CIRCUITOS ELECTRÓNICOS-I

CAPITULO-I: CIRCUITOS CON DIODOS

1.1 Introducción
1.2 Propiedades no lineales: diodos Ideales, diodos reales
1.3Análisis de circuitos simples con diodos, recta de carga de
corriente continua
1.4 Análisis de señal débil; concepto de resistencia dinámica
1.5 Análisis de señal débil; recta de carga de corriente alterna
1.6 El sistema de diodos
1.7 Capacidad del diodo
1.8 Diodos Schottky
1.9 Diodos Zener
1.10 Otros tipos de diodos
1.11 Efectos de la temperatura
1.12 Características de los fabricantes
1.1 Introducción

• El diodo es el más simple de los dispositivos electrónicos , por

lo que, en éste capítulo estudiaremos las características del
circuito y las aplicaciones del diodo de unión, Zener, Scottky,
etc. En todo el capítulo de pondrá más énfasis en las técnicas
gráficas ya que proporcionan una visión de conjunto del
funcionamiento del circuito y a menudo una percepción íntima
de su propia naturaleza no fácilmente obtenible por
tratamientos puramente algebraicos. Estas técnicas gráficas
incluyen un tratamiento de las rectas de carga de c.c. y c.a.
aplicadas a ambas señales débiles y fuertes.
1.2 PROPIEDADES NO LINEALES
a) El diodo ideal
I Pendiente = I/V = 1/R +
I R
V V
-
Figura (1)

Normalmente el estudio de los circuitos empiezan tomando en

consideración modelos de los elementos lineales, siendo el
resistor el más sencillo de ellos.
La característica tensión-corriente (vi) del resistor ideal sigue
una relación tan simple – Ley de Ohm – que a veces se pierde
de vista su interpretación gráfica.
La característica vi del diodo ideal es

ri iD iD
Terminal p
+
+
vi vD vD
- Terminal n 0
-

• Cuando vi > 0 iD > 0, diodo conduce vD = 0, el

diodo se reemplaza por un corto circuito-
• Cuando vi < 0 iD = 0, diodo no conduce vD = vi , el
diodo se reemplaza por un circuito abierto
• El diodo puede considerarse como un interruptor controlado
por la polaridad de la tensión de alimentación
• El interruptor está cerrado para tensiones positivas y abierto
para tensiones negativas de la alimentación.
b) DIODO REAL: Actualmente el material básico utilizado en la
fabricación de la mayor parte de diodos y transistores es el silicio

Energía
Electrón
Banda de conducción Silicio
E
Región Prohibida

Banda de valencia
Hueco
Energía + V -

Banda de conducción A 0°K (cero absoluto) todos los electró-

E
nes están en los niveles de energía más
bajos.
Banda de valencia

Figura (2)
A temperatura ambiente algún electrón tiene ocasionalmente la
suficiente energía para escapar de la banda de valencia y pasar a
la banda de conducción

Energía Energía
Silicio tipo P Silicio tipo N
Banda de conducción

Espacio donador
del fósforo
Espacio aceptor
del boro
Banda de valencia
El diodo consiste en materiales tipo p y tipo n unidos tal como indica la figura
p n Símbolo del diodo p n

iD + vD -

R + V - R + V - R - +
Figura (3) Vr
a)Diodo polarizado en sentido directo b) Dodo polarizado en sentido inverso
Unos cálculos muy sencillos (sin tener en cuenta la región zener) muestran que la corriente
y la tensión están relacionadas por

………………………….. (1)

Donde iD = corriente a través del diodo, A

νD = tensión en bornes del diodo, V
I0 = corriente inversa de saturación, A
q = carga del electrón, 1.602x10-19 C
k = constante de Boltzman, 1.38 x 10-23 J/°K
T = temperatura absoluta, °K
m = constante empírica que varia entre 1 y 2
A la temperatura ambiente (300 °K)
………………………. (2)

La ec. (1) establece que si νD < 0 con una magnitud mucho mayor que kT/q, la
corriente iD es la corriente inversa de saturación –I0. Esta corriente inversa es una
función del material, de su forma geométrica y de la temperatura. Sin embargo si νD
> 0 y excede en mucho a kT/q, la corriente directa es

………………….. (3)
Representando gráficamente la ecuación (1), tenemos

Ge Si
Característica Característica
inversa directa
νD , V
Si 0.2 0.7
Ge
Región de
avalancha
iD , mA

Ge Si

vD , V
0 0.2 0.7

Característica lineal por trozos o segmentos

Figura (4)
1.2.2 OTRA FORMA DE CONSIDERAR LA CARACTERÍSTICA vi
La ecuación (3) describe la característica directa del diodo. Mediante esta ecua-
ción se puede hallar una relación útil considerando las corrientes y las tensiones en dos
puntos diferentes de funcionamiento. Supongamos que fluya la corriente iD1 con la
correspondiente tensión del diodo vD1. Si la corriente varía hasta iD2 , deseamos hallar la
nueva tensión del diodo vD2 . Suponiendo que vD » kT/q:

…………………… (4)

……………………. (5)
Dividiendo entre sí estas dos ecuaciones obtenemos

…………………. (6)

Tomando logaritmos naturales de ambos miembros obtenemos la relación que

buscamos:

…………………… (7)

La utilidad de esta ec. Se puede ver considerando la relación de corrientes iD1 /iD2 = 10
1.2.3 CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAL POR TROZOS
En muchas aplicaciones la característica real del diodo puede ser representada
aproximadamente por otra lineal por trozos, como se aprecia en la figura (a) adjunta.
Cuando este es el caso, el diodo puede ser sustituido por un circuito equivalente
consistente en una batería VF en serie con un diodo ideal, como se aprecia en la fig.(b)

iD =
0 V im cos ω0 < VF
ri + vD - iD
+ Diodo
iD VF
vi RL vL ideal
_
vD
VF iD
Circuito rectificador de media onda
(a) (b)

Figura (5)
1.2.1 COEFICIENTE DE TEMPERATURA (TC)

Se define el coeficiente de temperatura (TC) de un diodo como la variación

de su tensión directa por grado centígrado de temperatura, es decir:

………………………… (4)

donde To= 25ºC. Valores típicos de TC son, por ejemplo, -2,0 mV/ºC
(silicio), -2,5 mV/ºC (germanio) ó -1,5 mV/°C (Schottky).

Figura (6) Curvas I-V para polarización directa con TC negativo.

