Informe Previo No.
1: “Amplificador Multietapa”
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Laboratorio de Electrónica II (EE442-M) - 2018-I
Kedein Ybsen Rodriguez Gatica
krodriguezg@[Link]; keybroga@[Link]
En la práctica se requiere que VBE se encuentre entre 0.4 y
Abstract- Design, simulate, implement and analyze the gain and 0.8 V y que VBC sea mayor que 100 mV.
frequency response of a linear amplifier. Cuando se tiene un FET, las condiciones deben ser tales que
permitan al dispositivo trabajar en su zona lineal, estas
I. INTRODUCCIÓN condiciones son VGS – VT > VDS > 0, y por tanto también se ha
de cumplir VGS > VT.
2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio,
Los amplificadores multietapa son circuitos electrónicos
escriba la ecuación dIc2 / dT, tal que Ic2 = f (ICBO, VBE) y
formados por varios transistores (BJT o FET), que pueden ser considerando que los BJT son de silicio.
acoplados en forma directa o mediante capacitores.
Todos los circuitos integrados analógicos están Dado que es una función de ICBO y VBE, se tiene
compuestos de diversas etapas acopladas normalmente
en continua, cada una con una misión específica.
(1)
La primera etapa (etapa de entrada) es la responsable Además,
de fijar la impedancia de entrada, luego suele haber una (2)
etapa de ganancia (o varias) y una etapa de salida fijando la
De aquí,
impedancia de salida y suministrando la corriente a la carga.
Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que
tienen múltiples transistores y además pueden ser conectadas (3)
entre sí para mejorar sus respuestas tanto en ganancia, Zin, Zout
o ancho de banda. Las aplicaciones pueden ser tanto de cc como (4)
de ca. También, en la malla que pasa por la base y el emisor de Q 2
(5)
II. CUESTIONARIO
(3) y (4) en (5), y despejando IC2
1. Detallar las condiciones para las que un BJT y/o FET
puede operar en baja frecuencia.
(6)
Un BJT para operar en baja frecuencia como amplificador Derivando y considerando obtenemos
debe polarizarse de modo que trabaje en su zona activa:
“La unión base-emisor debe polarizarse en directa con el
voltaje de polarización en directa resultante de cerca de 0.6 a (7)
0.7 V.
La unión base-colector debe polarizarse en inversa con el (8)
voltaje de polarización en inversa de cualquier valor dentro de
los límites del dispositivo”.
Reemplazando (7) y (8) en (1) se escribe la ecuación como Δf=4.919 KHz
sigue
Fig. 3. Diagrama de fase de Bode
(9)
3. Fundamente las razones por las que se diseña la ganancia y
otros parámetros de un amplificador independiente del hfe, hie,
etc, del BJT, por ejemplo.
Si se desea que el amplificador sea estable, entonces sus
parámetros deben depender de variables estables también. Este
no es el caso de los parámetros h, los cuales tienen presentar
alta sensibilidad a los cambios de temperatura.
Por tanto, si se usaran estos parámetros como referencias, el
sistema podría tener fuertes variaciones ante los pequeños Fig. 4. Respuesta transitoria del amplificador
cambios de la temperatura que siempre se presentan.
6. Comprobar que las junturas Base-Emisor trabajan en el
4. Diseñe el circuito amplificador ARGOS 1 régimen lineal y de mínima distorsión armónica, basado en los
diagramas de bode del circuito ARGOS 1 obtenidos de la
simulación.
Fig. 1. Circuito ARGOS 1
Fig. 5. Multímetros en las junturas B-E
5. Simule el circuito y grafique los principales parámetros del
amplificado
Fig. 2. Diagrama de magnitud de Bode
fL= 101.251 Hz G=46.781 dB
Fig. 6. Mediciones de los multímetros
fH= 5.02 KHz G=46.806 dB
Como se observa, los transistores del amplificador están
polarizados en su zona lineal o activa.
7. Presente los diagramas de bode obtenidos de la simulación.
Fig. 9. V7/V6
Fig. 7. V2/V1
Fig. 10. V9/ V1
Fig. 8. V6/V1
Fig. 11. V12/ V9
REFERENCES
[1] [Link]
[2] [Link]
electronicos/material-de-clase-1/tema-iii/OCW-
CCE_S21_Amplificadores_multi-[Link]
[3] [Link]
Fig. 12. V15/ V12
Fig. 13. V16/ V12
Fig. 14. V16/ V1
(NUMERACIÓN EN FUNCIÓN DE LA GUÍA )
