UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE HONDURAS

EN EL VALLE DE SULA

MANUAL DE LABORATORIO:
ELECTRONICA I

DEPARTAMENTO INGENIERIA ELECTRICA

1
 PRACTICA N° 1
MATERIALES SEMICONDUCTORES, MATERIALES TIPO N Y P
DIODO DE UNION P-N.

OBJETIVOS:

 Determinar el modo de operación del diodo rectificador utilizando el multímetro digital en

su parámetro de pruebas de diodos.
 Comprobar el voltaje en las terminales del diodo rectificador que opera en polaridad directa
en un circuito electrónico propuesto.
 Determinar el tipo de material semiconductor del que están compuestos los diodos utilizado
en la esta práctica.

EQUIPOS NECESARIOS:

 1 multímetro Digital.
 Diodo 1N4001.
 Diodo 1N34a.
 Protoboard.
 Fuente de Voltaje DC.
 Osciloscopio.
 Generador de funciones.

Marco Teórico

Materiales Semiconductores:
En la naturaleza existen diferentes elementos químicos puros que se pueden clasificar de acuerdo a
su conductividad en: Conductores, Semiconductores y dieléctricos o aislantes.
La gran mayoría de los dispositivos electrónicos se encuentran hechos de materiales
semiconductores entre los que destacan el Silicio y el Germanio.

También existen otros elementos como el Arsénico y el Galio que sirven para formar estructuras
moleculares especiales llamadas impurezas.

Materiales tipo N y P:
Un material tipo N es aquel material semiconductor que se le agregan impurezas de forma tal que
su estructura molecular se convierte en negativa o sea que es capaz de donar electrones, se dice
que este tipo de material presenta electrones libres en su estructura molecular.

2
Un material tipo P es aquel material semiconductor que se le agregan impurezas de forma tal que
su estructura molecular se convierte en positiva o sea que es capaz de aceptar electrones, se dice
que este tipo de material presenta huecos en su estructura molecular.

Diodo de unión P-N:

El Diodo es un dispositivo de dos terminales llamadas ánodo y cátodo que se caracteriza porque
solo deja pasar la corriente en una dirección.

Estructura interna Símbolo

Cuando el voltaje en el ánodo es mayor al voltaje en el cátodo el diodo conduce y se dice que está
en polarización directa, cuando el voltaje en el ánodo es menor al voltaje en el cátodo el diodo no
conduce y se dice que está en polarización inversa.
Como lo indica su símbolo el diodo solo conduce la corriente de ánodo a cátodo y no al revés.

Cuando el diodo conduce presenta una pequeña caída de tensión en sus terminales cuyo valor
depende del material semiconductor con que este está construido.

MATERIAL VOLTAJE DE JUNTURA

SEMICONDUCTOR DIRECTO
SILICIO 0.7 V
GERMANIO 0.3 V

El diodo se debe probar en el parámetro de semiconductores y solo indicará un valor cuando se

conecta el terminal positivo del multímetro al ánodo y el terminal negativo al cátodo y aparecerá
en el display el voltaje de juntura del dispositivo.

El diodo rectificador puede tener diferentes características físicas de acuerdo a la corriente que
puede admitir, pero la apariencia más común es la siguiente:

En el cual la terminal más cercana a la franja es el cátodo.

3
 PROCEDIMIENTO:

1. Dados los diagramas de la Fig.1 determinar la polaridad de los diodos propuestos y

determinar según su caída de voltaje su modo de operación.

Fig.1

Diodo 1N4001 Diodo 1N34a

Voltaje en terminales: Voltaje en terminales: ____________

Modo de operación: ____________ Modo de operación: ____________

2. Cambie la polaridad de las puntas del multímetro en la conexión de los diodos

rectificadores y anote el registro de voltaje que aparece en la pantalla del multímetro.

Diodo 1N4001 Diodo 1N34a

Voltaje en terminales: Voltaje en terminales: ____________

Modo de operación: ____________ Modo de operación: ____________

4
3. Realizar el montaje del circuito que se muestra en la Fig.2, utilice un diodo rectificador
1N4001.

Fig.2

4. Medir los parámetros para llenar la tabla 1.

PARAMETRO A VALOR MEDIDO

MEDIR
( )
( )
( )
( )

TABLA 1

5. Cambie la polaridad del diodo rectificador en el circuito montado en el inciso anterior.

6. Medir los parámetros para llenar la tabla 2 luego de haber cambiado la polaridad del
diodo rectificador.

PARAMETRO A VALOR MEDIDO

MEDIR
( )
( )
( )
( )

TABLA 2

5
7. Realizar el montaje del circuito que se muestra en la Fig.3 ajustando el voltaje de pico a
pico del generador de funciones en 12 V y la frecuencia a 60 Hz con una onda senoidal.

Fig.3

8. Conecte el canal 1 del osciloscopio en el nodo A; observe y dibuje las formas de onda,
Luego conecte el canal 2 del osciloscopio en el nodo B y dibuje la forma de onda obtenida.
Tome en consideración los voltios por división y los segundos por división en su gráfica.

