DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

LABORATORIO Nº 11

“Transistor de Efecto de Campo JFET”

Alumnos :

Grupo : Profesor: Nota:

Semestre :
Fecha de entrega : Hora:
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Transistor de Efecto de Campo de Juntura (JFET)
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OBJETIVOS:

 Identificar los terminales de un FET.

 Probar el estado de un FET.
 Mostrar y medir el efecto del voltaje de drenaje con polarización cero en la compuerta y determinar el voltaje
de estrangulamiento para producir una corriente de drenaje constante.
 Medir el valor del voltaje de polarización inversa compuerta-fuente requerido para producir estrangulamiento
para un valor dado de voltaje de fuente a drenador.
 Implementar un circuito básico de polarización con FET.
 Medir los valores DC en un circuito básico con FET.

EQUIPOS Y MATERIALES:

 01 Osciloscopio
 01 Generador de funciones.
 01 Multimetro digital.
 01 Fuente doble de DC.
 01 Protoboard (módulo de conexiones).
 01 Pelacables.
 01 Resistencia de 1M, ½ W.
 01 Resistencia de 47, 2 W.
 01 FET de canal N. 2N5433 o k104 o NTE 312.
 01 Resistencia de 100, 2 W.

Seguridad en la ejecución del laboratorio

Tener cuidado con el tipo y niveles de voltaje con los

que trabaja.

Antes de utilizar el multímetro, asegurarse que está

en el rango y magnitud eléctrica adecuada.

Tener cuidado en la conexión y en la desconexión de

los equipos utilizados
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I. FUNDAMENTO TEÓRICO

Introducción

Un transistor de efecto campo (JFET) típico está formado por una barrita de material P o N, llamada canal, rodeada
en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unión P-N.

Son componentes semiconductores, que se basan en el manejo de tensión y corriente de salida bajo el control del
Campo Eléctrico (V / mm), es decir, su entrada no toma corriente, en la práctica esa corriente es extremadamente
baja, comparable a la intensidad de fuga en un capacitor debido al dieléctrico.

La conducción en esta tecnología, depende únicamente del flujo de portadores mayoritarios, por eso son unipolares,
(un solo tipo de portadores N o P).

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente sumidero (D-drain) y
fuente (S-source), más una conexión llamada puerta (G-gate) en el collar.

CANAL N CANAL P

Símbolos para un JFET

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Un transistor JFET tiene tres zonas:

1- Zona lineal (ley de Ohm).

2- Zona de corte.
3- Zona de saturación, utilización como amplificador (VDS aumenta, ID canal constante).

Interpretación de la característica de salida

Prueba de un transistor FET

Entre la compuerta G y Fuente S se conforma un diodo PN para el cual el canal N y un diodo NP para el canal P.
La tensión VGS se debe polarizar en forma inversa, y en directa siempre y cuando en forma no se sobrepase la
tensión de arranque V (= 0.6V, Si). Al sobrepasar 0.6 V el diodo conduce y se destruye, porque está fabricado para
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baja corriente directa. En síntesis, es una barra de Si, con impurezas controladas, N si el canal es N, e impurezas P
para el de canal P, que tiene cierta resistencia.

Ventajas del FET

1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (10 7 a 1012 Ω). Ya que la impedancia
de entrada es mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada a un
amplificador multietapa.
2. Generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Son más estables con la temperatura que el BJT.
4. Se comportan como resistores variables controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje a
fuente.
5. Puede ser utilizado como conmutador y como almacenador de carga (Tao de entrada grande Ʈ = R . C).
6. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
7. Tamaño mucho más pequeño que los bipolares.

Desventajas del FET

1. Exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
3. Se pueden dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.

Preparación

Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar los apuntes de clase el texto base, el
manual de componentes electrónicos, asimismo realizar sus diseños previos utilizando el software de diseño
electrónico del curso.

PROCEDIMIENTO:

PRIMERA PARTE: RECONOCIMIENTO FÍSICO

- El Transistor JFET:

Se muestran símbolos de JFET; en éstos, identifique su tipo y nombres de sus terminales:

Forma Física:

Drain Source

Canal: N Gate

Drain Source

Gate
Canal: P
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A continuación se muestran las diversas formas físicas que presentan los JFETs; con la ayuda del manual ECG
identifique sus terminales y anótelos en cada uno de ellos así como su tipo de encapsulado (Nota: Si no sabe usar el
manual ECG pida ayuda a su profesor de laboratorio)

A) Tipo de empaquetamiento TO-92

Source

Gate Drain

B) Tipo de empaquetamiento TO-220

Gate

Source

Drain

C) Tipo de empaquetamiento TO - 18

Drain

Gate

Source
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SEGUNDA PARTE: CIRCUITOS DE PRUEBA

Objetivo 1: Mostrar y medir el efecto del voltaje de Drenador en la corriente ID con polarización cero en la compuerta
y determinar el valor del voltaje de Drenador – Surtidor (estrangulamiento) requerido para producir una corriente
constante de drenador.

