UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS 1

INFORME PREVIO 02: DIODOS

I. OBJETIVOS
 Estudiar las características de operacion de los diodos semiconductores,
Zener y LED.

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 Osciloscopio
 Multímetro
 Generador de señales
 Fuente de poder DC
 Punta de prueba de osciloscopio
 Diodos: Semiconductor, Zener y LED
 Resistores de 100Ω, 03KΩ, 2.2kΩ y 4.7k Ω
 Potenciómetros de 25K Ω

III. INFORME PREVIO

1. Buscar en los manuales y detallar las características de los
diodos a utilizar.
DIODO SEMICONDUCTOR

El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P-N,

añadiéndole un terminal de conexión a cada uno de los contactos metálicos de
sus extremos y una cápsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los
terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)

El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo
de la batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma
si se realiza la conexión opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse
para realizar la conversión de corriente alterna en continua, a este
procedimiento se le denomina rectificación.

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En efecto. si se aplica a este diodo una

tensión alterna, únicamente se
producirá circulación de corriente en las
ocasiones en que el ánodo sea más
positivo que el cátodo, es decir, en las
alternancias positivas, quedando
bloqueado en las ascendencias
negativas, lo que impide el paso de la
corriente por ser en estas ocasiones el
ánodo más negativo que el cátodo.

La corriente resultante será «pulsante»,

ya que sólo circulará en determinados momentos, pero mediante los
dispositivos y circuitos adecuados situados a continuación puede ser
convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea
actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vacío algunas ventajas
fundamentales: - Es de tamaño mucho más reducido, lo que contribuye a la
miniaturización de los circuitos.

La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no

necesita ningún calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho
más bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o
baterías.

Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicación

que con diodos de vacío resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamaño
de éstos. Existen diodos semiconductores de muy pequeño tamaño para
aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la
demodulación en receptores de radio. Estos suelen estar encapsulados. en una
caja cilíndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque también se
utiliza para ellos el encapsulado con plástico. Clasificación

Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos

semiconductores que actualmente existe en el mercado, se puede realizar una
clasificación de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo
en cuenta aquellas características más destacadas y que, de hecho, son las que

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determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las siguientes:

- Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado
individual o en puente. - Diodos de señal de use general. - Diodos de
conmutación. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensión. -
Diodos especiales.

Características generales del diodo

Descripción.
semiconductor.
Es un dispositivo que bajo condiciones
ideales se comporta como un interruptor
Diodo. común con la condición de que sólo puede
conducir en una dirección.
Es el voltaje que se debe superar en la
Tensión de umbral, de codo o de
región de agotamiento o barrera de
partida. potencial para que empiece a conducir.
Es el límite máximo de corriente que
Corriente máxima. puede pasar por el diodo, si se sobrepasa
dicha corriente el diodo se quema.
La corriente en condiciones de
polarización inversa se llama corriente de
Corriente inversa de saturación. saturación en inversa y está denotada por
Is. Se alcanza muy rápido.
Es la corriente que fluye a través de la
superficie del cristal y es debida a las
Corriente superficial de fuga. impurezas e imperfecciones de la
superficie de la estructura del cristal.
Es la máxima tensión que puede soportar
el diodo. En particular existe una tensión
Tensión de ruptura. máxima inversa por encima de la cual el
diodo se estropea; si se sobrepasa ocurre
el fenómeno llamado ruptura.
Si se incrementa la tensión inversa de
forma continua, llegara un momento en
que se alcanzara la tensión de disrupción
del diodo. Una vez alcanzada la tensión de
Efecto avalancha. disrupción, en la zona de deplexión
aparece de repente una gran cantidad de
portadores minoritarios y el diodo
conduce fuertemente. Dichos portadores
aparecen por el efecto avalancha.

