Investigación sobre Estructuras Verticales para

MOSFETs de Potencia
Bryan Daniel Cárdenas Espinoza
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
dancares6495@[Link]

Abstract- Many of the technologies used in the manufacture of también limita su utilización para aplicaciones de media y baja
integrated circuits use MOSFET transistors. These have a potencia ya que para niveles de muy alta corriente la caída de
structure in which the drain, spout and gate terminals are located tensión y por tanto la disipación de potencia se hace
on the upper surface of the device. However, this structure is not
suitable for the manufacture of discrete devices due to the large
inaceptable. Al igual que en el transistor bipolar se ha
length of channel they must have (distance between drain and desarrollado una estructura vertical para el MOSFET con el
spout) to maintain the insulation. The MOSFET power objetivo de reducir la resistencia del canal. En un MOSFET de
transistors are manufactured maintaining a vertical structure, in señal ésta puede alcanzar valores de hasta 50 Ω lo que significa
which the spout and drain terminal are on opposite sides. There una disipación de potencia de 50 W para una corriente de 1 A.
are several vertical structures used to manufacture power En la estructura vertical la corriente circula en sentido vertical
MOSFET transistors: V-MOSFET, U-MOSFET, D-MOSFET a través de un canal dispuesto con esa misma orientación. La
and S-MOSFET.
Power MOSFETs are voltage controlled devices; they require primera estructura desarrollada fue la VMOS.
very little gate excitation power and their parameters are less Dicha estructura proporciona un área máxima a los
sensitive to the temperature of the joint. There is no problem due contactos de drenador y surtidor a fin de producir una baja
to secondary rupture and during deactivation a negative gate resistencia de contacto en los terminales del encapsulado.
voltage is not required. Entre las regiones de drenador y surtidor se tienen dos
regiones de tipo p en las cuales se forma el canal. La longitud
Keywords- MOSFET power transistors, V-MOSFET, U-
del canal "l" viene determinada por las profundidades relativas
MOSFET, D-MOSFET, gate, voltage, temperatura of the joint.
de las sucesivas difusiones. Un valor típico podría ser de uno
o dos micrómetros. La región débilmente dopada n- de
I. INTRODUCCIÓN
drenador es utilizada en los MOSFETs de potencia para
Los transistores de potencia tienen características permitir un mayor crecimiento de la zona de agotamiento (al
controladas de activación y desactivación. Los transistores, aumentar VDS), permitiendo al dispositivo bloquear altas
que se utilizan como elementos conmutadores, se operan en la tensiones cuando está cortado. Dado que la región n- está
región de saturación, lo que da como resultado en una caída de menos dopada que la p, la mayor parte de la zona de
voltaje baja en estado activo. La velocidad de conmutación de agotamiento se extiende sobre la zona n- . Al aumentar VDS, la
los transistores modernos es mucho mayor que la de los zona de agotamiento crece pero, al extenderse
tiristores, por lo que se utilizan en forma amplia en fundamentalmente sobre la región n- , el dispositivo es capaz
convertidores de ca-cd y de cd-ca, con diodos conectados en de bloquear mayores tensiones. [1]
paralelo inverso para proporcionar un flujo de corriente
bidireccional. Sin embargo, las especificaciones de voltaje y II. V-MOSFET
de corriente son menores que las de los tiristores y por lo que,
los tiristores se utilizan, por lo general, en aplicaciones de baja La mayoría de los inconvenientes del MOSFET de