Voltios por división: __________________ Tiempo por división: _________________

Forma de onda en el nodo A

6
 Voltios por división: __________________ Tiempo por división: _________________

Forma de onda en ambos nodos

9. Modifique el circuito anterior reemplazando el diodo 1N4001 por el diodo 1N34a .

Observar y dibujar las formas de onda en el osciloscopio en el nodo A. Luego conecte el
canal 2 del osciloscopio en el nodo B y dibuje la forma de onda obtenida. Tome en
consideración los voltios por división y los segundos por división en su gráfica.

Voltios por división: __________________ Tiempo por división: _________________

Forma de onda en ambos nodos

7
 Análisis de resultados:

1. ¿Explique de que material semiconductor están compuestos los diodos 1N4001 Y el 1N34a
a partir de los voltajes medidos en terminales?
2. Explique a que se debe que en el inciso 6 el voltaje del diodo rectificador sea el mismo de
la fuente. ¿Este voltaje puede dañar el diodo rectificador?
3. En el circuito montado en el inciso 7, explique las formas de onda de voltaje obtenidas con
el osciloscopio.
4. ¿Qué representa las diferencias de amplitud entre la señal de voltaje de la fuente y la
señal de voltaje de la resistencia?
5. Anote 3 conclusiones.

8
 PRACTICA N° 2
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA, RECTIFICADOR DE
ONDA COMPLETA, PUENTE RECTIFICADOR Y FILTROS.

OBJETIVOS:
 Comprender el funcionamiento de un circuito rectificador de voltaje.
 Conocer las ventajas del puente rectificador de voltaje.
 Aprender a identificar los diodos rectificadores y sus especificaciones técnicas.
 Construir un circuito rectificador de onda completa con puente de Graetz.
 Conocer la importancia de los filtros en los circuitos rectificadores y su funcionamiento.

EQUIPOS NECESARIOS:
 4 Diodos rectificadores 1N4001.
 Resistencia de 2KΩ
 Osciloscopio.
 Transformador de voltaje con derivación central de 120/24-12 V.
 Protoboard.
 Capacitores 10µF (1), 14.7 µf (1) 1000 μ (1).

CORRELACION CON LA TEORIA:

Las fuentes de voltaje alterno se diferencian de las fuentes voltaje directo en que las primeras
tienen una señal en sus terminales de salida que varía sinusoidalmente en función del tiempo; en
cambio las fuentes de voltaje directo, mantienen su señal de salida constante. Podemos decir
entonces que en cierto instante de tiempo, el voltaje de una fuente alterna (ac) envía señales
positivas y negativas periódicamente, impidiendo de esta forma que este tipo de señal sea útil al
momento de alimentar los circuitos que se analizarán en materia de electrónica.

Basado en esta necesidad, ésta práctica se enfoca en la construcción de circuitos que tomen esta
señal cambiante en el tiempo para convertirla en una señal que alimente estos dispositivos sin
riesgo de dañar los elementos del circuito.

Señal entregada por una fuente ac.

9
Los diodos rectificadores pertenecen a la familia de los diodos semiconductores, y se utilizan en el
campo de la electrónica para la construcción de transformadores de voltaje directo a partir de una
entrada de voltaje alterno o variable en función del tiempo. Estos circuitos los encontramos en los
dispositivos que utilizamos cotidianamente y son de gran importancia en la actualidad.

La caída de voltaje en los diodos rectificadores depende de sus materiales de construcción, como
se vio en la práctica anterior; Para efectos prácticos utilizaremos una caída de voltaje de 0.7 V
asumiendo que utilizamos un diodo de silicio.

Circuito rectificador de media onda.

En el circuito equivalente que se muestra en la figura anterior, tenemos una fuente de voltaje ac,
que alimenta una carga RL y un diodo rectificador, cuya caída de voltaje es de 0.7 V.

Efecto del diodo rectificador.

La señal que se muestra en la figura anterior, es el voltaje rectificado de media onda que se
registra en la carga RL.

Circuito rectificador de media onda con filtrado.

Parte importante de los circuitos rectificadores, son los filtros cuya función práctica es reducir la
caída brusca de voltaje entre las ondas de voltaje rectificado o recortado, elemento que

10
analizaremos en esta práctica de laboratorio. Esta función de filtrado de la señal rectificada es
realizada por un condensador de filtrado (capacitor), que se conecta en la salida del diodo que
está recortando la señal de voltaje alterno que entrega la fuente.

Efecto del condensador de filtrado.

Hasta el momento hemos visto cómo se comporta un circuito rectificador de media onda, pero lo
que nosotros necesitamos es un circuito rectificador de onda completa, que es el que se muestra
en la siguiente figura:

Circuito rectificador de onda completa o doble onda.

El circuito consiste básicamente en un transformador de voltaje con derivación central que

básicamente lleva a tierra el nodo intermedio entre los dos devanados en serie que componen el
secundario del transformador. Cabe destacar que el número de vueltas del devanado 1 del
secundario, debe ser el mismo del devanado 2 del secundario, para que ambos devanados
entreguen el mismo voltaje en sus terminales. Lo que ocurre es que ambos devanados entregan
una señal senoidal en función del tiempo y un diodo rectificador se encarga de entregar en la
carga una señal completamente rectificada o con señales continuas, periódicas y positivas.