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Cuando un diodo está fuertemente

dopado, la zona de deplexion se hace muy
estrecha. Debido a esto, el campo
eléctrico en la zona de deplexion es muy
intenso. Cuando la intensidad del campo
Efecto zener. alcanza aprox. 300.000 V/cm, el campo es
lo suficiente intenso como para hacer que
los electrones salgan de sus orbitas de
valencia. La creación de este modo de
electrones libres se conoce como efecto
zener
Rectificadores, Emisores de luz, Fotodiodo,
Tipos de diodos. Schottky, zener, Varicap, láser y PIN.

El diodo se puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:

Polarización directa: Es cuando la
corriente que circula por el diodo
sigue la ruta de la flecha (la
del diodo), o sea
del ánodo al cátodo. En este caso la
corriente atraviesa con mucha
facilidad el diodo comportándose Diodo en polarización directa
éste prácticamente como un corto.
circuito.
Polarización inversa: Es cuando la
corriente en el diodo desea circular
en sentido opuesto a la flecha (la
flecha del diodo), o se
del cátodo al ánodo. En este caso la
corriente no atraviesa el diodo,
comportándose éste prácticamente Diodo en polarización inversa
como un circuito abierto.

NOTA: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo

ideal, esto quiere decir que el diodo se toma como un elemento
perfecto (como se hace en casi todos los casos), tanto
en polarización directa como en polarización inversa.

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¿Qué aplicaciones tiene el diodo? Los diodos tienen muchas aplicaciones,

pero una de la más comunes es el proceso de conversión de corriente alterna
(C.A.) a corriente continua (C.C.). En este caso se utiliza el diodo
como rectificador

Símbolo del diodo ( A - ánodo K - cátodo)

DIODO ZENER
Una aplicación importante de los diodos zener es regular voltaje para producir
voltajes de referencia estables para usarlos en fuentes de alimentación,
voltímetros y otros instrumentos. En esta sección verá cómo el diodo zener
mantiene un voltaje de cd casi constante en condiciones de operación apropiadas.
También aprenderá las condiciones y las limitaciones para el uso apropiado del
diodo zener y los factores que afectan su desempeño.

El símbolo de un diodo zener se muestra en la figura 3-1. En lugar de una línea

recta que representa el cátodo, el diodo zener utiliza una línea quebrada en los
extremos que recuerda la letra Z (por zener). Un diodo zener es un dispositivo de
silicio con unión pn diseñado para operar en la región de ruptura en inversa. El
voltaje de ruptura de un diodo zener se ajusta controlando cuidadosamente el
nivel de dopado durante su fabricación. Recuerde, de cuando analizamos la curva
característica de diodo en el capítulo 1, que cuando un diodo alcanza la ruptura en
inversa su voltaje permanece casi constante aun cuando la corriente cambie
drásticamente: ésta es la clave para la operación de un diodo zener. Esta
característica de voltaje-corriente se muestra de nuevo en la figura 3-2; la región
normal de operación de diodos zener se muestra como un área sombreada.

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Ruptura zener
Los diodos zener se diseñan para operar en condición de ruptura en inversa; en un
diodo tal, los dos tipos de ruptura en inversa son la de avalancha y zener. El efecto
de avalancha, que se describe en el capítulo 1, ocurre tanto en diodos
rectificadores como en los zener a un voltaje inverso suficientemente alto. La
ruptura zener ocurre en un diodo zener a voltajes en inversa bajos. Un diodo
zener se dopa en exceso para reducir el voltaje de ruptura; esto crea una región
de empobrecimiento muy estrecha. En consecuencia, existe un intenso campo
eléctrico adentro de la región de empobrecimiento. Cerca del voltaje de ruptura
zener (VZ), el campo es suficientemente intenso para jalar electrones de sus
bandas de valencia y crear corriente. Los diodos zener con voltajes de ruptura de
menos 5 V operan predominantemente en ruptura zener. Aquellos con voltajes de
más de 5 V operan predominantemente en ruptura de avalancha. Ambos tipos, sin
embargo, se conocen como diodos zener. Los diodos zener están comercialmente
disponibles con voltajes de ruptura de menos de 1 V hasta más de 250 V, con
tolerancias especificadas de 1 a 20 por ciento.