a media potencia. estructura plana pueden reducirse por medio de una estructura
denominada V-MOS, llamada así por la forma que tiene el
A. El transistor de estructura vertical corte del dispositivo indicado en la figura (1).
El MOSFET de estructura vertical se desarrolló para
ocupar el lugar de los transistores bipolares de potencia. En la
actualidad se ha convertido en el elemento más utilizado en
aplicaciones de baja y media potencia por su comportamiento
casi ideal como conmutador. Apareció en 1976 y su principal
ventaja es que no necesita corriente de entrada (corriente de
base) para su funcionamiento, aunque sí hay que cargar su
capacidad de puerta para controlarlo. Por otra parte no sufre
fenómenos como la segunda ruptura, la concentración de
corriente o la cola de corriente al ser un dispositivo que
conduce por portadores mayoritarios. De hecho su
comportamiento en la zona óhmica, como su nombre indica,
es puramente resistivo y la corriente por el dispositivo sólo
depende de la tensión aplicada entre drenador y surtidor. Esto Fig. 1 MOSFET de potencia de estructura vertical VMOS
 Como las conexiones fuente (S) y drenador (D) del V- IV. D-MOSFET
MOS están en la parte superior e inferior, respectivamente, el Debido a la dificultad y precisión necesaria para los
flujo de corriente es vertical y de esta forma los canales n se procesos de fabricación de los dispositivos anteriormente
forman a ambos lados del corte en “V” de la puerta (G). Esto mencionados, estos fueron sustituidos por un tipo diferente de
ocurre por el mismo fenómeno que en los MOSFET de transistor MOS llamado DMOS o “double-diffused” MOS
estructura plana, cuando se aplica una diferencia de potencial pues utiliza el proceso de doble difusión para su fabricación.
en la puerta (G) los electrones se ven atraídos a la región Este proceso se basa en la posibilidad de utilizar dos
situada bajo la puerta y se induce un canal de material de tipo difusiones sucesivas, primero una difusión de impurezas tipo
𝑛 en la pastilla semiconductora 𝑝 que se encuentra entre el 𝑝 y posteriormente una de impurezas de tipo 𝑛 para producir
drenador y la fuente. Vemos que se reduce la longitud del dos uniones 𝑝𝑛 cercanas. La diferente extensión lateral de las
canal 𝑛 a valores muy pequeños y también se elimina la dos difusiones puede ser utilizada para definir la longitud del
capacidad de realimentación. Gracias a su estructura vertical, canal en el MOS. Esta técnica fue primeramente aplicada al
con la Fuente y el Drenador ubicados en ambos extremos, este LDMOS o “lateral DMOS” y posteriormente a la estructura
dispositivo tolera altos valores de corriente y voltaje lo que vertical conocida como VDMOS (vertical DMOS) [3].
permite una muy eficiente utilización del MOSFET para
potencias grandes. La figura (3) a continuación muestra una estructura MOS
El mayor inconveniente de este dispositivo se debe a la doblemente difundida (DMOS). La longitud del canal, L, está
terminación en punta del corte en “V”. Esta terminación da controlada por la profundidad de unión producida por las
lugar a la formación de un fuerte campo eléctrico que limita difusiones de tipo n+ y p debajo del óxido de la puerta. L es
notoriamente el valor de la tensión que se puede aplicar en la también la distancia lateral entre la unión n+ p y la unión del
puerta, puesto que esa concentración de campo eléctrico en la sustrato p-n. La longitud del canal se puede hacer a una
punta provoca la ruptura del óxido en dicha zona antes que en distancia menor de alrededor de 0,5 micrómetros. Por lo tanto,
el resto. Esta región local de alto valor del campo eléctrico, este proceso es similar a la situación con respecto al ancho de
también limita severamente la máxima tensión 𝑉DS aplicable base de un transistor bipolar doblemente difundido. Cuando se
al transistor. [2] aplica un voltaje positivo bastante grande a la compuerta [>
VTH], causará la inversión de la región del sustrato p debajo de
III. U-MOSFET la compuerta al tipo n, y la capa de inversión de superficie de
Para corregir el problema que presenta la estructura V- tipo n producida actuará como una canal de conducción para
MOS se han desarrollado otras geometrías que permiten el flujo de electrones de la fuente al drain.
reducir el campo eléctrico y por tanto aumentar la tensión
máxima que soporta el MOSFET. Una geometría que corrige
este problema es la de tipo “U” (U-MOS), se puede observar
en la figura (2). En ella se han “redondeado” las esquinas y así
reducido el efecto de borde causante de los problemas (el
efecto se reduce, no lo elimina). La estructura de silicio U-
MOSFET se comercializó en la década de 1990. Tiene una
estructura de puerta incrustada dentro de una zanja grabada en
la superficie de silicio. El canal de tipo n está formado en la
pared lateral de la zanja en la superficie de la región de base p.
