CSD Charge-Store Diodo
Símbolo
Donde VT= Tensión de codo
VBD=Tensión de ruptura
Definición
Los diodos son importantes circuitos electrónicos de potencia para la conversión de
energía eléctrica. Funcionan como un interruptor, conmutadores den rectificadores,
aislamiento de voltaje, inversor de carga de capacitor, etc. Los diodos de potencia
tienen mayor capacidad de manejo de potencia, voltaje y corriente. Son de
frecuencia baja a los diodos de sñal.
Características
Los diodos de potencia se caracterizan por que en estado de conducción, deben
ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En
sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de
ánodo con una pequeña intensidad de fugas, tal y como se muestra en su curva
característica.
Características estáticas.
Parámetros en bloqueo
Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada
por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada
en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser
soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante
10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características del mismo.
Tensión inversa continua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo
en estado de bloqueo.
Parámetros en conducción
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la máxima intensidad
de impulsos sinusoidales de 180º que el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser soportada
cada 20 ms , con una duración de pico a 1 ms, a una determinada
temperatura de la cápsula (normalmente 25º).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el máximo pico de
intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duración de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se
encuentra en el estado de conducción.
Modelo estático
Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se
representan a continuación. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo
cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que
necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para cálculos a mano, reservando modelos más
complejos para programas de simulación como PSPICE. Dichos modelos suelen
ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las librerías del
programa.
Características dinámicas
Recuperación Inversa
Una característica importante de un diodo o ideal es la corriente de
recuperación inversa. Cuando un diodo pasa de conducción a corte, la
corriente en él disminuye y, momentáneamente se hace negativa antes de
alcanzar el valor cero, como se muestra en la siguiente figura.
Tiempo de almacenamiento (ta): es el tiempo que transcurre desde el paso
por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
Tiempo de caída (tc): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de
intensidad hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad
de la unión polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor
de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.
Tiempo de recuperación inversa (trr): depende del tiempo de caída y del
tiempo de almacenamiento. Se define como la suma de ambos. t rr=ta y tc.
Factor de suavizado: SF = tc/ta
Recuperación Directa
Si se le aplica una polarización directa, se obligaría al diodo a conducir. Pero, se
requiere un cierto tiempo, conocido como tiempo de recuperación en directa, antes
de que los portadores mayoritarios de toda la unión puedan contribuir al flujo de la
corriente. El tiempo de recuperación en directo limita la velocidad de elevación de
la corriente directa.
Tensión de recuperación directa: es la tensión máxima durante el encendido.
Tensión directa (Von): caída de tensión del diodo en régimen permanente para
la corriente nominal.
Tiempo de recuperación directo (tfr): es el tiempo que transcurre entre el
instante en que la tensión ánodo-cátodo se hace positiva y el instante en que
dicha tensión se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el
de recuperación inversa y no suele producir pérdidas de potencia apreciables.
Tiempo de subida (tr): tiempo en que la corriente pasa del 10% al 90% de su
valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo.
Disipación de potencia.
Potencia máxima disipable (Pmáx): Es un valor de potencia que el
dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que
disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.
Potencia máxima disipable (Pmáx): Es un valor de potencia que el
dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que
disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada ésta potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV): Es la disipación de potencia resultante
cuando el dispositivo se encuentra en estado de conducción, si se desprecia
la potencia disipada debida a la corriente de fugas.
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM): Es la máxima potencia que
puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM): Similar a la anterior, pero
dada para un pulso único.
Características térmicas
Temperatura de la unión (Tjmáx): Es el límite superior de temperatura que
nunca debemos hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos
evitar su inmediata destrucción. En ocasiones, en lugar de la temperatura de
la unión se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura
de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para
funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores,
uno mínimo y otro máximo.
Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se
encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El
fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.
Resistencia térmica unión-contenedor (Rjc): Es la resistencia entre la
unión del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar
este dato el fabricante se puede calcular mediante la fórmula:
Resistencia térmica contenedor-disipador (Rcd): Es la resistencia
existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagación se efectúa directamente sin
pasar por otro medio (como mica aislante, etc).