 1.3 ANÁLISIS DE CIRCUITOS SIMPLES CON DIODOS, RECTA DE CARGA DE
CORRIENTE CONTINUA
Equivalente Thevenin de la
ri a + vD - porción lineal del circuito

iD +
+ iD RT
RL vL Diodo u otro
vi elemento no lineal vD +
_ vT
_
_
b
a) Rectificador de media onda b) Circuito general que contiene un elemento no lineal
Figura (7)

La filosofía del análisis gráfico se basa en dos hechos:

1. El comportamiento del diodo está completamente determinado a bajas fre-
cuencias por su característica vi, que generalmente existe en forma gráfica
en las especificaciones de los fabricantes o puede ser medida fácilmente.
2. Los otros elementos del circuito, siendo lineales, pueden ser reemplazados
por el circuito equivalente de Thevenin, visto desde los terminales del diodo.
Las relaciones de las magnitudes en sus terminales para las dos partes
pueden escribirse:

Elemento no lineal ……….. (8)

………. (9)
Equivalente Thevenin
Debido a que la ec. (8) es de naturaleza exponencial, resulta evidente que no será un
cálculo de rutina, y puede, en efecto, implicar un trabajo considerable. En algunos casos
este puede ser justificable, pero en la mayor parte no lo es, por dos razones: la exactitud
requerida en la mayor parte de los casos no es grande, de este modo queda justificada la
utilización de métodos más sencillos o aproximados; y la exactitud que puede alcanzarse
con un cálculo detallado a menudo no queda justificada ya que la mayor parte de los
diodos difieren de la característica teórica dada por la ec. (1), y pueden encontrarse
grandes variaciones en lotes de diodos del mismo tipo. Los problemas de este tipo se
resuelven gráficamente la mayor parte de las veces trazando (8) y (9) en el mismo sistema
de ejes de coordenadas.

iD , mA
Característica del diodo
40
Recta de carga de corriente continua
30 Pendiente = -1/50 A/V = - 1/RT
Q2
20
Q1
10
vD , V
0 0.5 1.0 1.5 2.0
vD
vT – vD
Figura (8)
 Si vT es senoidal, es decir vT = VTm sen ωt, la forma de onda de la corriente puede
hallarse tomando algunos puntos de la onda senoidal y trazando las correspondientes
rectas de carga para encontrar las corrientes resultantes, como se ve en la figura:

iD , mA
iD , mA
Recta de carga en
la región directa
30

20 b 15

10
-1.5 -1.0 -0.5 t4 t5 t6
t
a 0 0.5 1.0 1.5 vD , V 0 t1t2t3

Recta de carga en la t1 vT , V
región de polarización t2
t3 vT = 1.5 sen ωt
inversa
t4
t5

t6

Figura (9) solución gráfica para la corriente cuando es aplicada una tensión senoidal
1.4 ANÁLISIS DE SEÑAL DEBIL; CONCEPTO DE RESISTENCIA
DINÁMICA
Si la variación total cresta a cresta (excursión) de la señal es una pequeña fracción
de su componente de corriente continua, esta recibe el nombre de señal débil. Cuando se
presenta esta condición puede utilizarse un método aproximado de análisis gráfico-
analítico que simplifica mucho el cálculo. Este método se ilustra utilizando el siguiente
circuito con una tensión de corriente continua añadida a vi , por lo que
…… (10)
vT = Vdc + vi = Vdc + Vim sen ωt donde Vim « Vdc

La tensión Vdc se suele denominar tensión de polarización.

ri + vD - La técnica utilizada se basa en el hecho de que la
desigualdad de (10) hace que el circuito opere en
a
+ una región muy pequeña de su zona de trabajo. En la
vT iD RL vL práctica la característica del diodo puede
_ considerarse lineal en esta región, y el diodo reem-
b plazado por una resistencia. El circuito lineal
resultante puede trazarse con técnicas de análisis de
Figura (10) circuito.

Teniendo presente que el circuito debe ser lineal, se determina primero el punto de
trabajo para vT = Vdc (o sea Vim = 0). Este es el punto de reposo (Q).
 iD , mA i iD , mA
d

30
b

20 vd
IDQ IDQ

10
Q Recta de carga de
a corriente continua

vD , V t
0 0.5 VDQ 1.0 1.5 0

0 Vdc vT , V

Vim sen ωt

Vdc - Vim

Vdc + Vim

t
Figura (11) Determinación gráfica de la corriente de carga
Para enfocar la atención en la respuesta a la corriente alterna, construiremos un nuevo
par de ejes con origen en el punto Q. Las variables asociadas con estos ejes son:

Corriente: ……………………. (11)

……………………. (12)
Tensión:

id , mA id , mA
b
Rectas de carga de c.c.
Zona de trabajo
0 0
t
vd , V
a

0
vi , V

Vim sen ωt
t

Figura (12)Interpretación gráfica de las variables auxiliares

La zona de trabajo ab se supone lineal, y en ella se encuentra el origen. Esto es equiva-
lente a reemplazar el diodo por una resistencia de valor igual a la inversa de la pendien-
te de la línea ab. Esta se llama resistencia dinámica rd del diodo, y puede hallarse calcu-
Lando la inversa de la pendiente de la característica del diodo en el punto Q. Es decir

Punto Q
………………….. (13)

Una vez determinado rd , cualquiera de las variables del circuito (funcionando sólo para
señales débiles de c.a.) puede calcularse aplicando la ley de Ohm.
Por consiguiente el circuito original puede considerarse formado por dos circuitos, tal
como se indica en la fig. siguiente
ri + VDQ - ri rd

IDQ id +
Vdc RL
Vim sen ωt RL vL
_

a) Circuito para calcular el punto de b) Circuito para calcular la componente de

trabajo ó funcionamiento en c.c. c.a. de señal débil

Figura (13) Circuito de diodo considerado como dos circuitos separados

El desarrollo que conduce a los circuitos equivalentes anteriores, puede hacerse también
analíticamente, utilizando un desarrollo en serie de Taylor de la característica vi del diodo
en el punto Q. La característica vi del diodo viene dada por
…………………….. (14)

Para señales débiles en ausencia de distorsión

…………………….. (15)

donde
…………………….. (16)

la ec. (14) se convierte en

…………………… (17)

La serie de Taylor a partir de la cual puede hallarse , dado es

……… (18)

Despreciando los términos de orden superior e identificando χ von VDQ y Δχ con vd ,

se tiene
………………… (19)
Punto Q
Teniendo en cuenta que , se simplifica y queda

…………………….. (20)
punto Q

y finalmente
…………………….. (21)
punto Q punto Q

Aplicando la ley de Kirchoff a las tensiones del circuito de la Figura (10) se tiene
……….. (22)
Sustituyendo las definiciones de señal débil (10) y (15) en (22) se obtiene
………………… (23)
Para las condiciones de señal débil sin distorsión, son todas ellas señales
variables con el tiempo con el valor medio igual a cero y son constantes, la
ec. (23) puede separarse en una ecuación para corriente continua y una para corriente
alterna
……………………………. (24)
……………………………. (25)
Finalmente, sustituyendo (21) en (25), tenemos
…………………………… (26)
1.4.1 CALCULO DE .- Diferenciando la ec. (1) del diodo, invirtiendo el resultado, y
calculando en el punto de trabajo, determinaremos una expresión analítica de la
resistencia dinámica de un diodo de silicio en sentido directo, es decir:

