DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 1
Diseño de un Amplificador de Baja Potencia de
RF por Medio de sus Parámetros S utilizando
MATLAB
Nataly Medina, Francisco J. Díaz, Adalberto Bustamante, Alejandro Jiménez, CETYS Universidad,
Optativa: Radiofrecuencia Prof. David Zevallos
Los cuales matemáticamente se expresan como:
Resumen—El presente documento muestra el diseño de 𝑖1 +
amplificadores de Radiofrecuencia de baja potencia por medio de 𝑎1 =
MATLAB, el cual nos proporciona la información necesaria para √𝑍0
determinar todo parámetro a considerar en el diseño de este 𝑖1 −
amplificador. A su vez, se introduce la teoría básica de los 𝑏1 =
√𝑍0
parámetros S o también llamados de Scattering, los cuales con
ayuda de un Analizador de Redes de dos puertos e impedancia
típica de 50𝛀, proporciona los parámetros S en archivos *.s2p, los 𝑖2 +
cuales son capturados por medio de MATLAB. 𝑎2 =
√𝑍0
Índice de Términos— MAG, GT, S, Z, Y, Analizador de Redes
𝑖2 −
𝑏2 =
√𝑍0
I. INTRODUCCIÓN Donde 𝑖𝑛 es la onda de voltaje que entra al puerto n y 𝑖𝑛 − es
+
la onda de voltaje que sale del puerto n.
L A aproximación de parámetros concentrados en teoría de
redes presenta ventajas indiscutibles cuando se trata de
análisis de circuitos eléctricos en continua o en baja frecuencia. Cabe destacar que dichos coeficientes están normalizados
Cuando la longitud de onda de la señal disminuye, es de con respecto a una impedancia base, la cual se define
mucha ayuda abordar el análisis en parámetros basados en usualmente como la típica usada en líneas de transmisión y
conceptos como ondas portadoras, coeficientes de reflexión, antenas: 50Ω.
entre otros. Los cuales son ampliamente utilizados en la
actualidad en el diseño de líneas de transmisión, circuitos de RF Para relacionar dichos coeficientes, se usa la matriz de
y microondas. parámetros complejos dependientes de la frecuencia.
De éste modo se usan parámetros basados en el coeficiente
de reflexión en redes de dos puertos. Estos son los llamados
parámetros S o de Scattering, los cuales relacionan las
magnitudes de los flujos de potencia en la red.
En donde:
Siendo los coeficientes definidos por las siguientes
relaciones:
𝑎1 = 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎 𝑎 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑑 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 1
𝑏1 = 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑑 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 1
𝑏1 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑟𝑒𝑓𝑙𝑒𝑗𝑎𝑑𝑎 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 1
𝑎2 = 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎 𝑎 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑑 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 2 𝑆11 = =
𝑏2 = 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑞𝑢𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑑 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 2 𝑎1 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 1
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 2
𝑏2 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑚𝑖𝑡𝑖𝑑𝑎 𝑎𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 2
𝑆21 = =
𝑎1 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 1
𝑏2 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑟𝑒𝑓𝑙𝑒𝑗𝑎𝑑𝑎 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 2
𝑆22 = =
𝑎2 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 2
𝑏1 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑚𝑖𝑡𝑖𝑑𝑎 𝑎𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 1
𝑆12 = =
𝑎2 𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑝𝑢𝑒𝑟𝑡𝑜 2
Con lo anterior se tiene para cada término de la matriz
Legend:
relaciona la potencia incidente y reflejada en cada puerto de la Smith Z plots:
1 S[1][1] as Real and Imaginary
red.
