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Transistor BJT: Polarización y Amplificación

Este documento presenta un resumen de una práctica de laboratorio sobre el transistor en polarización por divisor de tensión. Se lista a 6 estudiantes y su profesor Juan de Dios Martínez Rodríguez. El objetivo es construir y probar circuitos con transistores BJT en polarización por divisor de tensión y medir su ganancia como amplificador. Se describen los materiales necesarios como resistencias, capacitores, osciloscopio y un transistor 2N2222. También incluye un breve fundamentos teóricos sobre la estructura y funcionamiento del transistor bipolar.

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Transistor BJT: Polarización y Amplificación

Este documento presenta un resumen de una práctica de laboratorio sobre el transistor en polarización por divisor de tensión. Se lista a 6 estudiantes y su profesor Juan de Dios Martínez Rodríguez. El objetivo es construir y probar circuitos con transistores BJT en polarización por divisor de tensión y medir su ganancia como amplificador. Se describen los materiales necesarios como resistencias, capacitores, osciloscopio y un transistor 2N2222. También incluye un breve fundamentos teóricos sobre la estructura y funcionamiento del transistor bipolar.

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RAMIREZ DIAZ JESUS DAVID

PIÑEIRO PEREZ BRANDON

MUÑIZ ORTEGA LUIS FERNANDO

DE LEON RODRIGUEZ OSCAR EDUARDO

REYES MENDIOLA ISSAC RODOLFO

ARMENDARIZ TRUJILLO ABRAHAM

MANTENIMIENTO INDUSTRIAL

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

ING JUAN DE DIOS MARTÍNEZ RODRÍGUEZ

3° D

14 DE JUNIO DEL 2019


PRÁCTICA 8

TRANSISTOR EN POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION.

OBJETIVO

COSTRUIR Y PONER EN FUNCIONAMIENTO CIRCUITOS QUE INVOLUCREN


TRANSITORES BJT EN POLARIZACIÓN POR DIVERSOS DE TENSIÓN Y
COMPROBAR SU FUNCIONAMIENTO COMO AMPLIFICADOR.

FUNDAMENTO TEÓRICO

TRANSISTOR EN POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION.


DESARROLLO

 CONSTRUYA EL CIRCUITO DE LA SIGUIENTE FIGURA Y DETERMINE


MATEMATICAMENTE LOS VALORES DE IC Y VCE.

 COMPRENDER LOS VALORES DE IC Y VCE TANTO VIRTUALMENTE COMO


FISICAMENTE
 MEDIANTE UN GENERADOR DE SEÑALES, COLOQUE UN VOLTAJE DE
ENTRADA DE 20MV Y OTRO DE 80MV SENOIDAL Y MEDIANTE EL
OSILOSCOPIO VISUALICE Y MIDA
 OBTENGA LA GANANCIA DE AMPLIFICACION DEL CIRCUITO
MATERIAL Y EQUIPO

RESISTENCIA DE 47K , 15K, 2.2K Y 1K

CAPACITORES DE 100MF Y 2 DE 10 MF

OSILOSCOPIO

TRANFORMADOR

CABLES

PINZAS

CAIMANES

MULTIMETRO

TRANSISTOR 2N2222
FUNDAMENTO TEORICO

TRANSISTOR EN POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones


semiconductoras separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura
plana epitaxial de la figura (a). Las tres regiones se llaman emisor, base y colector.
En las figuras (b) y (c) se muestran representaciones físicas de los dos tipos de
BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el
otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). El término
bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de
corriente en la estructura de transistor.

La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión
base-emisor. La unión pn que une la región de la base y la región del colector se
llama unión base-colector, como la figura (b) lo muestra: un conductor conecta a
cada una de estas tres regiones. Estos conductores se designan E, B y C por
emisor, base y colector, respectivamente. La región de la base está ligeramente
dopada y es muy delgada en comparación con las regiones del emisor,
excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada (la siguiente
sección explica la razón de esto). La figura muestra los símbolos esquemáticos
para los transistores npn y pnp.

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