……………………. (27)

a T = 300 °K …………… (28)

punto Q IDQ en mA

Normalmente la resistencia dinámica de un diodo de unión trabajando con una corriente

continua de 1mA es de 25Ω.
Los resultados finales de la corriente y de la tensión de carga se hallan superponiendo las
respuestas de los circuitos de las Figuras (13-a) y (13-b), de donde:

y
1.4.2. ELEMENTOS REACTIVOS.- Cuando se cumplen las condiciones de señal débil, es
sencillo tener en cuenta los elementos reactivos tales como el filtro RC representado en la
Figura (14)
C

Figura (14) Circuito del diodo con un elemento reactivo

El condensador no afecta al punto de trabajo por lo que los cálculos para corriente
continua son inalterables, así como, la pendiente de la característica del diodo en
el punto Q no cambia, para determinar la corriente alterna y la tensión del diodo puede
utilizarse la ley de Ohm para obtener
…………………………. (29)

donde indican la corriente de cresta y la amplitud de la tensión, y es

una impedancia compleja. Esto queda ilustrado en el ejemplo que sigue.
1.5. ANÁLISIS DE SEÑAL DÉBIL; RECTA DE CARGA DE CORRIENTE ALTERNA
Suponiendo que el condensador actúa como un cortocircuito para las frecuencias
consideradas, la resistencia efectiva vista por el diodo es que es la inversa de
la pendiente de la recta de carga de corriente alterna cambiada de signo. Para trazar ésta
recta de c.a. es preciso conocer un solo punto de paso, ya que la pendiente es conocida. El
punto donde la señal de c.a. es cero es el más fácil de obtener, que viene a ser el punto de
reposo Q, por lo que trazaremos la recta de carga de c.a. pasando por Q con una pendiente
tal como se vé en la Figura (15)
Recta de carga de
Recta de carga de
c.a., pendiente
c.a, pendiente
15

10 b´
Q
t

5 a´ RectaRecta de carg.
de carga de
pendiente
c.c. pendiente

0 0.5 1.0 1.5

1.25
0

t Figura (15) Solución gráfica del circuito de la Figura (14)

La zona de funcionamiento del diodo es el segmento a´b´ de la característica del diodo. Este
procedimiento dará resultados idénticos a los resultados analíticos obtenidos en la ec. (29)
siempre que el segmento a´b´ sea aproximadamente lineal.
Se pueden obtener simultáneamente las ecuaciones correspondientes a las rectas de carga
de c.c. y c.a. mediante el circuito de Figura (14) utilizando la segunda ley de Kirchoff o ley
de tensiones. Es decir:
……….. (30)

Haciendo y admitiendo la suposición razonable

de que se aplica la superposición, se tiene
ecuación de la recta de carga de c.c. (31)
ecuación de la recta de carga de c.a. (32)
C
1.6. EL SISTEMA DE DIODOS
El sistema diodos tiene muchas aplicaciones, entre ellas el conmutador analógico, el
multiplicador y el detector de fase. La Figura (16) muestra el esquema de un sistema de
diodos que se pueden adquirir en el comercio (LM3019).
vC = VON ó Voff

RC
Cuadrete de
diodos c
iD1
D1 D3
ri
a b
iD4 +
D2 D4 vL
vi RL
d _
Dos diodos aislados

RC
a) Sistema de diodos
-vC = -VON ó -Voff
b) Conmutador analógico con cuatro diodos
Figura (16)
La función del conmutador analógico de la Figura (16-b) es producir una tensión de salida
vL proporcional a la tensión de entrada analógica vi cuando la tensión de control vC = VON
(conducción) y tener vL = 0 cuando vC = Voff (corte). VON se ajusta de manera que todos los
diodos se mantengan en conducción, incluso cuando vi ≠ 0. Si ri = 0 es evidente que vL = vi
cuando vC = VON. La tensión Voff se elige de modo que cuando vC = Voff los cuatro diodos
estén en corte, corriente en RL es cero y vL = 0 independientemente de vi .
Analisis cuantitativo.- En la práctica el conmutador analógico es activado por un
amplificador operacional que tiene una impedancia de salida mucho menor que 1Ω, por lo
que es razonable admitir que ri = 0Ω.
El análisis cuantitativo del conmutador analógico de la Figura (16-b) es complicado a
no ser que se considere sustituido aproximadamente cada diodo por un circuito equivalente
lineal “por trozos” del diodo ideal descrito anteriormente.
Si ahora vC = VON , la caída de tensión en cada diodo es cero y el circuito resultante es el
representado en la Figura (17). Observemos que los puntos a, b, c y d de la Figura (16) se
confunden en un solo punto por lo que:
vL = vi ……………………………. (33)

VON

RC

p
+
RC RL vL
vi _

-VON

Figura (17) Circuito equivalente cuando vC = VON

Cálculo de máxima tensión de entrada permisible Vim .- El circuito deja de funcionar
correctamente cuando vi aumenta hasta el punto en que vi = Vim , tensión suficientemente
positiva para que D1 y D4 se bloquen de modo que iD1 e iD4 sean cero. Esto da por resultado
la completa apertura del puente de diodos con la consiguiente desconexión de la entrada vi
de la carga RL , como se muestra en la Figura (18). Como D1 = D4 = corte, las tensiones vac =
vbd = 0, entonces considerando las caídas de tensión con respecto a masa tenemos.
……………….. (34)

…………………. (35)

VON

Rc
c

a iD1 = 0
b
iD4 = 0 +
vL
d RL _
Rc

-VON
Figura (18) Circuito equivalente cuando vi = Vim y los diodos D1 y D4 están en el punto de corte
Haciendo vac = va – vc igual a cero tenemos
………………………… (36)

Recordemos que este es el valor de Vim en que los diodos D1 y D4 se bloquean. Si Rc » RL

(36) se reduce a:
…………………………. (37)

Sin embargo, si se conecta el cuadrete de diodos a la entrada de un amplificador operacional

no inversor cuya impedancia de entrada “RL “ es mucho mayor que Rc , tendremos
…………………………. (38)

Determinación de Voff .- La tensión de control Voff se selecciona para que los diodos
funcionen en la región inversa (de modo que no conduzcan) pero no más allá de su ruptura
Zener. Los diodos que se utilizan en los circuitos integrados tienen típicamente una ruptura
Zener cuando la tensión inversa es aproximadamente VZB = 6 V.
Con el fin de determinar el margen permisible de vc = Voff observamos que para mantener
en corte los diodos D3 y D4 debemos tener (Vcd = Vc – Vd )< 2(0.7) = 1.4 V. En este modo de
funcionamiento no circula corriente en ningún resistor Rc ; de aquí que 2Voff = Vcd < 1.4 V y
Voff < 0.7 V .
Cuando los dos diodos están en corte existe la posibilidad de que puedan estar expuestos a
una ruptura Zener si vi = Vim es demasiado grande. Como no pasa corriente por ri cuando los
diodos están en corte, Va = Vim , de modo que Vac = Vim – Voff . Para que no se produzca el
corte en los diodos ajustamos Voff > Vim – VZB , donde VZB es la tensión de ruptura Zener.
Por tanto, Voff debe estar comprendido en el margen:
………………………… (39)