11
 Tensión rectificada en la carga.

Puente Rectificador:

El efecto rectificador de doble onda del circuito que vimos, es justamente el que conviene para
crear una señal que podemos manipular para obtener una señal constante, pero representa una
leve desventaja, y es que la potencia se disipa solamente en un diodo en ambos semiciclos; es por
eso que necesitamos construir un circuito que tenga el mismo efecto pero con la ventaja de que la
potencia se disipe en dos diodos rectificadores en cada semiciclo, y es esto lo que conocemos
como el puente rectificador.

Circuito con puente rectificador con el sentido de la corriente en su semiciclo positivo

12
 Circuito con puente rectificador con el sentido de la corriente en su semiciclo negativo.

Procedimiento Experimental:
1. Monte cuidadosamente el circuito de la figura 1. No energice el circuito hasta que sea
aprobado por su instructor de laboratorio. Utilice como diodo rectificador el 1N4001.

FIGURA 1

13
2. Dibuje la forma de onda del voltaje en la resistencia de 2KΩ con sus respectivos valores de
escala y frecuencia.

3. Conecte un capacitor de 10 μ , en paralelo con la carga del circuito. Dibuje la forma de

onda resultante con sus respectivos valores de escala y frecuencia.

14
4. Reemplace el capacitor de 10 μ por uno de 50 y dibuje la forma de la onda resultante
con sus respectivos valores de escala y frecuencia.

5. Construya el circuito de la figura 2. No energice el circuito hasta que su instructor lo

apruebe. Utilice como diodos rectificadores el 1N4001.

FIGURA 2

15
6. Dibuje la forma de onda del voltaje en la carga de 2KΩ con sus respectivos valores de
escala y frecuencia.

7. Conecte un capacitor de 100 μ , en paralelo con la carga del circuito. Dibuje la forma de
onda resultante con sus respectivos valores de escala y frecuencia.

16
8. Conecte un capacitor de 1000 , en paralelo con la carga y dibuje la forma de la onda
resultante con sus respectivos valores de escala y frecuencia.

Preguntas:
1. ¿Qué efecto se produce en los circuitos montados en esta práctica, conectar el filtro
en paralelo a la carga?
2. ¿Cuál es la ventaja que representa el puente rectificador de Graetz con respecto al
circuito rectificador de onda completa que utiliza únicamente dos diodos
rectificadores?
3. Al aumentar el valor de capacitancia en el filtro: ¿Se observa un cambio en la forma de
la onda del voltaje?
4. ¿Que se espera encontrar a medida que se aumenta la capacitancia hasta un valor de
50 μ ?
5. Resuelva analíticamente el circuito del inciso 8 del procedimiento experimental y
calcule el error relativo de la medición obtenida.
6. ¿Qué principio básico de los elementos de circuito se aprovecha para acercar la señal
de voltaje de onda completa rectificada a una señal constante?
7. Escriba 2 conclusiones de la práctica realizada.

17
 PRACTICA N° 3
El Diodo Zener

Objetivos:
 Comprender el funcionamiento del diodo zener en polarización directa e inversa.
 Ser capaces de interpretar valores nominales de funcionamiento de los diodos zener
utilizados en la práctica, haciendo uso de las hojas de datos del fabricante.
 Observar el comportamiento del diodo zener al operar en inversa como regulador de
voltaje.

Equipos y materiales:
 Fuente DC.
 Resistencia 100Ω (2), 470 Ω.
 Diodos zener 1N4739, 1N4743, 1N4728.
 Protoboard.
 Generador de funciones.
 Osciloscopio.
 Multímetro.

Marco Teórico:
En las prácticas anteriormente realizadas hemos comprobado que los diodos rectificadores tienen
la característica de permitir el paso de corriente cuando está polarizado en directa, así como
también se demostró que opera como un circuito abierto cuando está polarizado en inversa; el
diodo zener, que es el dispositivo que analizamos en esta práctica, tiene el mismo
comportamiento que el diodo rectificador cuando éste opera en directa, pero cuando el zener está
operando en polaridad inversa, a diferencia del diodo rectificador, solamente entrega en su salida
un voltaje igual al voltaje nominal del zener ( ) siempre que el voltaje de entrada sea igual o
mayor que éste. Es entonces que el diodo zener opera en la región de ruptura en inversa, que se
muestra en la figura 1. De manera que podemos decir que en este modo de operación trabaja
como un regulador de voltaje. Este voltaje que el zener regula, depende de características de
diseño del diodo que estemos utilizando en nuestros circuitos, y es un parámetro que el fabricante
determina dependiendo de las necesidades del circuito electrónico diseñado.

18
La simbología del diodo zener es la que se muestra en la figura 1. Y es muy similar a la del diodo
rectificador, con la diferencia en que la línea que identifica el cátodo se sustituye por segmento de
línea que se asimila a la letra z.

Figura 1: Símbolo del diodo zener

El diodo zener está compuesto de silicio y es un semiconductor de unión pn. Cuando los diodos
zener operan en región de ruptura en inversa puede estar en uno de dos tipos de ruptura: de
avalancha o de zener.

