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Características del Diodo Ideal y Semiconductores

Este documento describe las características de los diodos ideales y semiconductores. Explica que los semiconductores tienen una conductividad entre la de un aislante y un conductor, y que pueden ser intrínsecos o dopados para ser tipo n o tipo p. También describe las tres condiciones de polarización de un diodo y los flujos de corriente asociados.

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Elvis Neison Camizan Guerrero
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Características del Diodo Ideal y Semiconductores

Este documento describe las características de los diodos ideales y semiconductores. Explica que los semiconductores tienen una conductividad entre la de un aislante y un conductor, y que pueden ser intrínsecos o dopados para ser tipo n o tipo p. También describe las tres condiciones de polarización de un diodo y los flujos de corriente asociados.

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Las caractensticas de un diodo ideal son aquellas de un interruptor que puede conducir

comente en una sola dirección.

El término conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo generoso de carga,
cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a través de sus terminales.

Un aislante es un material que ofrece un nivel muy bajo de conductividad bajo la presión de
una fuente de voltaje aplicada.

Un semiconductor, por tanto, es un material que posee un nivel de conductividad sobre algún
punto entre los extremos de un aislante y un conductor.

Los materiales intrínsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente
refinados para reducir /as impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como se
puede obtener a través de /a tecnología moderna.

Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento


sustancial en el número de electrones libres en el material.

Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reducción en
resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente de temperatura
negativo.

El tipo n se crea a través de la introducción de elementos de impureza que poseen cinco


electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio, arsénico y fósforo.

A 1as impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama átomos donares.

El material tipo p se forma mediante el dopado de un cristal puro de germanio o de silicio con
átomos de impureza que poseen tres electrones de valencia. Los elementos que se utilizan con
mayor frecuencia para este propósito son el boro, galio e indio.

A las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se les conoce como átomos
aceptores.

En un material tipo n al electrón se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador


minoritario

En un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrón es el portador


minoritario.

Como el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicación de un voltaje a través de sus


terminales permite tres posibilidades: sin polarización (VD = O V), polarización directa (VD> O
V) Y polarización inversa (VD < O V), Cada una es una condición que dará un resultado que el
usuario deberá comprender con claridad para que el dispositivo se aplique en forma efectiva.

En ausencia de un voltaje de polarización aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier


dirección para un diodo semiconductor es cero.

A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa se le llama corriente de
saturación inversa, y se representa mediante Is.

Un diodo semiconductor tiene polarización directa cuando se ha establecido la asociación tipo


p y positivo y tipo n y negativo.

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