Características de ruptura
La figura 3-3 muestra la parte de operación en inversa de la curva característica de
diodo zener. Observe que conforme se incrementa el voltaje en inversa (VR), la
corriente en inversa (IR) permanece extremadamente pequeña hasta la
“inflexión” de la curva. La corriente en inversa también se llama corriente zener,
IZ. En este punto, se inicia el efecto de ruptura: la resistencia zener interna,
también llamada impedancia zener (ZZ), comienza a reducirse a medida que la
corriente se incrementa rápidamente. Desde la parte inferior de la inflexión, el
voltaje de ruptura zener (VZ) permanece esencialmente constante aunque se
incrementa un poco a medida que se incrementa la corriente zener, IZ.

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Regulación zener
La característica clave del diodo zener es su capacidad de mantener el voltaje en
inversa esencialmente constante a través de sus terminales. Un diodo zener que
opera en condición de ruptura actúa como regulador de voltaje porque mantiene
un voltaje casi constante a través de sus terminales durante un intervalo
especificado de valores de corriente en inversa. Se debe mantener un valor
mínimo de corriente en inversa, IZK para mantener el diodo en condición de
ruptura para regulación de voltaje. En la curva de la figura 3-3 se ve que cuando la
corriente en inversa se reduce por debajo de la inflexión de la curva, el voltaje se
reduce drásticamente y se pierde la regulación. Además, existe una corriente
máxima, IZM, por encima de la cual el diodo puede dañarse por la excesiva
disipación de potencia. Por lo tanto, básicamente, el diodo zener mantiene un
voltaje casi constante a través de sus terminales, con valores de corriente en
inversa que van desde IZK hasta IZM. Normalmente se especifica un voltaje
nominal del zener, VZ, en una hoja de datos a un valor de corriente en inversa
llamada corriente de prueba zener.

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Regulación con diodo zener de un voltaje de entrada variable

Los reguladores con diodo zener producen un nivel de cd razonablemente
constante a la salida, aunque no son particularmente eficientes. Por esta razón,
están limitados a aplicaciones que requieren sólo baja corriente en la carga. La
figura 3-9 ilustra cómo se puede utilizar un diodo zener para regular un voltaje de
cd. A medida que el voltaje de entrada varía (dentro de los límites), el diodo zener
mantiene un voltaje de salida casi constante a través de sus terminales. Sin
embargo, a medida que VENT cambia, IZ lo hace proporcionalmente de modo que
los valores de corriente mínimo y máximo (IZK e IZM) limitan la variación del
voltaje de entrada con el que el zener puede operar. El resistor R es el limitador de
corriente en serie. Los medidores indican los valores relativos y tendencias.

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LED
Un diodo emisor de luz o led (también conocido por la sigla LED, del inglés light-
emitting diode) es una fuente de luz constituida por un material semiconductor.

