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020 Inversor Bipolar

El documento describe el funcionamiento del transistor de unión bipolar (BJT) como un inversor, destacando su capacidad para controlar la corriente de colector mediante la corriente de base. Se enfatiza la importancia de operar en los estados de corte y saturación para evitar errores lógicos, y se proporcionan definiciones y condiciones para estos estados. Además, se menciona la relación entre las corrientes y voltajes en el transistor, así como el factor de incertidumbre en el diseño del inversor.

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020 Inversor Bipolar

El documento describe el funcionamiento del transistor de unión bipolar (BJT) como un inversor, destacando su capacidad para controlar la corriente de colector mediante la corriente de base. Se enfatiza la importancia de operar en los estados de corte y saturación para evitar errores lógicos, y se proporcionan definiciones y condiciones para estos estados. Además, se menciona la relación entre las corrientes y voltajes en el transistor, así como el factor de incertidumbre en el diseño del inversor.

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Apuntes de ELECTRÓNICA DIGITAL

Inversor Bipolar

Juan Vignolo Barchiesi

[Link]
El transistor de unión bipolar (Bipolar Junction Transistor - BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente de
colector mediante la corriente de base. La denominación "bipolar" se
debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos).
Se puede simplificar el análisis y el diseño de los circuitos si se toma en cuenta que
iC es independiente de vCE en la zona activa, y que vBE es casi independiente de iC.
Ejemplo: transistor de silicio de pequeña señal (T).
 iC es proporcional a iB e independiente de vCE siempre que T no esté saturado.
 vBE ≈ 0.6 V @ iC = 1 mA y cambia ~ 100 mV / década de iC
vBE iC
0.5 100 µA
0.6 1 mA
0.7 10 mA
0.8 100 mA

 ß = 50 ~ 150 (factor de incertidumbre de 3).


 vCE mínimo ≈ 0.2 V.
Ejemplo: BC547.

Inversor bipolar básico =>

En esta asignatura interesa el funcionamiento del BJT


como inversor, es decir, en los dos estados extremos:
corte y saturación ("1" y "0" lógico).

La zona activa debe ser evitada ya que equivale a una


salida indefinida, es decir, a un posible error en la
lógica.

Def. de saturación: juntura colector base con 0 V


o polarizada directa.
 Umbral de saturación: vCB ≈ 0  vCE ≈ 0.7 V
 Saturación total: vCE ≈ 0.2 V  vCB ≈ -0.5 V

Def. de corte: iC < 10 % de IcSAT


IcSAT ≈ (Vcc – 0.2) / Rc

El diseño del inversor debe garantizar la saturación y el corte a pesar de la gran


incertidumbre del valor de ß.

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