1. Implemente el circuito mostrado en la figura 1. utilizar un JFET de canal N en el se comprobará su

funcionamiento a través del control de la corriente del drenador – surtidor por medio de un voltaje aplicado en
terminal de compuerta (Nótese que el valor de R1 implica una corriente muy pequeña a través del resistor).

2. Aumente el voltaje de la fuente VDD del drenador hasta que la caída de voltaje VDS indicada en el voltímetro sea
0.5 Vdc.
3. Mida la corriente Id del drenador y anote el resultado en la tabla 1
4. Siga aumentando VDD y registre el valor de Id para cada valor de VDS en la tabla 1

VDS(V) 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5

IDS(mA) 0 0 0 0.08 mA 0.23 mA 0.38 mA 0.53 mA 0.67 mA

VDS(V) 4.0 4.5 5.0 6.0 8.0 10.0 15.0 20.0

IDS(mA) 0.81 mA 0.93 mA 1.07 mA 1.33 mA 1.86 mA 2.40 mA 3.70 mA 4.98mA

5. ¿Qué puede comentar de los datos obtenidos?

Podemos observar que mientras aumentamos el voltaje en el DS la corriente también aumenta de manera
consecutiva en ambas partes.
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6. Muestre los datos obtenidos en el siguiente gráfico. V DS vs. IDS

En su curva, señale el punto donde termina el aumento rápido en I D y comienza el flujo de corriente constante. Dibuje
una línea vertical desde ese punto hasta la escala V DS, registre el valor del voltaje en ese punto. Este es el voltaje de
estrangulamiento de Drenador- Surtidor: Vp.

7. ¿Cómo se llama la zona en donde el valor es menor de Vp?

Zona de corte
8. ¿Cómo se llama la zona en donde la corriente ID no aumenta?
Zona saturación
9. ¿Qué pasa con la corriente en la zona óhmica?
Esta zona de coracterística del JFET, y s la que nos ofrece la posibilidad de utilizarle como resistencia
variable con la tensión. A esta JFET de este montaje, corresponde con la orriente de puerta IG, que es muy
reducida, ya que corresponde con la corriente de pérdidas de una tensión VDS y ésta alcanza ierto valor, el
estrechamiento del canal se convierte en estrangulamiento del mismo. La tensión portamiento casi lineal,
es parte de la curva ca e zona se le conoce como zona óhmica del JFET.

Objetivo 2: Medir el valor del voltaje de polarización inversa Compuerta – Surtidor (fuente) requerido para producir
estrangulamiento para un valor dado de voltaje de fuente a drenador.

10. Implemente el circuito mostrado en la figura 2.

11. Ajuste el voltaje de la fuente de Drenador a 12 VDC.

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12. Lentamente aumente el voltaje VGS de polarización de Compuerta – Fuente hasta que la corriente I D de drenador
llegue a cero y repita el proceso hasta asegurarse de cuál es el punto exacto donde I D cae a cero, observe en el
voltímetro XMM2 el valor de VGS el cual representa el valor de Vp de estrangulamiento de compuerta – fuente,
anote el valor.

Vp =…………………….V en DC.
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Objetivo 3: Mostrar y medir el efecto de la corriente de Drenador para cambios tanto en la polarización inversa de
compuerta – fuente como de voltaje de Drenador- fuente y registrar una “familia de curvas”.

13. Implemente el circuito de la figura 3.

14. Conecte el osciloscopio en la opción X-Y , el eje vertical representa la corriente de drenador I D y el eje horizontal
representa el voltaje Vds
15. Varie el voltaje desde cero hasta -10 VDC,
16. Graficar lo observado en el cuadro mostrado para cada valor de V GS.
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17. Observe las curvas obtenidas. ¿Un pequeño voltaje de compuerta controla una gran corriente de drenador?

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18. Indique si el valor de estrangulamiento es aproximadamente igual para todas las curvas.
…………………………………………………………………………………..…………
19. ¿Piensa que el JFET esta funcionando como amplificador?
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……………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………......

20. Implemente el circuito fuente de corriente constante mostrado en la figura 3

23. Complete la tabla mostrada en la figura.

Resistencia de
IL (mA) VDS( voltios) VRL( voltios) P JFET(watts)
Carga RL (Ω)
330 42.9 1.39
470 26.5 1.22
1K 15.1 1.08
1K5 0.94
2K2
4K7
10K

21. ¿Qué comentarios puede hacer de la tabla anterior, respecto a la corriente?.

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……………………………………………………………………………………………………………………………………
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22. ¿A cuál característica del JFET es igual la corriente de carga constante?
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23. ¿Qué sucede a la corriente de carga si la resistencia de carga se hace excesiva?

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……………………………………………………………………………………………………………………………………
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24. Describa porqué el JFET no puede regular la corriente de carga para valores grandes de la resistencia.
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…………………………………………………………………………………………65-*---/´ñ-
…………………………………………………………………………………………………………

25. ¿Al aumentar RL aumenta la potencia entregada a la carga?¿Por qué?

……………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………-,7 mm
……………………………………………………………………………………………………………………………………
…………………………………………

V. OBSERVACIONES Y/O

++

+-1.08
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< CONCLUSIONES