El efecto del voltaje de avalancha se da, no solamente en los diodos zener, sino también en los
diodos rectificadores y ocurre cuando existe un voltaje lo suficientemente alto cuando el diodo
está polarizado en inversa.

Figura 2: Grafica característica del diodo zener

Regulación zener:
Dependiendo el modelo del zener utilizado en nuestros circuitos electrónicos, existen parámetros
de diseño antes mencionados, que nos dan el rango de valores de corriente al cual nuestro diodo
zener opera en la zona de ruptura para la regulación de voltaje; estos valores son conocidos en su
valor mínimo como corriente mínima inversa ( ) y en su valor máximo como corriente máxima
inversa ( ). Otro valor que se encuentra en las hojas de datos del diodo es el voltaje de
operación óptimo o nominal del diodo zener ( ), que ocurre a una corriente de prueba ( ).

19
Figura 3: Hoja de datos de los diodos zener

20
 Procedimiento Experimental

1. Montar el circuito de la figura 4 utilizando un diodo zener 1N4739 y ajustar el valor de la

fuente de voltaje ( ), a los valores mostrados en la tabla 1, realice las mediciones de
voltaje y corriente del zener para cada valor correspondiente.

Figura 4

Vent(V) Vz(V)
3
5
7
9
10
11
12
TABLA 1

21
2. Reemplazar el diodo zener 1N4739 por el diodo 1N4743 del circuito anterior; realice las
mediciones propuestas y registre los valores en la tabla 2.

Vent(V) Vz(V)
7
9
10
12
13
14
15
TABLA 2

3. Monte el circuito de la figura 5 utilizando un diodo zener 1N4728A. Realice las mediciones del
voltaje en la carga, con los distintos valores de mostrados en la tabla 3. Los demás datos son:
= 12 , = 470 .

FIGURA 5

(Ω) (V)
100
150
200
470
TABLA 3

22
4. Monte el circuito de la figura 6 utilizando un diodo zener 1N4728, R=100Ω y con la ayuda del
osciloscopio registre la forma de la onda resultante en las terminales del diodo. Ajuste el valor del
voltaje en el generador de funciones a 7 . Tome en cuenta los voltios por cuadro para registrar
la amplitud observada

FIGURA 6

6. Repita el inciso anterior modificando el voltaje de salida del generador de funciones a

20 . Dibuje la forma de la onda resultante.

23
6. Monte el circuito de la figura 8 utilizando un diodo zener 1N4728, R= 1KΩ y con la ayuda del
osciloscopio registre la forma de la onda resultante en las terminales del diodo. Ajuste el valor del
voltaje en el generador de funciones a 20 .

FIGURA 8

Análisis de resultados:
1. Desarrolle el promedio de las 4 mediciones más cercanas al valor del voltaje nominal de zener
en el inciso 1; y con estos dos valores, calcule el error absoluto del voltaje zener.

2. Repita el procedimiento anterior con los valores del inciso 2.

3. Desarrolle analíticamente el circuito de la figura 5 (inciso 3), y determine para qué valores de
, el diodo zener mantiene regulación de voltaje. Obtenga el error absoluto entre el valor mínimo
aceptable de utilizado en la práctica y el valor teórico encontrado.

4. Defina a partir de la forma de la onda medida en los incisos 4 y 5 cuál es el voltaje de zener
aproximado del diodo utilizado. Explique los gráficos obtenidos.

6. Determine si corresponde o no la forma de señal de voltaje zener al aplicarse una señal alterna
en su entrada y explique a qué se debe la forma de la onda de voltaje zener al aplicarse esta señal
en los circuitos de los incisos 4 y 5.

7. Explique a que se debe la señal obtenida en las terminales mostradas del circuito del inciso 6.

7. escriba 3 conclusiones de la práctica realizada.

24
 PRACTICA N° 4
Transistores NPN y PNP.

Objetivos:
• Identificar el transistor físicamente, así como su modelo y configuración (NPN ó PNP).

• Aprender a identificar las terminales base, colector y emisor, con la prueba del multímetro.

• Aprender a obtener el parámetro Beta (ℎ ) por métodos prácticos.

• Comprender las aplicaciones básicas de este dispositivo.

Equipos y materiales:
 Fuente de alimentación DC (2)
 Transistor BJT NPN modelo 2N3904 (1).
 Transistor BJT PNP modelo 2N3906 (1).
 Resistencias 10KΩ, 100Ω.
 Protoboard.
 Multímetro digital.

Marco teórico:
El transistor bipolar de juntura (BJT) está conformado por tres capas de material semiconductor:
emisor, base y colector. El material con el que se construyen estas tres capas ya sea n o p, definen
el tipo de transistor que estamos analizando. Podemos definirlo como un dispositivo de doble
unión y de tres terminales cuya configuración determina los parámetros y la dirección de la
corriente de los circuitos electrónicos analizados.

25
Un tipo de transistores bipolares se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y
el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). La unión pn que une la
región de la base y la región del emisor se llama unión base-emisor. La unión pn que une la región
de la base y la región del colector se llama unión base-colector Estos conductores se designan E, B
y C por emisor, base y colector, respectivamente.