𝑆11 = 𝐶𝑜𝑒𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑓𝑙𝑒𝑥𝑖ó𝑛 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎
𝑆12 = 𝐶𝑜𝑒𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑚𝑖𝑠𝑖ó𝑛 𝑖𝑛𝑣𝑒𝑟𝑠𝑎
𝑆21 = 𝐶𝑜𝑒𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑚𝑖𝑠𝑖ó𝑛 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎
𝑆22 = 𝐶𝑜𝑒𝑓𝑖𝑐𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑟𝑒𝑓𝑙𝑒𝑥𝑖ó𝑛 𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎
Para el diseño de un amplificador de RF se tiene que
considerar todo parámetro necesario en las redes de entrada y
salida. En la figura, se muestran las redes de entrada y salida
(S y L respectivamente) y al centro, la red de dos puertos
Legend:
cuyos parámetros S son conocidos. La elección de S y L busca Smith Y plots:
1 S[1][1] as Real and Imaginary
adaptar las impedancias de la fuente y puerto 1 (S); y del
puerto 2 a la carga (L) de modo de maximizar la transferencia
de potencia. B. Diseño de la solución de un amplificador de RF
utilizando el transistor BFR93A – NTE 2402
Como requerimientos, nuestro amplificador deberá ser
diseñado para operar a una frecuencia central de 500MHz,
suponiendo un ancho de banda de 250KHz.
La siguiente figura muestra el diseño general del
amplificador de RF, el cual deberá ser analizado mediante
sus parámetros S, a su vez convertidos a parámetros Y, y con
ellos determinar factores de estabilidad y de ganancia para su
diseño, además de los dispositivos electrónicos a utilizar.
II. PROCEDIMIENTO DE DISEÑO DEL AMPLIFICADOR DE RF
A. Análisis del archivo *.s2p y su representación en Cartas
de Smith
%BFR93A Bias condition: Vce=8V, Ic=5mA
Las siguientes gráficas muestran el comportamiento de los
parámetros S del amplificador según las especificaciones.
La resistencia (Rg = 50Ω) representa la resistencia de salida
de la etapa previa al amplificador de RF a diseñarse, y la
resistencia (Ro = 50Ω) representa la resistencia de entrada de
la etapa posterior al amplificador de RF a diseñarse.
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 3
Los pasos para el diseño de este amplificador son los Calculando el factor de estabilidad de Linvill:
siguientes:
|𝑦12 𝑦21 |
Se establece la frecuencia central en la que el 𝐶=
2𝑔11 𝑔22 − 𝑅𝑒(𝑦12 𝑦21 )
amplificador operará:
%Estabilidad de Linvill
%frecuencia de operación
fo = 540.246e6;
C = abs(y12*y21)/(2*g11*g22-real(y12*y21))
El ancho de banda que se sugiere es de 250kHz
Si 𝐶 < 1 Dispositivo Activo Incondicionalmente Estable
%ancho de banda sugerido 𝐶 > 1 Dispositivo Activo Potencialmente Inestable
BW = 27e6; %27MHz Con un factor de 1.5086, se encuentra que el dispositivo se
encuentra potencialmente inestable.
Impedancias de la Fuente sugerida y de los puertos
Factor de Stern propuesto k = 4
%Impedancia de los puertos
Rg = 50; %Factor de Stern propuesto
%Impedancia de la fuente sugerida K = 4;
RS = 400; GS = 1/RS;
GL =1/2*(K*abs(y12*y21)+K*real(y12*y21)-
Captura de los parámetros S a la frecuencia central de 2*g11*g22-2*GS*g22)/(g11+GS)
operación de 500 MHz.
