
sometidos a un potencial positivo en el lado del metal de la unión y aparece
una circulación de electrones.
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Cuando el diodo Schottky funciona de modo directo, la corriente es debida
a los electrones que se mueven desde el silicio de tipo n a través del metal.
Como los electrones se mueven relativamente libres a través del metal, el
tiempo de recombinación τ es muy pequeño, normalmente del orden de 10
ps.
El símbolo del circuito del diodo Schottky es el representado en la
siguiente figura. El diodo tiene una característica vi similar a la de un diodo
ordinario de silicio pn excepto que la tensión umbral de conducción del
diodo es Vf ~ 0,3 V.
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DIODOS TUNEL
Sus características son diferentes de las de cualquier diodo hasta ahora
analizado en que tiene una región de resistencia negativa. En esta región,
un incremento del voltaje terminal reduce la corriente en el diodo.
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El diodo túnel se fabrica dopando los materiales semiconductores que
formarán la unión pn a un nivel de 100 a varios miles de veces el de un
diodo semiconductor típico. Esto reduce en gran medida la región de
empobrecimiento a aproximadamente 1/100 del ancho de esta región en el
caso de un diodo semiconductor. A través de la cual muchos portadores
pueden penetrarlo a bajos niveles de potencial como se muestra en el pico
de la curva de la figura.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
El diodo túnel se puede utilizar por consiguiente en aplicaciones de alta
velocidad, como en computadoras, donde se desean tiempos de
conmutación de nanosegundos o picosegundos.
Los materiales semiconductores más frecuentemente utilizados en la
fabricación de diodos túnel son el germanio y el arseniuro de galio.
El circuito equivalente de diodo túnel en la región de resistencia negativa
se da a continuación con los símbolos de más uso para diodos túnel.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
DIODOS SHOCKLEY
El diodo Shockley es un diodo pnpn de cuatro capas con sólo dos
terminales externas, como se muestra en la figura con su símbolo gráfico.
Las características del dispositivo son exactamente las mismas que para el
SCR (Tiristor) con Ig = 0. Como las características lo indican, el dispositivo
está en “apagado” (representación de circuito abierto) hasta que se alcanza
el voltaje de conducción, momento en el cual se desarrollan las condiciones
de avalancha y el dispositivo se enciende (representación de cortocircuito).
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
Una aplicación común del diodo Shockley se muestra en la figura donde se
emplea como interruptor de disparo para un SCR (Tiristor). Cuando el
circuito se energiza, el voltaje a través del capacitor comenzará a cargarse
tendiendo al voltaje de alimentación. Con el tiempo, el voltaje a través del
capacitor será lo bastante alto para encender primero el diodo Schockley y
luego el SCR.
Ing. Sandy Percy López Zúñiga