En la figura se observa un circuito con BJT en el que la fuente de voltaje, VBB, polariza en directa la
unión base-emisor y la fuente de voltaje, VCC polariza en inversa la unión base-colector. Cuando la
unión base-emisor se polariza en directa, opera como un diodo polarizado en directa.

Para el análisis de estos circuitos electrónicos, se tomará como valor de voltaje de cd en la base
con respecto al emisor 0.7 voltios.

 Parámetro alfa (α).

Indica la relación entre las corrientes de colector y emisor.

 Parámetro beta o ganancia de corriente (β).

Es la relación entre las corrientes de colector y de base.

26
Ahora que se ha definido el parámetro ganancia de corriente (ℎ ), es posible referirse a los
valores nominales de esta ganancia que puede estar dentro de un límite inferior y un límite
superior; por convención se utilizará 150 como valor de ganancia para realizar el análisis
matemático.

Amplificador Darlington:

Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de
corriente y, al poder estar todo integrado, requiere menos espacio que dos transistores normales
en la misma configuración. La ganancia total del Darlington es el producto de la ganancia de los
transistores individuales. Un dispositivo típico tiene una ganancia en corriente de 1000 o superior.
También tiene un mayor desplazamiento de fase en altas frecuencias que un único transistor, de
ahí que pueda convertirse fácilmente en inestable. La tensión base-emisor también es mayor,
siendo la suma de ambas tensiones base-emisor, y para transistores de silicio es superior a 1.2V.
La beta de un transistor o par Darlington se halla multiplicando las de los transistores individuales.
La intensidad del colector se halla multiplicando la intensidad de la base por la beta total.

Amplificador Darlington

27
 Modelo en CD de un transistor BJT:

El BJT que no está en saturación puede ser considerado un dispositivo con una corriente en el
circuito de entrada y una fuente de corriente dependiente en el circuito de salida, El circuito de
entrada es un diodo polarizado en directa a través del cual pasa corriente de base. El circuito de
salida es una fuente de corriente dependiente con un valor que depende de la corriente de base,
e igual a .

Tomando en consideración el circuito anteriormente mostrado, es posible determinar

experimentalmente las terminales del transistor bjt. Con la medición de polaridad de diodos,
donde la terminal base del bjt es aquella que al estar conectada a la punta de prueba del transistor
y al conectar la punta común en las otras dos terminales, obtenemos un registro de voltaje en
ambas mediciones, siendo la de menor valor, el colector y la de mayor valor el emisor.

28
 Procedimiento Experimental:

1. Determine cuáles son los voltajes entre las terminales del transistor 2N3904, con el
multímetro midiendo prueba de diodos. Por convención, mida las polaridades, conectando
de la siguiente forma:

= _____________ = _____________
= _____________ = _____________
= _____________ = _____________

2. Determine a partir de las mediciones, cuáles son las terminales del transistor 2N3904
utilizado (base, emisor, colector).

1: ______________
2: ______________
3: ______________

29
3. Determine cuáles son los voltajes entre las terminales del transistor 2N3906, con el
multímetro midiendo prueba de diodos. Por convención, mida las polaridades, conectando
de la siguiente forma:

= _____________ = _____________
= _____________ = _____________
= _____________ = _____________

4. Determine a partir de las mediciones, cuáles son las terminales del transistor 2N3906
utilizado.

1: ______________
2: ______________
3: ______________

30
5. Monte el circuito de la figura 1. utilice un transistor 2N3904 y mida , , , ,
y . Llene la tabla 1 con los valores medidos.

Figura 1

Valores medidos
( )
( )
( )
( )
( )
( )
Tabla 1

Análisis de resultados:
1. Explique a que se debe que en la medición de polaridad entre terminales del transistor BJT
resulten registros de voltaje de diodos entre base-emisor y entre base-colector.
Demuestre su teoría.
2. Determine experimentalmente la ganancia de corriente del circuito del inciso 5.
3. Desarrolle analíticamente el circuito propuesto en el inciso 5 considerando una ganancia
de corriente teórica de 150.
4. Escriba tres conclusiones de la práctica realizada.

31
 PRACTICA N° 5
Circuitos de polarización de transistores.

Objetivos:
 Analizar y realizar las mediciones de circuitos de polarización de base, de emisor y de
colector de transistores BJT.
 Analizar Circuitos de polarización por divisor de tensión.
 Comprender el significado del punto de operación de transistores BJT.

Equipos y materiales:
 Fuente de alimentación DC (2).
 Transistor BJT NPN modelo 2N3904 (2).
 Resistencias 10KΩ, 100Ω, 12KΩ, 1KΩ, 220Ω, 2.2KΩ.
 Multímetro digital.

Marco teórico:
Como ya se demostró en la práctica anterior, los transistores BJT, tienen parámetros que
dependen de los voltajes de cd que se ajustan para modificar las corrientes de base, colector, y
emisor de los circuitos analizados anteriormente. En ésta práctica, el enfoque es entender el punto
de operación ( ) de los circuitos propuestos y realizar las mediciones necesarias para conocerlo.

Si un amplificador no se polariza con voltajes de cd correctos a la entrada y salida, puede irse a

saturación o a corte cuando se aplique una señal de entrada. En la Figura 1, se muestra el correcto
funcionamiento de un circuito correctamente polarizado, en el que la señal de la salida está
amplificada y desfasada 180° de la señal de entrada.