Ejemplo: Conmutador analógico con seis diodos

+6 V

D5 Rc = 4.7kΩ

+
c
vc
D1 D3
1:1 a b
_
+ +
vc = V´ON ó V´off vi D2 D4
vc RL = 4.7kΩ
d vL
_ _
D6
Rc = 4.7kΩ

-6 V
En la figura está representado un conmutador analógico con seis diodos, utilizando el circuito el sistema completo de
seis diodos. La función de este circuito es la misma que la del conmutador analógico de cuatro diodos. Es decir, cuando
vc = V´ON , la tensión de carga vL es proporcional a vi , mientras que cuando vc = V´off , la tensión en la carga vL es
cero. Hallar (a) vL en función de vi cuando vc = V´ON , (b) la máxima Vim permisible, y (c) el mínimo valor V´ON y el
margen permisible de V´off .
Solución. (a y b) El transformador proporciona el medio de conmutar vc desde V´ON hasta
V’off y viceversa. El circuito está diseñado para que cuando vc = V´ON los diodos D5 y D6
estén en corte y los diodos D1 a D4 conduzcan haciendo que vi sea menor que el valor Vim
dado por ec. (36) que con VON = 6V, Vim = 3V, y para Ivi I < Vim
vL ≈ vi
(c) Observamos que vL nunca excederá de VLm = Vim = 3V , la tensión en el punto c no
excederá de 3 + 0.7 ≈ 3.7V, y, los diodos D5 y D6 estarán en corte siempre que vc = V´ON >
3.7 – 0.7 = 3V. Los diodos D1 a D4 estarán en corte siempre que la caida de tensión desde c
hasta d sea menor que 1.4V. Por la LTK tenemos

Suponiendo que VF5 = VF6 = 0.7V, los diodos D1 a D4 estarán en corte si vc = V´off < 0V.
Como no se desea que los diodos D1 a D4 se polaricen inversamente por una tensión mayor
que la de ruptura Zener VZB , tenemos:

De donde

Por lo que el margen permisible de V´off es:

1.7. CAPACIDAD DEL DIODO
A continuación describimos ciertos efectos que ocurren en los diodos y que conducen a
elementos de capacidad en el modelo de circuito para el diodo. Los valores de estas
capacidades dependen de la magnitud y de la polaridad de la tensión aplicada al diodo, así
como del tipo de unión formada durante el proceso de fabricación. La capacidad no es lineal,
pero usualmente se la considera en una primera aproximación como elemento lineal.
Polarización inversa, capacidad de transición.- En el modo de funcionamiento con
polarización inversa del diodo, los huecos de la región P y los electrones de la región N se
mueven separándose de la unión, formando por tanto una región de empobrecimiento en la
cual han sido sustraídos los portadores de carga. La longitud efectiva L de la región de
empobrecimiento se hace más ancha cuando la tensión inversa VR aumenta puesto que el
campo eléctrico también aumenta proporcionalmente a VR , como se ve en la Figura(19)

L CR

+
CC + C0
-
- +
- +
P Unión
N

R VR
0 1 2 3 4 VR , V
(a) (b)
Figura (19) Capacidad del diodo, polarización inversa: (a) representación gráfica; (b) variación típica de la capacidad
con la tensión inversa aplicada
La unión con polarización inversa se comporta como un condensador cuya capacidad varía
teóricamente de modo inversamente proporcional a la diferencia de potencial VR . La
capacidad de transición CR es inversamente proporcional a la potencia ½ ó 1/3 de VR ,
dependiendo de si el dispositivo tiene una unión de aleación o una unión de crecimiento. En
un diodo de alta velocidad esta capacidad es mas pequeña, usualmente < 5pF. En los diodos
rectificadores para alta corriente puede ser tan grande como 500pF.
Una ecuación que relaciona la capacidad de transición en paralelo con un diodo
inversamente polarizado y la tensión del diodo VR es:
………………………….. (39)

Donde CC = capacidad debida a la cápsula del diodo

C0 = capacidad del diodo cuando VR = 0
n = ½ ó 1/3
La Figura (19-b) es no lineal. La naturaleza no lineal de CR se desprecia ordinariamente en
los cálculos y se utiliza un valor constante.
Polarización directa, capacidad de almacenamiento.- Cuando el diodo está
polarizado en sentido directo, la anchura de la región de empobrecimiento L disminuye y la
capacidad de transición aumenta con respecto al valor de la capacidad hallado en un diodo
inversamente polarizado.
En el ítem 1.2, Figura (2) describimos el mecanismo del flujo de corriente como electrones
que se mueven desde un hueco (vacante) a otro. Supongamos que el tiempo promedio que
tarda un electrón en moverse entre dos huecos es “τ” segundos (τ es el tiempo medio
considerando ambos flujos de electrones en la banda de conducción y en la banda de
valencia).
El flujo medio de corriente es ID = Q/τ, donde Q es la carga media. Sin embargo por la
ecuación del diodo (3) tenemos
……………………… (40)

Si definimos la capacidad de almacenamiento Cj como Cj = dQ/dVD , hallamos fácilmente

que
……………………….. (41)

Se observa que la capacidad de almacenamiento es directamente proporcional a la corriente

directa del diodo y puede ser muy grande. Por ejemplo, si τ = 1 ns e ID = 1 mA, Cj = 40 pF.
Esta es la capacidad que limita la velocidad de conmutación en circuitos lógicos que
utilizan dispositivos de unión.
1.7.1. Modelos de circuito equivalente de diodo.- Cuando se aproxima la curva
característica vi como lineal a tramos, se desarrolla un modelo simple para el diodo.
Rr
CR Cj

0.7 V CR
Rf
iD Diodo ideal iD Rr iD rd
a) Modelo para cd (directo como inverso) b) Modelo para ca. Simple, diodo
polarizado inversamente c) Modelo para ca. Diodo polarizado
directamente
Figura (20) Modelos del diodo
 El resistor, Rr , representa la resistencia de polarización inversa del diodo, y es igual al
inverso de la pendiente de la porción (casi) horizontal de las curvas de operación. Los
valores comunes corresponden a varios megaohms.
El resistor, Rf , es la resistencia directa, y es igual al inverso de la pendiente de la porción
(casi) vertical de las curvas de operación. Existe debido a la resistencia de contacto y de
bloque del diodo y los valores más comunes son menores que 50Ω.
Cuando el diodo se polariza directamente en el modelo, la resistencia entre terminales es
la combinación en paralelo de los dos resistores:
Rr II Rf …………………….. (42)
1.8. DIODOS SCHOTTKY
El diodo Schottky, está formado por un metal de unión, tal como platino, con silicio
tipo N. Estos dispositivos tienen un almacenamiento de carga despreciable y cada ves se
utiliza más en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

Cuando el diodo Schottky funciona en el modo directo, la corriente es debida a los

electrones que se mueven desde el silicio de tipo N a través de la unión y a través del metal.
Como los electrones se mueven relativamente libres a través del metal, el tiempo de
recombinación τ es muy pequeño, típicamente del orden de 10 ps, y el de varios órdenes de
magnitud menos que los que corresponde a los diodos de silicio de unión PN. Por ejemplo
utilizando la ec. (41), hallamos, con ID = 1mA que Cj = 0.4 pF.