Los primeros ledes fueron fabricados como componentes electrónicos para su uso
práctico en 1962 y emitían luz infrarroja de baja intensidad. Estos ledes infrarrojos
se siguen empleando como elementos transmisores en circuitos de control
remoto, como son los mandos a distancia utilizados dentro de una amplia variedad
de productos de electrónica de consumo. Los primeros ledes de luz visible también
eran de baja intensidad y se limitaban al espectro rojo. Los ledes modernos pueden
abarcar longitudes de onda dentro de los espectros visible, ultravioleta e infrarrojo,
y alcanzar luminosidades muy elevadas.
Los primeros ledes se emplearon en los equipos electrónicos como lámparas
indicadoras en sustitución de las bombillas incandescentes. Pronto se asociaron
para las presentaciones numéricas en forma de indicadores alfanuméricos de siete
segmentos, al mismo tiempo que se incorporaron en los relojes digitales. Los
recientes desarrollos ya permiten emplear los ledes para la iluminación ambiental
en sus diferentes aplicaciones. Los ledes han permitido el desarrollo de nuevas
pantallas de visualización y sensores, y sus altas velocidades de conmutación
permiten utilizarlos también para tecnologías avanzadas de comunicaciones.
Hoy en día, los ledes ofrecen muchas ventajas sobre las fuentes convencionales de
luces incandescentes o fluorescentes, destacando un menor consumo de energía,
una vida útil más larga, una robustez física mejorada, un tamaño más pequeño así
como la posibilidad de fabricarlos en muy diversos colores del espectro visible de
manera mucho más definida y controlada; en el caso de ledes multicolores, con
una frecuencia de conmutación rápida.
Estos diodos se utilizan ahora en aplicaciones tan variadas que abarcan todas las
áreas tecnológicas actuales, desde la Bioingeniería, la Medicina y la Sanidad,
pasando por la nanotecnología y la computación cuántica, los dispositivos
electrónicos o la iluminación en la ingeniería de Minas; entre los más populares

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están las pantallas QLed de los televisores y dispositivos móviles, la luz de

navegación de los aviones, los faros delanteros de los vehículos, los anuncios
publicitarios, la iluminación en general, los semáforos, las lámparas de destellos y
los papeles luminosos de pared. Desde el comienzo de 2017, las lámparas led para
la iluminación de las viviendas son tan baratas o más que las lámparas
fluorescentes compacta de comportamiento similar al de los ledes. También son
más eficientes energéticamente y, posiblemente, su eliminación como desecho
provoque menos problemas ambientales.

Funcionamiento:
 Cuando el dispositivo está polarizado en directa, los electrones atraviesan la
unión pn desde el material tipo n y se recombina con huecos en el material tipo
p.
 Cuando ocurre la recombinación, los electrones recombinantes liberan energía
en la forma de fotones. Una gran área expuesta en una capa del material
semiconductor permite que los fotones sean emitidos como luz visible. Este
proceso, llamado electroluminiscencia, se ilustra en la figura
3-29.
 Se agregan varias impurezas durante el proceso de dopado para establecer la
longitud de onda de la luz emitida. La longitud de onda determina el color la luz
visible.
 Algunos LED emiten fotones con longitudes onda más largas que no forman
parte del espectro visible y localizados en la parte infrarroja (IR) del espectro.

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2. Explicar los conceptos de resistencia dinámica, corriente

directa e inversa, capacidad de transición y velocidad de
conmutación del diodo.

Resistencia dinámica
La figura 1-26(b) es una vista ampliada de la curva de característica V-I de la
parte (a) e ilustra la resistencia dinámica. A diferencia de la resistencia lineal, la
resistencia del diodo polarizado en directa no es constante a lo largo de toda la
curva. Como la resistencia cambia al ir recorriendo la curva V-I, se llama
resistencia dinámica o de ca. Las resistencias internas de los dispositivos
electrónicos en general se expresan mediante la letra r minúscula cursiva con
un apóstrofo, en lugar de la R estándar. La resistencia dinámica de un diodo se
expresa como Debajo de la inflexión de la curva, la resistencia es más grande
porque la corriente se incrementa muy poco con un cambio dado del voltaje La
resistencia comienza a disminuir en la región de la inflexión de la curva y se
vuelve pequeña por encima de la inflexión donde la corriente sufre un gran
cambio con un cambio dado del voltaje.

Corriente directa e inversa

Polarización en directa
Para polarizar un diodo se aplica un voltaje de cc a través de él. Polarización en
directa es la condición que permite la circulación de corriente a través de la
unión pn. La figura 1-19 muestra una fuente de voltaje de cc conectada por un
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material conductor (contactos y alambres) a través de un diodo en la dirección

que produce polarización en directa. Este voltaje de polarización externo se
expresa como VPOLARIZACIÓN. El resistor limita la corriente en condición de
polarización en directa a un valor que no dañe al diodo. Observe que el lado
negativo de VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y el lado
positivo está conectado a la región p: éste es un requisito para que se dé la
polarización en directa. Un segundo requerimiento es que el voltaje de
polarización, VPOLARIZACIÓN, debe ser más grande que el potencial de
barrera.

