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Laboratorio de Electrónica II
Informe Final: Amplificador de Simetría
Complementaria
Callupe Mejia, Miguel Angel 20142538E
Rodas Ramos, Jonathan 20142595I
Vargas Gutiérrez, Jonathan 20142094J
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a.5. Resistencia de entrada del amplificador: Rin
1. Presente los datos obtenidos en el laboratorio. Para la resistencia de entrada se colocó un potenciómetro en
serie a la entrada como se observa en la siguiente imagen:
2. Haga una comparación entre los resultados obtenidos
experimentalmente y los cálculos desarrollados en su
informe previo.
a. Circuito A:
a.4. Máxima señal pico a pico de Vo sin deformación:
Se usó una tensión Vi con 1.75V de amplitud a 1kHz como
se observa en el generador de funciones.
Entonces se deberá variar Rp hasta que a la salida se observe
una onda en el osciloscopio de:
V’o = Vo/2
Es decir, un voltaje de 1.5V pico a pico teóricamente, sin
embargo, experimentalmente logramos obtener una tensión
pico a pico de 1.4V.
Y como resultado se observa en el osciloscopio la gráfica de
Vo a punto de deformarse respecto a su aspecto sinusoidal con
una tensión pico a pico de 3.02V.
Una vez realizado esto, se procedió a extraer el
potenciómetro del circuito y consiguiente se midió la
resistencia, la cual por división de tensión en la malla del
circuito anterior es igual a Rin:
Rp = Rin = 1.3kΩ
EE442-N
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a.6. Mediciones de Vo pico a pico con Vi = 0.5Vsen(wt) y 1 kHz
frecuencia variable:
Frecuencia 50 100 500 1000 3000 5000 8000
(Hz)
Vo (mV) 752 864 896 904 936 936 928
Gráfica de cada salida medida en el osciloscopio de menor a
mayor frecuencia experimentalmente:
50 Hz
3 kHz
100 Hz
5 kHz
500 Hz
8 kHz
EE442-N
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3. Observaciones y conclusiones.
Observaciones:
Se observó que existe una máxima señal de entrada
para la cual se reflejará a la salida una señal
sinusoidal, sobrepasando dicho valor la salida se
distorsionará.
Se observó a que en el caso de mantener la entrada
constante e ir aumentando la frecuencia, la salida
cada vez aumentará hasta acercarse a la señal de
entrada en forma y valores.
Conclusiones:
El amplificador de simetría complementaria es
exclusivamente para incrementar la corriente, es
decir es de clase B.
El uso de los transistores conectados como diodos
entre base y base de los transistores de potencia es
muy importante para mantenerlos polarizados.
BIBLIOGRAFÍA
[1] Rashid, “Circuitos Microelectrónicos”; cap.14.
[2] Apuntes de clase EE442N.
[3] Cuaderno EE424-Análisis de Circuitos Electrónicos II
EE442-N