INSTITUTO TECNOLOGICO DEL ORIENTE DEL ESTADO DE
HIDALGO
Asignatura:
Electrónica de potencia aplicada
Alumno:
Jorge Juarez Ibarra
Reporte de practica:
Puente H con transistores MOSFET
Docente:
Ing. Giovanny Ortega Vargas
Apan Mayo, 2018
Contenido
Introducción 3
Material 5
Desarrollo 5
PRUEBAS 9
Conclusión 10
Referencias 10
Ilustración 1 Puente H representación. 4
Ilustración 2 MOSFET canal P y canal N 4
Ilustración 3Circuito proteus simulado. 5
Ilustración 4 Circuito resultante para la impresión en software proteus 6
Ilustración 5 Circuito listo para imprimir 6
Ilustración 6 Planchado del circuito 7
Ilustración 7Acido férrico para quitar cobre innecesario para obtención del circuito 7
Ilustración 8 Placa soldada 8
Ilustración 9 Puente H terminado. 8
Ilustración 10 Voltaje suministrado. 9
Ilustración 11 Puente H energizado. 9
Introducción
En el presente informe se describe la construcción de un puente H c o n MOSFET de
enriquecimiento con el fin de poder controlar el sentido de giro de un motor DC
Los puentes H están disponibles como circuitos integrados, o se pueden construir con
componentes comunes. Sin embargo, el mundo real y físico, nos presenta ciertas dificultades
a la hora de operar el puente-H. El puente H es un circuito electrónico que permite a un motor
eléctrico DC girar en ambas direcciones, los puentes H se pueden construir a partir de
componentes electrónicos.
Marco teórico
El puente H o puente en H es un circuito electrónico que permite a un motor eléctrico DC
girar en ambos sentidos, avanzar y retrocerder.
Los puentes H ya vienen hechos en algunos circuitos integrados, pero también se pueden
construir a partir de componentes discretos.
Este PUENTE de H utiliza transistores MOSFET principalmente para mejorar la eficiencia
del puente. A diferencia de los transistores bipolares, los transistores MOSFET poseen una
resistencia entre Drenaje y Fuente (RDS) cuando son activados que rondan los 0.1 ohms
(dependiendo del modelo).
Esto significa que en un ejemplo como el anterior y trabajando con una corriente de 4 amperes
estaríamos perdiendo solo 0.4v por transistor (0.8v en total), lo cual representa una notable
mejora en el rendimiento del puente.
Los MOSFETs trabajan mediante la aplicación de un voltaje en la Compuerta o Gate.
En este circuito trabajan dos tipos de MOSFET: N-Chanel (canal negativo – Q3 y Q5) y P-
Chanel (canal positivo – Q2 y Q4). En el primer caso pasan a modo conducción (activado)
mediante un voltaje positivo en la Compuerta y mediante un voltaje negativo para el segundo
caso.
Ilustración 1 Puente H representación.
MOSFET El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source),
drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato
generalmente está conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden
encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que
fue el material de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio policristalino
debido a su capacidad de formar puertas auto-alineadas. Las puertas metálicas están
volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operación
de los transistores sin utilizar componentes metálicos en la puerta. De manera similar, el
'óxido' utilizado como aislante en la puerta también se ha reemplazado por otros materiales
con el propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.
A continuación se muestra en la ilustración los MOSFET canal P y canal N.
Ilustración 2 MOSFET canal P y canal N
Las resistencias R3, R4, R5 y R6 han sido colocadas para evitar que el MOSFET se
autodestruya. Estas resistencias permitirán un comportamiento estable del MOSFET y
además agregarán una protección contra la estática.
Para el cambio de sentido de giro del motor se ocupan 2 interruptores que no permite el paso
de corriente hasta que se active
Los diodos se ocupan para la protección del giro del motor y poder invertir la polaridad y
tener una dirección horaria y una antihorario (Fuentes, s.f.)
Material
4 transistores MOSFET IRF9540N
4 diodos 1N4007
1 Protoboard
1 placa fenólica
3 conectores
6 resistencias de 10k
3 resistencias de 1k
2 transistores 2222A
Desarrollo
Para el armado del puente h se simulo el circuito seleccionado para esta practica a
continuación se muestra
Ilustración 3Circuito proteus simulado.
Después proseguimos a diseñar el circuito con herramientas del software proteus como se
muestra en la ilustración
Ilustración 4 Circuito resultante para la impresión en software proteus
Después de asegurar que funcionaria en proteus seguimos con el siguiente paso que fue
imprimir el circuito para después asi grabarlo en la placa fenólica.
Ilustración 5 Circuito listo para imprimir
Impreso listo para grabar en la placa fenólica
Ilustración 6 Planchado del circuito
Después se introdujo en el ácido férrico par obtener así un circuito mas ideal para el puente
H
Ilustración 7Acido férrico para quitar cobre innecesario para obtención del circuito
Después se perforo la e introducimos los componentes correspondientes como anteriormente
se tenia en el programa proteus,
Ilustración 8 Placa soldada
Se muestra el circuito parte frontal del puente H.
Ilustración 9 Puente H terminado.
PRUEBAS
Como se puede observar necesito mas de 5 volts para que el puente empezara funcionar y un
limite de 12 que pudimos observar el funcionamiento fue el esperado ya que giraba hacia el
sentido horario y en un sentido antihorario.
Ilustración 10 Voltaje suministrado.
En este caso se utilizo un motor de una turbina el cual se lograba ver como extraía y
suministraba ahí esto significa que el sentido de los motores cambiaba con forme los
interruptores utilizados.
Ilustración 11 Puente H energizado.
Conclusión
Al ver funcionar el puente h se puede observar que son de gran utilidad para el control de
giro de un motor sin dañar o forzar un circuito sensillo, pero con ayuda de los MOSFET se
logro lo esperado con esto podemos demostrar qula eficiencia que tiene un puente H con
estos transistores a comparación de algún otro circuito mas sencillo que fue que logra cargas
mas grandes y voltajes mas elevados.
Referencias
Antioquia, R. F. (diciembre de 2014). Electrical energy conversion system design with
single-phase inverter and H5 transformerless topology. Obtenido de Electrical
energy conversion system design with single-phase inverter and H5 transformerless
topology.: http://www.scielo.org.co/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0120-
62302014000400008
Competitividad, I. Y. (14 de noviembre de 2014). Novel methodology for the calculation of
h bridge . Obtenido de Novel methodology for the calculation of h bridge :
http://www.scielo.org.co/pdf/inco/v17n1/v17n1a11.pdf
Fuentes, F. (s.f.). Montaje y análisis de un Puente H. Obtenido de Montaje y análisis de un
Puente H: http://www.academia.edu/9147002/Puente_H
http://ladelec.com/circuitos/analogos/267-puente-de-h-con-mosfet-complementarios. (s.f.).
http://ladelec.com/circuitos/analogos/267-puente-de-h-con-mosfet-complementarios. (s.f.).