Una imagen fundamental de lo que sucede cuando un diodo está en condición

de polarización en directa se muestra en la figura 1-20. Como las cargas iguales
se repelen, el lado negativo de la fuente de voltaje de polarización “empuja” a
los electrones libres, los cuales son los portadores mayoritarios en la región n,
hacia la unión pn. Este flujo de electrones libre se llama corriente de
electrones. El lado negativo de la fuente también genera un flujo continuo de
electrones a través de la conexión externa (conductor) y hacia la región n como
muestra la figura.

La fuente de voltaje de polarización proporciona suficiente energía a los

electrones libres para que venzan el potencial de barrera de la región de
empobrecimiento y continúen moviéndose hacia la región p. Una vez que

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llegan a la región p, estos electrones de conducción han perdido suficiente

energía para combinarse de inmediato con los huecos presentes en la banda de
valencia. Entonces, los electrones quedan en la banda de valencia de la región
p simplemente porque perdieron demasiada energía al vencer el potencial de
barrera y permanecer en la banda de conducción. Como las cargas diferentes
se atraen, el lado positivo de la fuente de voltaje de polarización atrae los
electrones de valencia hacia el extremo izquierdo de la región p. Los huecos en
la región p proporcionan el medio o “ruta” para que estos electrones de
valencia se desplacen hacia la región p. Los electrones de valencia se desplazan
de un hueco al siguiente hacia la izquierda. Los huecos, que son portadores
mayoritarios en la región p, efectivamente (no en realidad) se desplazan a la
derecha hacia la unión, como ilustra la figura 1-20. Este flujo efectivo de
huecos es la corriente de huecos. También se ve que el flujo de electrones de
valencia a través de la región p crea la corriente de huecos y los huecos son el
único medio para que estos electrones fluyan.
A medida que los electrones salen de la región pn través de la conexión externa
(conductor) en dirección al lado positivo de la fuente de voltaje de polarización,
dejan huecos en la región p; al mismo tiempo, estos electrones se convierten
en electrones de conducción en el conductor metálico. Recuerde que la banda
de conducción de un conductor se traslapa con la banda de valencia de modo
que se requiere mucho menos energía para que un electrón sea un electrón
libre en un conductor que en un semiconductor, y que los conductores
metálicos no tienen huecos en su estructura. Existe disponibilidad continua de
huecos que efectivamente se mueven hacia la unión pn para combinarse con la
corriente continua de electrones cuando atraviesan la unión pn hacia la unión
p.
Polarización en inversa
La polarización en inversa es la condición que en esencia evita la circulación de
corriente a través del diodo. La figura 1-22 muestra una fuente de voltaje de cc
conectada a través de un diodo en la dirección que produce polarización en
inversa. Este voltaje de polarización externo se designa como VPOLARIZACIÓN,
como en el caso de polarización en directa. Observe que el lado positivo de
VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y el lado negativo está
conectado a la región p. Observe también que la región de empobrecimiento
se muestra mucho más ancha que la condición de polarización en directa o
equilibrio.

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La figura 1-23 ilustra lo que sucede cuando un diodo se polariza en inversa.