Cálculo de 𝐵𝑆 y 𝐵𝐿
%Obtención de los parámetros S del Utilizando el método iterativo, iniciando la iteración con
amplificador 𝐵′𝐿 = −𝑏0 , obtenemos luego de lograr la convergencia:
data =
read(rfdata.data,'BFR93AB_500_RI.S2 %Iteración
P'); BS_ = -b11;
s_parameters = BL_ = -b22;
extract(data,'S_PARAMETERS'); for i=0:1:10;
YL_ = GL+j*BL_;
s11 = s_parameters(1,1) Y1_ = y11 - (y12*y21)/(y22 + YL_);
s12 = s_parameters(1,2) G1_ = real(Y1_);
s21 = s_parameters(2,1) B1_ = imag(Y1_);
s22 = s_parameters(2,2) BS_ = -B1_;
YS_ = GS + j*BS_;
Y2_ = y22 - (y12*y21)/(y11+ YS_);
Transformando los parámetros S en parámetros Y G2_ = real(Y2_);
B2_ = imag(Y2_);
%Conversión de los parámetros S a BL_ = -B2_;
parámetZa_reals Y end
y_parameters =
extract(data,'Y_PARAMETERS'); BL = BL_
BS = BS_
y11 = y_parameters(1,1) %yi
y12 = y_parameters(1,2) %yr
y21 = y_parameters(2,1) %yf Cálculo de 𝑌1 y 𝑌2
y22 = y_parameters(2,2) %yo
YS = GS + BS*j;
g11 = real(y11); YL = GL + BL*j;
g22 = real(y22);
g12 = real(y12); Y1 = y11 - (y12*y21)/(y22 + YL)
g21 = real(y21); Y2 = y22 - (y12*y21)/(y11 + YS)
b11 = imag(y11);
b22 = imag(y22);
b12 = imag(y12);
b21 = imag(y21);
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 4
Cálculo de la Ganancia máxima MAG, de
Transductor 𝐺𝑇 div = (QT/N);
if(div >= 10.0)
GT = Qp = QT/N;
4*real(YS)*real(YL)*abs(y21)^2/abs((y11+YS C4 = N*C
)*(y22+YL)-y12*y21)^2 C3 = C4/(N-1)
GTdb = 10 *log10(GT) else
Qp = ((QT^2+1)/N^2-1)^(1/2);
GUM = 10*log10(abs(s21)^2/((1- C4 = Qp/(wo*ZaNorm_real)
abs(s11)^2)*(1-abs(s22)^2))) Cse = C4*(Qp^2+1)/Qp^2;
C3 = (Cse*C)/(Cse-C)
end
k = (1+abs(s11*s22-s12*s21)^2-
abs(s11)^2-abs(s22)^2)/(2 * C. Análisis de la antena
abs(s12)*abs(s21));
if(k > 1) Cálculo de la impedancia de la antena a la frecuencia
MAG = abs(s21)/abs(s12)*(K - de 540MHz
(K^2-1)^(1/2)) %Cálculo de la impedancia de la Antena
else a 540MHz
MSG = abs(s21)/abs(s12)
end
%Parámetros s antena
antena = -0.1676952 - 0.196183*j
Cálculo de la red de entrada
%Impedancia Antena normalizada
%%Cálculo de la red de entrada
Za_norm = -(1+antena)/(-1+antena)
GTi = GS + real(Y1);
ZaNorm_real = real(Za_norm)
RTi = 1/GTi;
%Impedancia antena
CTi = 1/(2*pi*BW*RTi);
Za = Za_norm * 50
wo = 2*pi*fo;
QTi = (wo * CTi)/GTi;
L1 = 1/(wo^2*CTi) Cálculo del circuito de acoplamiento de la antena
Ci = B1_/wo;
C = CTi - Ci;
QT = (wo * C)/GS;
N = (1/(GS*Rg))^(1/2);
div = (QT/N);
if(div >= 10)
Qp = QT/N;
C2 = N*C
C1 = C2/(N-1)
else
Qp = ((QT^2+1)/N^2-1)^(1/2);
C2 = Qp/(wo*abs(Zo))
Cse = C2*(Qp^2+1)/Qp^2;
C1 = (Cse*C)/(Cse-C)
end
Cálculo de la red de salida
%Cálculo de la red de salida
GTo = GL + G2_;
