TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en varias aplicaciones
que coinciden, en gran medida, con las del transistor BJT.
El transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje, como se muestra en la
figura. Es un dispositivo unipolar que depende no sólo tanto de la conducción de
electrones (canal n) como de la condición de huecos (canal p). Las cargas presentes
establecen un campo eléctrico, el cual controla la ruta de conducción del circuito de
salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades de control y las
controladas.
Algunas características generales del FET en comparación con el BJT son:
-Alta impedancia de entrada
-Las ganancias de voltaje de ca típicas para amplificadores de BJT son mucho mayores que para los FET.
-Los FET son más estables a la temperatura que los BJT, y en general son más pequeños que los BJT, lo que los
hace particularmente útiles en chips de circuitos integrados (CI).
A esta categoría pertenecen: el transistor de efecto de campo de unión (JFET), el transistor de efecto de campo
semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y el transistor de efecto de campo semiconductor metálico
(MESFET).
El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el paso de una cierta cantidad de
corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea principal; existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de
canal p, se comentará para el caso de JFET de canal n, lo que se comente para el de canal n, es similar para el de
canal p, la diferencia será el sentido de las corrientes y las tensiones sobre el JFET; constan de 3 pines, los
cuales reciben los nombres de drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que hace el JFET es controlar la
cantidad de corriente que circula entre el drenaje y la fuente, esa corriente se controla mediante la tensión que
exista entre la compuerta y la fuente.
En la imagen anterior se muestra un JFET de canal n, en este caso el
2N3819, se muestran los 3 pines que tiene con sus nombres, el orden va
depender del JFET, se tiene que ver su hoja de datos para conocerlos.
Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y tipo p, al igual
que los diodos; la figura que sigue es una representación para comprender
como están distribuidos los materiales semiconductores para el de canal n
y el de canal p, y las conexiones de los pines a estos semiconductores, la
figura servirá para tener una idea del comportamiento del JFET.
El FET de canal n es similar para el caso de
canal p; en la figura se puede ver que para el
JFET de canal n, al material semiconductor tipo
n se le han conectado en extremos opuestos el
drenador(D) y la fuente(S), mientras el material
tipo p se conecta a la compuerta(G), se observa
que hay un paso o un canal entre el drenador y
la fuente, formado por el semiconductor tipo n
de allí el nombre de canal n, el cual está
rodeado por el material semiconductor tipo p, entre la compuerta y la fuente se forma un diodo, en el transistor
JFET lo que se hace es polarizar en inversa este diodo, para el caso del JFET de canal n la tensión de
polarización de dicho diodo tiene que ser negativa y a lo mucho igual a cero, se la representa como VGS
(tensión compuerta fuente), lo que se logra al hacer esto es que la región de agotamiento del diodo se puede
controlar variando la tensión VGS, cuando la VGS=0 la región de agotamiento del diodo será mínima y el canal
n será lo más ancho que pueda; si poco a poco la tensión VGS se hace negativa, esta hará que la región de
agotamiento del diodo crezca, ya que el
diodo se polariza en inversa, esto a su
vez hace que el canal semiconductor se
angoste, llegará un momento que la
VGS sea lo suficientemente negativa
que hará que la región de agotamiento
sea tan grande como para que el canal
semiconductor desaparezca o se cierre;
a esa tensión se le conoce como tensión
compuerta fuente de apagado o de corte
del JFET y se representa como VGSoff.
Para polarizar un JFET de canal n, de la batería o fuente de alimentación VGG que se use entre la compuerta y
la fuente se conectará su polo negativo hacia la compuerta(G) y hacia la fuente(S) su polo positivo; la batería o
fuente de alimentación VDD que se
conecta entre el drenaje y la fuente,
es la encargada de suministrar la
corriente que se controla con la
VGS, VDD se conecta con su polo
positivo en el drenaje(D) y el
negativo a la fuente(S); si el JFET
es de canal p las conexiones de las
alimentaciones se invierten, tal
como se ve en la imagen
De la figura anterior se puede ver que al estar polarizado el diodo entre la compuerta y la fuente en inversa, la
corriente que se aparece a través de la compuerta IG es muy pequeña, del orden de los nA, por eso se considera
que IG=0, también es por este motivo que se dice que el JFET tiene una alta impedancia de entrada, propiedad
que se aprovecha en los amplificadores basados en el JFET; la corriente que circula entre el drenaje y la fuente
se conoce como corriente de drenaje ID, el valor de esta corriente depende del valor de la tensión VGS; como se
ha visto anteriormente al hacer variar la VGS se logra que la región de agotamiento aumente o disminuya, lo
que hace que el canal por el que circula la corriente de drenaje ID disminuya o aumente, al disminuir o aumentar
el canal se controla la cantidad de ID que circula por el JFET; esta es la forma que se controla la corriente por
tensión con el transistor JFET.
Cuando VGS=0 la región de agotamiento será mínima, en este caso si la tensión entre el drenaje y la fuente
VDS se aumenta la corriente de drenaje ID aumentará también, pero llegará un momento que la corriente ID
deje de aumentar por más que se aumente la VDS, en ese momento se dice que el JFET se ha saturado (en un
JFET la VDS tiene un límite que si se sobrepasa el JFET se dañará, ese valor máximo para VDS se encuentra en
su hoja de datos), a esa corriente ID que ya no aumenta más se la conoce como corriente de drenaje fuente de
saturación la cual se simboliza como IDSS, es un dato muy importante característico de los JFET que se
encontrará en su hoja de datos; cuando la VGS=VGSoff la corriente ID=0, como se puede ver la ID variará
desde un mínimo de 0A hasta un máximo de IDSS y todo esto controlado por la VGS.
La siguiente es la representación simbólica El circuito de polarización visto anteriormente ahora con los
de los JFET símbolos quedaría así:
APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES JFET
Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:
APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Impedancia de entrada alta y Uso general, equipo de medida,
Aislador o separador (buffer)
de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo
Amplificador de RF Bajo ruido
para comunicaciones
Baja distorsión de Receptores de FM y TV,
Mezclador
intermodulación equipos para comunicaciones
Facilidad para controlar Receptores, generadores de
Amplificador con CAG
ganancia señales
Instrumentos de medición,
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada
equipos de prueba
Amplificadores de cc, sistemas
Troceador Ausencia de deriva
de control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por voltaje Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas
de tono
Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
Amplificador de baja frecuencia
acoplamiento transductores inductivos
Generadores de frecuencia
Oscilador Mínima variación de frecuencia
patrón, receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memorias
Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única variable que me controle la
cantidad de corriente que pase por el drenaje sea la tensión de compuerta VGS.
Conclusión Wez
La aplicación que le podremos dar al transistor JFET dependerá de la zona en la que lo hagamos trabajar
comportándose como una resistencia variable dependiente del voltaje de la compuerta VGS si se
encuentra en la Zona Óhmica o Lineal, o como una fuente de corriente controlada por la tensión de
compuerta VGS cuando trabaja en la Zona de Saturación; esta zona estará definida por el valor del voltaje
de drenaje VDS, si VDS ≥ Vp el transistor está en región de saturación, si VDS < Vp este entrara en región
óhmica; siendo Vp la tensión de estrangulamiento (Valor nominal). {Wesly Alejandro Mejía Sánchez}
REFERENCIAS
1. Schilling, D., y Belove, C. (1993). Circuitos electrónicos; Discretos e integrados. Madrid, España:
Editorial McGraw-Hill Companies.
2. https://www.ecured.cu/Rectificador_de_onda_completa
3. https://fidestec.com/blog/fuentes-de-alimentacion-conmutadas-03/