El símbolo de circuito del diodo Schottky es el que aparece en la Figura (21-d). El diodo
tiene una característica vi similar a la de un diodo ordinario de silicio PN excepto que la
tensión directa de ruptura del diodo es VF ≈ 0.3 V.
 Electrón VX
R
Metal, ej. platino Silicio N

Tensión Tensión

X X

(a)
VR R (b)

+ vD -

Tensión
iD

(d)
(c)
Figura (21) Diodos Schottky: (a) distribución de potencial después de la difusión inicial; (b) distribución de potencial
después de aplicar una tensión positiva; (c) distribución de potencial después de aplicar una tensión negativa; (d)
símbolo del circuito.
1.9. DIODOS ZENER
Es un dispositivo cuya contaminación se realiza de un modo que hace que la
característica de voltaje de avalancha o ruptura sea muy inclinada. Si el voltaje inverso
supera al voltaje de ruptura, el diodo Zener normalmente no será destruido. Esto se cumple
siempre que la corriente no exceda un valor máximo predeterminado y el dispositivo no se
sobrecaliente.

iD
Dado que el efecto Zener (avalancha)
Región polarizada Región polarizada ocurre en un punto predecible, el diodo
inversamente directamente puede usarse como una referencia de
voltaje. La corriente inversa máxima,
VZ vD Izmax , que el diodo Zener puede
Izmin = 10% Izmáx soportar depende del diseño y
Codo
construcción del diodo. Se empleará la
relación empírica de que la corriente
Izmáx Zener mínima en la que la curva
característica permanece en VZ (cerca
Diodo Diodo del codo de la curva) es 0.1IZmax. La
ordinario Zener
Figura (22) Diodo Zener
cantidad de potencia que el diodo Zener
puede soportar (VZ Izmáx ) es un factor
límite en el diseño de fuentes de
potencia.
1.9.1 Regulador con Zener
Un diodo Zener puede usarse como un regulador de voltaje en la configuración que se
muestra en la Figura (23). El circuito se diseña de modo que el diodo opere en la región de
ruptura, de manera que este se aproxima a una fuente de voltaje ideal. El reto de diseño es
elegir un valor de Ri que permita al diodo mantener un voltaje de salida relativamente
constante aún cuando cambien tanto el voltaje de la fuente de entrada como la corriente de
carga.
Ri iL El circuito se analizará para determinar la
+ elección apropiada de Ri . Se emplea la
iR + i Z ecuación de nodo para encontrar iZ :
Vs VZ VL
- …… (43)
-
Figura (23) Regulador con Zener
…… (44)

Las cantidades variables en la ecuación (44) son Vs e iL. Con el fin de asegurar que el diodo
permanece en la región de voltaje (ruptura) constante, se examinan los dos extremos de las
condiciones de entrada/salida, como sigue:

(1) La corriente a través del diodo, iZ , es un mínimo (Izmín ) cuando la corriente de carga, iL
es máxima (ILmáx ) y el voltaje de fuente, Vs , en un mínimo (Vsmín ) .
(2) La corriente que circula por el diodo, iZ , es un máximo (Izmáx ) cuando la corriente de
carga, iL , es un mínimo (ILmín ) y el voltaje de fuente, Vs , es máximo (Vsmáx ) .
Cuando estas características de los dos extremos se insertan en la ecuación (43), se tiene:
………….. (45)

………….. (46)

La ecuación (46) contiene dos incógnitas: las corrientes Zener máxima y mínima. En la
Figura (22) observamos que para evitar la porción no constante de la curva característica, se
usa la regla práctica (empírica) aceptada de que la corriente Zener mínima debe ser 0.1
veces la corriente máxima, es decir:

……………. (47)

Reemplazando (47) en (46) y resolviendo con respecto a Izmáx , tenemos:

..………… (48)

Una vez determinado el valor de Izmáx utilizando la ecuación (48) , el valor de Ri se calcula a
partir de la ecuación (45)
Ejemplo. DISEÑO DEL REGULADOR CON ZENER
Diseñe un regulador con Zener de 10V para las siguientes condiciones: (a) La corriente
de carga varia de 100 a 200 mA y el voltaje de la fuente varia de 14 a 20V, (b) Repita el
problema de diseño para las siguientes condiciones: la corriente de carga varia de 20 a 200
mA y la fuente voltaje cambia entre 10.2 y 14 V. Emplee un diodo Zener de 10 V en ambos
casos.
Ri iL

iR iZ + Solución: (a) El diseño consiste en elegir el

RL VZ valor de resistencia apropiado, Ri , y la
Vs
_ potencia nominal del Zener.
De la ecuación (48)
Izmáx = 0.533 A

El valor de Ri , lo determinaremos utilizando la ecuación (45), del modo siguiente:

No es suficiente especificar sólo el valor de resistencia Ri . También debe seleccionarse el

valor adecuado de potencia nominal del resistor. La potencia máxima en el resistor está
dada por el producto del voltaje con la corriente, donde se emplea el máximo para cada
valor
Finalmente debe determinarse la potencia nominal del diodo Zener. La potencia máxima
disipada en el Zener está dada por el producto entre el voltaje y la corriente.

(b) La repetición de los pasos con respecto a los parámetros de la parte (b) produce Izmáx =
-4 A. El valor negativo de Izmáx indica que el margen entre Vsmín y VZ no es suficientemente
grande para permitir la variación en la corriente de carga. Esto es, bajo la condición del peor
caso de una entrada de 10.2 V y una corriente de carga de 200 mA, es posible que el Zener
no pueda resistir 10 V en sus terminales. Por tanto el regulador no operará de modo correcto
para cualquier elección de resistencia. Tendrá que elevarse el voltaje de la fuente o reducir
los requerimientos de la corriente de salida.
1.10. OTROS TIPOS DE DIODOS
1.10.1. Diodos emisores de luz (LED)
En un LED con polarización directa los electrones libres atraviesan la unión y caen
en los huecos. Como caen de niveles energéticos altos a niveles bajos, emiten energía. En
los diodos normales esta energía se disipa en forma de calor , pero en un LED lo hace en
forma de luz.
Empleando elementos como el galio, arsénico y fósforo se
Rs
pueden producir LEDs de luz roja, verde, amarilla, azul,
naranja e infrarroja (invisible). Los LEDs que producen
Is + radiación visible son útiles en los instrumentos,
Vs VD calculadoras, etc., mientras que los de luz infrarroja tienen
_ aplicaciones en sistemas de alarmas antirrobos,
reproductores de CD y otros dispositivos en los que se
requiera luz invisible.
La mejor manera de controlar la luminosidad es excitar
el LED con una fuente de corriente.