La longitud del canal está determinada por la diferencia en la Fig. 3 Estructura difusa del canal MOS (DMOS)
extensión vertical de la base p y las regiones fuente n+
controladas por las energías de implante de iones y los tiempos De la estructura se sabe que el sustrato de tipo n está muy
de activación para los dopantes. La estructura de silicio U- dopado. Esto ayudará a crear suficiente espacio para la
MOSFET se desarrolló sin reducir la resistencia del estado expansión de la región de empobrecimiento entre la región de
activado mediante la eliminación del componente JFET dentro difusión de tipo p y la región de contacto n + drenante. Debido
de la estructura D-MOSFET. [2] a esto, el voltaje de ruptura aumentará entre el drenaje y la
fuente [BVDS]. [3]

A. Mosfet de potencia vertical DMOS (VDMOS)

La estructura física de un MOSFET de potencia de doble
difusión puede verse en la figura (4). El dispositivo se
construye recreciendo una capa epitaxial de semiconductor
tipo 𝑛 − (ligeramente dopada) sobre un sustrato tipo 𝑛 + (muy
dopado). Entonces, la región 𝑝 + del cuerpo se difunde desde
la parte superior de la oblea, a lo que sigue la difusión de la
fuente 𝑛 +; de ahí el término doble difusión. Los MOSFET de
potencia de doble difusión funcionan en modo de
acumulación. Sin ninguna tensión aplicada a la puerta, no
existe ningún canal entre drenador y fuente. Sin embargo, si
se aplica una tensión positiva lo suficientemente grande a la
Fig. 2 MOSFET de potencia de estructura vertical UMOS. puerta, los electrones se ven atraídos a esa región, y el material
𝑝 + se convierte en material tipo 𝑛. Esto solo se da en la región funcionamiento a altas frecuencias debido a la necesidad de
𝑝 + que está debajo del óxido, es un fenómeno local. De este cargar la capacidad de puerta. Por otra parte, el uso de silicio
modo, se forma un canal tipo 𝑛 entre la fuente y el drenador. policristalino permite reducir la capacidad entre electrodos.
[4] [3], [5]

Algunas de las ventajas de la estructura de la figura (4) son:

V. CONCLUSIONES
 La longitud del canal es muy corta. Por tanto, la El MOSFET es un dispositivo unipolar, la conmutación es
resistencia del canal puede ser muy pequeña, y son muy rápida ya que al ser un dispositivo que conduce sólo con
posibles elevadas corrientes de drenador al mismo portadores mayoritarios no se produce carga almacenada
voltaje 𝑉DS que para los MOSFET de estructura plana. como sucedía en el BJT.
 La elevada tensión de ruptura drenador-fuente es otra de Las aplicaciones más típicas de los transistores de potencia
las ventajas de esta estructura. El grosor y el dopado de MOSFET se encuentran en la conmutación a altas frecuencias,
la capa epitaxial 𝑛 − permite que soporte tensiones de chopeado, sistemas inversores para controlar motores,
ruptura grandes, por lo tanto, está directamente generadores de alta frecuencia para inducción de calor,
relacionada al valor del voltaje en el dispositivo. Para generadores de ultrasonido, amplificadores de audio y
altos voltajes el MOSFET requiere una capa delgada y trasmisores de radiofrecuencia.
muy poco dopada (i.e. altamente resistiva), mientras que De los dos tipos existentes de MOSFET (acumulación y
un transistor que maneja bajo voltaje requiere una capa deplexión), para aplicaciones de elevada potencia únicamente
delgada con un nivel de dopado alto (i.e. menos resistivo) se utilizan los MOSFET de acumulación, preferiblemente de
[1], [5]. canal N.