Como las cargas diferentes se atraen, el lado positivo de la fuente de voltaje de
polarización “jala” los electrones libres, los cuales son los portadores
mayoritarios en la región n, lejos de la unión pn. A medida que los electrones
fluyen hacia el lado positivo de la fuente de voltaje, se crean iones positivos
adicionales. Esto produce el ensanchamiento de la región de empobrecimiento
y el consecuente empobrecimiento de los portadores mayoritarios.
En la región p, los electrones procedentes del lado negativo de la fuente de

voltaje entran como electrones de valencia y se desplazan de hueco en hueco

hacia la región de empobrecimiento, donde crean iones negativos adicionales.
Esto ensancha la región de empobrecimiento y agota los portadores
mayoritarios. El flujo de electrones de valencia puede ser considerado como
huecos que están siendo “jalados” hacia el lado positivo. El flujo inicial de
portadores de carga es transitorio y subsiste sólo durante un lapso muy poco
después de que se aplica el voltaje de polarización en inversa. Conforme la
región de empobrecimiento se ensancha, la disponibilidad de portadores
mayoritarios se reduce. Amedida que más regiones ny pse quedan sin
portadores mayoritarios, la intensidad del campo eléctrico entre los iones
positivos y negativos se incrementa hasta que el potencial a través de la región
de empobrecimiento es igual al voltaje de polarización, VPOLARIZACIÓN. En
ese momento, la corriente de transición en esencia cesa, excepto por una muy
pequeña corriente en inversa que casi siempre se puede despreciar. Corriente
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en inversa La corriente extremadamente pequeña que existe en la condición de

polarización en inversa después de que la corriente de transición se disipa es
provocada por los portadores minoritarios en las regiones n y p producidos por
pares de electrón-hueco generados térmicamente. El pequeño número de
electrones minoritarios libres en la región p son “empujados” hacia la unión pn
por el voltaje de polarización negativo. Cuando estos electrones llegan a la
región de empobrecimiento ancha, “descienden la colina de energía”, se
combinan con huecos minoritarios presentes en la región n como electrones de
valencia, fluyen hacia el voltaje de polarización positivo y se crea una pequeña
corriente de huecos. La banda de conducción de la región p está a un nivel de
energía mucho más alto que la banda de conducción en la región n. Así pues,
los portadores minoritarios pasan con facilidad a través de la región de
empobrecimiento porque no requieren energía adicional. La corriente en
inversa se ilustra en la figura 1-24.

Capacidad de transición

pág. 15 CIRCUITOS ELECTRONICOS

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Aparece cuando se aplica al diodo una tensión inversa. Como ya mencionado,

la polarización inversa provoca que los portadores mayoritarios se alejen de la
unión, dejando descubiertas más cargas inmóviles. De ahí que el espesor de la
zona de carga espacial aumente con la tensión inversa. Esta variación de carga
con la tensión aplicada puede considerarse como un defecto de capacidad. Asi
se define la capacidad Ct como:
𝑑𝑄
𝐶𝑡 =
𝑑𝑉
Donde 𝐶𝑡 llamada capacidad de la región de transición, de la barrera o de la
carga espacial representa la variación de la carga almacenada en la región de
carga respecto a la variación de la tensión en la unión.

Velocidad de conmutación
Una carga capacitiva se carga a través de un transistor de la serie. Las
corrientes de carga máximas para la carga se dibujan de una fuente capacitiva
que carga se mantenga constantemente. La descarga rápida de la carga
capacitiva está a través de un diodo del semiconductor y de una cascada de los
transistores que actúan como elementos de la conmutación. Los diodos a
través de la ensambladura del emisor de base de estos diodos de la
conmutación proporcionan la protección contra daño transitorio así como la
reducción del tiempo requerido a la conducción del atajo de los transistores.
Una impulsión simple del transistor TTL (+5v) funciona el interruptor.
Cuando en un diodo se le superpone a la continua una pequeña señal (o sea
una señal alterna), aparece para dicha señal una resistencia que depende del
punto Q de funcionamiento. El valor de dicha resistencia se la denomina
resistencia dinámica del diodo. Y como en el caso de la resistencia estática, se
la puede calcular de dos formas, una gráfica y otra analítica. La resistencia

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dinámica posee dos componentes, una el valor de resistencia que presenta la

juntura PN (llamado ru), y otro es el valor de la resistencia óhmica del cuerpo
del diodo (llamada rb). O sea la resistencia dinámica es:

𝑟𝑑 = 𝑟𝑢 + 𝑟𝑏

Para valores chicos de corriente de polarización (o sea la corriente continua),

predomina ru (ru>>rb), y para valores grandes de corriente predomina rb
(rb>>ru).