a + Los LED tienen tensiones de ruptura bajas,

típicamente entre 3 y 5 V.
f g b En la mayor parte de los LED disponibles
comercialmente, la caída de tensión típica
e c es de 1.5 a 2.5 V para corrientes que
d fluctúan entre 10 y 50 mA, dependiendo
Indicador de siete este del color, tolerancia, etc. Y de la
a b c d e f g
segmentos
corriente que atraviesa.
1.10.2. Fotodiodo
R Cuando la energía luminosa se proyecta sobre una unión PN,
puede desligar electrones de valencia. Cuanta mayor intensidad
+ de luz incida sobre la unión, mayor será la corriente inversa en el
V diodo. Un fotodiodo es un diodo cuya sensibilidad a la luz es
- máxima. En este tipo de diodos, una ventana permite que la luz
pase por el encapsulado hasta la unión.
La luz incidente produce electrones libres y huecos. Cuanto más intensa sea la luz, mayor
será el número de portadores minoritarios y mayor será la corriente inversa.
1.10.3. Optoacoplador
Un optoacoplador (llamado también optoaislador
R1 - R2 + o aislador acoplado ópticamente) combina un LED
+ + + + y un fotodiodo en un solo encapsulado. Si la
V1 Vint Vout V2 tensión de entrada varía, la cantidad de luz
- - - - también lo hará, lo que significa que la tensión de
El optoacoplador combina un LED y un fotodiodo
salida cambia de acuerdo con la tensión de
entrada. Por ello, la combinación de un LED y un
fotodiodo recibe el nombre de optoacoplador. El dispositivo puede acoplar una señal de
entrada con el circuito de salida.
La ventaja fundamental de un optoacoplador es el aislamiento eléctrico entre los circuitos
de entrada y de salida. Mediante el optoacoplador , el único contacto que hay entre la
entrada y la salida es un haz de luz.
1-10.4. El varicap

+ + + – – –
+ + + – – –
+ + + – – – Los diodos varicap o varactor están fabricados
específicamente para funcionar en el modo inverso.
ZONA DE DEPLEXIÓN
(a)
Pueden ser proyectados para una capacidad de
hasta varios centenares de picofaradios si así se
requiere. Una aplicación del uso de tales diodos es
(b) la de los circuitos de modulación de frecuencia
(FM), donde se conecta un diodo inversamente
polarizado en paralelo con un inductor. La
(c) frecuencia resonante del circuito sintonizado
CT resultante se puede cambiar variando VR . Por tanto,
si VR es una señal vocal, por ejemplo, la frecuencia
resonante será proporcional a la amplitud de la
señal vocal; es decir, la frecuencia estará modulada.
Se construyen muchos sistemas de FM utilizando
V este principio.
(d)
(a) Forma física
(b) Circuito equivalente en
corriente alterna
(c) Símbolo esquemático
(d) Curva de capacidad en
función de la tensión inversa
1.10.5. Diodos Túnel. -
I Aumentando el nivel de dopaje de un diodo opuesto se
puede hacer que la ruptura se produzca a los 0 V. Además, el
IP
dopaje más fuerte distorsiona la curva de polarización
IV directa. Un diodo como este recibe el nombre de diodo túnel
V En este tipo de diodos se presenta un fenómeno conocido
VP VV
como resistencia negativa . Esto significa que un aumento de
la tensión de polarización directa produce una disminución
(a) (b) en la corriente directa en la parte de la curva entre VP y VV .
La resistencia negativa de los diodos túnel es útil en
Diodos Túnel, (a) La ruptura determinados circuitos de alta frecuencia llamados
ocurre a 0 V, (b) Símbolo
esquemático osciladores .
Estos circuitos osciladores pueden generar una señal sinusoidal similar a la producida por
un generador de alterna. Pero a diferencia del generador de alterna, que convierte
energía mecánica en energía eléctrica sinusoidal, un oscilador convierte energía continua
en una señal sinusoidal.
1.11. EFECTO DE LA DISIPACIÓN DE CALOR SOBRE EL FUNCIONAMIENTO DEL DIODO
La disipación de potencia eléctrica como calor en el diodo hace que la temperatura
de la unión aumente, por lo que consideraremos el problema práctico para hallar la
máxima disipación de calor permisible en un diodo de unión PN. Este aumento de
temperatura se debe mantener dentro de límites aceptables, o de los contrario el diodo se
deteriorará.
 El calor es transmitido de
la unión a la cápsula

Temperatura del aislante Temperatura de la unión Tj

eléctrico Ti
Temperatura de la cápsula Tc

Temperatura del
radiador de calor Ts

Temperatura ambiente Ta
I
V

R
Figura (24) Diodo montado sobre radiador de calor
El problema térmico se trata de una manera fácil por una simple analogía térmica de la ley
de Ohm, en que la corriente es sustituida por la potencia, la tensión por la temperatura y
la resistencia eléctrica por la resistencia térmica θ.
Si la potencia disipada en la unión es constante y no excede de la capacidad de potencia
del diodo, después de transcurrido un tiempo suficiente, el sistema alcanzará un estado
de equilibrio térmico. En general, cada uno de los elementos estará a una temperatura
diferente. Una buena aproximación es considerar que el aumento de temperatura será
proporcional a la potencia disipada en la unión. La constante de proporcionalidad es lo
que se llama resistencia térmica θ
 Un aumento de la temperatura de la unión por encima de la temperatura de la cápsula
está relacionado con la potencia disipada por la ecuación
………………………. (49)

Donde = aumento de la temperatura de la unión por encima de la temperatura de la

cápsula, °C
= potencia eléctrica disipada en la unión, W
= resistencia térmica entre la unión y la cápsula, °C/W
La resistencia térmica es función de la construcción del diodo y de la cápsula y
ordinariamente está especificada por el fabricante.
Consideremos un diodo alojado en una cápsula sin montura alguna, como muestra la
Figura (25)
Temperatura de la cápsula Tc

Temperatura de
la unión Tj

Temperatura ambiente Ta

(a) (b)
Figura (25) Diodo y analogía eléctrica del sistema térmico: (a) diodo sin montura; (b) analogía eléctrica
 El aumento de la temperatura de la cápsula por encima de la temperatura ambiente viene
dado por
………………………. (50)

El circuito de la Figura (25-b) representa una analogía eléctrica del sistema térmico de
la Figura (25-a), con las siguientes analogías derivadas de ecs. (49) y (50):
Sistema térmico Análogo Eléctrico
Disminución de temperatura Caída de tensión
Disipación de potencia Generador de corriente constante
Resistencia térmica Resistencia eléctrica
En la Figura (25) y en las ecuaciones (49) y (50) se ve que:
………………………… (51)

Este resultado se puede extender inmediatamente al sistema de conducción de calor de

la Figura (24)
………………… (52)

Aquí las resistencias térmicas no definidas antes son

= resistencia térmica cápsula-radiador de calor (incluyendo el aislador)
= resistencia térmica radiador de calor-ambiente
En un problema práctico de diseño el uso de esta ecuación se basa en las siguientes
condiciones:
1. La máxima temperatura permisible en la unión la da el fabricante. Los valores típicos
son aproximadamente 100°C para diodos de germanio y 150 a 200°C para diodos de
silicio.
2. La temperatura ambiente es una variable no controlada que depende del ambiente en
que deba funcionar el equipo.
3. La potencia disipada en al unión depende del sistema eléctrico y para corrientes y
tensiones variables con el tiempo viene dada por:
…………………………… (53)

para funcionamiento en corriente continua es simplemente

…………………………… (54)
4. Una vez elegido el diodo particular que satisfaga las especificaciones eléctricas, se debe
fijar su resistencia térmica . Ésta la dará ordinariamente el fabricante.
Observando estas condiciones y de la ec. (51) se aprecia que la resistencia térmica
cápsula-ambiente es la única variable de la que se dispone para el ajuste a fin de
mantener la temperatura de la unión en un valor de seguridad. La resolución de ec.(51)
tenemos.