También presentan algunos inconvenientes que interesa
resaltar. Los MOSFET tienen el problema de ser muy
sensibles a las descargas electrostáticas y requieren un
embalaje especial. Su protección es relativamente difícil. Son
más caros que sus equivalentes bipolares y la resistencia
estática entre Drenador-Surtidor, es más grande, que la
Colector-Emisor lo que provoca mayores pérdidas de potencia
cuando trabajan en conducción.
El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia
es análogo al de pequeña señal. Aplicando las tensiones
apropiadas entre la puerta y el surtidor (VGS) del dispositivo se
controla la anchura del canal de conducción y en consecuencia
se puede modular el flujo de portadores de carga que atraviesa
el semiconductor. En modo interruptor, se aplican pulsos de
tensión durante el estado ON y se retiran (o se aplican con
Fig. 4 MOSFET de potencia de estructura vertical VDMOS polaridad contraria) en el estado OFF.
El MOSFET de potencia tiene un BJT parásito en su
Para minimizar la resistencia óhmica en serie con el estructura cuyos efectos minimiza el fabricante
drenador, la zona inferior está muy dopada con material tipo 𝑛 cortocircuitando la base y el emisor. Lo que no se puede evitar
(la figura no está a escala: la zona 𝑛+ proporciona un soporte es el diodo parásito resultante que, por un lado puede entrar en
mecánico a la región activa, y es mucho más gruesa que la avalancha para una tensión Drenador-Fuente excesiva, y por
capa epitaxial 𝑛−). Utilizando una estructura que tiene dos otro impide el bloqueo de tensiones Fuente-Drenador.
niveles de dopaje en la región del drenador (i.e. el 𝑛+ y el 𝑛 Los circuitos de gobierno del MOSFET, al ser un
−), son posibles tanto una baja resistencia en serie como una dispositivo controlado por tensión, son más sencillos y disipan
elevada tensión de ruptura. En la actualidad todos los menos potencia que los del BJT.
MOSFET de potencia utilizan este tipo de tecnología y se
construyen los dispositivos de potencia a partir de un elevado REFERENCIAS
número de celdas de MOSFET puestas en paralelo (hasta
[1] D. A. Grant, J. Gowar. Power MOSFET’s: Theory and Applications.
80.000 celdas por cm2). Cada una de estas celdas tiene la John Wiley & Sons, Inc. (1989).
estructura y el principio de funcionamiento mostrado en la [2] R. N. Selva. Dispositivos Electrónicos. Editorial Nueva Librería. 2da
figura (4). Esto aumenta su capacidad de corriente y reduce su Edición (2008).
resistencia de canal. Cada fabricante ha patentado su técnica [3] E. Sanchis, J. B. Ejea. Apunte [Link] Unipolar. Escola Técnica
Superior d’ Enginyería. Universidad de Valencia, España. (2008).
particular y así International Rectifier los llama HexFET por [4] R. Perret. Power Electronics Semiconductors. ISTE Ltd. And John Wiley
su geometría, Siemens los llama SIPMOS, RCA los llama & Sons, Inc. (2009).
TMOS. Todos los MOSFET de potencia son de tecnología [5] J. Lustz, H. Schlangenotto, U. Scheuermann, R. De Doncker.
DMOS o VMOS. Es importante tener en cuenta que el éxito Semiconductor Power Devices: Physics, Characteristics, Reliability.
Springer-Verlag. (2011).
de los FET VDMOS es el resultado de la combinación de una
serie de características. Estas son: la geometría vertical, el
proceso de doble difusión, la puerta de silicio policristalino y
la estructura celular a base de celdas.
Una desventaja del silicio policristalino es que tiene una
mayor resistencia que el aluminio lo cual puede limitar su