Escuela Profesional de Ingeniería de
Telecomunicaciones
LABORATORIO DE SISTEMAS
DIGITALES I
IV CICLO
Guía de Laboratorio N° 1
“Programador de Memoria EPROM”
Integrantes
Apellidos y Nombres Código N° de Mesa
Fecha de realización del laboratorio:
Ambiente: Laboratorio de Electrónica y Sistemas Digitales
Docente: Ing. Amador Humberto Vivar Recarte
2018-II
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“Programador de Memoria EPROM”
Objetivos
Familiarizarse con el uso de memorias EPROM paralelas.
Identificar los modos de programación y de lectura de la memoria.
Aprender a programar una memoria EPROM manualmente.
Introducción
MEMORIA PROM
Crear chips desde la nada lleva mucho tiempo. Por ello, los desarrolladores
crearon un tipo de ROM conocido como PROM (Programmable read-only
memory). Los chips PROM vacíos pueden ser comprados económicamente y
codificados con una simple herramienta llamada PROGRAMADOR.
La peculiaridad es que solo pueden ser programados una vez. Son más frágiles
que los chips ROM hasta el extremo que la electricidad estática lo puede quemar.
Afortunadamente, los dispositivos PROM vírgenes son baratos e ideales para
hacer pruebas para crear un chip ROM definitivo.
MEMORIA EPROM
Trabajando con chips ROM y PROM puede ser una labor tediosa. Aunque el
precio no sea demasiado elevado, al cabo del tiempo puede suponer un aumento
del precio con todos los inconvenientes. Los EPROM (Erasable programmable
read-only memory) solucionan este problema. Los chips EPROM pueden ser
regrabados varias veces.
Borrar una EEPROM requiere una herramienta especial que emite una frecuencia
determinada de luz ultravioleta. Son configuradas usando un programador
EPROM que provee voltaje a un nivel determinado dependiendo del chip usado.
Para sobrescribir una EPROM, tienes que borrarla primero. El problema es que no
es selectivo, lo que quiere decir que borrará toda la EPROM. Para hacer esto, hay
que retirar el chip del dispositivo en el que se encuentra alojado y puesto debajo
de la luz ultravioleta comentada anteriormente.
EEPROM y memoria flash
Aunque las EPROM son un gran paso sobre las PROM en términos de utilidad,
siguen necesitando un equipamiento dedicado y un proceso intensivo para ser
retirados y reinstalados cuando un cambio es necesario. Como se ha dicho, no se
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pueden añadir cambios a la EPROM; todo el chip Debe ser borrado. Aquí es
donde entra en juego la EEPROM(Electrically erasable programmable read-only
memory).
Algunas peculiaridades incluyen:
Los chips no tienen que ser retirados para sobre escribirse.
No se tiene que borrar el chip por completo para cambiar una porción del
mismo.
Para cambiar el contenido no se requiere equipamiento adicional.
En lugar de utilizar luz ultra violeta, se pueden utilizar campos eléctricos
para volver a incluir información en las celdas de datos que componen
circuitos del chip. El problema con la EEPROM, es que, aunque son muy
versátiles, también pueden ser lentos con algunos productos lo cuales
deben realizar cambios rápidos a los datos almacenados en el chip.
Los fabricantes respondieron a esta limitación con la memoria flash, un tipo
de EEPROM que utiliza un “cableado” interno que puede aplicar un campo
eléctrico para borrar todo el chip, o simplemente zonas predeterminadas
llamadas bloques.
MEMORIA ROM
La memoria ROM, (read-only memory) o memoria de sólo lectura, es la memoria
que se utiliza para almacenar los programas que ponen en marcha el ordenador y
realizan los diagnósticos. La mayoría de los ordenadores tienen una cantidad
pequeña de memoria ROM (algunos miles de bytes).
Puesto que la memoria ROM también permite acceso aleatorio, si queremos ser
precisos, la memoria RAM debería llamarse memoria RAM de lectura y escritura, y
la memoria ROM memoria RAM de sólo lectura
MEMORIA EAROM
(Electrically Alterable Read Only Memory; memoria de sólo lectura, alterable
eléctricamente). Estas se borran eléctricamente, mediante impulsos siempre
idénti-cos para todas las celdas de memoria. Es importante observar que las EA-
ROM, debido a que su tiempo de lectura y escritura difieren bastante (un mili-
segundo para la escritura y un microsegundo para la lectura), solo se utilizan
cuando basta con memorizar un numero reducido de parámetros de vez en
cuando pero con poca frecuencia. Para terminar hablaremos de la tecnología de
fabricación de las ROM. En las ROM y en las PROM se suele utilizar la técnica
bipolar que es más rápida, y que sobre todo, permite la compatibilidad de las ROM
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y de las PROM a nivel de pines. En las EPROM, RPROM y EA-ROM se utiliza la
tecnología MOS (para la EAROM, en concreto se utiliza la NMOS).