…………………………… (55)
Esta expresión se utiliza para determinar la máxima , cuando son conocidos todos
los factores del segundo miembro. La ec. (52) se puede utilizar, naturalmente, para
determinar cualquiera de las variables implicadas.
 1.11.1 Curvas de degradación.- La potencia nominal de un diodo se especifica
usualmente para una temperatura ambiente de 25°C. La máxima potencia que el diodo
puede disipar está determinada por la temperatura de la unión. Por lo que la potencia
nominal debe ser disminuida cuando la temperatura ambiente aumenta, con el fin de
mantener la temperatura de la unión en un límite se seguridad. Ordinariamente el
fabricante suministra las curvas de degradación que se pueden utilizar para determinar la
máxima disipación de potencia admisible para una temperatura de cápsula dada.

ec. (56)

0
= Temperatura de la
cápsula a la cual
empieza la reducción
Figura (26) Curva de degradación del diodo
utilizando la ec. (49) vemos que la tasa de disminución de potencia cuando aumenta la
temperatura de la cápsula es . En la Figura (26) apreciamos que cuando
Refiriéndonos a la ec. (49) y sustituyendo , tenemos:
…………………….. (56)
La ec. (56) representa la pendiente de la porción de la curva de degradación. Refiriéndonos
nuevamente a la Figura (26) vemos que cuando , sustituyendo en (56) y
despejando , tenemos
………………………… (57)

La resistencia térmica entre la cápsula y el ambiente se puede determinar gráficamente

utilizando la ec. (50) y la curva de degradación de la Figura (26) como se explica en el
siguiente ejemplo.

Ejemplo: Un diodo Zener de 8W (curva de degradación de la Figura (27) debe disipar 3.5W
en un circuito particular. La temperatura ambiente es 100°C. (a) Hallar para que el
diodo no se sobrecaliente. (b) Hallar para estas condiciones. (c) Si se dispusiera de un
radiador de calor infinito, ¿cuánta potencia podría disipar este diodo?

Solución. (a) Comenzaremos representado la ec. (50) sobre la curva de degradación. Los
dos puntos conocidos en ec. (50) son cuando y el punto formado por
sobre la curva de degradación. Refiriéndonos a ec. (50) vemos que cuando

Por la Figura (27) tenemos , por tanto

 ec. (50) ,

ec. (50) ,
6,2

ec (56)
3.5

Figura (27) Técnica gráfica para hallar . Están representados dos valores de

(b) La intersección de ec. (50) y la curva de degradación en la potencia de funcionamiento

de 3.5W da la máxima temperatura de la cápsula permisible para evitar el
sobrecalentamiento. Por la Figura (27), .
(c) Si y (un radiador infinito), la ec. (50) se puede dibujar como si
fuese una recta vertical, como muestra la Figura (27). La intersección de esta recta con la
curva de degradación da la máxima disipación de potencia permisible. Por la Figura (27),
esta es
1.12. CARACTERÍSTICAS DE LOS FABRICANTES
a) E diodo rectificador
Las características del diodo que normalmente suministran los fabricantes son las
siguientes:
Tipo: Diodo de silicio 1N566 (los valores serán para 25°C)
1. Tensión inversa de cresta (PIV) = -400 V
2. Máxima corriente inversa I0 (para la PIV) = 1.5 µA
3. Máxima tensión directa de cc. = 1.2 V para 500 mA
4. Corriente directa media rectificada en media onda, IFR = 1.5 A
5. Temperatura máxima de la unión Tj,máx = 175°C
6. Curva de degradación o del factor de reducción de la corriente nominal [Figura (28)].
Las características 1 a 3 se explican fácilmente considerando la Figura (29)
IFR Corriente directa media iD
rectificada en media onda, A
1.5
500 mA

- 400 V VD
1.2 V
Ta , °C I0 = -1.5 µA
0 60 175
Figura (28) Curva de degradación o reducción de Trazada a diferente
la corriente nominal para un diodo de silicio escala que la
característica directa
1N566
Figura (29) Característica directa e inversa del diodo
 Característica 1. La tensión inversa de cresta (PIV) es la tensión negativa máxima
admisible que puede aplicarse al diodo antes de la ruptura. Esta tensión es algo menor que
la tensión Zener , pero en la práctica no hacemos referencia a la tensión Zener de un diodo
que está destinado a ser utilizado como rectificador.
Característica 2. La corriente inversa máxima de saturación I0 es 1.5 µA. Lo que significa
que cuando el diodo se utilice en un circuito rectificador, la corriente negativa máxima a
través de el será de 1.5 µA.
Característica 3. Cuando el diodo es atravesado por una corriente continua de 500 mA,
la caída de tensión máxima en el será de 1.2 V.
Las características de 4 a 6 pueden explicarse por medio de la Figura (30) y Figura (28)
Característica 4. Cuando la tensión de entrada νi es
R
iD senoidal [Figura (30)] la corriente media en sentido
ν = V sen ωt
directo rectificada en media onda es
i im

Figura (30) Rectificador de media onda Característica 5 y 6. La Figura (28) indica que si la
temperatura ambiente es menos de 60°C:

Para temperaturas mayores de 60°C, esta corriente máxima debe reducirse linealmente
hasta que la temperatura ambiente se a la máxima que la máxima de la unión de 175°C, en
cuyo punto IFR = 0.
1.13. RECORTADORES Y FIJADORES.
Los diodos pueden emplearse para recortar la señal de entrada o limitar partes de la
misma. También se utilizan para restaurar un nivel de cd para una señal de entrada
1.13.1. RECORTADORES
Los recortadores se emplean para eliminar una parte de la forma de onda que se
ubica arriba o debajo de algún nivel de referencia. Los circuitos recortadores algunas veces
se denominan limitadores, selectores de amplitud o rebanadores.
νo
νi νo νi
V
+ + VB + + B
νi νo νi νo
t _ t t _ VB _ t
VB _