Figura 1

32
Recta de carga en cd. La operación en cd de un circuito con un transistor se describe gráficamente
con una recta de carga en cd. Ésta es una recta sobre las curvas características desde el valor de
saturación donde = ( ) sobre el eje y hasta el valor de corte donde = sobre el eje
x, como se muestra en la figura 2.

Figura 2

Operación lineal La región a lo largo de la recta de carga que incluye todos los puntos entre los
estados de saturación y corte en general se conoce como región lineal de la operación del
transistor. En tanto el transistor opere en esta región, el voltaje de salida es idealmente una
reproducción lineal de la entrada.

33
 PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

1.- Monte el circuito de la figura 3.

Figura 3

2.- mida y .

= _________
= ________

3. Ajuste los valores de la fuente en los saltos indicados y anote los valores correspondientes
de y en la tabla 2.

( ) (μ ) ( )
0
2
4
8
12
14
Tabla 2.

34
4.- Monte el circuito de la figura 4.

Figura 4

5.- Mida las corrientes de base, colector y emisor, y los voltajes de base a colector, voltaje de
colector a emisor, y voltaje de colector a base.

= _________
= __________
= __________
= __________
= __________
= __________
Análisis de resultados:

1.- Dibuje las rectas de carga en CD, de los circuitos propuestos en el inciso 1 y el inciso 4.

2.- Resuelva analíticamente los circuitos propuestos, asumiendo una ganancia de corriente de 250.

3.- Compare los resultados obtenidos con los medidos en la práctica mediante el error absoluto.

4.- Anote 3 conclusiones.

35
 PRACTICA N° 6

Transistores de efecto de campo (FETS) parte 1.

Objetivos:

 Trazar la curva característica de drenaje a partir de valores conocidos.

 Trazar la curva característica de transferencia a partir de valores medidos
 Determinar la resistencia del canal R a partir de valores medidos.
 Conectar el FET en un circuito atenuador.

Equipos necesarios:
 Multímetro.
 Transistor 2N3370.
 Protoboard.
 Fuente de voltaje DC (2).

Marco teórico:
Los FETS (Transistores de efecto de campo) son dispositivos utilizados en el campo de la
electrónica como amplificadores y como interruptores lógicos al igual que los ya anteriormente
mencionados BJT. Estos (FETS) son controlados por el voltaje entre dos de sus terminales
(compuerta y fuente), para controlar la corriente que circula a través del dispositivo. Los dos tipos
principales de FET son el transistor de efecto de campo de unión (JFET) y el transistor de efecto de
campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET).

Una ventaja importante de los FET es su muy alta resistencia de entrada. Debido a sus
características no lineales, en general no se utilizan mucho en amplificadores como los BJT excepto
donde se requieren impedancias de entrada muy altas. Sin embargo, los FET son el dispositivo
preferido en aplicaciones de conmutación de bajo voltaje porque en general son más rápidos que
los BJT cuando se prenden y apagan.

Simbolo esquematico de JFET

36
El FET tiene dos modos principales de funcionamiento:

Uno de ellos con tensión de drenaje a fuente reducida en la que el circuito opera en región
óhmica; en esta región el FET se utiliza como atenuador o como resistor variable. El segundo Modo
principal de operación se denomina región de saturación, y se caracteriza por la corriente de
drenaje constante a un voltaje de drenaje a fuente que aumenta hasta que llega a un punto de
ruptura; en este modo de operación, el FET se utiliza como amplificador o como fuente de
corriente.

Procedimiento Experimental:

1. Monte el circuito de la figura 1:

37
 Figura 1

2. Ajuste el voltaje a 0 voltios para que el voltaje entre la unión compuerta y fuente
tenga un valor de 0 voltios. Luego varíe el voltaje de manera que el voltaje entre el
drenaje y la fuente alcance los valores mostrados en la tabla 1. Luego ajuste los valores de
la fuente para que en la unión compuerta-fuente se obtengan los valores propuestos y
registre el valor de la corriente de drenaje del circuito.

VDD 0 0.5 1 2 5 10
VGG ID (mA)
0
0.5
1
1.5

Tabla 1

3. Usando los datos de la tabla 1, anote la variación de la corriente de drenaje

correspondiente a la variación de tensión de compuerta , para los tres valores de
tensión de drenaje indicados en la tabla 2.

38
 VGS 0 0.5 1 1.5
VDS ID (mA)
0
1
10

Tabla 2

Análisis de Resultados:

1. Trace en papel milimetrado las curvas corriente de drenaje en función de voltaje

drenaje-fuente ( ) con los valores encontrados en la tabla 1.
2. Determine a partir de la gráfica del inciso anterior, el valor de la corriente de drenaje a
fuente con la compuerta en corto circuito ( ) y el voltaje de ruptura ( ), del FET
utilizado en el circuito.
3. Grafique en papel milimetrado los valores de la tabla 2, tomando la corriente de
drenaje en función del voltaje de compuerta a fuente, y explique el significado de esta
gráfica.
4. Escriba 3 conclusiones.