Operación.
Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se
representan en la siguiente figura. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar,
para lo cual debemos escoger el modelo adecuado según el nivel de precisión que
necesitemos.
Al unir estas dos piezas obtenemos el diodo
de unión PN. La región cargada positivamente y la
cargada negativamente conforman la región de
agotamiento de la unión PN, en la que
esencialmente no hay electrones o huecos en
movimiento. De esta forma, se obtiene un diodo
semiconductor de silicio de unión PN, en el que la parte positiva (P) constituye el
ánodo (A) y la parte negativa (N) el cátodo (K).
Diodo polarizado en inversa.
Se dice que el diodo está polarizado en inversa cuando se aplica un voltaje positivo
a la región N o cátodo (y por lo tanto un voltaje negativo a la región P o ánodo). Esto
provoca la aparición de un campo eléctrico que detiene a los huecos de la región P
y a los electrones de la región N, por lo que no existe ninguna corriente que cruce
la unión PN. A medida que aumenta este campo eléctrico, el número de cargas
positivas y negativas aumenta, lo que provoca un ensanchamiento de la región de
agotamiento. Valores muy elevados del campo eléctrico pueden dar lugar al efecto
avalancha, que se produce cuando se llega a la tensión de ruptura.
Diodo polarizado en directa
Se dice que el diodo está polarizado en directa cuando se aplica una tensión
positiva en el ánodo, se generando un campo eléctrico que desplazará la carga
positiva hacia la unión de las piezas, provocando un estrechamiento de la región de
agotamiento. Esta zona impedirá la conducción hasta que no se supere la tensión
de barrera o de codo. Una vez superada esta tensión, desaparece la región de
agotamiento y el dispositivo conduce. Cuando esto ocurre se dice que el diodo está
en polarización directa.
Modelo matemático
El modelo ideal del diodo de unión PN se obtiene asumiendo las siguientes
simplificaciones:
Se toma el factor de idealidad como la unidad, n=1.
Se supone que la resistencia interna del diodo es muy pequeña y
que, por lo tanto, la caída de tensión en las zonas P y N es muy
pequeña, frente a la caída de tensión en la unión PN.
Para V<0, el término exponencial es muy pequeño, despreciable frente a
la unidad. Entonces la intensidad tiende al valor IS, que como ya se había
indicado anteriormente, es la corriente inversa del diodo. Para V>0, la
exponencial crece rápidamente por encima de la unidad.
Modelo eléctrico
Diodo polarizado con una señal alterna superpuesta a una continua
Aplicación
Diodos rectificadores para baja frecuencia
Características
IF(AV): 1A – 6000 A
VRRM: 400 – 3600 V
VFmax: 1,2V (a IF(AV)max)
trr: 10 µs
Aplicaciones
1. Rectificadores de Red.
2. Baja frecuencia (50Hz)
Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)
Características
IF(AV): 30A – 200 A
VRRM: 400 – 1500 V
VFmax: 1,2V (a IF(AV)max)
trr: 0,1 - 10 µs
Aplicaciones
1. Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).
2. Inversores.
3. UPS (Sistema de alimentación ininterrumpida).
4. Accionamiento de motores CA.
Diodos Schotkky
Características
IF(AV): 1A – 120 A
VRRM: 15 – 150 V
VFmax: 0,7V (a IF(AV)max)
trr: 5 ns
Aplicaciones
1. Fuentes conmutadas.
2. Convertidores.
3. Diodos de libre circulación.
4. Cargadores de baterías
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)
Características
IF(AV): 0,45A – 2 A
VR: 7,5kV – 18kV
VRRM: 20V – 100V
trr: 150 ns
Aplicaciones
1. Aplicaciones de alta tensión.
Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)
Características
IF(AV): 50A – 7000 A
VRRM: 400V – 2500V
VF: 2V
trr:10 µs
Aplicaciones
Aplicaciones de alta corriente.
ESIME ZACATENCO
Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica
Dispositivos
Profesor (a): Orozco Santamaría Jorge H.
Alumno(a):
Gutiérrez Aranda Monserrat.
Grupo:
5CV2