νo νo
νi νi

+ + + +
νi νo νi νo
t VB t t _ VB t
_ _ - VB _-VB

Figura (31) Circuitos recortadores ideales

Las formas de onda de salida indicadas en la Figura (31) suponen que los diodos son
ideales
 Considerando diodo reales, en los circuitos anteriores los diodos se reemplazarán por su
circuito equivalente, donde se supone que debe superarse un voltaje VON antes de que el
diodo conduzca, y, cuando el diodo está conduciendo se incluye una resistencia directa Rf. La
Figura (32-a) muestra el circuito modificado.
νo DIODO νo FORMA DE ONDA
R CONDUCIENDO DISTORCIONADA
DIODO DIODO SIN
+ IDEAL
+ CONDUCIR

Rf t
νi νo νi
VB + VON
VON

_ VB _
νi

(a) t (b)

Figura (32) Recortador que usa un diodo real

La salida resultante se ilustra en la Figura (32-b) i se calcula: Para νi < VB + VON , νo = νi . Para
νi > VB + VON ,
……….. (58)
 El recorte positivo y negativo se efectúa de modo simultáneo. El resultado es un recortador
polarizado en paralelo que se diseña empleando dos diodos y dos fuentes de voltaje
orientadas en direcciones opuestas
νo
νi R
+ + VB1 + VON

t νi νo t
+
VB1 VB2
_ + _ VB2 + VON

Figura (33) Recortador polarizado en paralelo

Otro tipo de recortador es el polarizado en serie el cual se muestra en la Figura (34)

ν0 , (V) νi , (V) ν0 , (V)
νi , (V) VB1 = 1 V VB1 = 1 V
R 2
2 1 1
+ + 0 + DIODO + 0
DIODO
νi IDEAL νo -1 t ν IDEAL R νo -1 t
t t i
-2
_ _ -2 _ _ -2
-3
-2
-3

(a) (b)
 νi , (V) VB1 = 1 V
ν0 , (V) νi , (V) VB1 = 1 V
ν0 , (V)
R
2 2
3 3
+ + 2 + DIODO + 2
DIODO IDEAL
1
νi IDEAL νo t νi R νo 1
t _ _ _ _ -1
-1 t t
-2 -2

(c) (d)
Figura (34) Recortador polarizado en serie

1.13.2. SUJETADORES (FIJADORES)

Luego de analizar diversas configuraciones de diodos que recortaban una parte de la
señal aplicada sin cambiar la parte restante de la forma de onda, a continuación
investigaremos otro tipo de circuito con diodos que solamente desplaza la señal aplicada a
un nivel diferente sin cambiar la forma de señal de entrada.
Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que desplaza una
forma de onda a un nivel de cd. diferente sin cambiar la apariencia de la señal aplicada.
El resistor y el capacitor de la red deben ser elegidos de modo que la constante de
tiempo determinada por sea bastante grande para garantizar que el voltaje a través
del capacitor no se descargue significativamente durante el intervalo en que el diodo no
conduce. A lo largo del análisis suponemos que en la práctica el capacitor se carga o
descarga por completo en cinco constantes de tiempo.
Las redes sujetadoras tienen un capacitor conectado directamente desde la entrada hasta la
salida con un elemento resistivo en paralelo con la señal de salida. El diodo también está en
paralelo con la señal de salida pero puede o no tener una fuente de cd. En serie como un
elemento agregado.
El procedimiento de análisis de un sujetador lo realizaremos a partir del circuito de la
Figura(35)
νi
V
+ +
C
t νi R νo
0 T/2 T
_ _
-V

Figura (35) Sujetador

C C
+ +
+ +V- +V-
-
V R νo R νo
V
- +
- -
(a) Diodo “encendido” y el capacitor (b) Determinación de νo con el diodo
cargándose a V voltios “apagado”
Figura (36)
Paso 1: Inicie el análisis examinando la respuesta de la parte de la señal de entrada que
polarizará en directa el diodo.
Paso 2: Durante el periodo en que el diodo está “encendido”, suponga que el capacitor se
cargará instantaneamente a un nivel de voltaje determinado por la red circundante, Figura
(36-a), (τ = RC ≈ 0)
Paso 3: Suponga que durante el período en que el diodo está “apagado” el capacitor se
mantiene a un nivel de voltaje establecido, Figura (36-b), (τ = RC » T/2).
Paso 4: A lo largo del análisis, no pierda de vista la ubicación y la polaridad definida para νo ,
para garantizar que se obtenga los niveles apropiados.
Aplicando la segunda ley de Kirchoff alrededor de la malla de entrada se obtiene:
-V - V – νo = 0
νo = - 2V
νi
V

t
0 T/2 T
Paso 5: Compruebe que la oscilación total de la salida
-V coincide con la de la entrada
νo Esta es una propiedad que se aplica a todas las redes
0 T/2 t
T sujetadoras y constituye una excelente comprobación de
los resultados obtenidos.

-2V
Figura (37) Trazo de vo para
red de la Figura (36-b)
1.14. CIRCUITOS MULTIPLICADORES DE VOLTAJE
Estos circuitos multiplicadores de voltaje se emplean para mantener un valor pico del
voltaje de transformador relativamente bajo al mismo tiempo que eleva el valor pico del
voltaje de salida a dos, tres, cuatro o más veces el voltaje pico rectificado.
(a) Duplicador de voltaje.
C1

_
+V _ D2 _
Sumando los voltajes alrededor de la
+ m D1 malla externa (vea Figura (38-b))
Vm 2Vm C2 2V
_ +
m -Vm –VC1 + VC2 = 0
+ -Vm – Vm + VC2 = 0
De donde obtiene
VC2 = 2Vm
Duplicador de voltaje de media onda

Diodo D2 no Diodo D2
Vm Vm
+ _ conduce
+ _ conduce

D2 _
C1 D2 _ C1 _
+ D1 D1
Vm C2 Vm 2Vm C2 2Vm
_ +
+ +
Diodo D1 Diodo D1 no
(a) conduce (b) conduce

Figura (38) Operación doble, que muestra cada semiciclo de operación: (a) semiciclo positivo; (b) semiciclo negativo
 Otro circuito duplicador es el de onda completa que se muestra en la Figura (39)

Conduce D1 No conduce
+ + + + _
D1 +
Vm Vm C1 C1 V D1
_ Vm _m Vm C1 V
_ _m
+ 2Vm +
+ +
Vm C2
_ C2 Vm C2 V
_ _ _m
D2
No conduce D2 Conduce D2
Duplicador de voltaje de onda completa Medios ciclos de operación alternos del duplicador de voltaje de media onda
Figura (39) Medios ciclos de operación alternos del duplicador de voltaje de media onda

Triplicador y cuadruplicador de voltaje.

Triplicador (3Vm )
C1 C3

+ _ + _
+ Vm 2Vm
Figura (40) Triplicador
Vm D1 D2 D3 D4 y multiplicador de
_ C2 C4 voltaje

+ _ + _
2Vm 2Vm
Duplicador (2Vm )
Cuadruplicador (4Vm )