RTo = 1/GTo;
CTo = 1/(2*pi*BW*RTo);
QTo = wo * CTo/GTo;
Como se observó en el cálculo anterior, la parte imaginaria
L2 = 1/(wo^2*CTo)
Co = B2_/wo; al ser negativa, tendrá un efecto capacitivo en la salida, por lo
C = CTo-Co; que para simular la impedancia total de la antena trabajando a
QT = wo*C/GL; la frecuencia de 540MHz, se procede a realizar el
N = (1/(GL*ZaNorm_real))^(1/2); acoplamiento de la misma. Para ello, se ocupa realizar el
paralelo de éstas impedancias, dando como segundo nombre
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 5
como Ra’ y Ca’. El cálculo de la impedancia total en paralelo Ve = Vb - vbe
está dada por:
Re = Ve/ic
𝑗𝑅
−
𝜔𝐶 Xc = Re/10;
𝑗
𝑅−
𝜔𝐶 Ce = 1 / (wo*Xc)
Racionalizando: 𝑉𝐵 = 8.18𝑣
𝑉𝐸 = 7.48𝑉
−𝑗𝑅(𝜔𝑅𝐶 + 𝑗) −𝑗𝜔𝑅2 𝐶 + 𝑅 𝑅𝐸 = 1.49𝑘Ω
= 2 2 2
(𝜔𝑅𝐶 − 𝑗)(𝜔𝑅𝐶 + 𝑗) 𝜔 𝑅 𝐶 − (−1)
𝑅 𝜔𝑅2 𝐶
= −𝑗 = 𝑎 + 𝑗𝑏
1 + 𝜔 2 𝑅2 𝐶 2 1 + 𝜔 2 𝑅2 𝐶 2 Esquemático final debido a los resultados de la
programación en MATLAB
En donde a y b se pueden apreciar de la siguiente manera: VCC
15V
𝑅 L3 L2
XSC1
𝑎= SAMPLE_R FCOIL 1.249nH
Ext Trig
1 + 𝜔 2 𝑅2 𝐶 2
+
_
A B
R1 + _ + _
10k Ω
U1
𝜔𝑅2 𝐶
+
𝑅 -
5.326m A D C 1e -009Ohm
𝑏 = −𝑗 2 2 2
= −𝜔𝐶𝑅 [ ] C3
1+ 𝜔 𝑅 𝐶 1 + 𝜔 2 𝑅2 𝐶 2 C1 CB
109.29p F 2.1275p F Q1 69.66p F
+ U2
BFR 93A
7.162 V D C 10MOhm
Ca
𝑏 = −𝜔𝐶𝑅𝑎 R4
C2 R2
-
C4
545.42F
3.1616p F R5
39.17Ω
50Ω
199.83p F L1 12k Ω
V1 1.088nH
RE CE
5 Vp k 2.1275p F
540.24MH z 1.49k Ω
0°
Resolviendo para Ra y Rb obtenemos:
L4
SAMPLE_R FCOIL
2
𝑏
𝑅𝑎 = 𝑎 {1 + }
𝑎2
(Ver detalles en Apéndice A)
𝑏
𝐶𝑎 = −
𝑎𝜔𝑅
%Evaluando C' y R' para acoplamiento en la
antena
a = 33.2878
b = -13.993
Resultado gráfico del amplificador
Ra = a* (1 + ((b^2)/(a^2)))
Ca = (-b) / (a*wo*Ra)
Análisis en DC del amplificador
III. CONCLUSIONES
hfe = 90;
ic = 5e-3; El presente trabajo demostró un análisis detallado en el
vce = 8; desarrollo de un amplificador de RF de baja potencia, tales
vcc = 15; análisis se desarrollaron por medio de MATLAB para
vbe = 0.7; obtener cálculos precisos en la definición de los valores de
los dispositivos.
r1 = 10e3 Hemos presentado la metodología necesaria para el
r2 = 12e3 diseño mismo, además se presenta el esquemático que se
pueda requerir en el diseño de este amplificador.
Vb = (r2 / (r1 + r2))* (vcc)
DISEÑO DE AMPLIFICADORES DE RF 6
IV. APÉNDICE A
VCC
15V
XSC1
L3 L2
SAMPLE_R FCOIL 1.249nH
Ext Trig
+
_
A B
R1 + _ + _
10k Ω
+ U1
5.326m A D C 1e -009Ohm
-
C3
C1 CB
109.29p F 2.1275p F Q1 69.66p F
+ U2
BFR 93A
7.162 V D C 10MOhm
- Ca
C4 3.1616p F R5
R4 545.42F 39.17Ω
50Ω C2 R2
199.83p F L1 12k Ω
V1 1.088nH
RE CE
5 Vp k 2.1275p F
540.24MH z 1.49k Ω
0°
L4
SAMPLE_R FCOIL