Se trata de un tipo de memoria ROM, que por software sólo podemos acceder a
sus datos, pero que puede ser modificada mediante procesos electrónicos sin
antes haberla borrado.
MEMORIA NVRAM
Es un acrónimo de no-volátil memoria de acceso aleatorio. NVRAM es un tipo de
memoria de acceso aleatorio (RAM) que mantiene su información cuando se
apaga. La NVRAM es un pequeño 24 pines DIP (paquete en línea dual) de
circuitos integrados, chips y por lo tanto es capaz de obtener la energía necesaria
para mantener el funcionamiento de la batería CMOS instalada en su placa madre.
Se realiza un seguimiento de diversos parámetros del sistema, tales como número
de serie, Ethernet MAC (Media Access Control), dirección, HOSTID, fecha de
fabricación, etc. NVRAM es un tipo de memoria no volátil que ofrece acceso
aleatorio.
La memoria DRAM
Es memorias dinámicas de acceso aleatorio. La memoria DRAM es la forma más
común de memoria RAM
Cuando alguien dice que un equipo tiene "un gigabyte de RAM, lo que realmente
significa es que el equipo tiene un gigabyte de memoria DRAM.
DRAM se llama dinámica porque tiene que ser refrescada constantemente o se
pierden los datos que se supone que es el almacenamiento.
DRAM refrescante consiste en leer el contenido de la escritura de DRAM y de
inmediato de vuelta a la DRAM.
Dinámica es mucho menos costosa que SRAM, pero suele ser más lenta y debe
ser renovado constantemente, a fin de preservar su contenido.
SRAM es la RAM Estática.
SRAM se utiliza en pequeñas cantidades en los ordenadores de RAM muy rápido
cuando se requiere, como por ejemplo en la cachel2 de muchos CPU SRAM es a
menudo contrasta con SRAMDINAMIC
Tipos de SRAM incluyen:
Asincrónico RAM Estática
Sincrónica Burst RAM Estática
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Ráfaga de tuberías de RAM Estática
MEMORIA DMA:
Permite a cierto tipo de componentes de ordenador acceder a la memoria del
sistema para leer o escribir independientemente de la CPU principal
MEMORIA BUS:
Es un sistema digital que transfiere datos entre los componentes de un
computador o entre computadores.
MEMORIA ANCHO DE BUS:
EI bus representa básicamente una serie de cables mediante los cuales pueden
cargarse datos en la memoria y desde allí transportarse a la CPU.
MEMORIA ANCHO DE BUS:
EI bus representa básicamente una serie de cables mediante los cuales pueden
cargarse datos en la memoria y desde allí transportarse a la CPU.
MEMORIA EXPANDIDA O EXTENDIDA:
La memoria extendida requiere un administrador de memoria extendida.
MEMORIA ALTA:
Es el área del RAM que consiste en los primeros 64 kilobytes (KB), menos 16
bytes de memoria extendida en un IBM PC o un microcomputador compatible.
MEMORIA RESERVADA O SUPERIOR:
Es una característica de diseño de los computadores compatibles con el IBM
PC de arquitectura x86.
MEMORIA CONVENCIONAL O BASE:
En la parte superior de la memoria es donde se carga y ejecutan las aplicaciones.
En la parte inferior se carga el Sistema.
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MEMORIA VIRTUAL:
Es una técnica que permite al software usar más memoria principal que la que
realmente posee el ordenador.
MEMORIA FLASH:
Que permite que múltiples posiciones de memoria sean escritas o borradas en una
misma operación de programación mediante impulsos eléctricos, frente a las
anteriores que sólo permite escribir o borrar una única celda cada vez.
MEMORIA USB:
Es un pequeño dispositivo de almacenamiento que utiliza memoria flash para
guardar la información
Fundamento teórico
Programación de una memoria EPROM
Preparación
Para el desarrollo de esta experiencia de laboratorio, el alumno deberá revisar:
Apuntes de clase.