39
 PRACTICA N° 7

Multisim y transistores Mosfet.

Objetivos:

 Conocer las características fundamentales de los transistores Mosfet.

 Conocer y manipular MULTISIM.
Equipos necesarios:

 Computadora con simulador Multisim.

Marco teórico:

Multisim:

El multisim es una potente herramienta utilizada para el diseño, generación de prototipos y

pruebas de circuitos eléctricos. Ésta tiene utilidad en el campo de la electrónica digital, circuitos de
fuerza, circuitos de control entre otros campos de la ingeniería eléctrica.

Interfaz Principal:
Al ingresar a la aplicación MULTISIM, se abre una ventana con la interfaz de la aplicación; en ésta
podemos ver horizontalmente las barras de herramientas de la aplicación, y la barra de acceso
rápido a los dispositivos y elementos de circuito que pueden ser colocados en la mesa de trabajo
de la aplicación.

La columna que se ve en el extremo derecho de la ventana, contiene los dispositivos de medición,

generación y lectura de señales (multímetros, osciloscopios, generador de funciones, analizador
de espectro, etc...); al clicar en ellos, inmediatamente se intercambia el puntero del mouse, por el
dispositivo seleccionado y este se arrastra hasta el lugar en el que se desea colocar en la mesa de
trabajo en la que se está trabajando.

40
 Interfaz principal del simulador de circuitos multisim.

En la barra de acceso rápido de dispositivos y elementos de circuito, se encuentra en orden de

izquierda a derecha, los iconos de fuentes, elementos pasivos básicos, diodos, transistores,
amplificadores operacionales, compuertas lógicas, micro controladores y otros circuitos
integrados, componentes de potencia, tableros y pantallas lcd, dispositivos personalizados de la
aplicación y elementos de electromecánica.

Es posible buscar y seleccionar los dispositivos según modelo y fabricante; una vez que se ha
clicado en el icono del tipo de elemento o dispositivo requerido, una nueva ventana con una lista
según familia o tipo del elemento emerge y permite la opción de buscar según nomenclatura o
modelo.

Montaje y simulación del circuito:

Con los dispositivos y elementos de circuito colocados en la mesa de trabajo, se debe clicar en la
terminal que se quiere conectar y automáticamente tenemos seleccionado un nodo que se

41
conectará al dar clic en la terminal de otro dispositivo o elemento existente en la mesa de trabajo.
Con todos los dispositivos y elementos conectados correctamente, es necesario antes de iniciar la
simulación, conectar el tierra al circuito en el punto debido; una vez que se cumpla esa condición,
se podrá iniciar la simulación dando clic al icono de inicio de color verde que se encuentra en la
barra de acceso rápido a elementos y dispositivos de circuitos. Si se desea corregir o modificar el
circuito, es preciso que se detenga la simulación, porque solo con la simulación detenida, los
parámetros del circuito pueden cambiar, de manera que si no se reinicia la simulación, la
aplicación seguirá entregando registros de voltajes, corrientes o señales del primer circuito
simulado.

Transistores MOSFET:

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos de efecto de

campo que utilizan un campo eléctrico para crear una canal de conducción. Son dispositivos más
importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen
con la tecnología MOS.

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o E-MOSFET y D-MOSFET de canal P
o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de enriquecimiento o de empobrecimiento; en la
actualidad los segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los
MOS de enriquecimiento.

El E-MOSFET opera sólo en el modo de enriquecimiento y no tiene modo de empobrecimiento.

Difiere en cuanto a construcción del D-MOSFET, el cual se abordará a continuación, en que no
tiene ningún canal estructural.

Símbolos esquemáticos para el E-MOSFET.

MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET)

Otro tipo de MOSFET es el MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET)

42
 Símbolos esquemáticos del D-MOSFET

Modo de empobrecimiento Imagínese la compuerta como la placa de un capacitor de placas

paralelas y el canal como la otra placa. La capa aislante de bióxido de silicio es el dieléctrico. Con
un voltaje negativo en la compuerta, las cargas negativas en ésta repelen los electrones de
conducción provenientes del canal y dejan a los iones positivos en su lugar. Por esto, el canal n se
queda sin algunos de sus electrones, por lo que disminuye la conductividad del canal. Mientras
más grande es el voltaje negativo en la compuerta, más grande es el empobrecimiento de
electrones en el canal n. Con un voltaje de compuerta a fuente suficientemente
negativo, ( ) , el canal se empobrece totalmente y la corriente en el drenaje es cero.

Al igual que el JFET de canal n, el D-MOSFET de canal n conduce corriente en el drenaje con
voltajes de compuerta a fuente entre ( ) y cero. Además, el D-MOSFET conduce con valores
de por encima de cero.

Procedimiento experimental:

1. Monte en multisim el circuito de la figura 1, Considere que este MOSFET particular tiene
valores mínimos de ( ) = 200 con =4 y ( ) =2 .
El modelo del transistor utilizado es 2N6659.

43
 Figura 1

2. Llene la tabla 1 realizando las mediciones indicadas.

Valores medidos
( )
( )
( )

Tabla 1

3. Reemplace la resistencia por la suma de 200 y los últimos tres dígitos de su número de
cuenta. Llene la tabla 2 con las mediciones del circuito.