Gráficamente la resistencia dinámica representa la pendiente de la recta que

pasa por el punto Q.

3. Explicar la curva característica del diodo Zener y su utilidad

como regulador de tensión.
La región Zener de la figura 1.45 se analizó con algún detalle en la sección
1.6. La característica cae casi verticalmente con un potencial de
polarización en inversa denotado VZ. El hecho de que la curva caiga y se
aleje del eje horizontal en vez de elevarse y alejarse en la región de VD
positivo, revela que la corriente en la región Zener tiene una dirección
opuesta a la de un diodo polarizado en directa. La ligera pendiente de la
curva en la región Zener revela que existe un nivel de resistencia que tiene
que ser asociado al diodo Zener en el modo de conducción.

pág. 17 CIRCUITOS ELECTRONICOS

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Esta región de características únicas se emplea en el diseño de diodos Zener, cuyo

símbolo gráfico aparece en la figura 1.46a. El diodo semiconductor y el diodo
Zener se presentan uno al lado del otro en la figura 1.46 para asegurarse de que la
dirección de conducción de cada uno se entienda con claridad junto con la
polaridad requerida del voltaje aplicado. En el caso del diodo semiconductor el
estado “encendido” soportará una corriente en la dirección de la flecha del
símbolo. Para el diodo Zener la dirección de conducción es opuesta a la de la
flecha del símbolo, como se señaló en la introducción de esta sección. Observe
también que la polaridad de VD y VZ es la misma que se obtendría si cada uno
fuera un elemento resistivo como se muestra en la figura 1.46c.

La ubicación de la región Zener se controla variando los niveles de dopado. Un

incremento del dopado que aumenta la cantidad de impurezas agregadas reducirá
el potencial Zener. Están disponibles diodos Zener con potenciales de 1.8 V a 200
V y coeficientes de potencia de 1/4 W a 50 W. Por sus excelentes capacidades de
corriente y temperatura, el silicio es el material preferido en la fabricación de
diodos Zener. Sería fantástico suponer que el diodo Zener es ideal con una línea
vertical recta en el potencial Zener. Sin embargo, hay una ligera inclinación de las
características que requieren el modelo por segmentos que aparece en la figura
1.47 de esa región. En la mayoría de las aplicaciones que aparecen en este texto el
elemento resistivo en serie puede ser ignorado y se emplea el modelo equivalente
reducido de sólo una batería de cd de VZ volts. Como algunas aplicaciones de los
diodos Zener oscilan entre la región Zener y la región de polarización en directa,
es importante entender la operación del diodo Zener en todas las regiones. Como
se muestra en la figura 1.47, el modelo equivalente de un diodo Zener en la región
de polarización en inversa por debajo de VZ es un resistor muy grande (como en el
caso del diodo estándar). Para la mayoría de las aplicaciones esta resistencia en
tan grande que puede ser ignorada y se emplea el equivalente de circuito abierto.

pág. 18 CIRCUITOS ELECTRONICOS

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Para la región de polarización en directa el equivalente por segmentos es el que se

describió en secciones anteriores.