Puede usar las siguiente dirección:
https://www.youtube.com/watch?v=acPdxVPEvLQ
Equipos y Materiales
ITEM CANTIDAD MATERIAL/EQUIPO DESCRIPCIÓN
1 1 27C256 Memoria EPROM
2 4 74LS244 Driver
3 18 1 KOhm Resistores
4 8 LED Diodos LED
5 2 DIP switch de 8 Banco de interruptores
interruptores.
6 2 Switch de 2 posiciones Interruptores de 2
posiciones
7 1 Fuente de 12 voltios DC Fuente de corriente continua
8 1 Fuente de 5 Voltios DC Fuente de corriente alterna
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PROCEDIMIENTO
PRIMERA PARTE:
Procedimiento
1. Implementar el siguiente diagrama esquemático:
2. Programación de la memoria EPROM
El objetivo de este apartado es aprender a programar una memoria EPROM
Para ello se consultarán las hojas técnicas (datasheets) de la memoria
utilizada con el propósito de encontrar las señales adecuadas que deben
inyectarse a la memoria para ponerla en el modo de programación y en el
modo de escritura. Para este caso consultar el datasheet de la memoria
27C256.
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El contenido de información de la memoria debe ser ingresado en el
sistema binario de forma paralela de manera manual.
El contenido exacto radica del resultado de la tabla de estados de la
máquina de estado que se está diseñando. En el bus de direcciones
ingresa el número formado por las entradas y el estado presente
concatenado y el dato que debe ir en el bus de datos coincide con el estado
siguiente concatenado con las salidas de la máquina de estados.
Cuando la memoria se encuentre en modo programación, el dato debe ser
programado mediante un pulso que debe durar casi 2 segundos.
En función a lo explicado anteriormente programar la memoria EPROM
27C256 para obtener un circuito que funcione como una calculadora que
haga 3 operaciones fundamentales. Suma, resta y multiplicación.
SEGUNDA PARTE:
Observaciones:
………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………
Conclusiones:
………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………
APLICACIÓN DE LO APRENDIDO
Investigar sobre cómo se podría mejorar ese programador manual de memoria
EPROM mediante la utilización de una computadora para reemplazar al juego de
DIP switch y tener la capacidad de grabar la información y leer lo grabado de
forma más rápida.
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Informe
Modelo de Informe
Carátula
Deberá contener lo siguiente:
1. Logo de la institución.
2. Nombre del curso
3. Nombre del laboratorio
4. Nombre de los integrantes.
5. Código de los participantes.
6. Número de mesa de trabajo.
7. Fecha de realización.
8. Ambiente de trabajo.
9. Nombre del profesor.
10. Semestre académico.
Fundamento teórico
Deberá ser conciso y redactado con lenguaje propio. Estará basado en las
lecturas recomendadas o cualquier otra información relacionada con el tema. No
debe de exceder de una página.
PRIMERA PARTE: Resultado del Laboratorio
El informe deberá constar de los siguientes puntos:
I. Resultados del procedimiento desarrollado en el laboratorio indicando con
claridad las mediciones tomadas y los gráficos de las señales de acuerdo a
las escalas tomadas. (No copiar toda la guía del laboratorio).
II. Explique sustentando con fundamentos teóricos los resultados obtenidos en
el laboratorio.
SEGUNDA PARTE: Observaciones y conclusiones
Observaciones: se deben resaltar los logros alcanzados y también las
dificultades o errores de carácter técnico que pudieran haber encontrado en el
desarrollo de las tareas, respaldados por los cálculos o gráficos pertinentes si
fuese el caso.
Conclusiones: esta parte contiene la síntesis de los resultados alcanzados a la
finalización del experimento.
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Nota: Utilice el software que requiere su informe Aplicación de lo aprendido
Observaciones Generales
1. La presentación del informe se realiza al ingresar al Laboratorio. En la clase
siguiente a su realización.
2. Se tomará en cuenta las reglas de ortografía en la redacción del informe.
3. La evaluación se realizará bajo la siguiente rúbrica:
Realización Puntos
Puntualidad 1
Orden y limpieza en el laboratorio 1
Trabajo en equipo 2
Culminación de la experiencia 2
Presentación
Carátula 1
Ortografía y redacción 2
Fundamento teórico 2
Resultados del laboratorio 4
Aplicación de lo aprendido 5
Total 20
10