Valores medidos
( )
( )
( )

Tabla 2

Análisis de Resultados:
1. Resuelva analíticamente el circuito del inciso 1 y compare los valores de voltajes y
corrientes teóricos y experimentales utilizando la fórmula del error absoluto.
2. Resuelva analíticamente el circuito del inciso 3 y compare los valores de voltajes y
corrientes teóricos y experimentales utilizando la fórmula del error absoluto.
3. Anote 3 conclusiones de la práctica realizada.

44
 REGLAMENTO GENERAL DEL
LABORATORIO DE INGENIERÍA
ELÉCTRICA:

DE LAS ASISTENCIAS:
1. El alumno deberá presentarse puntualmente a la práctica de laboratorio;
luego de 10 minutos de iniciada la clase, pierde el derecho de realizar la
práctica correspondiente.
2. El alumno deberá presentarse a la sección de laboratorio que tiene
matriculada; en caso de imposibilidad de asistencia por motivos
laborales, se debe acudir a las autoridades de la facultad con la
documentación que compruebe su condición laboral, para determinar la
medida a tomar.

DE LAS INASISTENCIAS:

3. Con la inasistencia a una práctica de laboratorio, se pierde derecho a

presentar el informe de la práctica correspondiente y el puntaje asignado
a éste.
4. El instructor de laboratorio está autorizado a revisar la asistencia de los
estudiantes en cualquier instante dentro del tiempo programado para el
desarrollo de la práctica; los estudiantes que no estén presentes en la
revisión, tendrán una falla injustificada en la práctica correspondiente.
5. La reposición de una práctica de laboratorio (por inasistencia del
estudiante), está sujeta a una justificación documentada (constancia
médica, acta de defunción, etc...)
6. La falta colectiva de los estudiantes a una práctica de laboratorio, será
considerada como una inasistencia injustificada de todos los
estudiantes.
7. El estudiante pierde el derecho a examinarse luego de 2 inasistencias
parciales injustificadas.

45
 DE LOS INFORMES:
8. El informe de laboratorio deberá presentarse siguiendo el formato
propuesto en la rúbrica entregada por el instructor al inicio del periodo
académico.
9. Una vez realizada la práctica de laboratorio, el estudiante cuenta con 5
días hábiles (una semana completa) para presentar el informe de la
práctica.
10.Los informes de las prácticas de laboratorio se presentan individual y
personalmente.

PROHIBICIONES A LOS ESTUDIANTES:

11.Ingresar alimentos y/o bebidas al laboratorio.

12.Arrojar basura en el laboratorio.
13.Utilizar dispositivos móviles (celular, computadora, tablet,
reproductores de multimedia y similares) en el laboratorio.
14.Hacer comentarios racistas, despectivos u ofensivos en el laboratorio.
15.Sentarse o colocar objetos personales en las mesas de trabajo.
16.Lanzar objetos en los laboratorios de la facultad.
17.Interferir en el desarrollo de la práctica de otra mesa de trabajo.
18. Los materiales disponibles en una mesa de trabajo, no pueden ser
movidos a otra mesa de trabajo. En caso de que haga falta un material
para desarrollar la práctica, deberá ser reportado a su instructor de
laboratorio.
19.No se deben manchar ni rayar las mesas de trabajo.
20.Copiar el reporte de las prácticas de sus compañeros.

OBLIGACIONES DE LOS ESTUDIANTES:

21.Mantener un ambiente de cordialidad y respeto en el laboratorio.

22.Mantener el orden durante el desarrollo de la práctica de laboratorio.
23.Prestar atención a las indicaciones dadas por el instructor de laboratorio.

46
 24. Seguir minuciosamente el instructivo de la práctica de laboratorio, sin
saltarse procedimientos ni omitir detalles que mantienen a salvo la
integridad física de los participantes en la práctica.
25.En caso de que haga falta un material para desarrollar la práctica,
deberá ser reportado a su instructor de laboratorio.
26.Los participantes en las mesas de trabajo, deberán entregar en el mismo
estado que recibieron los materiales, equipos y herramientas utilizados
en la práctica de laboratorio.
27.Si el estudiante daña materiales, herramientas o equipos durante el
desarrollo de la práctica de laboratorio, deberá reponerlo en un plazo de
20 días hábiles.
28.El estudiante deberá presentarse al laboratorio, con el manual de la
práctica correspondiente, sin manchones ni borrones y con el sello de
certificación de la asociación de estudiantes de ingeniería eléctrica.

INSTRUCCIONES GENERALES:

29. El instructor de laboratorio tiene autorización de aplicar pruebas de la

práctica programada para ese día si lo considera necesario.
30. Prohibida la permanencia de particulares en el laboratorio en el
momento del desarrollo de las prácticas.
31.Se prohíbe a cualquier persona ingresar armas u objetos punzo-cortantes
a los laboratorios de la facultad de Ingeniería eléctrica.

El instructor de laboratorio está autorizado a suspender la práctica de

laboratorio al estudiante que infrinja el reglamento y obligado a entregar un
reporte por escrito a las autoridades correspondientes, justificando la falta
cometida.

47