4. Explicar la constitución del diodo LED y sus características mas

importantes.
Materiales semiconductores utilizados en los LED

 El semiconductor arseniuro de galio (GaAs) se utilizó en los primeros LED

y emite radiación infrarroja, la cual es invisible. Los primeros LED rojos
visibles se produjeron utilizando fosfuro arseniuro de galio (GaAsP) sobre
un sustrato de GaAs. La eficiencia se incrementó con el uso de un sustrato
de fosfuro de galio (GaP) y se obtuvieron LED rojos más brillantes y
también LED naranjas. Posteriormente, se utilizó GaP como emisor de luz
para obtener luz verde pálida. Con el uso de una porción de material rojo
y una verde, los LED fueron capaces de producir luz amarilla. Los primeros
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LED rojos, amarillos y verdes súper brillantes se produjeron utilizando

fosfuro arseniuro de galio-aluminio (GaAlAsP).
 A principios de los años 90 estuvieron disponibles LED ultra brillantes
utilizando fosfuro de aluminio-galio-indio (InGaAlP) en rojo, naranja,
amarillo y verde. Se obtuvieron LED azules utilizando carburo de silicio
(SiC) y LED azules ultrabrillantes hechos de nitruro de galio (GaN).
 Los LED de alta intensidad blancos que producen luz de colores verde y
azul también se hacen de nitruro de galio-indio (InGaN). Los LED blancos
de alta intensidad se forman con GaN azul ultra brillante recubierto con
fósforo fluorescente que absorbe la luz azul y la reemite como luz blanca.

Polarización de los LED:

 El voltaje de polarización en directa a través de un LED es

considerablemente más grande que a través de un diodo de silicio.
Típicamente, el VF máximo para LED varía entre 1.2 V y 3.2 V, según el
material.
 La ruptura en inversa para un LED es mucho menor que para un diodo de
rectificador de silicio (3 V a 10 V es típico).
 El LED emite luz en respuesta a una corriente suficiente con polarización
en directa, como lo muestra la figura 3-30 (a).
 La cantidad de potencia de salida transformada en luz es directamente
proporcional a la corriente en polarización en directa, como la figura 3-30
(b) lo ilustra. Un incremento de IF corresponden proporcionalmente a un
incremento de la salida de luz.

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Emisión de luz

 Un LED emite luz dentro de un intervalo especificado de longitudes de

onda, como lo indican las curvas de salida espectral de la figura 3-31.
 Las curvas en la parte (a) representan la salida de luz contra longitud de
onda para LED visibles típicos y la curva de la parte (b) para un LED
infrarrojo típico.
 La longitud de onda (𝜆) se expresa en nanómetros (nm). La salida
normalizada del LED rojo visible alcanza su valor máximo a 660 nm, el
amarillo a 590 nm, el verde a 540 nm y el azul a 460 nm. La salida del LED
infrarrojo alcanza su valor máximo a 940 nm.

 La gráfica en la figura 3-32 es el patrón de radiación de un LED típico.

Muestra qué tan direccional es la luz emitida. El patrón de radiación
depende del tipo de estructura de la lente del LED. Mientras más angosto
sea el patrón de radiación, más luz se concentrará en una dirección
particular. Además se utilizan lentes especiales para resaltar el color.

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Información en una hoja de datos de LED

La figura 3-34 muestra una hoja de datos parcial de un diodo emisor de luz
infrarrojo (IR) TSMF1000. Observe que el voltaje en inversa máximo es de
sólo 5 V, la corriente máxima de polarización en directa es de 100 mA y la
caída de voltaje de polarización en directa es aproximadamente de 1.3 con IF
= 20 mA. En la parte (c) de la gráfica se puede ver que la salida de potencia
pico para este dispositivo ocurre a una longitud de onda de 870 nm; su
patrón de radiación se muestra en la parte (d).
Intensidad radiante e irradiancia
En la figura 3-34 (a), la intensidad radiante, Ie (símbolo que no deberá ser
confundido con la corriente), es la potencia de salida por esterradian y se
especifica como 5 mW/sr con IF = 20 mA. El esterradian (sr) es la unidad de
medición del ángulo sólido.La irradiancia, E, es la potencia por unidad de área
a una distancia dada de una fuente de LED expresada en nW/cm2. La
irradiancia es importante porque la respuesta de un detector (fotodiodo)
utilizado junto con un LED depende de la irradiancia de la luz que recibe.

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